電子線描画

US9545507
[0189] A pattern was then formed on each substrate via an electron beam lithography patterning process as is known in the art using a JEOL JBX-9300FS EBL system. The processing conditions were as follows:
【０１８８】
  次に、日本電子（ＪＥＯＬ）製のＪＢＸ－９３００ＦＳ電子線描画（ＥＢＬ）装置を用いて、当分野で既知であるような電子ビームリソグラフィパターニングステップによって各基板上にパターンを形成した。処理条件は、以下の通りであった。

US9995895
[0085] Also, the bonding can be performed on top of the ILD1 dielectric, the latter including tungsten contacts (not shown).
【００７６】
  さらに、結合は、ＩＬＤ１誘電体の頂部上で実施することができ、ＩＬＤ１誘電体はタングステン接点を含む（図示せず）。

As the tungsten contacts are small compared to the overall wafer area, the adhesion is not expected to degrade.
タングステン接点は、ウェハ領域全体と比較して小さいので、接着が劣化すると予想されない。

Tungsten as a material is preferred for the contact
材料としてのタングステンは、接点として好ましい。

as they are then able to serve as alignment markers for an electron beam (e-beam) process as they have a large ion mass and thus a good contrast using an electron beam imaging system.
というのは、電子線描画システムを使用すると、タングステンは、大きいイオン質量、したがって良好なコントラストを有するので、電子線（ｅビーム）プロセスにとっての位置合わせマーカとして働くことが可能だからである。

US2016115032
[0058] FIG. 2a is a schematic view of the Hall mobility measurement device with nominal channel widths of 1 μm and lengths of 1.5 μm using electron beam lithography and oxygen plasma etching.
【図２】図２ａは、電子線描画及び酸素プラズマエッチングを用いた公称チャネル幅１μｍ、長さ１．５μｍのホール移動度測定装置の模式図である。図２ｂは、作製したホール装置の光学顕微鏡画像である。

US8724115
[0005] In EBDW lithography, the substrate (e.g., semiconductor wafer) is sequentially exposed by a focused electron beam,
【０００５】
  ＥＢＤＷリソグラフィでは、基板（例えば、半導体ウェーハ）を集束電子ビームによって順次露光する。

whereby the beam is scanned over the whole wafer and the desired structure is written on the wafer by corresponding blanking of the beam.
それによりビームがウェーハ全体にわたって走査し、ビームのブランキングを対応させることにより所望の構造をウェーハ上に描画する。

Alternatively, in a vector scan method, the focused electron beam is guided over the regions to be exposed.
あるいは、ベクタースキャン方式では、集束電子ビームは露光領域上に導かれる。

The beam spot may be shaped by a diaphragm.
ビームスポットは絞りにより成形される。

Scanning e-beam lithography is distinguished by high flexibility, since the circuit geometries are stored in a computer and can be optionally varied.
回路ジオメトリはコンピュータに保存され必要に応じて変えることができるため、走査電子ビームリソグラフィは高い柔軟性が特徴である。

Furthermore, very high resolutions can be attained by electron beam writing, since electron foci, with small diameters, may be attained with electron-optical imaging systems.
更に、小径の電子線焦点が電子光学イメージングシステムを用いて実現できるため、電子線描画により非常に高い解像度が得られる。

US9443346
[0001] The present disclosure generally relates to the field of x-ray visualization.
【０００２】
  本開示は、概略としてｘ線描画の分野に関する。

The present disclosure relates more specifically to the creation of two-dimensional x-ray images for providing assistive views in preparation for an operation.
本開示は、より具体的には、手術の準備において補助的な表示を与えるための二次元ｘ線画像の作成に関する。