クラックが生じ

WO2019239271
Utilizing a female mold with high curvature and/or sag (maximum displacement) can result in cracking of conventional hardcoats near the center of the optical film in regions that are intended to be used in the optical assembly.
高曲率及び／又はサグ（最大変位）を有する雌型成形型を利用することにより、光学アセンブリに使用する対象の領域において、光学フィルムの中心付近で従来のハードコートにはクラックが生じることがある。

In some aspects of the present description, compositions for the protective coating are provided which result in good scratch resistance and good thermoformability (e.g., thermoformable without cracking).
本明細書のいくつかの態様では、良好な耐引っかき性及び良好な熱成形性（例えば、クラックなしに熱成形可能）をもたらす、保護コーティングのための組成物が提供される。

In some embodiments, there is substantially no cracking in the protective coating when thermoforming using a female mold having a high curvature and/or sag (maximum displacement).
いくつかの実施形態では、高曲率及び／又はサグ（最大変位）を有する雌型成形型を使用して熱成形すると、保護コーティングにクラックが実質的に存在しない。

US10364197
[0041] At block 160 , the ceramic article is heated at a ramping rate of about 0.1° C. to about 20° C. per minute.
【００３１】
  ブロック１６０において、セラミック物品は約０．１℃から約２０℃／分のランプレートで加熱される。

Ceramic articles may be fragile, and may crack when exposed to extreme changes in temperature.
セラミック物品は壊れやすいことがあり、急激な温度変化に曝露されるとクラックが生じ得る。

Accordingly, a ramping rate that is slow enough to prevent the ceramic article from cracking is used.
従って、セラミック物品にクラックが生じるのを防ぐのに十分遅いランプレートが使用される。

It is expected that for some ceramics a ramping rate of more than 20° C. per minute may be possible.
２０℃／分よりも大きなランプレートが可能であり得るセラミックスもあることが予想される。

Accordingly, in some embodiments, ramping rates beyond 20° C. per minute that do not cause cracking may be used.
従って、いくつかの実施形態では、クラックを生じない、２０℃／分を超えるランプレートが使用されてもよい。

US10811370
[0080] As noted above, when dielectric crossovers are included on a circuit substrate, small voids may form in the upper surface thereof, particularly at upper edges of the dielectric crossover.
【００７２】
  上記のように、誘電体クロスオーバが回路基板上に含まれるとき、その上部表面内、特に誘電体クロスオーバの上側縁部において、小さなボイドが生じ得る。

When a passivation layer is formed on these voids, microcracks may form in the passivation layer which may serve as moisture paths into the interior of the device.
パッシベーション層がこれらのボイド上に形成されるとき、パッシベーション層内に微小クラックが生じる場合があり、これはデバイスの内部への湿気経路として働き得る。

While dielectric crossovers may be used in capacitors as discussed above with reference to FIGS. 3 and 4, it will be appreciated that dielectric crossovers may be used in in forming other circuit elements, such as inductors and gate jumpers.
図３及び４を参照して上記で論じられたように、誘電体クロスオーバがキャパシタ内で用いられ得るが、誘電体クロスオーバは、インダクタ及びゲート・ジャンパなど、他の回路要素の形成において用いられ得ることが認識されるであろう。

US9447269
[0002] There are many applications where there is a need for a high gas barrier in a flexible film such as in food packaging, silage wrap, stretch hooder applications, and as a radon barrier for residential construction.
【０００２】
  食品包装、サイレージラップ、ストレッチフーダー用途等の可撓性フィルムにおける高ガスバリア、および住宅建築用のラドンバリアに対する必要性がある、数多くの用途がある。

Films made with ethylene vinyl alcohol (EVOH) polymers are known to be excellent barriers with respect to oxygen and other gases,
エチレンビニルアルコール（ＥＶＯＨ）ポリマーで作製されるフィルムは、酸素および他の気体に対して優れたバリアであることが知られているが、

but EVOH is a brittle polymer with a tendency to crack under simple bending or with an elongation of more than 20%.
ＥＶＯＨは、単純な曲げの下でクラックが生じる傾向を有するか、または２０％を超える伸びを有する、脆いポリマーである。

Once the EVOH layer is cracked the film's barrier properties are significantly degraded.
ＥＶＯＨ層にクラックが入ると、フィルムのバリア特性が大幅に低下する。

What is needed is a way to modify the EVOH to enable it to withstand nominal abuse conditions without significant decrease in oxygen barrier properties.
ＥＶＯＨを改良して、ＥＶＯＨが、酸素バリア特性の大幅な低下を伴わずに、公称酷使条件に耐えることを可能にする方法が必要である。

WO10403591
[0003] In flip-chip mounting and connection methods, thermo-mechanical reliability is becoming an increasing concern of the electronics industry.
【０００３】
  フリップチップのマウントおよび接続方法では、熱機械的な信頼性が、エレクトロニクス業界のますますの懸念事項になっている。

Notably, the reliability of the integrated circuit interconnects, e.g., solder joints, is one of the most critical issues for successful application of such mounting and connection methods.
とりわけ、集積回路の相互接続部、たとえばはんだ接合部の信頼性は、こうしたマウントおよび接続方法をうまく適用するための最も重要な課題の１つである。

However, solder joints formed using known methods are prone to necking, which may lead to cracking of the solder joint.
しかし、知られている方法を使用して形成されたはんだ接合部はネッキングが生じやすく、これにより、はんだ接合部のクラックが生じることがある。

Forming a robust solder connections between interposers and dies utilized in semiconductor packages
半導体パッケージで利用されるインターポーザとダイとの間の頑強なはんだ接続部を形成することは、

is particularly challenging at such small pitches due to the differences in thermal expansion which present an undesirably high risk for cracking at high-stress points due to thermal stress cycling.
熱膨張が異なり、それによって熱応力サイクルによる高応力点でのクラックの望まれざる高い危険性が生じることにより、こうした小さいピッチでは特に困難である。