金属、誘電体

WO2018200211
[0022] FIGS. 2A through 2E and 3 show an exemplary processing method 200 in accordance with one or more embodiments of the disclosure.
図２Ａから２Ｅ及び図３は、本開示の１つ以上の実施形態による例示的な処理方法２００を示している。

A substrate having a feature thereon is provided for processing at 210.
２１０での処理のために、その上に特徴を有する基板が提供される。

As used in this regard, the term "provided" means that the substrate is placed into a position or environment for further processing.
これに関連して用いられる「提供される」という用語は、さらなる処理のために、基板がある位置又は環境に置かれることを意味する。

In the embodiment illustrated in FIG. 2A, the substrate has two different surfaces; a first surface 150 and a second surface 160.
図２Ａに示される実施形態では、基板は２つの異なる表面、すなわち、第１の表面１５０及び第２の表面１６０を有する。

The first surface 150 and the second surface 160 can be different materials. For example, one of the surfaces may be a metal and the other a dielectric（不定冠詞）.
第１の表面１５０及び第２の表面１６０は異なる材料であってもよい。例えば、表面の一方は金属であり、他方は誘電体であってもよい。

In some embodiments, the first surface and the second surface have the same chemical composition but different physical properties (e.g., crystallinity).
 幾つかの実施形態では、第１の表面及び第２の表面は、同じ化学組成を有するが、異なる物理的特性（例えば、結晶化度）を有する。

WO2005001401
An exemplary embodiment of a free-space extended-cavity semiconductor tunable laser arrangement according to the present invention is depicted in Fig. 6.
【００４４】
  本発明にかかる自由空間拡張共振型半導体同調レーザー構成の例示的実施形態を図６に示す。

A semiconductor waveguide 162 made on a substrate chip 160 can be coupled to the polygon scanning filter via a collimating lens 180.
基板チップ１６０に形成された半導体導波路１６２は、コリメーターレンズ１８０を介して多面体走査フィルターに接続することができる。

The front facet 164 thereof may be anti-reflection coated, and the output facet 166 may be cleaved or preferably coated with dielectrics（複数）to have an optimal reflectivity.
その正面１６４には反射防止膜を施すことができ、出力面１６６は、最適反射率が得られるように、劈開または好ましくは誘電体で被覆してもよい。

EP3316445
[0055] In accordance with another embodiment, the metal rear housing wall has an external surface, the solenoid has an inner surface facing the external surface, and the inner surface is separated from the external surface by a gap that is filled with dielectric（＊無冠詞）.
【００５４】
  別の実施形態によれば、金属後部筐体壁は外面を有し、ソレノイドは外面に面する内面を有し、内面は誘電体で充填された間隙によって外面から分離される。

WO2018005715
[0037] Referring now to FIG. 2A, a cross-section view of one variant 50a of plasma generator 50 taken along section lines 2-2 in FIG. 1 is illustrated.
次に図２Ａを参照すると、図１の切断線２－２に沿って切り取られたプラズマ発生器５０の一変形例５０ａの断面図が示されている。

In variant 50a, the gas is conveyed through lumen 70 in outer tube 72.
変形例５０ａでは、ガスは外管７２内の内腔７０を通って搬送される。

Tube 72 is a dielectric（＊不定冠詞）, conveniently glass（＊無冠詞）.
 管７２は誘電体であり、好都合にはガラスである。

EP2826562
[0031] The method steps used in metalizing a substrate may vary depending on whether the surface to be plated is metal or dielectric（＊形容詞）.
【００３１】
  基材を金属化するために使用される方法のステップは、めっきされるべき表面が金属であるかまたは誘電体であるかに依存して変化し得る。

Specific steps and sequence of steps may also vary from one method to the next. 
具体的なステップおよびステップの順序もまた方法ごとに変化し得る。

電圧を供給

US2017364158
[0013] In numerous examples, the processing unit produces a deflection at a section of the piezoelectric wafer covered by a first voltage electrode of the voltage electrodes by supplying voltage（無冠詞）to the first voltage electrode and no voltage to other voltage electrodes adjacent to the first voltage electrode.
【００１３】
  複数の例においては、処理ユニットが、複数の電圧電極のうちの第１の電圧電極に電圧を供給し、第１の電圧電極に隣接する他の複数の電圧電極には電圧を供給しないことによって、第１の電圧電極によって被覆された圧電ウェハの一部分に反曲を生じさせる。

In other examples, the processing unit produces a deflection at a section of the piezoelectric wafer covered by supplying a higher voltage（＊不定冠詞）to a first voltage electrode of the voltage electrodes and a lower voltage to other voltage electrodes of the voltage electrodes.
別の複数の例においては、処理ユニットが、複数の電圧電極のうちの第１の電圧電極により高い電圧を供給し、複数の電圧電極のうちのその他の複数の電圧電極により低い電圧を供給することにより、圧電ウェハの被覆された一部分に反曲を生じさせる。

In still other examples, the processing unit produces a deflection at a section of the piezoelectric wafer covered by a first voltage electrode of the voltage electrodes by supplying a first voltage（＊不定冠詞）to the first voltage electrode,
更に別の複数の例においては、処理ユニットが、複数の電圧電極のうちの第１の電圧電極に第１の電圧を供給すること、

a second voltage to a second voltage electrode of the voltage electrodes, and
複数の電圧電極のうちの第２の電極に第２の電圧を供給すること及び、

a third voltage to other voltage electrodes of the voltage electrodes wherein the third voltage is higher than the second voltage and lower than the first voltage.
複数の電圧電極のうちの第３の電極に第３の電圧を供給することであって、第３の電圧が第２の電圧よりも高く、第１の電極よりも低いことによって、第１の電圧電極によって被覆された圧電ウェハの一部分に反曲を生じさせる。

EP2437138
[0058] Turning now to Fig. 10 , a block diagram of one embodiment of a system 350 is shown.
【００４９】
  図１０を参照すると、システム３５０の一実施例のブロック図が示されている。

In the illustrated embodiment, the system 350 includes at least one instance of an integrated circuit 10 coupled to an external memory 352.
例示の実施例において、システム３５０は、外部メモリ１２に結合された集積回路１０の少なくとも１つのインスタンスを含む。

The external memory 352 may form the main memory subsystem discussed above with regard to Fig. 1 (e.g. the external memory 352 may include the memory 12A-12B).
外部メモリ３５２は図１に関して上述した主メモリサブシステムを形成する（例えば、外部メモリ３５２はメモリ１２Ａ－１２Ｂを含む）。

The integrated circuit 10 is coupled to one or more peripherals 354 and the external memory 352.
集積回路１０は１以上の周辺機器３５４及び外部メモリ１２に結合する。

A power supply 356 is also provided which supplies the supply voltages（＊初出なのになぜか定冠詞で複数）to the integrated circuit 358 as well as one or more supply voltages to the memory 352 and/or the peripherals 354.
電源供給３５６が提供され、集積回路３５８に電圧を供給するとともに、メモリ３５２及び／又は周辺機器３５４に電圧を供給する。

In some embodiments, more than one instance of the integrated circuit 10 may be included (and more than one external memory 352 may be included as well).
幾つかの実施例において、１より多い集積回路１０のインスタンスが含まれる（そして同様に、１より多い外部メモリ３５２が含まれる）。

電流を供給

WO2013109874
Alternatively, wraparound portion 684 can be relatively looser fitting when device 610 is worn in an operational position,
或いは、デバイス６１０が操作上の位置に装着されているとき、巻き付け部分６８４は比較的に緩い嵌合とすることができ、

allowing the user to remove device 610 from the user's head and continue to wear the device around his or her（＊彼または彼女）neck.
ユーザーにユーザーの頭部からデバイス６１０を取り外して、デバイスをユーザーの首の周りに装着し続けることを可能とする。

Wraparound portion 684 can be configured to house one or more batteries to provide electrical current（＊無冠詞）for device 610 and internal connections and wiring for carrying such current.
巻き付け部分６８４は、デバイス６１０及び内部接続に電流を供給する一つ以上のバッテリと、そのような電流を伝える配線とを収納するように構成することができる。

In an example, wraparound portion 684 can house one or more flexible battery structures to allow wraparound portion 684 to bend or flex, such as to conform to the user's head or neck.
一つの例においては、巻き付け部分６８４は一つ以上の可撓性バッテリ構造を収納することができ、巻き付け部分６８４を曲げるか若しくは撓めることを可能にして、例えばユーザーの頭部又は首に順応させる。

WO2016099632
[0052] Example 13 is a mobile electronic device that includes a chassis comprising an electrically conductive surface,
例１３は、導電性の表面を有するシャーシと、

one or more electrical components on or within the chassis, and
前記シャーシの上又は中の１つ以上の電気コンポーネントと、

a solid electrolyte battery integrated with the chassis and configured to provide electrical current（＊無冠詞）to the one or more electrical components.
前記シャーシと一体化され且つ前記１つ以上の電気コンポーネントに電流を供給するように構成された固体電解質電池とを含むモバイル電子機器である。

The solid electrolyte battery includes a first electrode comprising the electrically conductive surface of the chassis,
前記固体電解質電池は、前記シャーシの前記導電性の表面を有する第１の電極と、

a first solid electrolyte layer overlying the electrically conductive surface of the chassis, a separator layer overlying the first solid electrolyte layer,
前記シャーシの前記導電性の表面の上に位置する第１の固体電解質層と、前記第１の固体電解質層の上に位置するセパレータ層と、

a second solid electrolyte layer overlying the separator layer, and a second electrode overlying the second solid electrolyte layer.
前記セパレータ層の上に位置する第２の固体電解質層と、前記第２の固体電解質層の上に位置する第２の電極とを含む。

WO2014099032
In an embodiment, the electronic system 400 is a computer system that includes a system bus 420 to electrically couple the various components of the electronic system 400.
【００３３】
  一実施形態において、電子システム４００は、電子システム４００の様々なコンポーネントを電気的に結合するシステムバス４２０を含んだコンピュータシステムである。

The system bus 420 is a single bus or any combination of busses according to various embodiments.
システムバス４２０は、様々な実施形態に従って、単一のバス、又は複数のバスの組合せである。

The electronic system 400 includes a voltage source 430 that provides power to the integrated circuit 410.
電子システム４００は、集積回路４１０に電力を供給する電圧源４３０を含んでいる。

In some embodiments, the voltage source 430 supplies current（無冠詞）to the integrated circuit 410 through the system bus 420.
一部の実施形態において、電圧源４３０はシステムバス４２０を介して集積回路４１０に電流を供給する。

US10589635
1. A hybrid electrical power supply system for supplying current（無冠詞）to a load, the hybrid electrical power supply system comprising:
【請求項１】
  負荷に電流を供給するためのハイブリッド電力供給システムであって、

an AC power source;
an AC bus;
first switching means arranged to switchably couple AC power from the AC power source to the AC bus;
ＡＣ電源と、
  ＡＣバスと、
  前記ＡＣ電源から前記ＡＣバスにＡＣ電力を切り替え可能に接続するように配置された第１スイッチング手段と、

an HVDC power source;
an active voltage controller configured to generate a control signal representing a magnitude of a HVDC bus reference voltage;
ＨＶＤＣ電源と、
  ＨＶＤＣバス基準電圧の大きさを表す制御信号を生成するように構成されたアクティブ電圧コントローラと、

an active rectifier unit comprising an active rectifier configured to convert AC power to HVDC power and a controller configured to control the active rectifier to adjust an HVDC bus voltage in dependence on the control signal received from the active voltage controller;
ＡＣ電力をＨＶＤＣ電力に変換するように構成されたアクティブ整流器、及び、前記アクティブ電圧コントローラから受け取った前記制御信号に基づいて前記アクティブ整流器を制御してＨＶＤＣバス電圧を調整するように構成されたコントローラ、を含むアクティブ整流ユニットと、

second switching means arranged to switchably couple AC power from the AC bus to the active rectifier unit;
前記ＡＣバスから前記アクティブ整流ユニットにＡＣ電力を切り替え可能に接続するように配置された第２スイッチング手段と、

an HVDC bus coupled to receive DC power from one or both of the HVDC power source and active rectifier unit in dependence on the HVDC bus voltage from the active rectifier unit; and
前記アクティブ整流ユニットからの前記ＨＶＤＣバス電圧に基づいて、前記ＨＶＤＣ電源及び前記アクティブ整流ユニットの一方又は両方からＤＣ電力を受け取るように接続されたＨＶＤＣバスと、

an HVDC load coupled to receive HVDC power from the HVDC bus.
前記ＨＶＤＣバスからＨＶＤＣ電力を受け取るように接続されたＨＶＤＣ負荷と、を含む、ハイブリッド電力供給システム。

状態と状態の間

US9812184
A large magnetoresistance will provide a large readout signal. It has been shown experimentally that very large magnetoresistance can be achieved using magnesium oxide (MgO) insulating barriers. The magnetoresistance refers to the percentage change in resistance between states in which the layers are magnetized antiparallel and parallel（＊逆平行に磁化された状態および平行に磁化された状態間）. A magnetoresistance of greater that 400% has been achieved recently with MgO insulating layers. With an aluminum oxide insulating layer, a magnetoresistance of about 30% has been achieved. Either of these materials as well as other insulators may prove useful as the non-magnetic layers, N1 or N2.

US8550362
In some embodiments, the arrangement is operable to perform a function of a first type of transaction card when in said first state, and said arrangement is operable to perform a function of a second type of transaction card when in said second state. Thus the card may be switched between states in which it is alternately operable to act as first type of transaction card, e.g. a debit card, and a second type of transaction card（＊第一のカードとして機能する状態および第二のカードとして機能する状態間）, e.g. a credit card.

...

Turning the switch element 402 causes the card 400 to switch between states in which it is operable to act as either a debit card or a credit card（＊デビットカードまたはクレジットカードとして機能する状態間）. This switching can be achieved by a reed switch arrangement 414 a, 414 b, 416, wherein a magnetic element 416 is located on one edge of the switch portion 402, a first switch element 414 a is located on a part of the card portion 403 facing the switch element and a second switch element 414 b is located on another part of the card portion 403 facing the switch portion 402. The magnetic element 416 is thus in the proximity of, and thereby activates, the first switch element 414 a in the first configuration and is in the proximity of, and thereby activates, the second switch element 414 b in the second configuration.

US20190127002
A lock for securing a bicycle to a dock. The lock consumes little power in operation, with transitions between states in which a bicycle is locked to a dock and released（＊ロックされた状態と解放された状態間）from the dock being driven predominately by force applied to the bicycle by a user. Force applied to the bicycle may drive a latch within the lock to move between a latched and unlatched position. A locking member may be driven in one direction by an actuator and retained by an arm that blocks movement of the locking member. The locking member may be driven in the other direction by spring force, when the locking member is released by movement of the arm, which is coupled to the latch and therefore driven by a user applying force to a bicycle. As a result, a small battery may supply power to the actuator and to communication and control circuity.

分数のスラッシュ表記

Fraction (Wikipedia)

A fraction (from Latin fractus, "broken") represents a part of a whole or, more generally, any number of equal parts. When spoken in everyday English, a fraction describes how many parts of a certain size there are, for example, one-half, eight-fifths, three-quarters. A common, vulgar, or simple fraction（＊常分数）(examples: {\displaystyle {\tfrac {1}{2}}} and {\displaystyle {\tfrac {17}{3}}}) consists of a numerator displayed above a line (or before a slash（＊スラッシュ）), and a non-zero denominator, displayed below (or after) that line. Numerators and denominators are also used in fractions that are not common, including compound fractions, complex fractions, and mixed numerals.

...

The entire fraction may be expressed as a single composition, in which case it is hyphenated, or as a number of fractions with a numerator of one, in which case they are not. (For example, "two-fifths" is the fraction 2/5 and "two fifths" is the same fraction understood as 2 instances of ​¹⁄₅.（＊ハイフンの有無で意味が変わる) Fractions should always be hyphenated when used as adjectives. Alternatively, a fraction may be described by reading it out as the numerator "over" the denominator, with the denominator expressed as a cardinal number. (For example, 3/1 may also be expressed as "three over one".) The term "over" is used even in the case of solidus（＊=slash）fractions, where the numbers are placed left and right of a slash mark. (For example, 1/2 may be read "one-half", "one half", or "one over two".) Fractions with large denominators that are not powers of ten are often rendered in this fashion (e.g., 1/117 as "one over one hundred seventeen"), while those with denominators divisible by ten are typically read in the normal ordinal fashion (e.g., 6/1000000 as "six-millionths", "six millionths", or "six one-millionths").