裏面接合型

US9018033
The solar cell 100 formed can be a back contact, back junction (BCBJ) solar cell in any of a number of embodiments, including those illustrated and described herein.
形成された太陽電池１００は、本明細書で図示され説明されるものを含む、数々の実施形態のうちのいずれかの裏面電極型、裏面接合型（ＢＣＢＪ）の太陽電池であってよい。

Although the solar cell 100 can have any number of the discussed embodiments it is not limited to the structures described therein.
太陽電池１００は、検討された実施形態をいくつでも有してよいが、本明細書で説明される構造体に制限されるものではない。

WO2012030407
 [0044] The processes and resulting structures described above with respect to Figs. 4A-J and 5 A-E can be implemented together, to the extent that their separate process steps (e.g., metallization, etching, etc.) can be implemented simultaneously.
図４Ａ～Ｊおよび図５Ａ～Ｅに関して前述したプロセス、および結果として生じる構造は、それらの別個のプロセスステップ（例えばメタライゼーション、エッチングなど）を同時に実施可能な限りにおいて、一緒に実施することができる。

Moreover, either process (Figs. 4A-J or 5A-E) can be used on either the front side or back side of a solar cell, depending on what connection / layer structure is needed.
さらに、どちらのプロセス（図４Ａ～Ｊまたは５Ａ～Ｅ）も、どの接続／層構造が必要とされるかに応じて、太陽電池の前面または裏面のどちらにも用いることができる。

The term "substrate" is used broadly herein to connote any underlying layer to which a conductive connection is required.
本明細書において「基板」という用語は、導電性の接続を必要とする下部の任意の層を意味するのに広義に用いられる。

Therefore, the cell structures above could include many types of additional, underlying functional layers.
したがって、前述のセルの構造は、多くのタイプの付加的な下部の機能層を含むことができる。

For example, an n- type front, n-type wafer, p-type back, multifunctional transparent, conductive, highly doped silicon compound can be used in combination with the present invention (or one of opposite polarity), such as that disclosed in the above-incorporated U.S. Patent Application entitled "High-Efficiency Solar Cell Structures and Methods of Manufacture."
例えばｎ型の前面、ｎ型のウェハ、ｐ型の裏面、多機能で透過性かつ導電性の高濃度にドープされたシリコン化合物を、先に組み込まれた「High-Efficiency Solar Cell Structures and Methods of Manufacture」という名称の米国特許出願に開示されたものなど、本発明（または反対の極性のもの）と組み合わせて用いることができる。

One such cell structure is shown in Fig. 6, which is a partial cross- sectional view of a solar cell 60 having n-type front, n-type wafer, p-type back, and including a multifunctional transparent, conductive, highly doped silicon compound layer 61a requiring a conductive connection to contacts 64a.
そうしたセルの構造の１つを図６に示すが、図６は、ｎ型の前面、ｎ型のウェハ、ｐ型の裏面を有し、コンタクト６４ａへの導電性の接続を必要とする、多機能で透過性かつ導電性の高濃度にドープされたシリコン化合物の層６１ａを含む太陽電池６０の部分断面図である。

Layer 61a is an improvement over other techniques, because the functions of multiple layers are combined into a multifunctional layer 61a.
層６１ａは、複数の層の機能を組み合わせて多機能層６１ａとしているため、他の技術に勝る改善されたものである。

This layer can be electrically passivating, transparent, and sufficiently conductive for a vertical carrier flow to the electrodes (back junction solar cell), may provide the junction with the wafer 65 and/or may reduce the reflectance of the incoming light (e.g., antireflection coating).
この層は、電気的なパッシベーション性（ｐａｓｓｉｖａｔｉｎｇ）、透過性、および電極への垂直なキャリアの流れに対する十分な導電性をもつようにすることができ（裏面接合型太陽電池）、ウェハ６５との接合部を形成すること、および／または入射する光の反射率を低減すること（例えば、反射防止コーティング）が可能である。

On the rear of cell 60, layer 61b can also provide an improvement over other techniques.
セル６０の後方では、やはり層６１ｂが、他の技術に勝る改善されたものを提供することができる。

Layer 61b may provide the junction with wafer 65, may have a refractive index which results in a high reflectivity for photons of more than 900 nm wavelength and may be sufficiently conductive for vertical carrier flow from the wafer 65 to the metal electrode 64b.
層６１ｂは、ウェハ６５との接合部を形成すること、９００ｎｍ超の波長の光子に対する高い反射率をもたらす屈折率を有すること、およびウェハ６５から金属電極６４ｂへの垂直なキャリアの流れに対して十分な導電性をもつことが可能である。

造形

金属造形：metal molding

集積可能

US10151627
According to some embodiments, coupling at least a portion of the optical signal into the diagnostics waveguide comprises coupling light through a variable coupler using electrical or thermal actuation.
[0029]いくつかの実施形態によれば、光信号の少なくとも一部を診断導波路に結合させるステップは、電気的又は熱的作動により可変結合器を介して光を結合させるサブステップを含む。

Additionally, the method can include tapping the at least a portion of the optical signal and measuring a power associated with the at least a portion of the optical signal.
また、この方法は、光信号の少なくとも一部を取り出すステップと、光信号の少なくとも一部に関連するパワーを測定するステップとをさらに含む。

The power can be measured using a detector and associated electronics, which can be integrated on-chip.
パワーは、チップ上に集積可能な検出器及び関連する電子機器を用いて測定可能である。

Moreover, the method can include tapping the at least a portion of the optical signal and coupling some of the optical signal off of the photonic device, for example, using a surface coupler.
 この方法は、光信号の少なくとも一部を取り出すステップと、例えば表面結合器を用いて、光信号の一部をフォトニックデバイス外に結合させるステップとをさらに含む。

EP2517251
[0030] After formation of the device stack, which generally includes the substrate through the upper barrier layer as previously described, an etch stop layer can be formed over the upper barrier layer.
一般的には前述した基板から上部バリア層までを含むデバイス積層体の形成後、エッチストップ層が、上部バリア層全体にわたって形成されてよい。

In one specific example embodiment, the etch stop layer is implemented with indium phosphide (InP), and has a thickness in the range of 2 to 10 nm (e.g., 6 nm).
一の具体的な典型的実施例では、エッチストップ層は、インジウム燐(InP)によって実装され、かつ、2～10nmの範囲（たとえば6nm）の厚さを有する。

As will be appreciated, other etch-stop structure materials may be used that may integrate with a given specific application rule.
 明らかなように、所与の具体的な堆積規則によって集積可能な他のエッチストップ構造の材料が用いられてもよい。

WO2017116735
On the other hand, a silicon-based material platform offers low-loss, compact circuits mat can integrate photonic and microelectronic circuit elements on the same chip.
その一方で、シリコンによる材料プラットフォームは、同じチップにフォトニック及び超小型電子の回路素子を集積可能な低損失の小型回路をもたらす。

The corresponding fabrication processes are compatible with the complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology and, as such, are accurate and mature, leading to a robust yield and relatively low production costs.
対応する製造プロセスは、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）技術と互換性を有し、それらは正確及び十分に発達しているため、堅調な生産及び比較的低い製造コストをもたらす。

However, the silicon-based material platform does not yet provide practical light sources suitable for telecommunications applications.
ただし、シリコンによる材料プラットフォームは、電気通信アプリケーションに適した実際の光源を未だ与えていない。