口腔外

US2023210633(DENTAL MONITORING [FR])
[0108] The historical images are preferably extra-oral, i.e., the device for acquiring these images is not introduced into the mouth of the historical patient.
【００８６】
  該履歴画像は好ましくは口腔外画像であり、すなわち、これらの画像を取得する為の装置は、該履歴患者の口腔内に導入されない。

US9907463(DENTAL SMARTMIRROR INC [US])

[0098] Another method to determine which of light sources 107 should be lit and which should not be lit is to find out the parts, or segments, of image 620 that contain intra-oral objects.
【００７１】
  光源１０７のどれが点灯されるべきであり、どれが点灯されるべきではないかを決定するための別の方法は、口腔内物体を含有する、画像６２０の部分または区画を見出すことである。

One way to do this is to compare two images taken at the same position but with different illuminations, for example, one with all of light sources 107 turned on and the second with all of light sources 107 turned off.
これを行うための１つの方法は、同一の位置においてであるが、異なる照明を用いて取得された２つの画像、例えば、光源１０７の全てがオンにされた１つと、光源１０７の全てがオフにされた第２のものとを比較することである。

Due to the so-called “inverse square law”, stating that the intensity of illumination is inversely proportional to the square of the distance from the light source, the effect of turning on the illumination on the closer intra-oral objects will be substantial, while
照明の強度が光源からの距離の２乗に反比例することを述べる、いわゆる「逆２乗の法則」に起因して、より近接する口腔内物体に対する照明をオンにする効果は、相当なものであろう一方、

the effect on farther, extra-oral objects will be much smaller if noticeable at all. 
より遠くの口腔外物体に対する効果は、たとえ顕著である場合でも、はるかに小さいであろう。

逆流

US2023187488(HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG [CH])
[0061] The first semiconductor region 51 and the second semiconductor region 52 are
【００４２】
  第１の半導体領域５１および第２の半導体領域５２は、

considered to have stopped injecting charge carriers of the first conductivity type,

when a value of an injection rate (amount of charge carriers of the first conductivity type injected per unit time) has reached (or dropped below) a threshold value, for example a threshold value which is determined by an equilibrium condition under reverse bias.
注入速度（単位時間当たりに注入される第１の導電型の電荷キャリアの量）の値が閾値、例えば逆バイアス下の平衡条件によって決まる閾値に達した（または下回った）

ときに、第１の導電型の電荷キャリアの注入を停止したと考えられる。

Such threshold value is, for example, the value (or 1.1 times the value or 1.5 times the value) of the injection rate in a time point when the reverse current reaches its equilibrium value.
このような閾値は、例えば、逆流電流がその平衡値に達した時点における注入速度の値（または、その値の１．１倍またはその値の１．５倍）である。

An equilibrium condition is considered to be reached, when waiting an appropriate amount of time, for example 1 ms or more, after having switched to reverse bias.
逆バイアスに切り替えた後、適切な時間、例えば１ｍｓ以上待機すると、平衡状態に達すると考えられる。

US11387476(BLOOM ENERGY CORP [US])
 If the second inverter 242 is turned off, then the fault diode 230 prevents the power from the utility 201 from flowing backwards into the steady-state bus 220 during the steady-state mode

if there is a fault on the steady-state bus 220 and/or if the fuel cells 110 produce no power or insufficient power.
定常状態モード中、定常状態バス２２０に障害がある場合及び／又は燃料電池１１０が一切の電力若しくは十分な電力を生成しない場合、

第２のインバーター２４２がオフにされると、障害ダイオード２３０は、ユーティリティ２０１からの電力が定常状態バス２２０に逆流することを阻止する。

EP3981058(LITECH LABORATORIES LLC [US])
In accordance with embodiments of the present disclosure, the battery stacks disclosed with respect to the energy delivery systems 1400 and 1800 may also include an anti -backflow device managed by the common control system.
【００６８】
  本開示の実施形態によれば、エネルギー送達システム1400および1800に関して開示されている電池スタックは、共通制御システムによって管理される逆流防止装置を含んでもよい。

A function of such an anti-backflow device is to prevent the unwanted transfer of energy from one battery stack to another.
そのような逆流防止装置の機能は、一方の電池スタックからもう一方の電池スタックへのエネルギーの望ましくない伝達を防止することである。

The operation of such an anti-backflow device is described in PCT/US2017/068301.
そのような逆流防止装置の動作については、PCT/US2017/068301に記載されている。