US8809079
The controller can identify the location of the substrate through the load-locked print system and dispense ink from the printhead only when the substrate is at a precise location relative to the printhead.
コントローラは、負荷係止印刷システムを通る基板の場所を識別し、基板が印刷ヘッドに対して精密な場所にあるときのみ、印刷ヘッドからインクを分注することができる。
Printing registration can be employed, which refers to the alignment and the size（＊and the likeの誤記？）of one printing process with respect to the previous printing processes performed on the same substrate.
印刷の位置合わせは、同一の基板上で行われた以前の印刷プロセスに対する、ある印刷プロセスの整合およびサイズを参照するように採用されることができる（＊ことを意味する）。
Printing registration can comprise pattern recognition.
印刷の位置合わせは、パターン認識を備えていることができる。
Substrate misalignment such as translational misalignment, rotational misalignment, magnification misalignment and combinational misalignment, can be corrected.
平行移動不整合、回転不整合、倍率不整合、および組み合わせ不整合等の基板不整合は、補正されることができる。
WO2019079267
Because the devices incorporate TFT-based sensors, the devices have much higher sensitivity and resolution than known passive devices.
本デバイスがＴＦＴベースのセンサを組み込むため、本デバイスは、公知のパッシブデバイスよりもはるかに高い感度および解像度を有する。
Additionally, because both of the electrodes needed for capacitive sensing are on the same substrate,
加えて、容量感知のために必要とされる電極の両方が同一の基板上にあるため、
the top and bottom electrodes do not need to be aligned, and the sensing pixels can be of different sizes or configurations as compared to the propulsion electrodes.
上部および底部電極は、整列される必要がなく、感知ピクセルは、推進電極と比較して異なるサイズまたは構成であり得る。
WO2016019269
[00158] Example 4E had a hydrogen content of about 22.6 atomic%.
【０１３４】
実施例４Ｅは、約２２．６原子％の水素含有量を有した。
The hardness of the layer of Example 4E, as disposed on the substrate, was measured by the Berkovich Indenter Test and was about 18.3 GPa.
基板上に配置された実施例４Ｅの層の硬度は、Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ Ｉｎｄｅｎｔｅｒ Ｔｅｓｔによって測定され、かつ約１８．３ＧＰａであった。
The layer of Example 4E had a thickness of about 453 nanometers.
実施例４Ｅの層は、約４５３ｎｍの厚さを有した。
Comparative Example 41 included a three sub-layer structure disposed on the same substrate as Example 4E.
比較例４Ｉは、実施例４Ｅと同一の基板上に配置された３層の副層構造を含んだ。
US9543290
In some embodiments, the disclosed JFET/MOSFET inverters or other complementary circuit devices disposed on the same substrate may share a common back gate.
いくつかの実施形態では、同一の基板上に配設される、開示されるＪＦＥＴ／ＭＯＳＦＥＴ反転器または他の相補型回路デバイスが、共通のバック・ゲートを共有することができる。
WO2014074360
Both exemplary devices were processed coincidentally on the same substrate through:
例示的な両素子は、
1) DC magnetron sputtering and shadow-masked patterning of the 200 nm thick TiAl lower electrode (MIM) and 200 nm thick lower interconnect (AMNR),
１）２００ｎｍ厚のＴｉＡｌの下部電極（ＭＩＭ）および２００ｎｍ厚の下部相互接続体（ＡＭＮＲ）のＤＣマグネトロンスパッタリングおよびシャドウマスクを用いたスパッタリング、
2) atomic layer deposition (ALD) of the AI2O3 insulator, and
２）前記Ａｌ２Ｏ３の絶縁体の原子層堆積（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＡＬＤ）、ならびに
3) thermal evaporation and shadow-masked patterning of the 500 nm thick Al upper electrode (MIM) and 500 nm thick upper contacts (AMNR).
３）前記５００ｎｍ厚のＡｌの上部電極（ＭＩＭ）および５００ｎｍ厚の上部接点（ＡＭＮＲ）の加熱蒸着およびシャドウマスクを用いたパターン化によって、
同一の基板上で同時に加工処理された。
EP2068363
[0006] Yanoet al. formed two types of MOSFETs with currents perpendicular to one another on the same substrate.
【０００７】
Ｙａｎｏらは、同一の基板上で互いに垂直の電流を有する、２種類のＭＯＳＦＥＴを形成した。
WO2012092038
Figure 14 is a cross sectional side view that illustrates a first transistor and a second transistor on the same substrate.
【図１４】同一の基板上にある第１のトランジスタと第２のトランジスタとを図示する垂直断面図
Figure 14 is a cross sectional side view that illustrates a first transistor 302 and a second transistor 304 on the same substrate 102.
【００２９】
図１４は、同一の基板上にある第１のトランジスタ３０２と第２のトランジスタ３０４とを図示する垂直断面図である。
US8534824
[0018] However, in various applications, it is desirable to be able to locally modify image gloss.
【００１３】
しかしながら種々の用途では、画像光沢を局所的に修正できることが望ましい。
For example, it may be desirable to have glossy regions, such as glossy graphics or watermarks, each having a desired gloss, and also matte regions, such as text, on the same substrate.
例えば、光沢のあるグラフィックスまたは透かしなどの光沢のある領域を有するとともに、それぞれが所望の光沢を有し、同一の基板上にテキストなどのつや消しの領域も有することが望ましい場合がある。
a same substrate
US9530777
The inventors have conceived of methods and structures for forming integrated finFETs of different chemical compositions and different channel conductivity types on a same substrate or wafer.
US7776695
However, the present inventors believe that the methods and resulting device structures according to the prior art can be improved further, to provide both low and high performance devices of a same conductive type on a same substrate.
a same substrateの使い方が良く分からない。初出でもthe substrateの方が多い。same asと続かなくてもthe substrate。one and the same substrateはほとんど日本発。
