酸化ガリウム系

US2020279955(JP)
[0003] In recent years, gallium oxide based p-type semiconductors have been studied.
【０００３】
  そして、近年においては、酸化ガリウム系のｐ型半導体が検討されており、

For example, Patent Literature 1 describes a base showing p-type conductivity to be obtained by forming a β-Ga2 O3 based crystal by floating zone method using MgO (p-type dopant source). 
例えば、特許文献１には、β－Ｇａ_２Ｏ_３系結晶を、ＭｇＯ（ｐ型ドーパント源）を用いてＦＺ法により形成したりすると、ｐ型導電性を示す基板が得られることが記載されている。

 

Examples of the semiconductor device include Schottky barrier diode (SBDs),
前記半導体装置としては、例えば、ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）、

metal semiconductor field-effect transistors (MESFETs), high-electron-mobility transistors (HEMTs),
金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、

metal oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs), static induction transistors (SIT), junction field-effect transistors (JFETs), insulated gate bipolar transistors (IGBTs), and light emitting diodes.
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）、接合電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）または発光ダイオードなどが挙げられる。