WO2019190495
Patterned features may be patterned in a grating-like pattern with lines, holes or trenches spaced at a constant pitch and having a constant width.
【００８０】
パターニングされたフィーチャは、一定のピッチで離間され、一定の幅を有するライン、穴またはトレンチを有する格子状パターンでパターニングされ得る。
The pattern, for example, may be fabricated by a pitch halving or pitch quartering approach.
パターンは、例えば、ピッチ２分割またはピッチ４分割のアプローチにより製造され得る。
In an example, a blanket film (such as a poly crystalline silicon film) is patterned using lithography and etch processing which may involve, e.g., spacer-based-quadruple-patteming (SBQP) or pitch quartering.
一例において、ブランケット膜（多結晶シリコン膜など）は、例えば、スペーサベースのクアドラプルパターニング（ＳＢＱＰ）またはピッチ４分割を伴い得る、リソグラフィおよびエッチング処理を用いてパターニングされる。
WO2019164636
The soluble portion of the resist is then removed, allowing the exposed underlying film stack being etched.
次に、レジストの可溶性部分が除去され、曝露された下層の膜スタックをエッチングすることが可能になる。
The etch process removes the film stack from the photomask at locations where the resist was removed, i.e., the exposed film stack is removed.
エッチング処理により、レジストが除去された位置、すなわち曝露された膜スタックが除去された位置で、膜スタックがフォトマスクから除去される。
WO2018200760
Further, this process utilizing multiple damage tracks per micro-perforation
更に、微細穿孔部毎に多数の破損線を用いるこの処理は、
results in decreased thickness reduction of the glass or glass-ceramics laminates during etching
エッチング中に、ガラスまたはガラスセラミック積層体の厚さ減少を少なくし、
and therefore improves surface quality through reduced roughness, waviness, or surface imperfections from the etching process.
したがって、エッチング処理により生じる粗さ、波状形状、表面欠陥を削減して、表面品質を改良する。
Additionally, the process results in reduced distortions and increased optical quality.
更に、処理は、歪みを削減し、光学的品質を高める。
US9768086
FIG. 5C presents a high resolution SEM image of one of these objects. Note the extremely smooth sidewalls generated by the anisotropic wet etching procedures.
図５Ｃは、これらの物体のうちの１つの高分解能ＳＥＭ画像を示している。異方性ウェットエッチング処理により形成された極めて滑らかな側壁に留意されたい。
EP3706141
A photoresist layer (not shown) is then deposited over the IR absorbing material layer and patterned
次いで、ＩＲ吸収材料の層を覆ってフォトレジスト層（図示せず）を付着させ、そのフォトレジスト層をパターニングし、
to form an IR absorption material layer etch mask
ＩＲ吸収材料の層のエッチングマスクを形成して、
such that a subsequent etching process
続くエッチング処理により、
forms membrane 130 including a central region 133 defining openings 135 and end sections 136-1 and 136-2 that are connected to central region 133 by narrow arms 138-1 and 138-2, respectively.
開口１３５を画定する中央領域１３３と、狭いアーム１３８－１および１３８－２によりそれぞれ中央領域１３３に接続される端部１３６－１および１３６－２と、を含む薄膜１３０を形成する。
US10596736
In particular embodiments where first metal section 104 is made of a metal, such as aluminum or aluminum alloy, micro pores and/or nano pores can be formed by an etching process, such as an acid etching process.
