基板を貫通

US10651153
[0038] In the example illustrated in FIG. 2A, the component includes vias 286 A and 286 B through the CMOS circuitry and substrates to couple the CMOS circuitry 282 A with the CMOS circuitry 282 B.
【００３８】
  図２Ａに示す例においては、コンポーネントは、ＣＭＯＳ回路および基板を貫通して、ＣＭＯＳ回路２８２ＡをＣＭＯＳ回路２８２Ｂに連結するビア２８６Ａおよび２８６Ｂを含む。

Typically, vias are not formed through the CMOS, but above the CMOS to couple the CMOS to the array (for CuA). 
通常、ＣＭＯＳをアレイに連結するために、ビアはＣＭＯＳの上方に形成され、ＣＭＯＳを貫通するようには形成されない（ＣｕＡの場合）。

US10508357
High density interconnects is an important design in the fabrication of printed circuit boards with through-holes.
【０００２】
  高密度配線は、スルーホールを有するプリント回路板の製作における重要な設計である。

Miniaturization of these devices relies on a combination of thinner core materials, reduced line widths and smaller diameter through-holes.
これらのデバイスの小型化は、より薄いコア材料、低減された線幅、及びより小さい直径のスルーホールの組み合わせに依存する。

The diameters of the through-holes range from 75 μm to 125 μm.
スルーホールの直径は、７５μｍ～１２５μｍの範囲である。

Filling the through-holes by copper plating has become more and more difficult with higher aspect ratios.
アスペクト比がより高くなるにつれて、銅めっきによるスルーホールの充填がますます困難になっている。

This results in larger voids and deeper dimples.
結果として、より大きいボイド及びより深いディンプルがもたらされる。

Another problem with through-hole filling is the way they tend to fill.
スルーホール充填の別の問題は、それらの充填傾向である。

Unlike vias which are closed at one end through-holes pass through a substrate and are open at two ends. Vias fill from bottom to top.
一端が閉鎖されたビアとは異なり、スルーホールは、基板を貫通し、両端が開放している。ビアは下から上まで充填している。

GB2573882
[00142] Preferably, the electronic device includes
【０１２９】
  別の実施形態によれば、電気デバイスは、

fences of conductive vias extending through the dielectric substrate from the ground traces to the surface of the dielectric substrate,
誘電体基板を貫通して接地トレースから誘電体基板の表面まで延びる導電ビアのフェンスであって、

the fences of conductive vias and the ground traces define a cavity, and an antenna resonating element within the cavity.
導電ビアのフェンスと接地トレースとが、空洞を画定する、導電ビアのフェンス、及び空洞内のアンテナ共振素子を含む。

WO2019168996
Embodiments of the signal divider further may include two substrates
【０００８】
  信号分割器の実施形態は、さらに、２つの基板を含んでもよく、

and the plurality of signal traces is disposed between the two substrates.
複数の信号トレースは、２つの基板の間に配置される。

The signal divider further may include one or more milled trenches through the two substrates, 
信号分割器は、さらに、前記２つの基板を貫通する１つ以上のミリングされたトレンチをさらに備え、

 

追記2022/04/22

US11101099
[0034] According to a second aspect, the present invention provides a current limiting element for use in a charged particle exposure apparatus,
【００３３】
  第２の態様によれば、本発明は、荷電粒子露光装置で使用する電流制限素子であって、

said current limiting element comprising a substrate not allowing transmission of charged particles,
上記電流制限素子が荷電粒子を透過させない基板を備え、

said substrate provided with（＊being無し）one or more apertures extending through said substrate from a first surface to a second surface of said substrate, 
上記基板に上記基板の第１の表面から第２の表面へと上記基板を貫通する、荷電粒子を通過させる１つ以上のアパーチャを設け、

US11221288
[0009] Various embodiments are directed to a collection media assembly for receiving one or more particles from a volume of fluid within a fluid composition sensor,
【０００９】
    様々な実施形態は、流体組成センサ内の流体体積から１つ以上の粒子を受容するための収集媒体アセンブリに関し、

the collection media assembly comprising:
収集媒体アセンブリは、

a transparent substrate;
透明基板と、

at least one collection media disposed upon the transparent substrate and configured to receive one or more particles from a volume of fluid; 
透明基板上に配置され、流体体積から１つ以上の粒子を受容するように構成された少なくとも１つの収集媒体と、

at least one orifice extending through the transparent substrate,
透明基板を貫通して延在する少なくとも１つのオリフィスであって、

the at least one orifice being arranged at least approximately adjacent a corresponding collection media of the at least one collection media; 
少なくとも１つの収集媒体の対応する収集媒体に少なくとも概ね隣接して配設されている、少なくとも１つのオリフィスと、

US2020270163
Embodiments also include a glass or glass ceramic article
実施の形態は、ガラスまたはガラスセラミック物品において、

comprising a glass or glass ceramic substrate comprising at least one through hole penetrating the glass or glass ceramic substrate in a thickness direction,
ガラスまたはガラスセラミック基板であって、厚さ方向にこのガラスまたはガラスセラミック基板を貫通する少なくとも１つの貫通孔を有するガラスまたはガラスセラミック基板；

and copper present in the at least one through hole,
およびその少なくとも１つの貫通孔内に存在する銅を含み、

wherein the glass or glass ceramic article does not comprise radial cracks.
放射状亀裂を含まない、ガラスまたはガラスセラミック物品も含む。

予定線

US9943356
[0232] Device 10 may be used to perform a solid organ resection such as a liver resection.
【０１７１】
  [0230]装置１０は、肝切除術の様な中実臓器切除術を施行するのに使用することができるであろう。

Edge 198 a or 198 b may be first used to score the outer capsule of the liver along the planned line of resection.
エッジ１９８ａ又は１９８ｂを使用して、最初に、切除予定線に沿って肝臓の外被膜に筋を入れる。

US2010266802
[0003] Decorative skins are used in the interior of motor vehicles, for example in the dashboard area, and may consist as a rule of a plastic material.
【０００２】
  装飾表皮は、自動車の内装、例えばダッシュボードなどに使用されており、一般的にプラスチック材料からできている。

These decorative skins include at least one predetermined breaking groove,
これらの装飾表皮は、少なくとも一つの破断予定溝を有しおり、

which splits open on activation of an airbag located under the decorative skin, the decorative skin is configured such that the predetermined breaking groove is not visible even after the vehicle has been in use for many years. 
この装飾表皮の下方に位置するエアバッグが作動すると、破断して開口する。この装飾表皮は、自動車が数年に渡り使用された後でも破断予定線が見えないように構成されている。

US2018318136
In this embodiment, an additional inner bag ( 22 ) can be inserted into the bag ( 10 ) formed by the PUR membrane. This wall of additional inner bag ( 22 ) is also made out of a membrane from open cell PUR foam. 
【００２７】
  本発明の１展開において、ＰＵＲ薄膜によって形成される袋の内部に、付加的に内袋を挿入することができ、この内袋の壁は同様に開放気孔ＰＵＲフォームプラスチックによって構成される。

The pore diameter of the PUR membrane of the inner bag ( 22 ) can be ≤0.4 mm. The membrane of the inner bag ( 22 ) has a low tear resistance.
内袋のＰＵＲ薄膜の気孔直径は≦０．４ｍｍである。内袋の薄膜は小さい引裂強度を備える。

As shown in the embodiment in FIG. 8, the low tear resistance can be achieved in that the membrane of the inner bag has very thin walls and/or predetermined breaking lines ( 24 ).
この小さい引裂強度は内袋の薄膜を極めて薄い壁厚にすること、および／または破断予定線を備えることによって獲得することができる。

Such predetermined breaking lines ( 24 ) can, for example, be the welding or adhesive bonding seams at the edge of the inner bag.
この破断予定線は例えば内袋の周辺の溶着継目または接着継目とすることができる。

レーザダイオード、積層体、劈開、リッジ

JP2012124273
[0028] 図１等に示すように、ｐ型半導体層１２は、その一部が除去されることによって、直線状のリッジ２０を形成している。より具体的には、ｐ型コンタクト層１９、ｐ型ＡｌＩｎＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７の一部がエッチング除去され、横断面視ほぼ台形形状（メサ形）のリッジ２０が形成されている。このリッジ２０は、ｃ軸をIII族窒化物半導体積層構造２の結晶成長面に射影した射影ベクトルの方向（以下「ｃ軸射影方向」という。）に平行な方向に沿って形成されている。

[0031] III族窒化物半導体積層構造２は、リッジ２０の長手方向両端における劈開により形成された鏡面からなる一対の端面２１，２２（劈開面）を有している。この一対の端面２１，２２は、互いに平行であり、この実施形態では、いずれも｛２０−２１｝面へのｃ軸の射影ベクトルに垂直（すなわち、｛−１０１４｝面）である。こうして、ｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５、発光層１０およびｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７によって、端面２１，２２をレーザ共振面とするファブリペロー共振器が形成されている。すなわち、発光層１０で発生した光は、レーザ共振面２１，２２の間を往復しながら、誘導放出によって増幅される。そして、増幅された光の一部が、レーザ共振面２１，２２からレーザ光として素子外に取り出される。

厚肉

WO2016118748
[0108] As can be seen in FIG. 8, top wall thickness 9250 varies in thickness along receiver top end 1032 in the present embodiment,
【００７２】
  図８に見られるように、本実施形態では、上部壁厚さ９２５０は、レシーバ上端部１０３２に沿って厚みが変化し、

and comprises at least one hosel top wall narrow section 8252 and at least one hosel top wall thick section 8251 at receiver top end 1032.
レシーバ上端部１０３２に、少なくとも１つのホーゼル上壁薄肉部分８２５２と、少なくとも１つのホーゼル上壁厚肉部分８２５１とを有する。

WO2019152248
[0025] In general, footbed 120 is a member that contacts the sole of a wearer’s foot F.
【００１０】
  一般に、中敷１２０は、着用者の足Ｆの足裏に接触する部材である。

It may be any suitable member in this regard including thick and thin walled members.
厚肉部材および薄肉部材を含む、この点に関して任意の適切な部材であり得る。

In the examples shown, where footwear 100 is a sandal, a thin walled member or membrane is used to provide lighter weight within the footwear 100. 
示された例では、履物１００がサンダルである場合、履物１００内により軽量化を提供するために、薄肉の部材または膜が使用される。

EP3556185
[00036] In the configuration of Figs. 3-4, the block body 1 08 includes at least one increased-thickness portion and at least one reduced-thickness portion, as with the previously described configuration of Figs. 1 -2. 
【００２３】
  図３及び図４の構成において、ブロック本体１０８は、図１及び図２の前述した構成のような少なくとも１つの厚肉部と少なくとも一つの薄肉部とを含む。

避けた位置

US9970164
[0037] In any of the above embodiments, the controller
【００２６】
  上記何れの実施形態においても、前記コントローラーは、

may include a remainder determination component configured to record a path milled by the milling drum, the locations of the areas to be avoided and the locations of un-milled areas corresponding to locations where the milling drum is raised to avoid the areas to be avoided.
前記切削ドラムによって切削された経路、前記避けられるべき領域の位置、及び前記切削ドラムが上昇して前記避けられるべき領域を避けた位置に対応する非切削領域の位置を記録する残余判断構成部を有してもよい。

This permits a record to be provided of locations of areas remaining to be milled after passage of the large milling machine apparatus.
これは、前記大型の切削機装置の通過後に切削されるべき残った領域の位置の記録の提供を可能にする。

WO2018014964
In this case, the control information used for indicating the start position of the PDCH of a given UE
この場合、所与のＵＥのＰＤＣＨの開始位置を指示するのに使用される制御情報は、

could for example define whether or not the PDCH starts at a position which avoids overlap with the radio resources of the PDCCH of this UE, e.g., after the PDCCH of this UE.
例えば、このＵＥのＰＤＣＣＨの無線リソースとのオーバーラップを避ける位置において、例えばこのＵＥのＰＤＣＣＨの後に、ＰＤＣＨが開始するか否かを定めうる。

For example, a bit value of 0 could indicate that
例えば、ビット値０が、

the PDCH starts at a position which causes the PDCH to overlap with the radio resources of the PDCCH of this UE, e.g., at the same symbol as or even earlier than the PDCCH of the UE,
ＰＤＣＨをこのＵＥのＰＤＣＣＨの無線リソースにオーバーラップさせる位置で、例えばそのＵＥのＰＤＣＣＨと同じシンボルで又はそれより早く、ＰＤＣＨが開始することを指示し、

and a bit value of 1 could indicate that
ビット値１が、

the PDCH starts at a position which avoids overlap of the PDCH with the radio resources of the PDCCH of the UE, e.g., after the PDCCH of the UE.
ＰＤＣＨのそのＵＥのＰＤＣＣＨの無線リソースとのオーバーラップを避ける位置で、例えばそのＵＥのＰＤＣＣＨの後で、ＰＤＣＨが開始することを指示しうる。

US11094935
Even though some such metal oxides may have high k values, particularly higher than 5 or even higher than 10,
一部のそのような金属酸化物は、高いｋ値、特に５より高い、またはさらに１０より高いｋ値を有してもよいにもかかわらず、

they are thin, are located in positions that avoid significant parasitic capacitance in metallization structures, and advantageously allow for masking surfaces against selective etching of silicon oxide materials.
薄く、メタライゼーション構造で有意な寄生容量を避ける位置に設置され、有利にも、酸化シリコン材料の選択的エッチングに対して、表面のマスキングを可能にする。

In other embodiments, the dielectric can be a silicon oxide based material, but may be thicker to serve as an etch mask as described herein.
他の実施形態では、誘電体は、酸化シリコン系材料であり得るが、本明細書に記載する通り、エッチングマスクとして機能を果たすよう、より厚くてもよい。

In Step 4 of FIG. 17, the polymer passivation is removed from the first surface.
図１７のステップ４では、ポリマーパッシベーションを第１表面から除去する。

休眠

US9191895
[0038] 6. Inactivity timer: a duration in time that the UE waits to successfully receive data (decode PDCCH) from the last reception of data (decoding of PDCCH),
６．休眠タイマ：データの最後の受信（ＰＤＣＣＨの復号）からデータを首尾よく受信するために（ＰＤＣＣＨを復号するために）待つ継続時間。

failing which the UE re-enters the DRX state, i.e. the non-listening state.
その間に受信しないと、ＵＥは再びＤＲＸ状態、すなわち非リッスン状態に入る。

The UE restarts the activity timer following a single reception of data (decoding of a PDCCH).
ＵＥはデータの１つの受信（１つのＰＤＣＣＨの復号）に続いて活動（アクティビティ）タイマを再始動する。

WO2019166944
In addition to the activated and deactivated states, yet another state, a“dormant” state, may be introduced for SCells.
【００１０】
  アクティブ化及び非アクティブ化の状態に加えて、ＳＣｅｌｌについて"休眠（dormant）"状態というまた別の状態が導入されるかもしれない。

Flowever, the introduction of the“dormant” state raises certain challenges. Details regarding the dormant state are not settled, but the state represents something between the activated and deactivated states.
しかしながら、"休眠"状態の導入は、ある課題を引き起こす。休眠状態に関する詳細は確定していないが、その状態はアクティブ化状態と非アクティブ化状態との間の何らかのものを表す。

According to one suggestion, a wireless communication device operating in the dormant state with respect to one of the SCells in its CA configuration
１つの提案によれば、そのＣＡ構成内のＳＣｅｌｌの１つに関して休眠状態で動作するワイヤレス通信デバイスは、

would report Channel Quality Indicators (CQIs) for the cell
そのセルについてチャネル品質インジケータ（ＣＱＩ）をレポートするが、

but would not monitor downlink data and control channels of the cell,
そのセルのダウンリンクデータチャネル及びダウンリンク制御チャネルを監視せず、

e.g., would not monitor the Physical Downlink Shared Channel (PDSCH) or the Physical Downlink Control Channel (PDCCH) for the cell.
例えばそのセルの物理ダウンリンク共有チャネル（ＰＤＳＣＨ）又は物理ダウンリンク制御チャネル（ＰＤＣＣＨ）を監視しないことになるであろう。

WO2019055421
As shown by reference number 335, the UE 120 may monitor for a subsequent communication according to the wakeup signal.
【０１２０】
  参照番号335によって示されるように、UE120は、ウェイクアップ信号に従って、後続の通信を監視し得る。

For example, the UE 120 may exit a dormant or idle state, and may scan for paging and/or a grant associated with a downlink communication.
たとえば、UE120は、休眠状態またはアイドル状態から出ることができ、ダウンリンク通信と関連付けられるページングおよび/またはグラントをスキャンすることができる。

 

As shown by reference number 340, the UE 120 may receive the communication. In some aspects, the UE 120 may wake up or perform a wakeup based at least in part on the wakeup signal.
参照番号340によって示されるように、UE120は通信を受信し得る。いくつかの例では、UE120は、ウェイクアップ信号に少なくとも一部基づいて、起動し、またはウェイクアップを実行することができる。

 

As used herein, waking up or performing a wakeup may refer to monitoring or beginning to monitor for paging at paging occasions.
本明細書で使用される場合、起動すること、またはウェイクアップを実行することは、ページング機会においてページングを監視すること、または監視を開始することを指し得る。

 

For example, when waking up or performing a wakeup,
たとえば、起動するとき、またはウェイクアップを実行するとき、

 

the UE may monitor or begin to monitor for a control channel (e.g., a PDCCH such as an MTC PDCCH or a narrowband PDCCH, etc.), a data channel (e.g., a PDSCH such as an MTC PDSCH or a narrowband PDSCH, etc.), and/or a different type of paging.
UEは、制御チャネル(たとえば、MTC PDCCHまたは狭帯域PDCCHなどのPDCCH)、データチャネル(たとえば、MTC PDSCHまたは狭帯域PDSCHなどのPDSCH)、および/または異なるタイプのページングを監視することができ、または監視し始めることができる。