生じにくい

WO2018237321
[0010] And stated more broadly,
さらに広く言えば、

what is needed in the art is a method and/or system（＊無冠詞）for converting rotating motion into linear motion (and/or vice- versa) that is stable at high RPMs and is less prone to mechanical wear relative to the conventional cardan-gear.
当業では、高ＲＰＭにおいて安定するとともに従来のカルダン歯車に比べて機械的摩耗を生じにくい、回転運動を線形運動に（及び／又は線形運動を回転運動に）変換する方法及び／又はシステムが必要とされている。

WO2014164555
[0021] To resolve the difficultly noted above, embodiments of the present invention include
上述した課題を解決するために、本発明の実施形態は、

an inner spring 12 and an outer spring 16 that are connected to fixtures with end mounts 14, 18 in such a manner that upon application of tensile forces there is much less chance for failure and a more secure and clean attachment.
伸長力（tensile force）が加えられたとしても不具合が生じにくい様態で、端部取り付け具（end mount）１４，１８を備える固定具に接続する外スプリング１６及び内スプリング１２、及びより欠点がなく（clean）及び頑丈な（secure）アタッチメントを含む。

These end mounts 14, 18 may be machined from various materials such as metals, plastics, or composites.
これらの端部取り付け具１４，１８は、金属、プラスチック又は合成物などの多様な素材から機械加工（machined）できる。

The relationship of the end mounts 14, 18 to the embodiment will be better understood upon reference to Fig. 2.
本実施形態に対する端部取り付け具１４，１８の関係は、図２を参照することでより理解されるだろう。

WO2014371764
[0160] In some embodiments, for example in the embodiment depicted in FIGS. 1A-1E, the convex articulation surface 104a of the first outer link 100a comprises a semi-spherical convex surface and the concave articulation surface 110b of the second outer link 100b comprises a semi-conical concave surface.
図１Ａ～図１Ｅに示すように、本実施形態では、第１アウタリンク１００ａの凸状アーティキュレーション面１０４ａを半球状凸面、第２アウタリンク１００ｂの凹状アーティキュレーション面１１０を半錐状凹面にすることができる。

An advantage of this configuration is that the contact region of the resulting articulation joint corresponds to a circular region.
この形状のよいところは、生じるアーティキュレーションジョイント内の接触部が円形になる点である。

As a result, the resulting interface is less likely to bind, since the region of contact is reduced. 
そのため、接触部面積が小さくてバインディングが生じにくいインタフェースが得られる。

シールドコイル

WO2018177965
The application of a small wire loop or coil encased in an electro-static shield, for example using quartz/ceramic, to 'inductively' probe the magnetic flux within a plasma discharge is well established.
静電シールドに入れられた、石英やセラミックなどを使用した小さなワイヤループまたはコイルを利用することによって、プラズマ放電内の磁束を「誘導的に」プローブすることが十分に確立されている。

This approach, known as B-dot or dB/dt probes, has been used extensively since the 1960's.
Ｂ－ｄｏｔまたはｄＢ／ｄｔプローブとして知られるこのアプローチは、１９６０年代から広く使用されている。

US patent publication US2007/227667A1 , Yamazawa et al, discusses the application of a pair of such shielded coiled probes positioned within a plasma chamber.
 米国特許公開ＵＳ２００７／２２７６６７Ａ１、Ｙａｍａｚａｗａ他は、プラズマチャンバ内に配置された一対のそのようなシールドコイルプローブの応用について論じている。

US8981779
In an embodiment, the first gradient coil 204 may be disposed in a gradient coil assembly 207 comprising other gradient coils and/or shield coils as described in U.S. patent application Ser. No. 12/951,976,
実施形態では、第１の傾斜コイル２０４は、特許文献３で説明される他の傾斜コイル及び／又はシールドコイルを備える傾斜コイルアッセンブリ２０７において配置されてもよく、

which is commonly-owned and hereby incorporated by reference.
それは共有されてかつ参照によりここで組み込まれる。

US10634745
This object is achieved in the gradient coil assembly for a magnetic resonance examination system and comprising:
この目的は、磁気共鳴検査システム用の勾配コイルアセンブリであって、

a primary gradient coil having primary windings on a primary cylindrical surface,
１次円筒表面上に１次巻線を有する１次勾配コイルと、

a shield coil having shield windings on a shield cylindrical surface,
シールド円筒表面上にシールド巻線を有するシールドコイルであって、

the shield cylindrical surface located radially outward relative to the primary cylindrical surface,
シールド円筒表面が１次円筒表面に対し半径方向外側に位置する、シールドコイルと、

a conical end-flange surface between the primary cylindrical surface and the shield cylindrical surface at their adjacent axial ends and
１次円筒表面とシールド円筒表面との間の、それらの隣接する軸方向端部における円錐形の端部フランジ表面と、

interconnecting winding portions between the primary windings and the shield windings disposed on the conical surface and serially connecting at least some of the shield windings to some of the primary windings.
１次巻線とシールド巻線との間の相互接続巻線部分であって、円錐形の表面上に配置され、シールド巻線の少なくとも一部を１次巻線の一部に直列に接続する、相互接続巻線部分と、を有する勾配コイルアセンブリにおいて達成される。

局発光

EP1193483
[0019] Fig. 2 is a depiction of an optical heterodyne detection system in which the input signal power and local oscillator signal power are separately measured
【００１８】図２は、入力信号パワーと局発信号パワーが別々に測定され、

and the resulting measurements are utilized during signal processing to improve the signal to noise ratio of the heterodyne signal.
測定結果が信号処理中に使われてヘテロダイン信号の信号対雑音比を改善するようにした光ヘテロダイン検波装置を示している。

The optical heterodyne detection system includes a signal fiber 204, an optical switch 224, a signal tap 230, a signal receiver 232,
この光ヘテロダイン検波装置は、信号光ファイバ２０４、光スイッチ２２４、信号タップ２３０、信号受信装置２３２、

a local oscillator source 205, a local oscillator fiber 208, a frequency counter tap 236, a frequency counter 238, a polarization controller 220,
局発源２０５、局発光ファイバ２０８、周波数カウンタタップ２３６、周波数カウンタ２３８、偏光コントローラ２２０、

a local oscillator tap 240, a local oscillator receiver 242, a heterodyne coupler 210, a heterodyne receiver 212, and a processor 216.
局発タップ２４０、局発受信装置２４２、ヘテロダインカプラ２１０、ヘテロダイン受信装置２１２、および、プロセッサ２１６を備えている。

It should be noted that throughout the description, similar reference numerals are utilized to identify similar elements（＊同一、同様の要素）.
説明を通じて、類似した参照数字は、類似した部材を特定するように使われるものとする。

US2019072731(JP)
[0048] The local oscillation light source 222 is a light source that outputs local oscillation light used for detection of light in the 90-degree optical hybrids 223, 224.
局発光源２２２は、９０度光ハイブリッド２２３及び２２４において、光検波に用いられる局部発振光を出力する光源である。

The local oscillation light source 222 uses, for example, a configuration where the output of the light source device 100 illustrated in FIG. 2 is branched.
局発光源２２２には、例えば図２に示す光源装置１００の出力を分岐させた構成が用いられる。

The 90-degree optical hybrid 223 is a demodulator corresponding to the X polarization component and the 90-degree optical hybrid 224 is a demodulator corresponding to Y polarization.
９０度光ハイブリッド２２３はＸ偏波成分に対応した復調器であり、９０度光ハイブリッド２２４はＹ偏波に対応した復調器である。

The 90-degree optical hybrid 223 detects the X polarization modulated signal light input from the polarization beam splitter 221 by using the local oscillation light input from the local oscillation light source 222 and outputs detection light of I component and Q component.
９０度光ハイブリッド２２３は、偏光ビームスプリッタ２２１から入力されたＸ偏波の変調信号光を、局発光源２２２から入力される局部発振光を用いて検波し、Ｉ成分及びＱ成分の検波光を出力する。

EP3379306(JP)
[0008] A polarization multiplex signal is input into the signal light input waveguide 9223 from a transmission path, and the polarization multiplex signal is separated by the polarization separation circuit 9225 into TE polarized light and TM polarized light components.
信号光の入力導波路９２２３には伝送路から偏波多重信号が入力され、偏波多重信号は偏波分離回路９２２５によってＴＥ偏光とＴＭ偏光成分とに分離される。

Further, from a locally generated light source, continuous light of the TE polarized light is input from the input waveguide 9222 and branched into two by the optical splitter 9224.
また局発光源からはＴＥ偏光の連続光が入力導波路９２２２から入力され、光スプリッタ９２２４で２つに分岐される。

The TE polarized light component of a signal separated by the polarization separation circuit 9225 and a locally generated light of the TE polarized light, which is one of the branched light, are modulated by the coherent optical mixer 9227.
偏波分離回路９２２５によって分離された信号のＴＥ偏光成分と、分岐された一方のＴＥ偏光の局発光は、光コヒーレントミキサ９２２７によって復調される。

Also, the TM polarized light component of a signal separated by the polarization separation circuit 9225 is converted into the TE polarized light by the polarization rotation circuit 9226, and is input to the coherent optical mixer 9228 together with a locally generated light of the TE polarized light, which is the other one of the branched light, for modulation.
また、偏波分離回路９２２５によって分離された信号のＴＭ偏光成分は、偏波回転回路９２２６によってＴＥ偏光に変換され、分岐された他方のＴＥ偏光の局発光とともに光コヒーレントミキサ９２２８に入力されて復調される。

Thus modulated optical signals are converted into received electrical signals by the plurality of photo detectors 9229 and are output therefrom.
復調された光信号は、複数のフォトディテクタ９２２９により受信電気信号に変換されて出力される。

前置光学系

WO2018148178
[0002] The present disclosure relates to hyperspectral imaging.
 本開示は、概して、ハイパースペクトル撮像に関する。

More particularly, embodiments described herein relate to a compact and lightweight hyperspectral imager that includes fore-optics interfaced with a spectrometer.
 特に、本明細書に記載の実施形態は、分光計とインターフェース接続された前置光学系を含むコンパクトで軽量な撮像装置に関する。

WO2016167863
Referring to FIG. 1, there is illustrated a block diagram of one embodiment of a reimaging optical system according various aspects discussed herein.
図１を参照するに、ここで説明される様々な態様に従った再結像光学システムの一実施形態のブロック図が例示されている。

As shown, the reimaging optical system 100 includes a reimaging foreoptics 102, a front objective 104, a first optical component 108,
図示されるように、再結像光学システム１００は、再結像フォアオプティクス（前置光学系）１０２と、フロント（前面）対物系１０４と、第１の光学コンポーネント１０８と、

an intermediate image plane (indicated as ghost box 110), an alignment object 112 having an alignment tool 114, an optical beam steering mirror 116, an imaging optical apparatus 118, and a controller 120.
中間イメージプレーン（像面）（その場にはないボックス１１０として示されている）と、アライメントツール１１４を有するアライメントオブジェクト１１２と、光ビームステアリングミラー１１６と、撮像光学装置１１８と、コントローラ１２０とを含んでいる。

In one implementation, the reimaging foreoptics 102 includes afocal foreoptics; however, in alternative implementations the reimaging foreoptics 102 are not necessarily afocal.
一実装において、再結像フォアオプティクス１０２は、アフォーカル（無限焦点）のフォアオプティクスを含むが、他の実装において、再結像フォアオプティクス１０２は必ずしもアフォーカルではない。

The foreoptics 102 create an intermediate image plane and are common to the imaging sensors in the imaging optical apparatus 118.
フォアオプティクス１０２は、中間イメージプレーンを作り出すとともに、撮像光学装置１１８内の撮像センサに共通である。

 In various embodiments, the imaging optical apparatus 118 may include one or more imaging sensors (e.g., first imaging sensor 122 and second imaging sensor 130), and imaging optics (shown generally as imaging optics 134), such as one or more mirrors and/or lenses.
様々な実施形態において、撮像光学装置１１８は、１つ以上の撮像センサ（例えば、第１の撮像センサ１２２及び第２の撮像センサ１３０）と、例えば１つ以上のミラー及び／又はレンズなどの結像光学系（結像光学系１３４として大まかに示されている）とを含み得る。

Additionally, a dichroic beam splitter 124 or other optical element may be used to separate two or more spectral bands for imaging by two or more corresponding imaging sensors, as discussed further below.
加えて、更に後述されるように、２つ以上のスペクトル帯域を、２つ以上の対応する撮像センサによる撮像のために分離するため、ダイクロイックビームスプリッタ１２４又はその他の光学素子が使用され得る。

Various embodiments may also include one or more optical transmitters 126, such as a short-wave infrared laser.
様々な実施形態はまた、短波赤外線レーザなどの１つ以上の光送信器１２６を含み得る。

The optical transmitter(s) may share foreoptics with the imaging optical apparatus, or include a separate aperture (shown in FIG. 1). While not shown, the reimaging foreoptics 102 and imaging optical apparatus 118 may each include, or share, a housing.
この（１つ以上の）光送信器は、撮像光学装置とフォアオプティクスを共有してもよいし、又は別個のアパチャーを含んでいてもよい（図１に示す）。図示されていないが、再結像フォアオプティクス１０２及び撮像光学装置１１８は、各々が筐体を含んでいてもよいし、あるいは筐体を共有していてもよい。

The housing surrounds portions of the foreoptics 102 and/or the imaging optical apparatus 118, and protects the optical components therein from dust, dirt, moisture, etc.
筐体は、フォアオプティクス１０２及び／又は撮像光学装置１１８の部分を取り囲んで、その中の光学コンポーネントを埃、汚れ、水分などから保護する。

The optics contained in reimaging foreoptics 102 and imaging optical apparatus 118 may be any combination of reflective, refractive, and dispersive optics. 
再結像フォアオプティクス１０２及び撮像光学装置１１８に含まれる光学系は、反射光学系、屈折光学系、及び分散光学系の何らかの組み合わせとし得る。

WO2014084995
[0032] Referring to FIGURE 1, there is a block diagram of an exemplary hyperspectral imaging system 100 which incorporates a monolithic Offner spectrometer 102 that is configured and manufactured in accordance with an embodiment of the present invention.
図１を参照すれば、本発明の一実施形態にしたがって構成及び作製されたモノリシックオフナー分光計１０２を組み込んでいるハイパースペクトルイメージングシステム１００の一例のブロック図がある。

The hyperspectral imaging system 100 has fore optics（＊無冠詞）104 and a detector 106 both of which directly interface with the monolithic Offner spectrometer 102.
ハイパースペクトルイメージングシステム１００は、いずれもモノリシックオフナー分光計１０２と直接インターフェースする、前置光学系１０４及び検出器１０６を備える。

[0034] The hyperspectral imaging system 100
ハイパースペクトルイメージングシステム１００は、

operates to produce images of a remote object (not shown) over a contiguous range of narrow spectral bands when the fore optics 104 receives a beam 132 (light 132) from the remote object and directs the beam 132 to the monolithic Offner spectrometer 102 which diffracts the beam 132 and forwards the diffracted beam 132' (diffracted light 132') to the detector 106. 

前置光学系１０４が遠隔物体（図示せず）からビーム１３２（光１３２）を受け取り、ビーム１３２を回折して回折ビーム１３２’（回折光１３２’）を検出器１０６に転送するモノリシックオフナー分光計１０２にビーム１３２を導く場合に、連続する狭スペクトル帯範囲にわたって遠隔物体の画像を形成するように動作する。

収容器

WO2018237346
[0062] Referring to Fig. 8, an example of a cosmetic device 800 is illustrated.
図８を参照すると、美容デバイス８００の実施例が示されている。

The cosmetic device 800 includes an applicator 802 and a container 804 that is configured to receive a photosensitizer 202.
美容デバイス８００は、塗布器８０２と、光増感剤２０２を受容するように構成された収容器８０４とを含む。

The photosensitizer 202 may be dissolved in a liquid solution, such as a saline solution.
光増感剤２０２は、生理食塩水などの液体溶液に溶解することができる。

Alternatively, the photosensitizer 202 may be dissolved or suspended in a gel, such as a hydrogel or a silicone gel.
あるいは、光増感剤２０２は、ヒドロゲルまたはシリコーンゲルなどのゲル内に溶解または懸濁されてもよい。

WO2018237105
As used herein, the term "tote" includes, without limitation, cargo holders, bins, cages, shelves, rods from which items can be hung,
本明細書で使用される、「トート」という用語は、貨物ホルダ、収容器、かご、棚、物品を吊るすことができる棒、

caddies, crates, racks, stands, trestle, containers, boxes, canisters, vessels, and repositories.
缶、木箱、ラック、スタンド、架台、コンテナ、箱、キャニスタ、槽、及びリポジトリを含むが、それらに限定されない。

WO2018169681
Alternatively, one or both of the depleted mixture and the organosilicon component may be directed to collection containers.
あるいは、除去処理した混合物及び有機ケイ素成分の一方又は両方を回収容器に配分してもよい。

WO2018129065
[00137] Figure 12 shows a graphical representation of process 1400 including additional steps according to an exemplary embodiment.
図１２は、例示の実施の形態による追加の工程を含む過程１４００のグラフィック描写を示す。

At step 1425, the glass substrate supported on the frame is positioned within an airtight enclosure, shown as plastic vacuum bag 1426.
工程１４２５では、フレーム上に支持されたガラス基板が、プラスチック製真空袋１４２６として示された気密収容器内に配置される。

 

 

ドーピングを施された

EP2471134
[0072] The results obtained in the '072 patent involved a solid state synthesis of the materials that did not achieve comparable cycling capacity of the batteries formed with cathode active materials formed with co-precipitation methods.
  ‘０７２特許で得られた結果は、材料の固相合成に関わるものであったが、これは、共沈法で形成されるカソード活物質を用いて作製される電池と同等のサイクル性能を実現することはできなかった。

The improved performance of the materials formed by co-precipitation is described further in the '814 application and '735 application noted above as well as in US 2010/0086854 for fluorine doped compositions.
共沈によって形成される材料の改良された性能は、フッ素ドーピングを施された組成物に関して、上述した‘８１４出願および‘７３５出願、ならびに米国特許出願公開第２０１０／００８６８５４号明細書にさらに記載されている。

The co-precipitation process for the doped materials described herein is described further below.
本明細書に述べるドーピングされた材料に関する共沈プロセスは、以下にさらに説明する。

WO2008014121
Referring first to FIG. 1, a block diagram is shown of a fiber amplifier system 10 according to an embodiment of the invention.
まず、図１を参照すると、本発明の実施形態に従う、ファイバ増幅器システム１０のブロック図が示される。

The fiber amplifier system 10 comprises a fiber amplifier 20, a wavelength division multiplexer (WDM) 30, a wavelength division de-multiplexer 40 and a continuous wave light source 50.
該ファイバ増幅器システム１０は、ファイバ増幅器２０と、波長分割マルチプレクサ（ＷＤＭ）３０と、波長分割デマルチプレクサ４０と、連続波光源５０とを備える。

The output of the WDM 30 is coupled to one end of an optical fiber 60. The other end of the optical fiber 60 is coupled to an input of the fiber amplifier 20.
ＷＤＭ３０の出力は、光ファイバ６０の一方の端部に結合される。該光ファイバ６０のもう一方の端部は、上記ファイバ増幅器２０の入力に結合される。

Optical fiber 60 on the output side of the fiber amplifier 20 is connected to the wavelength division de-multiplexer 40.
ファイバ増幅器２０の出力側の光ファイバ６０は、波長分割デマルチプレクサ４０に接続される。

The fiber amplifier 20 may be an Erbium Doped Fiber Amplifier (EDFA), or Ytterbium-doped, Neodymium-doped, or any other doped fiber amplifier
ファイバ増幅器２０は、エルビウムドーピングファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）、あるいはイッテルビウムドーピング、ネオジウムドーピング、または任意の他のドーピングを施されたファイバ増幅器であり得、

that suffers from noise due to the probability of spontaneous emission.
自然放出の確率に起因するノイズを受ける。

WO0011712
The terms wafer and substrate used in the following description include any structure having an exposed surface with which to form the integrated circuit (IC) structure of the invention.
以下の説明中、用語「ウェーハ」及び「基板」は、本発明の集積回路（ＩＣ）構造を形成する露出面を有する任意の構造を含む。

The term substrate is understood to include semiconductor wafers.
用語「基板」は、半導体ウェーハを含むものと理解されたい。

The term substrate is also used to refer to semiconductor structures during processing, and may include other layers that have been fabricated thereupon.
用語「基板」はまた、処理時の半導体構造を指すこともあり、その構造上に形成された他の層を含む場合もある。

Both wafer and substrate include doped and undoped semiconductors, epitaxial semiconductor layers supported by a base semiconductor or insulator, as well as other semiconductor structures well known to one skilled in the art.
「ウェーハ」も「基板」も共に、基礎となる半導体又は絶縁体に支持されるドーピングを施された又はドーピングを施されていない半導体、エピタキシャル半導体層だけでなく、当業者に良く知られた他の半導体構造を含む。