和英特許翻訳メモ

便利そうな表現、疑問、謎、その他メモ書き。思いつきで書いてます。
拾った用例は必ずしも典型例、模範例ではありません。

状況に鑑み

2020-10-11 18:28:03 | 英語特許散策

US2018281050
[0006] In view of the above remarks, there remains a need in the art for a chain assembly having a link with an outer plate that is permanently marked in a cost effective manner.
【0006】
  このような状況に鑑み、当技術の分野においては、コスト効果が高く、永久的にマーキングされる外部プレートを備えたリンクを有するチェーンアセンブリが必要である。

WO2018169552
[0004] In view of the state of the known technology, one aspect of the present disclosure is
周知技術の状況に鑑み、本開示の一つの側面は、

to provide a vehicle bumper assembly with a first energy absorbing member, a second energy absorbing member and a vehicle facia member.
第1エネルギー吸収部材、第2エネルギー吸収部材及び車両ファシア部材を有する車両バンパーアセンブリを与えることにある。

WO2014145813
Again without wishing to be bound by theory, under these circumstances
ここでも、理論に拘束されることを望むわけではないが、これらの状況に鑑み

it is believed that the millable grinding matrix affords the advantage of the present disclosure through a second route, with the smaller particles of grinding matrix produced under the dry milling conditions enabling greater interaction with the abiraterone acetate. 
乾式粉砕条件下で作製された粉砕マトリックスルの粒子が小さいほどアビラテロン酢酸エステルとの相互作用性が高いという第2の理由から、粉砕可能な粉砕マトリックスが本発明の利点をもたらすと考えられる。

WO2018098267
[0360] According to some embodiments, device-level shields are removable
[0360] いくつかの実施形態によれば、装置レベルのシールドは除去可能であり、

such that the amount of shielding provided may be selected in view of the particular circumstances, such as the required accessibility to the patient and/or imaging region for a given procedure, the severity of a patient's claustrophobia, the particular noise environment, etc. 

提供される遮蔽の量は、所与の手順のために患者および/または撮像領域への要求されるアクセス可能性、患者の閉所恐怖症の重さ、特定のノイズ環境などといった特定の状況に鑑みて選択されうる。

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電源を供給

2020-10-11 17:41:34 | 英語特許散策

WO2018222789
The battery 22 provides operational power to all components on the schematic.
電池22は、回路図上の全ての構成要素に動作電源を供給する

The piezo pump 30 can optionally provide a method to move air through the VOC sensor 28
圧電ポンプ30は、任意選択的に、VOCセンサ28中に空気を移動させて、

to increase sampling of air rather than waiting for the air exchange of time as would be done without the pump
ポンプが無ければ必要になるであろう空気入替え時間の間待機することなく、空気のサンプリングを増加させる方法を提供することが可能である。

EP2269301
[0026] The envelope detection module 302-L-3 may detect the envelope of the input digital audio signal by buffering or storing k samples of the input digital audio signal.
包絡線検出モジュール302-L-3は、入力デジタルオーディオ信号のk個のサンプルをバッファリングするまたは記憶することによって入力デジタルオーディオ信号の包絡線を検出することができる。

In one aspect of the disclosure, the envelope detection module 302-L-3 determines the peak value of the k samples, and generates an envelope signal indicative of the peak value.
1つの態様において、包絡線検出モジュール302-L-3は、k個のサンプルのピーク値を決定し、そのピーク値を示す包絡線信号を生成する。

In this manner, the power supply 312 is configured to supply power to handle the peak value.
この方法において、電源312は、ピーク値を処理するために電源を供給するように構成されている。

EP3355334
[0002] Relays have been used in various applications for many years.
リレーは、数年に渡って各種の応用に用いられていた。

A relay is a remotely operated switching device that typically includes a coil and at least one set of contacts providing switched power to a connected device.
リレーは、遠隔操作のスイッチング装置であり、一般的にコイルと少なくとも1群の接点とを備え、接続された装置へオン・オフ電源を供給する

Based on the power applied to the coil, the contacts change state to turn power on / off to the connected device.
コイルに印加された電力に基づいて、接点が状態を変えて、接続された装置の電源をオン/オフする。

When power is applied to the coil, the contacts move to an activated state (this could be opened or closed),
コイルに電源を入れたとき、接点が作動状態(開または閉)に移行する一方、

and when power is removed from the coil, the contacts move to the default state (this again, could be opened or closed).
コイルに電源を切ったとき、接点がデフォルト状態(開または閉)に移行する。

US2018123398
[0031] Each power receiving device 10 in system 8 may be a portable electronic device such as a wristwatch, a cellular telephone, a laptop computer, a tablet computer, or other electronic equipment.
システム8における各電力受信デバイス10は、腕時計、セルラー電話、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、又は他の電子機器などのポータブル電子デバイスであってもよい。

Power transmitting device 12 may be coupled to a source of alternating current voltage such as alternating current power source 50 (e.g., a wall outlet that supplies line power or other source of mains electricity),
電力送信デバイス12は、交流電源50(例えば、ライン電力又は他の電源を供給する壁コンセント)などの交流電圧源に接続されてもよく、

may have a battery such as battery 38 for supplying power, and/or may have another source of power.
電力を供給するためのバッテリ38などのバッテリを有してもよく、及び/又は別の電源を有してもよい。

US10481627
Related IS guidelines also advise against switching on power within a PTD that is connected to a field device and that is located within a vicinity of the field device.
関連ISガイドラインは更に、フィールドデバイスまたは他の設備資産に接続され、かつフィールドデバイスの近傍内に位置するPTDの内部の電源を入れないように推奨している。

IS standards generally require manual intervention when applying power to a non-operating or a non-powered field device installed in the field. 
IS基準によれば普通、現場に設置される非稼働状態または非給電状態のフィールドデバイスに電源を供給する場合に手動介入を必要とする。

WO2017070103
 Therefore, it is required to transfer control signals (On-Off signals) and power across an isolation barrier.
したがって、絶縁バリアを跨がって制御信号(オンオフ信号)および電力を転送することが要求される。

Traditionally, this isolation is via use of an isolated power supply that powers the high side circuit and an optocoupler that transfers the On-Off control signal;
従来、この絶縁は、高い側の回路に電源を供給する絶縁電源と、オンオフ制御信号を転送するオプトカプラを使用して行われていたが、

however, the use of such components to provide isolation and the transfer of control signals
絶縁および制御信号の転送を提供するためにこのような構成要素を使用することは、

increases the cost of the MEMS relay and the printed circuit board area taken up thereby.
MEMSリレーのコストおよび占有するプリント回路基板面積を増加させる。

US10101822
Due to physical limitations (e.g., size) of keyboard interfaces on mobile devices, touch inputs from a user can be determined to correspond to keys that the user did not intend to input.
【0004】モバイル機器におけるキーボードインタフェースの物理的な制限(例えばサイズ)により、ユーザからのタッチ入力はユーザが入力することを意図していなかったキーに対応するものと判定されうる。

This can bring about significant inaccuracy and inefficiency when inputting text.
これはテキスト入力時に重大な不正確性および非効率性の原因となる。

Further, for languages that rely on converting phonetic-based inputs (e.g., Chinese pinyin, Japanese hiragana, etc.) into predicted candidate text (e.g., Chinese characters, Japanese words, etc.),
さらに、発音ベースの入力(例えば中国語のピンイン、日本語の平仮名など)から予測される候補テキスト(例えば漢字、日本語単語など)への変換に頼る言語に関して、

errors in text input can result in the generation of a large number of irrelevant candidates.
テキスト入力の誤りは多くの無関係な候補の生成の原因となりうる。

This can significantly compromise user experience and productivity.
これはユーザエクスペリエンスおよび生産性を大幅に低下させうる。

 

2. Reduced Keyboard Interface
【0124】2.縮小キーボードインタフェース

Reduced keyboard interfaces can be used to provide text input on electronic devices (e.g., devices 100, 300, or 500).
電子機器(例えば機機100、300、または500)でテキスト入力を提供するために、縮小キーボードインタフェースを用いることができる。

FIGS. 6A-C illustrate exemplary reduced keyboard interface 600 for inputting Japanese text.
図6A~図6Cは、日本語テキストを入力するための例示的な縮小キーボードインタフェース600を示している。

Reduced keyboard interface 600 can be referred to as a 10-key kana keyboard interface.
縮小キーボードインタフェース600は、10キーかなキーボードインタフェースと呼ぶこともできる。

Reduced keyboard interface 600 can be displayed on a touch screen (e.g., touch screen 112) of the electronic device.
縮小キーボードインタフェース600は、電子機器のタッチスクリーン(例えばタッチスクリーン112)に表示することができる。

As shown, reduced keyboard interface 600 can include 10 primary character keys 602
図示の通り、縮小キーボードインタフェース600は、日本語のひらがなを入力するための

(e.g., labelled Image available on "Original document", Image available on "Original document", Image available on "Original document", Image available on "Original document", Image available on "Original document", Image available on "Original document", Image available on "Original document", Image available on "Original document", Image available on "Original document", and Image available on "Original document")
  (例えば、あ、か、さ、た、な、は、ま、や、ら、および、わとラベル付けされた)

for inputting Japanese hiragana characters and 2 additional keys 604, 606 for adding diacritic symbols and punctuation, respectively.
10個の主文字キー602と、発音区別符号および句読点をそれぞれ追加するための2つの付加キー604、606とを含むことができる。

Each primary character key 602 can be configured to provide access to one or more secondary character keys.
主文字キー602の各々は、1つ以上の副文字キーへのアクセスを提供するように構成することができる。

In particular, as shown in FIG. 6B,
特に、図6Bに示すように、

providing a touch contact to primary character key 602-1 associated with the character Image available on "Original document"
文字「な」に関連付けられた主文字キー602-1へのタッチコンタクトの提供は、

an cause four secondary character keys 608, 610, 612, 614 associated with the characters Image available on "Original document", Image available on "Original document", Image available on "Original document", Image available on "Original document", respectively, to be displayed.
文字「に」「ぬ」「ね」「の」にそれぞれ関連付けられた4つの副文字キー608、610、612、614を表示させることができる。

As such, in the present example, 50 character keys can be available for input via the 10 primary character keys 602.
したがって、この例では、10個の主文字キー602を用いて50個の文字キーを入力に用いることができる。

(*以下、上記段落【0124】の平仮名のGoogle Patent表示)

************

"2. Reduced Keyboard Interface

Reduced keyboard interfaces can be used to provide text input on electronic devices (e.g., devices 100300, or 500). FIGS. 6A-C illustrate exemplary reduced keyboard interface 600 for inputting Japanese text. Reduced keyboard interface 600 can be referred to as a 10-key kana keyboard interface. Reduced keyboard interface 600 can be displayed on a touch screen (e.g., touch screen 112) of the electronic device. As shown, reduced keyboard interface 600 can include 10 primary character keys 602 (e.g., labelledFigure US10101822-20181016-P00001Figure US10101822-20181016-P00002Figure US10101822-20181016-P00003Figure US10101822-20181016-P00004Figure US10101822-20181016-P00005Figure US10101822-20181016-P00006Figure US10101822-20181016-P00007Figure US10101822-20181016-P00008Figure US10101822-20181016-P00009, andFigure US10101822-20181016-P00010) for inputting Japanese hiragana characters and 2 additional keys 604606 for adding diacritic symbols and punctuation, respectively. Each primary character key 602 can be configured to provide access to one or more secondary character keys. In particular, as shown in FIG. 6B, providing a touch contact to primary character key 602-1 associated with the character Figure US10101822-20181016-P00011 an cause four secondary character keys 608610612614 associated with the characters Figure US10101822-20181016-P00012,Figure US10101822-20181016-P00013,Figure US10101822-20181016-P00014,Figure US10101822-20181016-P00015, respectively, to be displayed. As such, in the present example, 50 character keys can be available for input via the 10 primary character keys 602.

***********

 

Device 100 also includes power system 162 for powering the various components.
【0034】機器100はまた、様々な構成要素に電源を供給するための電源システム162を有する。

Power system 162 may include a power management system, one or more power sources (e.g., battery, alternating current (AC)),
電源システム162は電力計測システム、1つ以上の電源(例えば電池、交流電源(AC))、

a recharging system, a power failure detection circuit, a power converter or inverter, a power status indicator (e.g., a light-emitting diode (LED))
充電システム、電源故障検出回路、電力コンバータまたはインバータ、電源ステータスインジケータ(例えば発光ダイオード(LED))

and any other components associated with the generation, management and distribution of power in portable devices.
 および、携帯型機器内の電力生成、管理および分配に関する他の任意の構成要素を有してよい。

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帰還する

2020-10-11 16:31:05 | 英語特許散策

WO201091205
[0056] One embodiment of an RF current path is schematically illustrated by arrows in Figure 1A.
RF電流パスの一実施形態が、図1Aにおいて矢印により概略的に示される。

In Figure 1 , the RF current path may be indicative of RF current flow during processing of the substrate 101.
図1においては、RF電流パスは、基板101の処理中のRF電流の流れを表し得る。

The RF current generally travels from a first lead 123a of the RF power source 105 to the first output 106a of the impedance matching circuit 121 ,
RF電流は、概して、RF電源105の第1のリード123aからインピーダンス整合回路121の第1の出力106aまで進み

then travels along an outer surface of the conduit 134 to a back surface of the backing plate 116,
次いで導管134の外方表面に沿ってバッキングプレート116の後表面まで進み、

then to a front surface of the gas distribution plate 114.
次いでガス分配プレート114の前表面まで進む。

From the front surface of the gas distribution plate 114, the RF current goes through plasma 108a
ガス分配プレート114の前表面から、RF電流は、プラズマ108aを通り進み

and reaches a top surface of the substrate 101 or the substrate support 104,
基板101または基板サポート104の上部表面に達し、

then through the plurality of RF devices 109a and/or 109b to an inner surface 125 of the chamber body 102.
次いで複数のRFデバイス109aおよび/または109bを通り、チャンバ本体102の内方表面125まで進む。

From the inner surface 125, the RF current returns to a second lead 123b of the RF power source 105 from the impedance matching circuit 121.
内方表面125から、RF電流は、インピーダンス整合回路121からRF電源105の第2のリード123b帰還する

WO2016061410
[0060] It is also desirable to minimize stack height of the fingerprint sensors, particularly for mobile devices.
特にモバイルデバイスに対して、指紋センサのスタック高さを最小化することも望ましい。

As a result, the distance between the PMUT elements and a finger or other object being imaged may be very small.
その結果、PMUT要素と撮像される指または他の物体との間の距離は、非常に小さくなり得る。

Figure 3 depicts examples of signal waveforms representative of transmitted and received ultrasonic signals as a function of time for a PMUT array with an approximately 400 micron thick platen positioned on top of the array.
図3は、アレイの上面に置かれた約400ミクロンの厚さのプラテンを有するPMUTアレイに対して、送信および受信された超音波信号を時間の関数として表した信号波形の例を示す。

Figure 3 depicts a series of five tone burst (TB) cycles applied to a two-port PMUT (see top graph).
図3は、2ポートPMUTに印加された一連の5つのトーンバースト(TB)サイクル(一番上のグラフ参照)を示す。

The acoustic transmit power depicted in the second graph shows a build-up in acoustic energy in the sensor stack as additional tone burst cycles are applied.
第2のグラフに示されている音響送信電力は、追加のトーンバーストサイクルが印加されるにつれて、センサスタック内に音響エネルギーが集積することを示す。

When the applied signals are discontinued at the end of the transmit (Tx) mode, the transmitted acoustic power declines.
印加された信号が送信(Tx)モードの終端において停止されると、送信された音響電力は減衰する。

A portion of the transmitted ultrasonic waves may be reflected from the platen surface back towards the PMUT array.
送信された超音波の一部は、プラテンの表面からPMUTアレイに戻る方向に反射することがある。

The acoustic power at the PMUT array for the first echo is shown in the third graph.
第1のエコーに対するPMUTアレイにおける音響電力は、第3のグラフで示される。

Typical ultrasonic transmitter signals may include a series of one or more tone burst (TB) cycles and the echo from the first cycle may arrive back at the receiver prior to completion of the tone burst cycles.
典型的な超音波送信機信号は、一連の1つまたは複数のトーンバースト(TB)サイクルを含んでよく、第1のサイクルからのエコーが、トーンバーストサイクルの終了前に受信機帰還することがある。

Undesirably, outputted and returning ultrasonic signals may substantially overlap.
望ましくないことに、出力された超音波信号と帰還する超音波信号とが実質的に重複することがある。

It may be observed that a time interval between an outputted ultrasonic signal and a returning ultrasonic signal (corresponding 1st echo)
プラテンを通る音響経路長および音響経路内の材料の音速に大きく依存して、出力された超音波信号と帰還する超音波信号(第1のエコーに対応する)との間の時間間隔は、

may be very small (less than about 0.2 μβεΰ), depending largely on the acoustic path length through the platen and the speed of sound of material in the acoustic path.
非常に小さい(約0.2μsec未満)であることが観測され得る。

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反射波電力

2020-10-11 15:59:52 | 英語特許散策

WO2014143215
[0003] Plasma etching is frequently used in semiconductor fabrication.
プラズマエッチングは、半導体製造において頻繁に使用される。

In plasma etching, ions are accelerated by an electric field to etch exposed surfaces(*複数)on a substrate.
プラズマエッチングでは、電界によってイオンを加速させて、基板の露出表面をエッチングする。

The electric field is generated based on RF power signals generated by a radio frequency (RF) generator of a RF power system.
電界は、RF電力システムの無線周波数(RF)発生器によって生成されたRF電力信号に基づいて生成される。

The RF power signals generated by the RF generator must be precisely controlled to effectively execute plasma etching.
RF発生器によって生成されるRF電力信号は、プラズマエッチングを効果的に実行するために、精確に制御しなければならない。

[0004] A RF power system(*不定冠詞;上記のRF power systemを直接指していない;one and onlyではない)may include a RF generator, a matching network, and a load, such as a plasma chamber.
RF電力システムは、RF発生器、整合ネットワーク、およびプラズマチャンバなどの負荷を含むことができる。
 
The RF generator generates RF power signals, which are received at the matching network(*定冠詞;なぜ?).
RF発生器は、RF電力信号を生成し、この信号は整合ネットワークで受け取られる。
 
The matching network matches an input impedance of the matching network to a characteristic impedance of a transmission line between the RF generator and the matching network.
整合ネットワークは、整合ネットワークの入力インピーダンスを、RF発生器と整合ネットワークとの間の伝送線の特性インピーダンスに整合させる。
 
This impedance matching aids in minimizing an amount of power forwarded to the matching network ("forward power") and reflected back from the matching network to the RF generator ("reverse power").
このインピーダンスの整合は、整合ネットワークに送られる電力(「進行波電力(forward power)」)、および整合ネットワークからRF発生器に反射する電力(「反射波電力(reverse power)」)を最小限に抑える一助となる。
 
The impedance matching also aids in maximizing power forwarded from the matching network to the plasma chamber.
このインピーダンスの整合はまた、整合ネットワークからプラズマチャンバに送られる電力を最大にする一助となる。
 
[0005] In the RF power supply field, there are typically two approaches to applying the RF signal to the load.
RF電源の分野では、RF信号を負荷に印加するのに典型的には2つの手法がある。
 
A first, more traditional approach is to apply a continuous wave signal to the load.
第1の、より従来型の手法では、連続波信号を負荷に印加する。
 
The continuous wave signal is typically a sinusoidal wave that is output continuously by the power supply to the load.
連続波信号は、典型的には、電源によって負荷に連続して出力される正弦波である。
 
In the continuous wave approach, the RF signal assumes a sinusoidal output, and the amplitude and/or frequency of the sinusoidal wave can be varied in order to vary the output power applied to the load.
 連続波手法では、RF信号は正弦波出力を呈し、この正弦波の振幅および/または周波数は、負荷に印加される出力電力を変動させるように変動させることができる。
 
[0006] A second approach to applying the RF signal to the load involves pulsing the RF signal, rather than applying a continuous wave signal to the load.
RF信号を負荷に印加する第2の手法は、連続波信号を負荷に印加するのではなく、RF信号をパルス化させるものである。
 
In a pulsed mode of operation, a RF sinusoidal signal is modulated by a modulation signal in order to define an envelope for the modulated sinusoidal signal.
パルス化動作モードでは、RF正弦波信号は、変調された正弦波信号のエンベロープを画定するように、変調信号によって変調される。
 
In a conventional pulsed modulation scheme, the RF sinusoidal signal typically is output at a constant frequency and amplitude.
従来のパルス化変調方式では、RF正弦波信号は、典型的には一定周波数、および一定振幅で出力される。
 
Power delivered to the load is varied by varying the modulation signal, rather than varying the sinusoidal, RF signal.
負荷に送達される電力は、正弦波形のRF信号を変動させるのではなく、変調信号を変動させることによって変動させる。
 
The modulation may be amplitude modulation for on/off pulse sequences. The amplitude modulation may be multilevel.
この変調は、パルスシーケンスをオン/オフするための振幅変調でよい。振幅変調は、多重レベルでもよい。
 
WO2007081369
[0058] The FPGA 33 of the present example can also be used to protect the RF power amplifier 39 from excessive reflected power that could cause damage to the amplifier.
本実施例に係るFPGA33は、増幅器を故障させうる電力の過大な反射からRF電力増幅器39を保護するために使用可能となっている。
 
The RF power amplifier 39 generates signals proportional to the forward and reflected power.
RF電力増幅器39は、進行波電力及び反射波電力に比例した信号を発生させる。
 
These signals are compared to predetermined values so as to produce a reflected power warning signal at any time that the Voltage Standing Wave Ration (VSWR) of the RF power amplifier 39 exceeds 1.6 (representing approximately 10% reflected power).
これらの信号は、所定の値と比較され、RF電力増幅器39でのVSWR(Voltage Standing Wave Ratio)が1.6(約10%の電力が反射されることを示す)を超えたとき、いつでも反射波警告信号を発生する。
 
As the skilled reader will appreciate, the VSWR is an unavoidable feature of a RF system.
当業者は理解するように、1を超えるVSWRは、RFシステムの回避できない特性である。
 
In general terms, it is caused by mismatches in component impedances in the signal path.
平たく言えば、これは、信号経路におけるインピーダンス成分の不整合による。
 
The circumstances when such a value of the VSWR might be expected to reach such a level in the present example include a failure in the laser or matching network (the components within the laser arranged to balance the input impedance for the RF laser drive signal with the output impedance of the RF power amplifier).
本実施例において、VSWRのそのような値がそのよう範囲に達することが予期される状況では、レーザ又はマッチング網(RFレーザ駆動信号についての入力インピーダンスとRF電力増幅器の出力インピーダンスとのバランスを取るためにレーザ内に設けられている部材)における不整合の可能性が存在する。
 
The reflected power warning signal is monitored by the FRGA 33. The FPGA 33 is operable to interrupt the RF drive signal from the laser control board 31 to the RF power amplifier 39 in the case that the reflected power is too great for too long.
反射電力警告信号は、FPGA33によってモニタされる。FPGA33は、レーザ制御ボード31からFR電力増幅器39へのRF駆動信号を、反射電力が長時間に亘り大きすぎる場合に、介在可能になっている。
 
In the present example, the RF power amplifier 39 has a tolerance for high reflected power such that it cannot operate with a VSWR greater than 1.6 for more than 200 microseconds or a duty cycle above 10%.
本実施例において、RF電力増幅器39は、VSWRが1.6を超えて200μs以上又はデューティ比10%以上で動作できないように、高い反射電力に対して設定された許容範囲を有する。
 
The FPGA of the present example is operable to control the RF drive signal to prevent these conditions being exceeded in RF drive signals having pulses at a frequency of up to
本実施例に係るFPGAは、パルスを有するRF駆動信号が上記の周波数でこれらの範囲を越えることを防止するようにRF駆動信号を制御可能となっている。
 
US6943618
I-channel 40 may also include limiter block 30, and Q-channel 42 may include limiter block 32.
I-チャンネル40はリミッタブロック30をも含むことがあり、Q-チャンネル42はリミッタブロック32を含み得る。
 
Limiter blocks 30 and 32 preferably limit the amplitudes of the corresponding signals to remove the amplitude information before the signals are provided to the demodulator 50.
リミッタブロック30および32は、信号が復調器50に供給される前に振幅情報を除去するために、相当する信号の振幅を制限することが好ましい。
 
At least one of the limiter blocks 30 and 32 may contain an RSSI (Receive Signal Strength Indicator) output that can be used for Forward-and-Reverse link power management for DSSS applications or for demodulating ASK (Amplitude Shift Key) or OOK (On Off Key) signals.
リミッタブロック30および32のうち少なくとも一方は、DSSSアプリケーションまたは復調ASK(振幅シフトキーイング)またはOOK(オンオフキーイング)信号のための進行波-反射波電力管理に使用可能なRSSI(受信信号強度表示器)出力を含み得ることが好ましい。
 
One such power management approach is described in U.S. patent application Ser. No. 09/311,250, entitled "Wireless System With Variable Learned-In Transmit Power".
そのような電力管理手法の1つは「Wireless  System  With  Variable  Learned-In  Transmit  Power」というタイトルの米国特許出願第_______号の中で説明されている。
 
The RSSI signal may also be used by AFC (Automatic Frequency Control frequency tracking) or AGC (Automatic Gain Control dynamic range enhancement), or both.
このRSSI信号はAFC(自動周波数制御による周波数トラッキング)またはAGC(自動利得制御びよるダイナミックレンジ拡張)、または両方に使用されることもまたあり得る。
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当ブログの例文について

本ブログの「特許英語散策」等題した部分では、英語の例文を管理人の独断と偏見で収集し、適宜訳文・訳語を記載しています。 訳文等は原則として対応日本語公報をそのまま写したものです。私個人のコメント部分は(大抵)”*”を付しています。 訳語は多数の翻訳者の長年の努力の結晶ですが、誤訳、転記ミスもあると思いますのでご注意ください。