トレンチ分離

US7800146(APTINA IMAGING CORP [KY])(＊KY: Cayman Islands)
[0006] As briefly mentioned above, shallow trench isolation (STI) is one technique that can be used to isolate pixels from one another in a pixel array, or other integrated structures from one another.
【０００６】
  簡単に上述したように、シャロートレンチ分離（ＳＴＩ）は、画素アレイ内で画素を互いに分離したり、もしくは、他の集積化された構造体を互いに分離するために用いることができる一つの技術である。

As depicted in FIG. 2, an STI region 102 is typically formed as an isolation trench 117 formed in the substrate 101 to isolate the active areas of one pixel from other pixel cells. 
図２で描かれているように、ＳＴＩ領域１０２は、 通常、一つの画素のアクティブ領域を他の画素セルから分離するために基板１０１内に形成された分離トレンチ（分離溝）１１７として形成される。

（＊Country Codes & WIPO ST.3 Table)

US8680591(SIONYX INC [US])
[0084] The device of FIG. 7 can further include various metal regions 78 , at least one via 80 , a passivation layer 82 , trench isolation 84 , and an electrical transfer element 86 .
【００６９】
  図７の素子はさらに、種々の金属領域７８、少なくとも１つのビア８０、保護層８２、トレンチ分離８４、および電気伝導要素８６を含むことができる。

Trench isolation elements can maintain pixel to pixel uniformity by reducing optical and electrical crosstalk.
トレンチ分離要素は、光学および電気クロストークを低減させることによって、画素間の均一性を保持することができる。

The trench isolation can be shallow ( FIG. 7) or deep ( FIG. 12) trench isolation.
トレンチ分離は、浅い（図７）または深い（図１２）トレンチ分離である可能性がある。

The trench isolation can include various materials, including, without limitation, dielectric materials, reflective materials, conductive materials, light diffusing features, and the like.
トレンチ分離は、誘電材料、反射材料、伝導材料、光拡散特徴等を含むが、それらに制限されない、種々の材料を含むことができる。

These trench isolation regions can be configured to reflect incident light until it is absorbed, thereby increase the effective absorption length of the device.
これらのトレンチ分離領域は、吸収されるまで、入射光を反射させるように構成され、それによって、素子の有効吸収長を増加させることができる。