基準とした電圧

US10330715
As a result of using the first voltage measurement circuit 215 to initially set the potentiostat voltage provided by the voltage source 210,
【００２５】
  第１の電圧測定回路２１５を用いて、電圧源２１０によって提供されるポテンショスタット電圧を初期設定する結果として、

the voltage across the positive and negative terminals of the storage cell 230 will match the potentiostat voltage (4.305V) provided by the voltage source 210 with reference to ground. 
蓄電池２３０の正極端子及び負極端子の両端の電圧は、接地を基準とした電圧源２１０によって提供されるポテンショスタット電圧（４．３０５Ｖ）と一致することになる。

WO2017176936
In some embodiments, the first voltage is less than or equal to 6 V, less than or equal to 5.5 V, less than or equal to 5 V,
幾つかの実施形態では、第１電圧が６Ｖ以下、５．５Ｖ以下、５Ｖ以下、

less than or equal to 4.5 V, less than or equal to 4 V, less than or equal to 3.5 V, less than or equal to 3 V, less than or equal to 2.5 V, less than or equal to 2 V, less than or equal to 1.5 V, less than or equal to 1 V, or less than or equal to 0.5 V.
４．５Ｖ以下、４Ｖ以下、３．５Ｖ以下、３Ｖ以下、２．５Ｖ以下、２Ｖ以下、１．５Ｖ以下、１Ｖ以下、或いは０．５Ｖ以下とされる。

Combinations of the above-referenced ranges are also possible (e.g., greater than or equal to 0 V and less than or equal to 6 V).
上掲の値域の組合せもありうる（例．０Ｖ以上６Ｖ以下）。

Other ranges are also possible. The first voltage should be understood to be the voltage with respect to a Li⁺/Li reference potential.
他の値域もありうる。第１電圧は、Ｌｉ^＋／Ｌｉ参照電位を基準とした電圧であるものと理解されるべきである。

EP2177879
Where:m= scaling factor for converting the results into volts peak referenced to the interface input.
【００３７】
  ここで、ｍは、インタフェース入力を基準とした電圧ピークに結果を変換するための倍率である。

トランジスタのゲートに接続

US7539059
A data inverse signal source 550 is connected to a gate of a transistor 551 that connects the node 525 to node 501 to selectively invert the data at nodes 510 and 525. Operation of this selective bitline precharge circuit will be explained in greater detail herein.  It will be appreciated that circuit 500 is simplified to clearly illustrate embodiments of the present invention. Circuit 500 will perform single level cell page buffering. However, for full multilevel cell functionality additional elements to perform program and program verify.

US9490834
16. A digital-to-analog converter circuit comprising a plurality of digital-to-analog converter cells, wherein a digital-to-analog converter cell of the plurality of digital-to-analog converter cells comprises:

a cell control module connected to a gate of a first field effect transistor and a gate of a second field effect transistor,

wherein the first field effect transistor and the second field effect transistor are connected to an intermediate node of the digital-to-analog converter cell,

wherein the cell control module is configured to keep the first field effect transistor and the second field effect transistor simultaneously at a non-conductive state to switch the digital-to-analog converter cell to a tri-state mode; and

a bias module coupled to the intermediate node of the digital-to-analog converter cell,

wherein the bias module is configured to pull a voltage of the intermediate node to a desired bias voltage, if the digital-to-analog converter cell is in the tri-state mode.

 

WO2012122181
[0021] Thus, FIG. 2 shows a switch sub-circuit 200, which corresponds to one of the shorting switches Swl, Sw2 . . . SwN shown in FIG. 1.
【００１８】
  従って、図２はスイッチサブ回路２００を示し、該回路は、図１に示す短絡スイッチＳｗ１、Ｓｗ２．．．ＳｗＮの一つに対応する。

 

The switch sub-circuit 200 composed of a MOSFET 202, a first resistor 204, a second resistor 206, and a diode 208.
スイッチサブ回路２００は、ＭＯＳＦＥＴ２０２、第１抵抗器２０４、第２抵抗器２０６、及びダイオード２０８から構成される。

 

The first resistor 204 is connected between a gate and a source of the MOSFET 202, and is thus also referred to herein as a gate-source resistor 204.
第１抵抗器２０４は、ＭＯＳＦＥＴ２０２のゲートとソース間に接続され、そのため、ここではゲート－ソース抵抗器２０４とも呼ばれる。

 

The gate-source resistor 204 ensures complete turn- off of the MOSFET 202 when one or more associated LED(s) connected across the source and the drain of the MOSFET 202 are emitting light.
ゲート－ソース抵抗器２０４は、ＭＯＳＦＥＴ２０２のソースとドレインに対して接続された一つ又は複数の関連するＬＥＤが光を発する際、該ＭＯＳＦＥＴ２０２の完全な遮断を保証する。

 

The second resistor 206 is connected between the gate and a drain（＊既出なのに不定冠詞）of the MOSFET 202, and is thus also referred to herein as a gate-drain resistor 206.
第２抵抗器２０６は、ＭＯＳＦＥＴ２０２のゲートとドレイン間に接続され、そのため、ここではゲート－ドレイン抵抗器２０６とも呼ばれる。

(MOSFET, Wikipedia)

 

The gate-drain resistor 206 allows the MOSFET 202 to conduct in the event that the one or more associated LED(s) connected across the source and the drain of the MOSFET 202 fail to open.
ゲート－ドレイン抵抗器２０６は、ＭＯＳＦＥＴ２０２のソースとドレインに対して接続された前記一つ又は複数の関連するＬＥＤが開放し損なった場合、ＭＯＳＦＥＴ２０２が伝導することを許容する。

 

The diode 208 critically decouples the switch sub-circuit 200 from the control line (shown in detail in FIG. 1, and identified in FIG. 2 via pin "C") after the corresponding sub-string voltage rises above the control voltage.
ダイオード２０８は、対応するサブ列電圧が制御電圧を超えて上昇した後、スイッチサブ回路２００を制御ライン（図１に詳しく示され、図２にピン「Ｃ」を介して特定される）からきわどく切り離す。

 

MOSFETとは（半導体基礎知識、新電元工業株式会社）

ｎチャネル型

WO2016093991
[0030] Moreover, the bias circuit 206 may further comprise
【００２４】
  [0030]  その上、バイアス回路２０６は、

a current-limiting n-channel MOS (NMOS) transistor 212 having a drain connected with the drain of the PMOS transistor 224 and with（＊前置詞の繰り返し）the gate of the PMOS transistor 210 and a source connected with a reference potential (e.g., electrical ground).
ＰＭＯＳトランジスタ２２４のドレインおよびＰＭＯＳトランジスタ２１０のゲートと接続されたドレイン、および基準電位（たとえば、電気接地）と接続されたソースを有する、電流制限Ｎチャネル型（ＮＭＯＳ：a current-limiting n-channel MOS）トランジスタ２１２をさらに備え得る。

The gate of the current- limiting transistor 212 may be connected with the first node 214.
電流制限トランジスタ２１２のゲートは、第１のノード２１４と接続され得る。

The current-limiting transistor 212 may be configured to have a small drain-to-source current.
電流制限トランジスタ２１２は、少ないドレイン対ソース電流を有するように構成され得る。

In certain aspects, in an effort to reduce leakage current, a bulk and source of the PMOS transistor 210 may be connected together.
ある特定の複数の態様において、リーク電流（leakage current）を減らす目的で（in an effort to）、ＰＭＯＳトランジスタ２１０のソースおよびバルクは、互いに接続され得る。

Similarly, a bulk and source of the diode-connected PMOS transistor 224 may be connected together.
同様に、ダイオード接続ＰＭＯＳトランジスタ２２４のソースおよびバルクは、互いに接続され得る。

US10586851
The transistor cells TC may be of the n-channel type with p-doped body region 120, n-doped source zone 110 and n-doped drift zone 131
【００２３】
  トランジスタセルＴＣは、ｐドープ本体領域１２０、ｎドープソースゾーン１１０及びｎドープドリフトゾーン１３１を備えたｎチャネル型のものでもよく、

or may be p-channel transistor cells with n-doped body region 120, p-doped source zone 110 and p-doped drift zone 131.
又はｎドープ本体領域１２０、ｐドープソースゾーン１１０及びｐドープドリフトゾーン１３１を備えたｐチャネルトランジスタセルでもよい。

The following description refers to semiconductor devices 500 with n-channel transistor cells TC.
以下の説明は、ｎチャネルトランジスタセルＴＣを備えた半導体デバイス５００に関する。

Similar considerations apply to semiconductor devices with p-channel transistor cells TC.
同様の考えが、ｐチャネルトランジスタセルＴＣを備えた半導体デバイスに当てはまる。

EP2929434
[0058] It is noted that "low," "low logic level" or "logic 0 level" refers to a voltage at or near ground
【００６０】
  「低い」、「低い論理レベル」または「論理０レベル」とは、アースでの電圧またはアース近くの電圧のことであり、

and that "high," "high logic level" or "logic 1 level" refers to a voltage level sufficiently large to turn on a n-channel MOSFET and turn off a p-channel MOSFET.
「高い」、「高い論理レベル」または「論理１レベル」とは、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴをオンにし、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴをオフにするのに十分な大きさの電圧レベルのことである点に注意されたい。

In other embodiments, different technology may result in different voltage levels for "low" and "high.
他の実施形態では、異なる技術では「低い」および「高い」に対して異なる電圧レベルになることがある。

It is further noted that the embodiment of a sync controller depicted in FIG. 8 is merely an example.
図８に描いた同期コントローラの実施形態は単なる一例であることにさらに注意されたい。

In other embodiments, different logic gates and different configurations of logic gates may be employed.
他の実施形態では、異なる論理ゲートおよび論理ゲートの異なる設定を用いてよい。

排煙処理

US2020054989(JP)
[0037] Specifically, as illustrated in the diagram, the thermal power plant 1 includes
【００３１】
  具体的には、同図に示すように、火力発電所１は、

a power generation unit 10 including a flue-gas treatment system including a boiler 100, a steam turbine 200, an electric generator 300, and a carbon dioxide recovery system 400,
ボイラ１００、蒸気タービン２００、発電機３００、及び、二酸化炭素回収システム４００を含む排煙処理系統を有する発電部１０と、

and a control apparatus 20 that controls the devices included in the power generation unit 10.
発電部１０に含まれる機器を制御する制御装置２０とを備えている。

In the flue-gas treatment system, a denitration device 110 and an air preheater 120 are provided between the boiler 100 and the carbon dioxide recovery system 400,
ここで、当該排煙処理系統には、ボイラ１００と二酸化炭素回収システム４００との間に脱硝装置１１０及び空気予熱器１２０が設けられ、

and a smokestack 130 is provided on an exit side of the carbon dioxide recovery system 400.
二酸化炭素回収システム４００の出口側に煙突１３０が設けられている。

WO2017046155
[0002] Combustion of fuel sources such as coal produces a waste gas, referred to as "flue gas" that is to be emitted into an environment, such as the atmosphere.
【０００２】
  石炭などの燃料源の燃焼は、大気などの環境中に排出される、「排煙」と呼ばれる排ガスを生成する。

The fuel sources typically contain sulfur and sulfur compounds which are converted in the combustion process to gaseous species, including sulfur oxides, which then exist as such in the resulting flue gas.
燃料源は、典型的に、燃焼プロセス中に硫黄酸化物を含むガス種に変化し、よって結果として得られた排煙中に存在する、硫黄および硫黄化合物を含む。

The fuel sources typically also contain elemental mercury or mercury compounds which are converted in the combustion process to, and exist in the flue gas as, gaseous elemental mercury or gaseous ionic mercury species.
燃料源は、典型的に、燃焼プロセス中にガス状の元素状態の水銀またはガス状のイオン性水銀種に変化し、排煙中に存在する、元素状態の水銀または水銀化合物も含む。

[0003] As such, flue gas contains particles, acid gases, noxious substances and other impurities considered to be environmental contaminants.
【０００３】
  よって、排煙は、環境汚染物質とみなされる、粒子、酸性ガス、有害物質および他の不純物を含む。

Prior to emission into the atmosphere via a smoke stack, hereinafter a "stack", the flue gas undergoes a cleansing or treatment process.
煙突（以下では「排気筒」という。）を経て大気中に排出される前に、排煙は浄化または処理プロセスを施される。

In coal combustion, one aspect of this treatment process is normally desulfurization, such as a wet scrubbing operation commonly known as wet flue gas desulfurization (WFGD).
石炭の燃焼では、この処理プロセスの一態様は、通常、湿式排煙脱硫（ｗｅｔ  ｆｌｕｅ  ｇａｓ  ｄｅｓｕｌｆｕｒｉｚａｔｉｏｎ；ＷＦＧＤ）としてよく知られている湿式除塵運転などの脱硫である。

[0006] A number of generally known methods of mercury removal are effective to produce mercury salts, which can then be dissolved and removed by an aqueous alkaline slurry used in a wet scrubbing operation.
【０００６】
  一般に知られている多くの水銀除去方法は、湿式除塵運転に用いられる水性のアルカリ性スラリーにより溶解し除去できる水銀塩を生成するのに有効である。

Some of these methods include the addition of halogen or halogen compounds, such as bromine, to the coal or to the flue gas upstream of the wet scrubbing operation
これらの方法のいくつかは、ハロゲンまたは臭素などのハロゲン化合物を石炭または湿式除塵運転の上流で排煙に添加して、

to provide oxidation of elemental mercury to ionic mercury and to form mercury salts, which are then dissolved in an aqueous alkaline slurry incident to the sulfur oxide removal processes.
元素状態の水銀をイオン性水銀に酸化させるとともに、硫黄酸化物除去プロセスに付随する水性のアルカリ性スラリー中に溶解される水銀塩を形成することを含む。

However, the removal of mercury in the aqueous alkaline slurry of a wet scrubber, or in a less typical seawater scrubber, has proven to be difficult to control.
しかし、湿式除塵装置またはあまり典型的ではない海水除塵装置において水性のアルカリ性スラリー中の水銀を除去することは、制御が困難であることが判明している。

Further, efficiency is not easily predicted when designing a flue gas cleaning system with respect to mercury removal.
さらに、水銀除去に関する排煙浄化システムを設計するときの効率を予測することは容易ではない。

The desired emission guarantee levels are often as low as 0.3 μg/Nm³ of mercury, which corresponds to a very high mercury removal efficiency for a flue gas treatment system.
所望の排出保証レベルは、排煙処理システムの場合における非常に高い水銀除去効率に相当する、０．３μｇ／Ｎｍ^３ほどの低い水銀となることが多い。

判定した場合、判定する場合

WO2017151206
[0050] If the system determines at block 360 that the current instance is not the final insta nce for the grasping attempt,
【００４２】
  システムがブロック360において現在のインスタンスが把持試行に関する最終インスタンスではないと判定した場合、

the system returns to blocks 356, where it determines and implements another end effector movement, then proceeds to block 358 where it stores an image and the pose at the current instance.
システムはブロック356に戻り、別のエンドエフェクタの動きを決定および実施し、次いでブロック358に進み、現在のインスタンスにおける画像と姿勢とを記憶する。

Through multiple iterations of blocks 356, 358, and 360 for a given grasp attempt, the pose of the end effector will be altered by multiple iterations of block 356, and an image and the pose stored at each of those insta nces.
所与の把持試行に関するブロック356、358および360の複数の反復を通して、エンドエフェクタの姿勢は、ブロック356の複数の反復によって変更され、それらの反復の各々において画像と姿勢とが記憶される。

I n many implementations, blocks 356, 358, 360, and/or other blocks may be performed at a relatively high frequency, thereby storing a relatively large quantity of data for each grasp attempt.
多くの実装形態では、ブロック356、358、360、および/または他のブロックは、比較的高い頻度で実行されてもよく、それによって各把持試行に関する比較的大量のデータを記憶することができる。

EP3360314
[0055] If the data processing system 102 determines that it does not currently have access, in memory of the data processing system 102, to the values or information for the field of the template, the data processing system 102 can acquire the values or information.
【００５２】
  データ処理システム１０２が、データ処理システム１０２のメモリ内で、当該テンプレートのフィールドに対する値または情報に対するアクセスを現在有さないと判定した場合、データ処理システム１０２は当該値または情報を取得することができる。

The data processing system 102 can acquire or obtain the information by querying or polling one or more available sensors of the client computing device 104, prompting the end user of the client computing device 104 for the information, or accessing an online web-based resource using an HTTP protocol.
データ処理システム１０２は、クライアントコンピューティングデバイス１０４の１つまたは複数の利用可能なセンサを問い合わせまたはポーリングし、クライアントコンピューティングデバイス１０４のエンド・ユーザに情報を促し、またはＨＴＴＰプロトコルを用いてオンラインのｗｅｂベースのリソースにアクセスすることによって、当該情報を取得することができるまたは取得する。

For example, the data processing system 102 can determine that it does not have the current location of the client computing device 104, which may be a needed field of the template.
例えば、データ処理システム１０２は、それがクライアントコンピューティングデバイス１０４の現在の位置を有さないと判定でき、現在の位置は当該テンプレートの必要とされるフィールドであってもよい。

The data processing system 102 can query the client computing device 104 for the location information.
データ処理システム１０２は、クライアントコンピューティングデバイス１０４に位置情報を問い合わせることができる。

The data processing system 102 can request the client computing device 104 to provide the location information
データ処理システム１０２は、

using one or more location sensors 134, such as a Global Positioning System sensor, WIFI triangulation, cell tower triangulation, Bluetooth beacons, IP address, or other location sensing technique.
全地球測位システムセンサ、ＷＩＦＩ三角測量、携帯電波塔三角測量、Bluetooth（登録商標）ビーコン、ＩＰアドレス、または他の位置検知技術のような１つまたは複数の位置センサ１３４を用いて当該位置情報を提供するように、クライアントコンピューティングデバイス１０４に要求することができる。

WO2011126502
[00138] When a respective event recognizer 180 determines that the series of sub- events do not match any of the events in event definitions 186,
【０１２５】
  各イベントレコグナイザ１８０は、一連のサブイベントがイベント定義１８６のいずれのイベントとも一致しないと判定した場合、

the respective event recognizer 180 enters an event impossible, event failed, or event ended state, after which it disregards subsequent sub-events of the touch-based gesture.
イベント不可能状態、イベント失敗状態又はイベント終了状態になり、その後、タッチジェスチャの後続のサブイベントを無視する。

In this situation, other event recognizers, if any, that remain active for the hit view continue to track and process sub- events of an ongoing touch-based gesture.
この状況において、ヒットビューに対してアクティブのままである他のイベントレコグナイザがある場合、それらのイベントレコグナイザは実行中のタッチジェスチャのサブイベントを追跡及び処理し続ける。

US10110030
If the hero device determines that the paired device is not present on the same charging mat, the hero device may optionally cease communications with the paired device.
【００６８】
  ヒーローデバイスが、ペアリングデバイスが同じ充電マット上に存在しないと判定した場合、ヒーローデバイスは、ペアリングデバイスとの通信を、任意選択的に停止することができる。

However, if the hero device determines that the paired device is present on the same charging mat as the hero device,
しかしながら、ヒーローデバイスと同じ充電マット上にペアリングデバイスが存在するとヒーローデバイスが判定した場合、

the hero device may exchange additional communications (e.g., out-of-band communications such as Bluetooth communications) with the paired device.
ヒーローデバイスは、追加の通信（例えば、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ通信などの帯域外通信）をペアリングデバイスと交換することができる。

For example, the paired device may send
例えば、ペアリングデバイスは、

the hero device information that identifies the user of the paired device (e.g., to allow the hero device to determine if the paired device and hero device share the same user)
（例えば、ペアリングデバイスとヒーローデバイスとが同じユーザを共有しているかどうかを、ヒーローデバイスが判定することを可能にするために）ペアリングデバイスのユーザを識別するヒーローデバイス情報を、

or a paired device identifier (e.g., to allow the hero device to determine if the paired device is on a list of known paired devices in the hero device).
又は（例えば、ペアリングデバイスがヒーローデバイス内の既知のペアリングデバイスのリスト上にあるかどうかを、ヒーローデバイスが判定することを可能にするために）ペアリングデバイスの識別子を送信することができる。

The hero device may only serve as the hero device for the paired device if the hero device recognizes the paired device (e.g., the hero device and paired device have the same user).
ヒーローデバイスがペアリングデバイスを認識する（例えば、ヒーローデバイスとペアリングデバイスとが同じユーザを有する）場合、ヒーローデバイスは、ペアリングデバイスに対するヒーローデバイスとしてのみ機能することができる。

The hero device may also obtain battery charge status information from the paired device.
ヒーローデバイスはまた、ペアリングデバイスから電池充電ステータス情報を取得してもよい。

The hero device and paired device may also negotiate a time to start a synchronized user notification event during the operations of block 412A.
ヒーローデバイス及びペアリングデバイスはまた、ブロック４１２Ａの動作中に、同期されたユーザ通知イベントを開始するための時間をネゴシエーションしてもよい。

EP3503107
[0006] Turning now to FIG. 1 , an embodiment of an electronic processing system 10 may include
【００１３】
  ここで図１を参照すると、電子処理システム１０の実施形態が、

a processor 11, nonvolatile memory 12, communicatively coupled to the processor 11,
プロセッサ１１と、プロセッサ１１に通信可能に連結された不揮発性メモリ１２と、

and logic 13 communicatively coupled to the processor 11 and the nonvolatile memory 12
プロセッサ１１及び不揮発性メモリ１２に通信可能に連結されたロジック１３であって、

to attempt to program data in a first portion of the nonvolatile memory 12,
不揮発性メモリ１２の第１の部分においてデータのプログラミングを試行し、

determine if the attempt was successful, and recover the data to a second portion of the nonvolatile memory 12 with an internal data move operation if the attempt is determined to be not successful.
試行が成功したかどうかを判定し、試行が不成功に終わったと判定した場合、内部データ移動オペレーションで、不揮発性メモリ１２の第２の部分にデータを回復するロジックとを含んでよい。

US10692560
When the memory controller 101 determines that it is appropriate for the memory device to calibrate its DQ termination resistance networks and/or its DQ drivers,
【００１３】
  メモリコントローラ１０１は、メモリデバイスにとってそのＤＱ終端抵抗回路網および／またはそのＤＱドライバをキャリブレートすることが適切であると判定する場合、

it sends a command to the memory device 102 to perform the calibration.
キャリブレーションを実行すべくメモリデバイス１０２に命令を送信する。

The command is ultimately received by a calibration controller 103 within the memory device 102 that is responsible for executing the calibration routines that determine the correct termination network and driver settings.
命令は最終的に、正しい終端回路網およびドライバ設定を判定するキャリブレーションルーチンを実行することを担当している、メモリデバイス１０２内のキャリブレーションコントローラ１０３によって受信される。

Unfortunately, however, the execution of the calibration routines consumes a non-negligible amount of time that impacts the performance of the memory subsystem.
しかしながら、残念なことに、キャリブレーションルーチンの実行は、メモリサブシステムの性能に影響を及ぼす、無視できない時間長を消費する。

EP2908372
[0046] The routine 500 of FIG. 5 illustrates an interleaved method.
【００４７】
  図５のルーチン５００は、インターリーブ式の方法である。

In an interleaved method, a fuel cell discharge controller is configured to activate a fuel cell assembly, while maintaining other fuel cell assemblies in their deactivated state.
インターリーブ式の方法において、燃料電池放電コントローラは、他の燃料電池アセンブリをそれらの停止状態の中に維持する一方で、燃料電池アセンブリを起動させるように構成される。

In the deactivated state, the fuel cell assemblies are in a recovery period, configured to allow the fuel cell assemblies to recover at least a portion of the degradation caused by current discharge.
停止状態において、燃料電池アセンブリは、回復期間の間に、燃料電池アセンブリが電流放電によってもたらされた劣化の少なくとも一部分を回復することを可能にするように構成される。

Once the fuel cell discharge controller determines the in-use fuel cell assembly is ready for deactivation,
一旦、燃料電池放電コントローラが、使用中の燃料電池アセンブリが停止の準備ができていると判定する場合、

the fuel cell discharge controller activates the next fuel cell assembly and deactivates the in-use fuel cell assembly.
燃料電池放電コントローラは、次の燃料電池アセンブリを起動させ、かつ使用中の燃料電池アセンブリを停止させる。

EP2226887
[0028] In one system, control system 409 monitors the SOC of ESS 401 with sensor 421 in order to determine whether or not to actively cool ESS 401 after the vehicle is turned off,
【００２８】
  一システムでは、制御システム409は、センサ421によってESS401のSOCを監視して、自動車が停止された後、ESS401を能動的に冷却するか否かが判定される。

since at low charge levels high battery temperature does not cause as much battery life degradation as it does at high charge levels.
それは、低い充電レベルにおいては、高いバッテリ温度は、高い充電レベルで引起すほどには、バッテリ寿命低下を引起さないからである。

Fig. 10 illustrates the methodology shown in Fig. 7 , modified to monitor SOC.
図10は、SOCを監視するように変更された、図7に示す方法を示す。

Although not required, preferably in this approach after the vehicle has been turned off (step 701),
必要とされないが、好ましくは、この手法において、自動車が停止された(ステップ701)後、

control system 409 determines if the system has been connected to an external recharging source, i.e., plugged-in (step 1001), for example by monitoring the condition of the charging system 423.
制御システム409は、たとえば充電システム423の状態を監視することによって、システムが、外部充電源に接続された、すなわち、プラグインされたかどうかを判定する(ステップ1001)。

If the control system determines that the system is plugged-in,
システムがプラグインされていると制御システムが判定した場合、

in at least one embodiment the system bypasses the ESS SOC steps and goes directly to the temperature determining step (step 1007) since ESS loading is not an issue.
少なくとも1つの実施形態では、システムは、ESS負荷が問題にならないため、ESS SOCステップをバイパスし、温度確定ステップに直接進む(ステップ1007)。

If temperature control system 409 determines that the system is not plugged-in, then it determines the SOC of ESS 401 using SOC sensor 421 (step 1003).
温度制御システム409は、システムがプラグインされていないと判定する場合、SOCセンサ421を使用してESS401のSOCを確定する(ステップ1003)。