US2008016684
FIG. 15 is a slight variation of the wafer processing apparatus of FIG. 14.
図１５はウェーハプロセス装置のやや異なった実施形態を示す。
In this embodiment, the over-coating layer 300 is only applied on the surfaces that are not to be in contact with the wafer.
本実施形態において、被覆層３００はウェーハと接触しない面にのみ施されている。
For some applications, occasionally an over-coating layer 300 could comprise non-idealities, i.e., defects and undesirable elements such as nodules due to dust and gas phase nucleation, or uneven coating/non-uniform coating thickness.
ある種の用途では、被覆層３００は非理想的な場合がある。すなわち、発塵およびガス層の核生成に起因するノジュール等の欠陥および好ましくない要素の形成、又は被覆層が不均一、ないしは層厚さが不規則になる等である。
The non-idealities in the surface would prevent the wafer from making optimum thermal contact and/or placing the wafer out of focus.
このような非理想的な表面は、ウェーハの好適な熱的接触および／又は焦点ズレを起こす原因となる。
By avoiding deposition on the wafer contacting surface as in the embodiment of this FIG. 15, the imperfections can be mitigated.
図１５に示すこの実施形態においては、ウェーハ接触面に成膜を行わないため、上記の不完全さを緩和することができる。
WO2006046996
Additionally, PTFE is a n'on-linting, non-outgassing inert binder that can be used as an adsorbent binder by mechanically entrapping adsorbent particles within the PTFE material.
さらにＰＴＦＥは、ＰＴＦＥ材料内部に吸着粒子を機械的に捕捉する吸着バインダーとして使用できる、非発塵性・非アウトガス性の不活性バインダーである。
This entrapment effectively reduces dusting of adsorbent material during the manufacture and during the life of the filter.
このように捕捉するため、製造中及びフィルタ寿命中の吸着材の発塵が効果的に低減する。
This material can also be made in a relatively thin, highly loaded material as described in U.S. Patent 4,985,296.
この材料は、米国特許第４９８５２９６号に記載するような、比較的薄くて高担持量の材料にすることもできる。
The PTFE/adsorbent composite can be made in thicknesses from less than 0.001" to 0.400" or more prior to grooving.
ＰＴＦＥ／吸着複合体は、溝形成前の厚さを０．００１インチ未満～０．４００インチ又はそれ以上とすることもできる。
This allows a great deal of flexibility in finished filter thicknesses and adsorbent loading.
このことによって、完成したフィルタ厚さ及び吸着材担持量を非常に自由にできる。
Additionally, sorbent densities approximating 80-95% of full density are possible with multi-model packing and physical compression,
さらに、完全密度の８０～９５％に近い吸着材密度は、マルチモデルパッキング（multi-model packing）及び物理的圧縮を用いて可能であり、
so that maximum adsorbent material can be packed per unit volume.
吸着材を最大量単位体積に詰め込める。
US2015174768
[0033] FIG. 1 shows an example of a simplified schematic of forces acting on a substrate 10, such as a 450 mm semiconductor wafer, supported on end effector contact pads 14 of an end effector 12 during substrate transfer.
図１は、基板搬送の際に、エンドエフェクタ１２のエンドエフェクタ接触パッド１４に支持された４５０ｍｍ半導体ウェハなどの基板１０に作用する力の概略図の一例を示している。
Low particle requirements can preclude the use of front-side grippers or other contact with the front-side 15 of the substrate 10.
表側グリッパ、または基板１０の表側１５と接触するその他のものを使用することは、低発塵要求によって除外され得る。
WO2012071365
As yet a further example, the mold
また別の例として、鋳型は、
may comprise a material that does not deleteriously contaminate either the solidified semiconducting material layer being formed on the mold or the molten semiconducting material residuum via breakage, spallation, dusting, and diffusion of vapor or liquid phases of solid components or evolved gases.
鋳型上に形成されつつある凝固半導体材料層または残余溶融半導体材料のいずれも、破断、層状剥離、発塵、及び固体成分の気相または液相あるいは発生したガスの拡散による有害な汚染を生じさせない材料からなることができる
