落ち込み

US11925239(NIKE INC [US])
[0151] The illustrated sampled portion of the fifth capacitance signal 1205 conforms to the morphology limit 1601 .
【０１３３】
  第５の容量信号１２０５の図示されたサンプリング部分は、形態限界１６０１に適合する。

In the example of FIG. 16 , the morphology limit 1601 defines a morphology that includes a capacitance signal magnitude change, or dip, dwell, and recovery.
図１６の例では、形態限界１６０１は、容量信号の大きさの変化、すなわち落ち込み、ドウェル（dwell）、及び回復を含む形態を定める。

Following identification that the fifth capacitance signal 1205 conforms to all or a portion of the morphology limit 1601 , an interrupt signal can be provided to indicate a foot presence or successful detection.
第５の容量信号１２０５が形態限界１６０１の全部又は一部に適合したと識別された後、足の存在又は検出の成功を示す割込み信号を供給できる。

US11189460(APPLIED MATERIALS INC [US])
[0036] FIG. 4 illustrates the simulated electrical characteristics as a function of position of the for different drift tube assemblies.
【００２７】
  [0036] 図４は、異なるドリフトチューブアセンブリの位置の関数としての電気特性を示している。

In FIG. 4 a parameter delta t/q is plotted as a function of m/q,
図４では、パラメータのデルタt／qが、m／qの関数としてプロットされている。

where delta t/q represents the increase in ion energy generated by a given AC drift tube assembly within a given acceleration stage.
その場合、t／qは、所与の加速段内の所与のACドリフトチューブアセンブリによって生成されるエネルギーの増加を表している。

The simulated increase in energy is based upon application of an RF signal having an 80 kV amplitude.
エネルギーのシミュレートされた増加は、８０kVの振幅を有するRF信号の印加に基く。

The inner curve (thicker line) represents the behavior for a fixed triple gap drift tube assembly, while the intermediate curve represents the characteristics for a fixed double gap drift tube assembly.
内側の曲線（太いライン）は、固定された三重間隙ドリフトチューブアセンブリの挙動を表し、一方で、中間の曲線は、固定された二重間隙ドリフトチューブアセンブリの特性を表している。

The fixed triple gap drift tube assembly generates a peak that is relatively constant between values of 15 to 20 m/q, representing an acceleration of 250 keV.
固定された三重間隙ドリフトチューブアセンブリは、２５０keVの加速を表す１５から２０m／qの間の比較的一定なピークを生成する。

The fixed double gap configuration generates a peak that is relatively constant over a broader range, between values of 12 to 17 m/q, while the drop-off in value is less at higher or lower values. 
固定された二重間隙構成は、１２から１７m／qの値の間で、より広い範囲にわたり比較的一定なピークを生成する一方で、値の落ち込みはより高い又はより低い値で少なくなっている。

US9265396(IROBOT CORP [US])
[0075] The cleaning pad 120 and robot 100 are sized and shaped such that the process of transferring the cleaning fluid from the reservoir 122 to the absorptive cleaning pad 120 maintains the forward and aft balance of the robot 100 during dynamic motion.
【００４８】
  清掃パッド１２０及びロボット１００は、貯蔵部１２２から吸収性の清掃パッド１２０に清掃液を移動させる処理によっても、ロボット１００が動的運動中にロボット１００の前後バランスを維持するよう、寸法や形状が設定されている。

The fluid is
清掃液は、

distributed so that

the robot 100 continually propels the cleaning pad 120 over a floor surface 10 without the increasingly saturated cleaning pad 120 and decreasingly occupied fluid reservoir 122 lifting the rearward portion 106 of the robot 100 and pitching the forward portion 104 of the robot 100 downward, which can apply movement-prohibitive downward force to the robot 100 . 
ロボット１００に移動を阻害する下向きの力を与え得る、徐々に飽和する清掃パッド１２０及び徐々に空になる液体貯蔵部１２２によるロボット１００の後方部１０６の持ち上がり及びロボット１００の前方部１０４の落ち込みを生じさせることなく、ロボット１００が清掃パッド１２０を床面１０上で継続的に移動させることができる

よう供給される。

吸着保持

US2018356041(ENTEGRIS INC [US])
[0008] Other examples of systems and containers for storing and handling hazard specialty gases are adsorbent-based fluid supply systems.
【０００８】
  有害な特殊ガスを貯蔵して取り扱うためのシステムおよび容器の他の例は、吸着剤ベースの流体供給システムである。

These systems involve a vessel that contains the gas, and an adsorbent storage medium for adsorptive retention of the gas.
これらのシステムは、ガスを収容する容器と、ガスを吸着保持するための吸着剤貯蔵媒体とを備える。

The gas can be selectively adsorbed and desorbed from the adsorbent, such as by control of temperature or pressure of the system. 
ガスは、システムの温度または圧力の制御などにより、吸着剤に対して選択的に吸着および脱着することができる。

US2022199407(DISCO CORP [JP])
[0055] The conveying unit 11 includes one or more conveying arms 14 that convey the wafer 200 from the cassette 8 or 9 to the holding table 7 .
【００３９】
  搬送ユニット１１は、カセット８，９から保持テーブル７までウエーハ２００を搬送する搬送アーム１４を少なくとも１以上含む。

In the first embodiment, the conveying unit 11 includes three conveying arms 14 .
実施形態１では、搬送ユニット１１は、搬送アーム１４を３つ備える。

Two out of the three conveying arms 14 have a suction adhesion pad that causes suction adhesion of the wafer 200 .
３つのうち２つの搬送アーム１４は、ウエーハ２００を吸着する吸着パッドを有している。

One conveying arm 14 (hereinafter, denoted by numeral 14 - 1 ) of the two
これら２つのうちの一方の搬送アーム１４（以下、符号１４－１で示す）は、

holds, by suction adhesion, the wafer 200 that has not yet undergone grinding processing and for which position adjustment has been executed by the position adjustment unit 10 and carries in the wafer 200 onto the holding table 7 located in the carrying-in/out region 301 .
位置合わせユニット１０で位置合わせされた研削加工前のウエーハ２００を吸着保持して搬入出領域３０１に位置する保持テーブル７上に搬入する。

US2022134509(DISCO CORP [JP])
[0039] Two conveying units 11 are disposed.
【００３３】
  搬送ユニット１１は、２つ設けられている。

The two conveying units 11 have a suction adhesion pad that causes suction adhesion of the workpiece 200 .
２つの搬送ユニット１１は、被加工物２００を吸着する吸着パッドを有している。

One conveying unit 11 holds, by suction adhesion, the workpiece 200 before grinding processing for which position adjustment has been executed by the position adjustment unit 10 and carries in the workpiece 200 onto the holding table 7 located in the carrying-in/out region 301 .
一方の搬送ユニット１１は、位置合わせユニット１０で位置合わせされた研削加工前の被加工物２００を吸着保持して搬入出領域３０１に位置する保持テーブル７上に搬入する。

The other conveying unit 11 holds, by suction adhesion, the workpiece 200 after grinding processing held on the holding table 7 located in the carrying-in/out region 301 and carries out the workpiece 200 to the cleaning unit 12 .
他方の搬送ユニット１１は、搬入出領域３０１に位置する保持テーブル７上に保持された研削加工後の被加工物２００を吸着保持して洗浄ユニット１２に搬出する。

砥石

US10086499(SAINT GOBAIN ABRASIVES INC [US])
[0005] A variety of abrasive tools have been developed over the past century for various industries for the general function of removing material from a workpiece, including for example, sawing, drilling, polishing, cleaning, carving, and grinding.
【０００２】
  例えば、切断、穿孔、研磨、クリーニング、彫刻、及び研削を含む、加工対象物から材料を除去する汎用機能のために、過去１世紀にわたって様々な産業用の多数の研磨ツールが開発されてきた。

In the production of electronic devices, the back surface of a semiconductor wafer having a plurality of circuits such as IC's and LSI's is ground to a predetermined thickness by a grinding machine before it is divided into individual chips.
電子デバイスの製造においては、ＩＣ回路やＬＳＩ回路等の複数の回路を有する半導体ウェーハの裏面を研削盤で所定の厚さに研削した後に、個々のチップに分割する。

To grind the back surface of the semiconductor wafer efficiently, a grinding machine equipped with a rough grinding unit and a finish grinding unit is generally used.
半導体ウェーハの裏面を効率的に研削するために、粗研削ユニットと仕上げ研削ユニットとを備えた研削機が一般的に用いられる。

Generally, the article utilize to conduct the rough grinding process is a bonded abrasive body or grindstone, which is obtained by bonding together abrasive grains with a vitrified bond or metal bond material.
一般的に、粗研削加工を行うのに利用される物品は、砥粒をビトリファイドボンド又は金属ボンド材料で互いに結合することにより得られる結合研磨体又は砥石である。

A resin bond grindstone is typically used for finish grinding operations.
樹脂ボンド砥石は、一般的に、仕上げ研削作業に使用される。

US7767028(LAM RES CORP [US])
[0034] Polishing comprises grinding a surface of the electrode assembly on a lathe using a grinding wheel with appropriate roughness grade number and polishing the electrode assembly surface to a desired finish (e.g., 8 μ-inches) using another wheel.
【００２３】
  研磨は、電極アセンブリの表面を、旋盤上で研削砥石を使用して適切な粗さ等級数で研削し、別の砥石を使用して、電極アセンブリ表面を所望の仕上げ（たとえば、８μインチ）まで研磨することを含む。

Preferably, the silicon surface is polished under constant running water, in order to remove dirt and keep the electrode assembly wet.
汚れを除去して電極アセンブリを濡れた状態に保つために、シリコン表面は、一定の流水下で研磨されることが好ましい。

When water is added, a slurry may be generated during the polishing,
水が加えられると、研磨中にスラリーが生成されることがある。

which is to be cleaned from the electrode assembly surface.
このスラリーは、電極アセンブリ表面から除去されるべきである。

The electrode assembly may be polished first using an ErgoSCRUB™ and ScrubDISK.
電極アセンブリは、まず、ＥｒｇｏＳＣＲＵＢ（商標）およびＳｃｒｕｂＤＩＳＫを使用して研磨することができる。

The polishing procedure (i.e., the selection and sequence of the polishing paper used), depends on the degree of damage of the silicon surface of the electrode assembly.
研磨手順（すなわち、使用される研磨紙の選択および順序）は、電極アセンブリのシリコン表面の損傷の程度に依存する。

EP1970358(ROHM & HAAS ELECT MAT [US])
[0062] After deposition of the silicon carbide was completed, the deposition chamber temperature was increased to 1485° C to bring the silicon to its molten state.
【００６３】
  炭化ケイ素の堆積が完了した後、堆積チャンバ温度を１４８５℃まで上げて、ケイ素を溶融状態にした。

The joints were maintained at 1485° C for 0.5 hours.
結合部を、１４８５℃で０．５時間維持した。

The deposition chamber was then allowed to cool down and the joints were removed from the chamber.
次いで、堆積チャンバを冷却させ、結合部をチャンバから取り出した。

All of the joints were then visually inspected for cracks.
次いで、すべての結合部を、割れがないかどうか目視検査した。

None of the joints showed any visible cracks or flaws.
どの結合部にも、目に見える、いかなる割れも傷もなかった。

The joints were machined using 220 grit diamond impregnated grinding wheels and tools to form joints roughened to 0.5µm RMS.
結合部を、２２０グリットのダイアモンド含浸研削砥石および工具を使って機械加工し、０．５μｍＲＭＳまで粗した結合部を形成した。

US2022395957(DISCO CORP [JP])
[0003] With ongoing downsizing of electronic appliances in recent years, there is an increasing demand for thinner device chips.
【０００３】
  近年では、電子機器の小型化に伴い、デバイスチップの薄型化が求められている。

A wafer may hence be subjected to thinning processing using a grinding apparatus before its division.
そこで、ウェーハの分割前に研削装置を用いてウェーハを薄化する処理が行われることがある。

The grinding apparatus includes a chuck table that holds a workpiece and a grinding unit that grinds the workpiece. On the grinding unit, a grinding wheel including grinding stones is mounted.
研削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、被加工物を研削する研削ユニットとを備えており、研削ユニットには研削砥石を含む研削ホイールが装着される。

The wafer is held on the chuck table, and the grinding stones are brought into contact with the wafer while the chuck table and the grinding wheel are being rotated, so that the wafer is ground and thinned (see Japanese Patent Laid-open No. 2000-288881).
チャックテーブルによってウェーハを保持し、チャックテーブル及び研削ホイールを回転させつつ研削砥石をウェーハに研削砥石を接触させることにより、ウェーハが研削、薄化される（特許文献１参照）。

US2022375742(DISCO CORP [JP])
[0093] Next,
【００７５】
  次いで、

the Z3-axis direction movement mechanism lowers the grinding unit 50 to bring the lower surfaces of the plural grinding abrasive stones 60 into contact with the back surface 11 c of the wafer 11 

while the liquid (grinding water) is supplied from the nozzle disposed near the grinding wheel 56 to the back surface 11 c of the wafer 11 .
研削ホイール５６の近傍に設けられたノズルから液体（研削水）をウェーハ１１の裏面１１ｃに供給しながら、

複数の研削砥石６０の下面をウェーハ１１の裏面１１ｃに接触させるようにＺ３軸方向移動機構が研削ユニット５０を下降させる。

Thus, part of the back surface 11 c of the wafer 11 is ground to be removed.
これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｃ側の一部が研削されて除去される。

Moreover, with the grinding wheel 56 and the chuck table 22 being rotated, the Z3-axis direction movement mechanism lowers the grinding unit 50 until the bonded wafer 17 is thinned to the finished thickness.
さらに、研削ホイール５６及びチャックテーブル２２を回転させたまま、貼り合わせウェーハ１７が仕上げ厚みに薄化されるまでＺ３軸方向移動機構が研削ユニット５０を下降させる。

インモールドコーティング

US11792966(FREUDENBERG CARL KG [DE])
[0085] In a further embodiment, a back-injection method is used to produce a component shielded against electromagnetic radiation.
【００７７】
  さらなる実施形態では、背面射出成形法を用いて電磁放射線遮蔽部品が製造される。

In back injection, components are produced consisting of a polymeric substrate and a further plastifiable polymer material. As the polymeric substrate, a laminate of the present invention can be used.
背面射出成形では、ポリマー基材と可塑性のさらなるポリマー材料とからなる部品が製造される。ポリマー基材として、本発明による積層体を使用することができる。

Back injection can be carried out by means of various methods, such as inmold decoration (IMD), film insert molding (FIM), inmold labelling (IML),
背面射出成形には、インモールド加飾（ＩＭＤ）、フィルムインサート成形（ＦＩＭ）、インモールドラベリング（ＩＭＬ）、

inmold coating (IMC) or inmold painting (IMP).
インモールドコーティング（ＩＭＣ）、インモールドペイント（ＩＭＰ）など、様々な技術がある。

They all have in common that the laminate is placed in an injection mold and back injected by a further plastic material and molded so that a component shielded against electromagnetic radiation is created.
すべてに共通するのは、積層体を射出成形機に挿入し、さらなるプラスチックを背面射出して成形して電磁遮蔽部品を製造することである。

US10619098(TRANSITIONS OPTICAL INC [US])
The layer containing the compound(s) of the present invention can be formed by art-recognized methods including those methods as discussed previously herein.
【０１９２】
  本発明の化合物を含有する層は、本明細書で、上記で論じたような方法を含む当技術分野で認められている方法によって形成させることができる。

With some embodiments, the layer containing the compound(s) of the present invention can be formed by methods including, but not limited to:
一部の実施形態で、本発明の化合物を含有する層は、以下に限定されないが、

lamination, such as of one or more plastic sheets or films;
１つまたは複数のプラスチックシートまたはフィルムなどの積層化；

in-mold formation, such as in-mold coating; film casting; and coating methods. 
インモールドコーティングなどのインモールド形成；フィルムキャスティング；およびコーティング方法を含む方法によって形成させることができる。

US10619098(RED SPOT PAINT & VARNISH CO INC [US])
[0002] The present invention relates generally to in-mold-coated products such as automotive interior articles including a decorative or protective coating atop an underlying foam, film or other plastic material. In one particular embodiment, the invention relates to an automotive interior article prepared by in-mold coating, including a polyurethane substrate covered with an in-mold coating containing a water-dispersible, self-crosslinked acrylic polymer composition.