ネルンスト効果

US2010258154(UNIV OHIO STATE [US])
[0041] Single crystals of Bi2 Te3 :Sn were formed and measurements were carried out of the electrical resistivity, Hall effect, Seebeck effect, Nemst effect, and as well as of quantum oscillations in the electrical resistivity, in the magneto-Seebeck effect (the Shubnikov-de Haas effect) and in the specific heat (magnetothermal oscillations).
【００３１】
  Ｂｉ_２Ｔｅ_３：Ｓｎの単結晶が生成され、測定が、電気抵抗率、ホール効果、ゼーベック効果、ネルンスト効果について、さらには、電気抵抗率、磁気ゼーベック効果（シュブニコフ－ドハース効果）及び比熱（磁気熱振動）における量子振動について実施された。

Single crystals of tin-doped bismuth telluride (Bi2-m Snm Te3 ) with nominal concentrations in the melt of m=0.0025, 0.0075, and 0.015 were grown using a modified Bridgeman technique.
溶融物における公称濃度が、ｍ＝０．００２５、０．００７５、及び０．０１５である、スズをドープしたテルル化ビスマス（Ｂｉ_２－ｍＳｎ_ｍＴｅ_３）の単結晶を、変形ブリッジマン法を用いて成長させた。

These single crystals were used for both thermoelectric and Shubnikov-de Haas measurements.
これらの単結晶を、熱電測定及びシュブニコフ－ドハース効果の測定に用いた。

For example, purity of 5N or better of bismuth, tellurium, and tin were sealed under high vacuum in quartz ampoules.
例えば、５Ｎ以上の純度のビスマス、テルル、及びスズを、高真空下に石英アンプルに密封した。

The ampoules were heated to 620° C. to melt the elements. The ampoules were rocked to ensure uniformity of the liquid melt.
アンプルを、元素を溶融させるために、６２０℃に加熱した。液体溶融物の均一性を確保するために、アンプルを揺り動かした。

The ampoules were loaded into a Bridgeman type setup and then pulled into an environment at a temperature of 25° C.
アンプルを、ブリッジマン型の装置に入れ、２５℃の温度の環境に引き出した。

For one sample, the ampoule was pulled 10 mm in 24 hr. Samples were generally pulled at a rate of about 2 mm/hr or less.
１つの試料では、アンプルを、２４時間で１０ｍｍ引いた。試料は、通常、約２ｍｍ／ｈｒ以下の速度で引いた。

Three additional single crystals were grown (one with x=0.02, and two with x=0.05) and were used only for the thermoelectric measurements.
３つの追加の単結晶を成長させ（ｘ＝０．０２であるものが１つ、ｘ＝０．０５であるものが２つ）、熱電測定のためにだけ用いた。

Nominal concentrations were heated to 700° C., rocked, cooled to 600° C., and then pulled in a Bridgeman-type apparatus.
公称濃度のものを、７００℃に加熱し、揺り動かし、６００℃に冷却し、次いで、ブリッジマン型の装置において引いた。

US2022246820(UNIV TOKYO [JP])
[0003] Similarly, the anomalous Nernst effect is known as a thermoelectric mechanism that generates an electric voltage due to a temperature gradient.
同じく、温度勾配によって電圧を発生させる熱電機構として、異常ネルンスト効果（Anomalous Nernst effect）が知られている。

The anomalous Nernst effect is a phenomenon observed when a heat current flowing through a magnetic material creates a temperature difference, which generates an electric voltage in a direction perpendicular to both a magnetization direction and the temperature gradient.
異常ネルンスト効果とは、磁性体に熱流を流して温度差が生じたときに、磁化方向と温度勾配の双方に直交する方向に電圧が生じる現象である。

Recent studies have shown that topological electronic structures contribute to increasing a Nernst coefficient much higher than a previously known value (0.1 μV/K).
近年になって、電子構造のトポロジーを利用することにより、ネルンスト係数がこれまで知られていた値（０．１μＶ／Ｋ）よりもはるかに増大することがわかってきた。