外部に排気する

US10101238
2. The system in accordance with claim 1 further comprising a fan assembly coupled in flow communication with said ventilation duct, said fan assembly is configured to:
前記換気ダクト（２１６）と流れ連通状態で結合されたファンアセンブリ（２１８）をさらに含み、前記ファンアセンブリ（２１８）が、

create a negative pressure within the enclosure to draw the flow into said ventilation duct;
前記流れ（２３０）が前記換気ダクト（２１６）に引き込まれるように前記筐体（１１８）内に負圧を生成し、

and
exhaust the flow within said ventilation duct to an exterior location.
前記換気ダクト（２１６）内の前記流れ（２３０）を外部に排気するように構成されている請求項１に記載のシステム（２００）。

WO2017106200
[0003] Systems for exhausting warm air from a structure, such as a datacenter, include methods such as forcing environmental air through the datacenter via fans and forcing the air to exhaust outside of the structure.
データセンタ等の建築物からの暖気の排気システムは、ファンを介して環境空気をデータセンタに押し込む、また、空気を押し込んで建築物外部に排気する等の方法を含む。

Such systems generally consume power and generate heat, exacerbating the already significant power draw and heat production of datacenters.
このようなシステムは一般的に、電力を消費し、熱を発生させて、データセンタのすでに多大な電力消費及び発熱を悪化させる。

However, active datacenter cooling is generally used despite these drawbacks, due to the fact that high temperatures significantly shorten the life of numerous types of electronic components.
しかし、高温により多数のタイプの電子部品の寿命が大幅に短くなる事実によるこれらの欠陥にも関わらず、活動状態のデータセンタの冷却が一般的に利用される。

Finally, thermal exhaust systems generally require both modification to the structure housing the datacenter and powered mechanical systems to function,
最後に、廃熱システムは一般的に、データセンタを収容する建築物及び機能する電動機械システムの両方の修正を必要とするため、

and therefore require a significant initial outlay of cost associated with building a datacenter or renovating a structure for such use.
データセンタの建設またはこのような目的での建築物の改修に関連する多大な初期事業費を必要とする。

WO2012145745
100331 In order to inspect the hood 76, the steam dryer 78 is typically removed from a reactor vessel
フード７６を検査するためには、普通、蒸気乾燥器７８を原子炉容器から取り外し、

and is placed into an equipment pit (such as is depicted schematically in Figs. 3 and 4 at the numeral 80) that is at least partially filled with water 82.
少なくとも一部が水８２によって満たされている機器ピット（図３及び図４において符号８０で略示）に置く。

Due to the configuration of the hood 76, when the steam dryer 78 is removed from the reactor vessel and is placed into the equipment pit 80,
蒸気乾燥器７８を原子炉容器から取り外して機器ピット８０内に置くとき、フード７６の構成に起因して、

air typically becomes trapped and forms an air pocket 84 at an underside 86 of the hood 76.
通常、空気が捕捉されフード７６の下面８６にエアポケット８４が形成される。

The venting apparatus 12 is adv antageously usable to vent at least a portion of the air pocket 84 to the exterior of the equipment pit 80.
ベント装置１２は、空気ポケット８４の少なくとも一部を機器ピット８０の外部に排気するために用いると有利である。

WO2016196210
As shown in Figure 24, the rack body 602 may include vents 662 that are in flow communication with corresponding cooling fans 660 (Figure 23) of the thermal modules 604.
図２４に示すように，ラック体602は，サーモモジュール604における冷却ファン660と流体接続するベント662を含む。

Air may exit the vents 662 to the exterior of the system rack 600.
空気は，ベント方分析システム外部に排気することができる。

通信を行う

WO2017111883

23. A communication device comprising:

a receiver configured to receive, for each transmit antenna main beam direction of a plurality of transmit antenna main beam directions, a message from a sender transmitted in the transmit antenna main beam direction of a transmit antenna of the sender;

a determiner configured to determine, for each transmit antenna main beam direction of the plurality of transmit antenna main beam directions, a reception quality of the message transmitted in the transmit antenna main beam direction;

a controller configured to identify a subset of a plurality of transmit antenna main beam directions based on the reception qualities of the messages, wherein the subset includes multiple transmit antenna main beam directions of the plurality of transmit antenna main beam directions;

a communication circuit configured to perform, for each transmit antenna main beam direction of the subset, a beam training procedure to determine an antenna weight vector for the transmit antenna main beam direction and configured to perform a communication based on one of the determined antenna weight vectors.

 

US8289951

In accordance with one exemplary embodiment, intelligent chat gateway (ICG) 52 may be implemented as an adapter device to facilitate communications among messaging elements, such as chat client 14, and gateway 50 via a gateway control interface, such as along connection 53. Connection 53 represents a gateway control interface in that it is a point through which, for example, control information passes to the VoIP gateway 54 to cause it to establish connections. In FIG. 1, intelligent chat gateway 52 is shown to comprise messaging interface function 55, giving gateway 50 the ability to interface with IM service 22 in the role of a messaging participant, at least to some extent. Via connection 86, gateway 50 may perform communications with IM service 22 in the course of establishing communications involving any of connections 82, 84, 85, 76, 77, 75, and 78, as will be described below. 

 

EP3169015
Figure 8 illustrates a network deployment scenario similar to the scenario illustrated in and described with respect to Figure 5, e.g., in which a cellular base station and a network operator deployed Wi-Fi access point have overlapping coverage area but are not-collocated. Additionally, in this scenario one or more additional devices 816 (e.g., laptop computer, smart watch, etc.) may be within communication range of the wireless device 814. As a result, there may be occasions on which the wireless device 814 wishes to perform communication with one or more of the additional devices 816 as well as occasions on which the wireless device 814 wishes to perform communication with the cellular network.

 

EP2832181

A communication destination device includes a transceiver configured to exchange communication with a first endpoint device via a first wireless communication channel and configured to exchange communication with a second endpoint device via a second wireless communication channel, the second wireless communication channel being distinct from the first wireless communication channel. The communication destination device includes a translator element configured to receive a message from one of the first endpoint device and the second endpoint device and to translate the message from a first message format into a second message format, the second message format being distinct from the first message format.

【解決手段】通信宛先デバイスは、第1の無線通信チャネルを介して第1のエンドポイントデバイスとの通信を行うように構成され、かつ第2の無線通信チャネルを介して第2のエンドポイントデバイスとの通信を行うように構成された送受信装置を備える。第2の無線通信チャネルは、第1の無線通信チャネルと異なっている。通信宛先デバイスは、第1のエンドポイントデバイスおよび第2のエンドポイントデバイスのうちの1つからメッセージを受信し、メッセージを第1のメッセージフォーマットから第2のメッセージフォーマットに変換するように構成されたトランスレータ要素を備える。第2のメッセージフォーマットは、第1のメッセージフォーマットと異なっている。

 

WO2017075346
(Ab)

Methods, systems, and apparatus, including computer programs encoded on computer storage media, for modifying a computational graph to include send and receive nodes. Communication between unique devices performing operations of different subgraphs of the computational graph can be handled efficiently by inserting send and receive nodes into each subgraph. When executed, the operations that these send and receive nodes represent may enable pairs of unique devices to conduct communication with each other in a self-sufficient manner. This shifts the burden of coordinating communication away from the backend, which affords the system that processes this computational graph representation the opportunity to perform one or more other processes while devices are executing subgraphs.

 

送信ノードおよび受信ノードを含むように計算グラフを修正するためのコンピュータ記憶媒体で符号化されたコンピュータ・プログラムを含む方法、システム、および装置である。異なる前記計算グラフのサブグラフの動作を実施する一意なデバイスの間の通信を、送信ノードおよび受信ノードを各サブグラフに挿入することで効率的に扱うことができる。実行時に、これらの送信ノードおよび受信ノードが表す動作により、一意なデバイスのペアが互いに自己充足的に互いとの通信を行うことができる。これは、通信を協調する負荷を前記バックエンドからシフトし、これは、この計算グラフ表現を処理するシステムに、デバイスがサブグラフを実行している間に１つまたは複数の他のプロセスを実施する機会を与える。

 

EP3399613
[0014] Also provided is a method for wirelessly monitoring an electric grill's status, comprising the steps of:

 

using a microprocessor in communication with a ground fault detection unit and a Hall Effect sensor to detect an error in the electric grill's operation;
また、前記電気グリルの動作における異常を検出するために漏電検出ユニット及びホール効果センサーとの通信を行うマイクロプロセッサを使うステップと、

 

transmitting, wirelessly, an error code indicative of the error to a remote device.
遠隔デバイスに前記異常を示す異常コードを無線で送信するステップと、

 

を具備する電気グリルの状態を無線で監視する方法が提供される。

 

The method may additionally include the steps of: using the microprocessor to communicate with a temperature sensing device to measure the electric grill's temperature;
前記方法は、さらに、電気グリルの温度を測定する温度検出器具と通信するために前記マイクロプロセッサを使うステップと、

 

using the microprocessor to determine the electric grill's active time;
電気グリルの動作時間を計測するために前記マイクロプロセッサを使うステップと、

 

and transmitting, wirelessly, the electric grill's temperature and active time to the remote device.
電気グリルの温度と動作時間とを前記遠隔デバイスに無線で送信するステップとを含むことができる。

 

US9545782
Communications unit 1610, in these examples, provides for communications with other data processing systems or devices.
これらの例において、通信ユニット１６１０は、他のデータ処理システム又は装置との通信を行う。

 

In these examples, communications unit 1610 is a network interface card.
これらの例において、通信ユニット１６１０は、ネットワークインターフェイスカードである。

 

Communications unit 1610 may provide communications through the use of either or both physical and wireless communications links.

通信ユニット１６１０は、物理的な通信リンクおよび無線通信リンクのいずれか一方又は両方を用いて、通信を行うことができる。

 

WO2018208336

In addition, an external interface 762 may provide communication with the processor 752, so as to enable near area communication of the mobile computing device 750 with other devices.
さらに、外部インターフェース762は、他のデバイスとのモバイルコンピューティングデバイス750の近エリア通信を可能にするように、プロセッサ752との通信を行うことができる。

 

The extemal interface 762 may provide, for example, for wired communication in some implementations, or for wireless communication in other implementations, and multiple interfaces may also be used.
外部インターフェース762は、例えば、いくつかの実装形態において有線通信を、または他の実装形態においてワイヤレス通信を行うことができ、複数のインターフェースが使用されることも可能である。

人検知

WO2015195976
[0228] In various embodiments, the operators may receive various revenues from application and application service developers based on the type or use of shared data.
様々な態様において、事業者は、共用データの種類または用途に基づいてアプリケーションおよびアプリケーションサービス開発者から様々な収益を受け取ることができる。

For example, operators may receive revenue for providing access to custom, aggregated, correlated, and/or specific data, such as
例えば、事業者は、

data indicating space usage (in parking lots), light status, environmental information (e.g., temperature), light presence, gas presence (e.g., carbon monoxide, etc.), accelerometer status, intrusion detector status, wireless signaling information (e.g., Bluetooth© MAC addresses, RFID data), application-specific sensor data (e.g., intrusion sensor, vibration sensor, motion sensor, audio, people detection, vehicle detection, vehicle details sensor, etc.).
（駐車場における）スペース利用、光の状況、環境情報（例えば温度）、光の有無、ガスの有無（例えば、一酸化炭素など）、加速度計の状況、侵入検知器の状況、無線シグナリング情報（例えば、Bluetooth（登録商標）MACアドレス、RFIDデータ）、アプリケーション別センサデータ（例えば、侵入センサ、振動センサ、動きセンサ、オーディオ、人検知、車両検知、車両詳細センサなど）を示すデータといった、

カスタムデータ、集約データ、相関データ、および/または特定のデータへのアクセスを提供することに対する収益を受け取ることができる。

Various data types received and processed by the interactive light sensor network may be described below.
インタラクティブ光センサネットワークによって受信され、処理される様々なデータの種類については後述する。

WO2014043353
[0063] Figure 3A shows a block diagram providing more exemplary details of the video surveillance system 101.
図３Ａは、ビデオ監視システム１０１の複数の例示的な詳細を提供するブロック図を示す。

Foreground blob detection module 105 may be the same as that in Figure 1.
フォアグラウンドブロブ検出モジュール１０５は、図１におけるものと同じであってもよい。

Modules 301, 302, 303, 304, 305 and 306 may be elements of the human detection module 106 of Figure 1.
モジュール３０１、３０２、３０３、３０４、３０５及び３０６は、図１の人検知モジュール１０６の構成要素であってもよい。

Human body pixel detection module 301 detects human body pixels based on the change pixel results from change detection module 103.
人体ピクセル検出モジュール３０１は、変化検出部１０３からの変化ピクセルの結果に基づいて、人体ピクセルを検出する。

冷却器

WO2018231332
The gas stream 440c with heavy hydrocarbons removed therefrom is sent to a reflux cooler 442, which condenses heavy hydrocarbons remaining in the gas stream, which are in turn separated in liquid form from the gas stream in a reflux drum 444.
そこから除去された重質炭化水素を有するガスストリーム４４０ｃは、還流ドラム４４４内でその後にガスストリームから液体形態で分離されるガスストリームに留まっている重質炭化水素を凝縮する還流冷却器４４２に送られる。

The reflux liquid stream 446 is used as the liquid input to the third co-current contacting system 421c, and the gas stream 448 exiting the reflux drum is sent for further processing, which may include liquefaction.
還流液体ストリーム４４６は、第３の並流接触システム４２１ｃに入力された液体として使用され、還流ドラムを出たガスストリーム４４８は、液化を含むことができる更に別の処理に送られる。

WO2018226502
[0060] In one embodiment, third processing zone 406 includes sulfur removal unit (SRU) 424,
一の実施の形態において、第３の処理ゾーン４０６は、硫黄除去ユニット（ＳＲＵ）４２４と、

cooler or condenser unit 426, tail gas treatment or carbon dioxide removal unit 428, dehydration unit 430, and helium purification unit 432. 
冷却器又は凝縮器ユニット４２６と、テールガス処理又は二酸化炭素除去ユニット４２８と、脱水ユニット４３０と、ヘリウム精製ユニット４３２とを含む。

サーモサイフォン

WO2018187857
[015] In one embodiment, a passive refrigeration box for controlled refrigeration of a product is provided,
一実施形態では、製品の制御冷蔵のためのパッシブ型冷蔵箱が提供される。

the refrigeration box comprising: an outer box, the outer box including an outer insulation layer;
当該冷蔵箱は、外側断熱層を含む外箱と、

an inner box, the inner box including an inner insulation layer, and a thermal shield on an outside of the inner insulation layer, the inner box and the outer box defining a vapour channel there between;
内側断熱層および内側断熱層の外側の遮熱体を含み、外箱と共に、その間に蒸気流路を画定する内箱と、

and a thermal link, the thermal link including an thermal layer and a plurality of heat pipes or thermo syphons,
熱層および複数のヒートパイプまたはサーモサイフォンを含む熱リンクとを備え、

the thermal layer and a top section of the inner box defining a coolant chamber, the coolant chamber including a coolant chamber access,
熱層と内箱の頂部は、冷却剤チャンバ入口を含む冷却剤チャンバを画定し、

 the thermal layer and a bottom section of the inner box defining a load chamber, the load chamber including a load chamber access,
熱層と内箱の底部は、荷室入口を含む荷室を画定し、

each heat pipe or thermosyphon having a condenser section disposed in the coolant chamber
各ヒートパイプまたはサーモサイフォンは、冷却剤チャンバに配置された凝縮器部と、

and an evaporator section disposed in the load chamber and extending through the thermal layer.
荷室に配置され、熱層を通って延びる蒸発器部とを有する。

Thermosiphon (or thermosyphon) is a method of passive heat exchange, based on natural convection, which circulates a fluid without the necessity of a mechanical pump. Thermosiphoning is used for circulation of liquids and volatile gases in heating and cooling applications such as heat pumps, water heaters, boilers and furnaces. Thermosiphoning also occurs across air temperature gradients such as those utilized in a wood fire chimney or solar chimney.(Thermosiphon, Wikipedia)

正帰還する

US6392365
One way to close latch 72 is by providing a trigger pulse to the base of transistor 74, momentarily forward biasing its base.
【００１９】ラッチ７２を閉成する１つの方法は、トリガパルスをトランジスタ７４のベースに与え、このベースを瞬間的に順バイアスすることである。

Since there is a large positive feedback, the returning amplified current is much larger than the original input current.
正帰還が大きいため、正帰還する増幅電流は元の入力電流よりもかなり大きい。

At this point, the collector of transistor 75 supplies base current to transistor 74, and the trigger pulse is no longer needed.
この時、トランジスタ７５のコレクタはベース電流をトランジスタ７４に供給し、トリガパルスは必要なくなる。

This action is regenerative feedback because once started, the action sustains itself.
始動後、この動作は持続するため、この動作は再生帰還である。

The regenerative feedback quickly drives both transistors into saturation, at which point the loop gain drops to unity.
再生帰還は、急速に両トランジスタを飽和状態とし、この時点でループ利得は一単位に降下する。

WO2011005938
[0017] Circuitry 36 also includes a readback circuit 120 which is configured to provide a LOOP_READ_BACK output related to the current level I flowing through two- wire process control loop 18.
回路３６は、また２線プロセス制御ループ１８を介して流れる電流レベルＩに関連するループリードバック（LOOP_READ_BACK)出力を提供するように構成されているリードバック回路１２０を含んでいる。

LOOP_READ_BACK circuitry 120 includes a difference amplifier 122 connected across the readback sense resistor 66.
ループリードバック（LOOP_READ_BACK)回路１２０は、リードバック感知抵抗６６の両端に接続された差動増幅器１２２を含んでいる。

Difference amplifier 122 provides an output to operation amplifier 124 through a filtering set up with 126, 132, and 136.
差動増幅器１２２は、１２６，１３２および１３６で形成されたフィルタを介して演算増幅器（オペアンプ）１２４に出力を提供する。

Operational amplifier 124 is arranged with negative feedback through resistor 130 to achieve appropriate values for 210.
演算増幅器１２４は、２１０のために適正な値を作るべく、抵抗１３０を介して負帰還するように回路形成されている。

WO2004008663
[0026] According to an embodiment, an operational amplifier 312 comprises an output terminal coupled to gates 314 of the FETs 304 to provide negative feedback from the drain terminals 320 and 316.
一実施形態によれば、１つの演算増幅器３１２は、複数のドレイン端子３２０，３１６から負帰還するように複数のＦＥＴ３０４の複数のゲート３１４に結合された１つの出力端子を含む。

The output signal of the operational amplifier 312 may cause the drain to source voltages for the respective FETs 304 and 306 (i.e., voltage between terminals 320 and 322 of FET 304, and voltage between terminals 316 and 18 of FET 306) to be maintained substantially the same.
演算増幅器３１２の出力信号は、それぞれのＦＥＴ３０４，３０６に対する複数のドレイン‐ソース電圧（すなわち、ＦＥＴ３０４の複数の端子３２０，３２２間の電圧と、ＦＥＴ３０６の複数の端子３１６，３１８間の電圧）をほぼ同じに維持できる。

Accordingly, the resulting current mirror circuit may provide a substantially linear and predictable response to the reference current 302 in generating the modulation current 316, notwithstanding short channel lengths in a CMOS implementation of the current mirror.
 従って、結果として生じた電流ミラー回路は、この電流ミラーの１つのＣＭＯＳ実装における複数の短チャネル長にもかかわらず、変調電流３１６を発生する基準電流３０２に対して１つのほぼ線形で予測可能な応答を発生できる。

US6429697
A typical value for this capacitor is 2 pf.
このコンデンサの典型的な容量は２pfである。

By negative feedback of the output offset voltage (or negative input offset voltage) of the zeroing amplifier circuit 86 to its zero input adjustment terminal 94,
ゼロ化増幅器回路86の出力オフセット電圧（即ち、入力オフセット電圧のネガティブ）をそのゼロ調整入力端子94へ負帰還することにより、

the feedback loop stabilizes to a condition where the input and output offset voltages are reduced by the gain of the zeroing amplifier circuit 86. This is explained below in greater detail.
帰還ループを、入力及び出力のオフセット電圧がゼロ化増幅器回路86の利得の率で低減された状態で安定化させる。これを以下にさらに詳細に説明する。

WO2018164818
Once N3 and N4 have been on long enough to discharge at output pins 161 , 162 to less than (Avcc - Vthp12), wherein Vthp12 is the threshold voltages of P1 and P2, full regeneration begins.
Ｎ３およびＮ４がオン状態を続けた結果、出力ピン１６１、１６２で（Ａｖｃｃ－Ｖｔｈｐ１２）未満となるまで放電すると（Ｖｔｈｐ１２はＰ１およびＰ２の閾値電圧）、フル再生が開始する。

The regeneration circuit 130 amplifies the differential voltage, generated by the input circuit across nodes X1 and X2 (and also by N3/N4 across output pins 161 , 162) during the input sampling phase, using positive feedback to create large signal voltages close to CMOS levels at output pins 161 , 162.
再生回路１３０は、入力サンプリングフェーズ中にノードＸ１およびＸ２間の入力回路によって（および、出力ピン１６１、１６２間のＮ３／Ｎ４によって）生成される差動電圧を正帰還で増幅することによって、出力ピン１６１、１６２のＣＭＯＳレベルに近い大きな信号電圧を生成する。

Input referred RMS noise and input referred offset voltage can both be reduced by increasing the quantizer gain.
量子化器１００は上述したようなフェーズの順に動作するので、利得が得られるフェーズが早いほど、入力換算ＲＭＳノイズおよび入力換算オフセット電圧の減少幅が大きくなる。

It should be noted that the exemplary quantizers illustrated herein are illustrated without offset correction.
したがって、量子化器動作の第１のフェーズにおける利得を増加させることによって、入力換算ＲＭＳノイズおよび入力換算オフセット電圧を減少させることができる。

However, as will be appreciated, quantizers of all static and dynamic topologies can usually be provided with input referred voltage offset correction based on either current/voltage or capacitive correction as are known in the art.
よって、ＲＭＳノイズおよび電圧オフセットを減少させるためには、ＡｖｃｃｒｓｔをＡｖｃｃよりも高い値に調整するか、または単純に固定すればよい。

WO2016010631
[0019] Note that the increase in the differential bias current conducted through the transconductor transistors increases a gain of the amplifier as defined by a ratio of the differential output voltage to the differential input voltage.
［0019］  トランスコンダクタトランジスタを通して伝導される差動バイアス電流における増加が差動入力電圧に対する差動出力電圧の比率によって定義されているように増幅器のゲインを増加させることに留意されたい。

The transconductor transistors thus provide positive feedback in response to relatively high-frequency changes in the differential input voltage that increases a bandwidth for the amplifier.
トランスコンダクタトランジスタはしたがって、増幅器のための帯域幅を増加させる差動入力電圧における比較的高い周波数変化に応答して正帰還を提供する。

In the prior art, bandwidth and high-frequency gain were increased by reducing the load resistances for the load resistors.
先行技術では、帯域幅および高周波数ゲインは、負荷抵抗器のための負荷抵抗を低減することによって増加させられた。

The positive feedback through the transconductor transistors in the disclosed amplifier is thus akin to providing adaptive load resistors that reduce their resistance during high-frequency intervals for the differential input voltage.
開示される増幅器の中のトランスコンダクタトランジスタを通る正帰還はしたがって、差動入力電圧のための高周波数の間隔の間それらの抵抗を低減する適応負荷抵抗器（adaptive load resistors）を提供することと類似している。

This is quite advantage in that a wide bandwidth is obtained without the current losses that would otherwise be incurred by the conventional use of load resistors having reduced resistances across all frequencies.
このことは、広帯域幅が、そうでなければすべての周波数にわたって低減された抵抗を有する負荷抵抗器の従来の使用によって被ることとなる電流ロスなしで取得されるという点において非常に有利である。

US4216436
1. An amplifier comprising:

first and second composite transistors each having an emitter coupled to a means for biasing, a base, a first collector, and a second collector;

a third transistor having a collector coupled to another means for biasing, an emitter coupled to said base of said first transistor, and a base for receiving input signals;

a fourth transistor having a collector coupled to said another means for biasing, an emitter coupled to said base of said second transistor, and a base for receiving second input signals; and

first resistive means coupled to receive current from said second collector of said first composite transistor, and second resistive means coupled to receive current from said second collector of said second composite transistor for generating a voltage across said resistive means proportional to any difference in current through said second collectors;

wherein said first collectors of said first and second transistors are respectively coupled to said emitters of said fourth and third transistors for positively feeding back changes in emitter current in said first and second transistors respectively to change the base-to-emitter voltages in said fourth and third transistors respectively to thereby increase the magnitude of the changes in the emitter currents in said first and second transistors respectively and amplify said difference in current through said second collectors.

 

US4314378

3. An input coupling circuit for reducing an unloaded Q quality factor of a rod antenna to enable the antenna to detect radio frequencies without reducing the sensitivity of the antenna due to internally generated noise from the detuning circuit itself, cross-talk from nearby other antenna or nearby electrical conductors, the rod antenna including a rod of magnetic conducting material defining a magnetic circuit, the coupling circuit comprising:

(a) a resonant tank circuit magnetically coupled to the magnetic circuit of the rod, for producing a detect signal in response to the magnetic field generated in said rod by the received radio frequencies; and

(b) a negative feedback means, for amplifying, without adding any appreciable noise, the detect signal to produce the antenna output signal, and for negatively feeding back a portion of the antenna output signal directly into the magnetic field of said rod thereby desensitizing the antenna to nearby conductors and other antenna.

裏面接合型

US9018033
The solar cell 100 formed can be a back contact, back junction (BCBJ) solar cell in any of a number of embodiments, including those illustrated and described herein.
形成された太陽電池１００は、本明細書で図示され説明されるものを含む、数々の実施形態のうちのいずれかの裏面電極型、裏面接合型（ＢＣＢＪ）の太陽電池であってよい。

Although the solar cell 100 can have any number of the discussed embodiments it is not limited to the structures described therein.
太陽電池１００は、検討された実施形態をいくつでも有してよいが、本明細書で説明される構造体に制限されるものではない。

WO2012030407
 [0044] The processes and resulting structures described above with respect to Figs. 4A-J and 5 A-E can be implemented together, to the extent that their separate process steps (e.g., metallization, etching, etc.) can be implemented simultaneously.
図４Ａ～Ｊおよび図５Ａ～Ｅに関して前述したプロセス、および結果として生じる構造は、それらの別個のプロセスステップ（例えばメタライゼーション、エッチングなど）を同時に実施可能な限りにおいて、一緒に実施することができる。

Moreover, either process (Figs. 4A-J or 5A-E) can be used on either the front side or back side of a solar cell, depending on what connection / layer structure is needed.
さらに、どちらのプロセス（図４Ａ～Ｊまたは５Ａ～Ｅ）も、どの接続／層構造が必要とされるかに応じて、太陽電池の前面または裏面のどちらにも用いることができる。

The term "substrate" is used broadly herein to connote any underlying layer to which a conductive connection is required.
本明細書において「基板」という用語は、導電性の接続を必要とする下部の任意の層を意味するのに広義に用いられる。

Therefore, the cell structures above could include many types of additional, underlying functional layers.
したがって、前述のセルの構造は、多くのタイプの付加的な下部の機能層を含むことができる。

For example, an n- type front, n-type wafer, p-type back, multifunctional transparent, conductive, highly doped silicon compound can be used in combination with the present invention (or one of opposite polarity), such as that disclosed in the above-incorporated U.S. Patent Application entitled "High-Efficiency Solar Cell Structures and Methods of Manufacture."
例えばｎ型の前面、ｎ型のウェハ、ｐ型の裏面、多機能で透過性かつ導電性の高濃度にドープされたシリコン化合物を、先に組み込まれた「High-Efficiency Solar Cell Structures and Methods of Manufacture」という名称の米国特許出願に開示されたものなど、本発明（または反対の極性のもの）と組み合わせて用いることができる。

One such cell structure is shown in Fig. 6, which is a partial cross- sectional view of a solar cell 60 having n-type front, n-type wafer, p-type back, and including a multifunctional transparent, conductive, highly doped silicon compound layer 61a requiring a conductive connection to contacts 64a.
そうしたセルの構造の１つを図６に示すが、図６は、ｎ型の前面、ｎ型のウェハ、ｐ型の裏面を有し、コンタクト６４ａへの導電性の接続を必要とする、多機能で透過性かつ導電性の高濃度にドープされたシリコン化合物の層６１ａを含む太陽電池６０の部分断面図である。

Layer 61a is an improvement over other techniques, because the functions of multiple layers are combined into a multifunctional layer 61a.
層６１ａは、複数の層の機能を組み合わせて多機能層６１ａとしているため、他の技術に勝る改善されたものである。

This layer can be electrically passivating, transparent, and sufficiently conductive for a vertical carrier flow to the electrodes (back junction solar cell), may provide the junction with the wafer 65 and/or may reduce the reflectance of the incoming light (e.g., antireflection coating).
この層は、電気的なパッシベーション性（ｐａｓｓｉｖａｔｉｎｇ）、透過性、および電極への垂直なキャリアの流れに対する十分な導電性をもつようにすることができ（裏面接合型太陽電池）、ウェハ６５との接合部を形成すること、および／または入射する光の反射率を低減すること（例えば、反射防止コーティング）が可能である。

On the rear of cell 60, layer 61b can also provide an improvement over other techniques.
セル６０の後方では、やはり層６１ｂが、他の技術に勝る改善されたものを提供することができる。

Layer 61b may provide the junction with wafer 65, may have a refractive index which results in a high reflectivity for photons of more than 900 nm wavelength and may be sufficiently conductive for vertical carrier flow from the wafer 65 to the metal electrode 64b.
層６１ｂは、ウェハ６５との接合部を形成すること、９００ｎｍ超の波長の光子に対する高い反射率をもたらす屈折率を有すること、およびウェハ６５から金属電極６４ｂへの垂直なキャリアの流れに対して十分な導電性をもつことが可能である。

造形

金属造形：metal molding

集積可能

US10151627
According to some embodiments, coupling at least a portion of the optical signal into the diagnostics waveguide comprises coupling light through a variable coupler using electrical or thermal actuation.
[0029]いくつかの実施形態によれば、光信号の少なくとも一部を診断導波路に結合させるステップは、電気的又は熱的作動により可変結合器を介して光を結合させるサブステップを含む。

Additionally, the method can include tapping the at least a portion of the optical signal and measuring a power associated with the at least a portion of the optical signal.
また、この方法は、光信号の少なくとも一部を取り出すステップと、光信号の少なくとも一部に関連するパワーを測定するステップとをさらに含む。

The power can be measured using a detector and associated electronics, which can be integrated on-chip.
パワーは、チップ上に集積可能な検出器及び関連する電子機器を用いて測定可能である。

Moreover, the method can include tapping the at least a portion of the optical signal and coupling some of the optical signal off of the photonic device, for example, using a surface coupler.
 この方法は、光信号の少なくとも一部を取り出すステップと、例えば表面結合器を用いて、光信号の一部をフォトニックデバイス外に結合させるステップとをさらに含む。

EP2517251
[0030] After formation of the device stack, which generally includes the substrate through the upper barrier layer as previously described, an etch stop layer can be formed over the upper barrier layer.
一般的には前述した基板から上部バリア層までを含むデバイス積層体の形成後、エッチストップ層が、上部バリア層全体にわたって形成されてよい。

In one specific example embodiment, the etch stop layer is implemented with indium phosphide (InP), and has a thickness in the range of 2 to 10 nm (e.g., 6 nm).
一の具体的な典型的実施例では、エッチストップ層は、インジウム燐(InP)によって実装され、かつ、2～10nmの範囲（たとえば6nm）の厚さを有する。

As will be appreciated, other etch-stop structure materials may be used that may integrate with a given specific application rule.
 明らかなように、所与の具体的な堆積規則によって集積可能な他のエッチストップ構造の材料が用いられてもよい。

WO2017116735
On the other hand, a silicon-based material platform offers low-loss, compact circuits mat can integrate photonic and microelectronic circuit elements on the same chip.
その一方で、シリコンによる材料プラットフォームは、同じチップにフォトニック及び超小型電子の回路素子を集積可能な低損失の小型回路をもたらす。

The corresponding fabrication processes are compatible with the complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology and, as such, are accurate and mature, leading to a robust yield and relatively low production costs.
対応する製造プロセスは、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）技術と互換性を有し、それらは正確及び十分に発達しているため、堅調な生産及び比較的低い製造コストをもたらす。

However, the silicon-based material platform does not yet provide practical light sources suitable for telecommunications applications.
ただし、シリコンによる材料プラットフォームは、電気通信アプリケーションに適した実際の光源を未だ与えていない。

無線ベアラ

EP2875604
[0065] In the control plane, the radio protocol architecture for the UE and eNodeB is substantially the same for the physical layer 506 and the L2 layer 508 with the exception that there is no header compression function for the control plane.
[0063]制御プレーンでは、ＵＥおよびｅノードＢのための無線プロトコルアーキテクチャは、制御プレーンのためのヘッダ圧縮機能がないことを除いて、物理レイヤ５０６およびＬ２レイヤ５０８について実質的に同じである。

The control plane also includes a radio resource control (RRC) sublayer 516 in Layer 3 (L3 layer).
制御プレーンはまた、レイヤ３（Ｌ３レイヤ）中に無線リソース制御（ＲＲＣ：radio resource control）サブレイヤ５１６を含む。

The RRC sublayer 516 is responsible for obtaining radio resources (i.e., radio bearers) and for configuring the lower layers using RRC signaling between the eNodeB and the UE.
ＲＲＣサブレイヤ５１６は、無線リソース（すなわち、無線ベアラ）を取得することと、ｅノードＢとＵＥとの間のＲＲＣシグナリングを使用して下位レイヤを構成することとを担当する。

両側それぞれに、それぞれ両側に

WO2017184270
[0049] Figure 8 illustrates a top view of an aircraft 800 in a vertical take-off or landing configuration in accordance with another embodiment of the present technology.
 [0049]図８は、本技術の別の実施形態による、垂直離陸または着陸の構成にある航空機８００の上面図を例示する。

A plurality of wing supports 810 may extend laterally from each of a left and right side of the fuselage 120 to support rotatable wings 820.
複数の翼支持部８１０は、胴体１２０の左側および右側のそれぞれから横に延出して回転翼部８２０を支持しうる。

In such embodiments, there may be multiple pivot points 830 along the pivot axes 210.
このような実施形態において、ピボット軸２１０に沿って複数のピボット点８３０が存在しうる。

Although two wing supports 810 are illustrated on each side of the fuselage 120, in other embodiments, other suitable numbers or arrangements of wing supports may be used.
胴体１２０の両側それぞれに２つの翼支持部８１０が例示されているが、他の実施形態においては、その他の好適な数または配置の翼支持部が使用されてもよい。

For example, in some embodiments, there may be ten wing supports 810 and ten corresponding pivot points 830 for each wing 820.
例えば、いくつかの実施形態において、各翼部８２０につき１０の翼支持部８１０および対応する１０のピボット点８３０が存在しうる。

WO2012001495
Figure 1C depicts an optical system 103 in which optical elements 140a, 140b are disposed on both sides of the PAD 110, respectively.
図１Ｃは、光学要素１４０ａ、１４０ｂがＰＡＤ１１０の両側それぞれに配置される光学システム１０３を示す。

The optical elements 140a, 140b may cause the polarization state of light to become spatially non-uniform.
光学要素１４０ａ、１４０ｂは、光の偏光状態を空間的に不均一にし得る。

送信先

WO2015066728
36. The method as recited in clause 35, wherein the one or more properties include one of:
３６. ３５項に記載の方法において、当該１以上のプロパティが、

(a) at least a portion of a destination IP address, (b) at least a portion of a source IP address, (c) at least a portion of a header, (d) at least a portion of body contents, or (e) at least a portion of a client identifier associated with a network traffic unit.
（ａ）送信先ＩＰアドレスの少なくとも一部、（ｂ）ソースＩＰアドレスの少なくとも一部、（ｃ）ヘッダの少なくとも一部、（ｄ）ボディコンテンツの少なくとも一部、または（ｅ）ネットワークトラフィック単位に関連するクライアント識別子の少なくとも一部、のいずれか一つを備える、当該方法。  

WO2018281209
While a computer storage medium is not a propagated signal, a computer storage medium can be a source or destination of computer program instructions encoded in an artificially generated propagated signal.
コンピュータストレージ媒体は、伝播信号ではないが、人為的に生成された伝播信号に符号化されたコンピュータプログラム命令の送信元または送信先である可能性がある。

The computer storage medium can also be, or be included in, one or more separate components or media (e.g., multiple CDs, disks, or other storage devices).
コンピュータストレージ媒体は、1つまたは複数の別個のコンポーネントまたは媒体(たとえば、複数のCD、ディスク、もしくはその他のストレージデバイス)であるか、またはそれらに含まれる可能性もある。

The operations described in this specification can be implemented as operations performed by a data processing apparatus on data stored on one or more computer-readable storage devices or received from other sources.
本明細書に記載の動作は、1つもしくは複数のコンピュータ可読ストレージデバイスに記憶された、またはその他のソースから受信されたデータに対してデータ処理装置によって実行される動作として実装され得る。

密着している

WO2018231537
[0087] In one embodiment, the fiber layers in the high density layer and the fiber layers in the low density layer are substantially cohesive.
１つの実施形態において、高密度層の繊維層および低密度層の繊維層は実質的に密着している。

As used herein, "cohesive" means that there are substantially no gaps creating between the fiber layers in the high density layer and the fiber layers in the low density layers.
本明細書で使用される場合、「密着」とは、高密度層の繊維層と低密度層の繊維層との間に空隙は実質的に存在しないことを意味する。

Further, the interface between the high density layer and the lower density layer is substantially cohesive. In one embodiment, the fiber layers of the high density layer and/or the low density layer can be adhered to form a cohesive interface.
さらに、高密度層と低密度層との間の界面は実質的に密着型である。１つの実施形態において、高密度層および／または低密度層の繊維層は、密着した界面を形成するようにしっかりと結合されている。

In another embodiment, the fiber layers are adhered by an adhesive. In one embodiment, the fiber layers are adhered by compressing the fiber layers together.
別の実施形態では、繊維層は接着剤により結合されている。１つの実施形態では、繊維層は該繊維層を相互に圧縮することにより結合される。

EP2485761
The Blood Brain Barrier
血液脳関門

[0041] In some disclosures, the invention provides compositions and methods that utilize an IDS fusion antibody (e.g., HIR Ab-IDS) capable of crossing the blood brain barrier (BBB).
いくつかの実施態様では、本発明は血液脳関門（ＢＢＢ）を通過することができるＩＤＳ融合抗体（例えば、ＨＩＲ  Ａｂ－ＩＤＳ）を利用する組成物および方法を提供する。

The compositions and methods are useful in transporting IDS from the peripheral blood and across the blood brain barrier into the CNS.
該組成物および該方法は、ＩＤＳを末梢血から血液脳関門を越えてＣＮＳ内へ輸送するのに有用である。

As used herein, the "blood-brain barrier" refers to the barrier between the peripheral circulation and the brain and spinal cord which is formed by tight junctions within the brain capillary endothelial plasma membranes and creates an extremely tight barrier that restricts the transport of molecules into the brain;
本明細書で用いられている「血液脳関門」は、末梢循環と脳および脊髄の間の関門を指し、脳毛細血管内皮血漿膜内の密着結合によって形成され、脳内への分子の輸送を制限する非常に密着した関門を作り出す；

the BBB is so tight that it is capable of restricting even molecules as small as urea, molecular weight of 60 Da.
ＢＢＢは非常に密着しているため、分子量６０Ｄａの尿素のような小分子でさえ制限することができる。

The blood-brain barrier within the brain, the blood-spinal cord barrier within the spinal cord, and the blood-retinal barrier within the retina, are contiguous capillary barriers within the central nervous system (CNS), and are collectively referred to as the blood-brain barrier or BBB.
脳内の血液脳関門、脊髄内の血液脊髄関門、および網膜内の血液網膜関門は、中枢神経系（ＣＮＳ）内にある近接した毛細血管関門であり、まとめて血液脳関門またはＢＢＢとして言及される。

EP3189409
[0020] In addition to the above usability concerns, there may be privacy concerns if the reduced-size electronic device is worn externally by the user (by attaching it to a shirt, belt, bracelet, or necklace, for example) rather than carried in a pocket, case, or purse, as is common with larger electronic devices such as cellular phones or laptops.
[0055] 上記利用上の懸念に加えて、携帯電話又はラップトップコンピュータなどのより大型の電子デバイスによく見られるように、ポケット、ケース、又はハンドバックに入れられるのではなく、小型電子デバイスが、ユーザにより（例えば、シャツ、ベルト、ブレスレット、又はネックレスに取り付けることによって）外側に身に着けられた場合、プライバシーの懸念が存在するおそれがある。

The user may be concerned that others who are nearby will be able to view the alerts, so it may be desirable that such user interfaces allow the user to control when and how much of the alert content is displayed.
ユーザは、近くにいる他人がアラートを見ることができるであろうと懸念する場合があるため、このようなユーザインターフェースは、ユーザが、アラートのコンテンツが表示される場合と頻度とを制御することができることが望ましい。

Furthermore, if the device is worn by the user and is thus in closer contact with the user than, for example, a cellular phone, it may be desirable that such user interfaces do not annoy the user with frequent interruptions.
更に、デバイスがユーザにより着用されているため、例えば、携帯電話よりユーザに密着している場合、このようなユーザインターフェースは、頻繁な割り込みによりユーザを困らせないことが望ましい。

Ideally, the user interface should make it quick, easy, and intuitive for a user to view and respond to alerts on a reduced-size personal electronic device.
理想的には、ユーザが、素早く、容易に、かつ直観的に、小型のパーソナル電子デバイス上のアラートを見たり、それに応答したりすることができるユーザインターフェースである。

Such techniques can reduce the cognitive burden on a user who uses alerts, thereby enhancing productivity. Further, such techniques can reduce processor and battery power otherwise wasted on redundant user inputs.
そのような技術は、アラートを使用するユーザの認識的負担を軽減し、それによって生産性を高め得る。更には、そのような技術は、通常であれば冗長なユーザ入力に対して浪費されるプロセッサ及びバッテリの電力を削減することができる。

抑制

A snubber is a device used to suppress（＊抑制）("snub") a phenomenon such as voltage transients in electrical systems, pressure transients in fluid systems (caused by for example water hammer) or excess force or rapid movement in mechanical systems.(Wikipedia, Snubber)

搭載面、実装面

WO2014113174
[0035] Figure 1 is a block diagram of a system 100 that includes an eye-mountable device 110 in wireless communication with an external reader 180.
図１は、外部リーダー１８０との無線通信にある眼装着型デバイス１１０を含むシステム１００のブロック図である。

The exposed regions of the eye-mountable device 110 are made of a polymeric material 120 formed to be contact- mounted to a corneal surface of an eye.
眼装着型デバイス１１０の露呈した領域は、眼の角膜表面に接触装着されるように形成されたポリマー材料１２０からなる。

A substrate 130 is embedded in the polymeric material 120 to provide a mounting surface for a power supply 140, a controller 150, bio- interactive electronics 160, and a communication antenna 170.
基板１３０はポリマー材料１２０に埋設されて、電源１４０、コントローラ１５０、生体相互作用型電子機器１６０、及び通信アンテナ１７０のための搭載面を与える。

The bio-interactive electronics 160 are operated by the controller 150. The power supply 140 supplies operating voltages to the controller 150 and/or the bio-interactive electronics 160.
生体相互作用型電子機器１６０は、コントローラ１５０により操作される。電源１４０は、コントローラ１５０及び／又は生体相互作用型電子機器１６０へ作動電圧を供給する。

The antenna 170 is operated by the controller 150 to communicate information to and/or from the eye-mountable device 110.
アンテナ１７０はコントローラ１５０により操作され、情報を眼装着型デバイス１１０へ及び／又はそれから通信する。

The antenna 170, the controller 150, the power supply 140, and the bio- interactive electronics 160 can all be situated on the embedded substrate 130.
アンテナ１７０、コントローラ１５０、電源１４０、及び生体相互作用型電子機器１６０の全ては、埋設された基板１３０に位置させることができる。

Because the eye-mountable device 110 includes electronics and is configured to be contact-mounted to an eye, it is also referred to herein as an ophthalmic electronics platform.
眼装着型デバイス１１０は、エレクトロニクスを含んで眼に接触装着されるように構成されているので、それは本明細書においては眼科的エレクトロニクスプラットホームとも称する。

The substrate 230 can have electronic components and/or patterned conductive materials mounted to either or both mounting surfaces 232, 234.
基板２３０は、実装面２３２、２３４の何れか又は両方へ実装された電子構成要素及び／又はパターン化された導電材料を有することができる。

As shown in Figure 2D, the bio-interactive electronics 260, controller 250, and conductive interconnect 251 are mounted on the inward-facing surface 232
図２Ｄに示すように、生体相互作用型電子機器２６０、コントローラ２５０、及び導電性相互接続２５１は、内側向き面２３２に実装されて、

such that the bio-interactive electronics 260 are relatively closer in proximity to the corneal surface 22 than if they were mounted on the outward-facing surface 234.
それらが外側向き面２３４に実装されるよりも、生体相互作用型電子機器２６０が角膜表面２２の近傍に比較的により近接されるようにされる。

WO2017031446
Up to all sides of the phosphor can emit, but in some embodiments such as that shown in Figure 19a the emission may be obstructed from the mounting surface where the phosphor is attached to the submount on a ledge 307 or recessed region.
蛍光体のすべての側面まで発光することができるが、図19aに示すようないくつかの実施形態では、発光は、蛍光体が棚部307または凹部領域でのサブマウントに取り付けられる搭載面から、遮られてもよい。

The electrodes 303 and 304 are configured for an electrical connection to an external power source such as a laser driver, a current source, or a voltage source.
電極303および電極304は、レーザドライバ、電流源または電圧源などの外部電源への電気的接続のために構成される。

Wirebonds can be formed on the electrodes to couple electrical power to the laser diode device to generate a laser beam 306 output from the laser diode.
電力をレーザダイオード装置へ結合して、レーザダイオードから出力されるレーザビーム306を生成するように、ワイヤボンドが電極上に形成される。

[0145] FIG. 6 is a schematic diagram showing a transparent embodiment of a CPoS integrated white light source based on a conventional laser diode formed on gallium and nitrogen containing substrate technology according to the present invention.
[0145] 図6は、本発明による、ガリウムおよび窒素含有基板技術上に形成された従来のレーザダイオードに基づくCPoS一体型白色光源の透過実施形態を示す概略図である。

The laser system CPoS white light device is a common support configured as an intermediate material between the laser diode chip 302 and the final mounting surface and as an intermediate material between the phosphor material 306 and the final mounting surface And a submount material 301 which functions as a member.
レーザ系CPoS白色光装置は、レーザダイオードチップ302と最終実装面との間の中間材料として、かつ、蛍光体材料306と最終実装面との間の中間材料として作用するように構成された共通支持部材として機能するサブマウント材料301からなる。

EP1113495
[0002] Heat producing components such as field effect transistors often require heat sinks to carry away the thermal energy produced by the component.
電界効果トランジスタ等の発熱部品は、部品から発生する熱エネルギーを除去するためにヒートシンクを必要とすることが多い。

To increase the heat dissipation of the heat sink by positioning the heat sink in an air flow, typical mounting arrangements for these heat producing components include providing a finned heat sink that is elevated off a mounting surface or circuit board to which the combined heat sink/component is mounted, and the heat producing component itself is typically mounted on the elevated surface of the heat sink instead of directly on the mounting surface.
ヒートシンクを空気流中に置いてヒートシンクの放熱をよくするために、これら発熱部品の取り付け構造には一般に、ヒートシンクおよび部品が取り付けられる搭載面または回路基板から嵩上げされたフィン付きヒートシンクが含まれ、搭載面に発熱部品自体を取り付けずに、通常はヒートシンクの嵩上げ表面に取り付ける。

For field effect power transistors, the transistor may instead be mounted in a vertical orientation on a circuit board with the heat sink mounted to one side of the transistor, thereby positioning the heat sink in an air flow.
しかし、電界効果電力トランジスタの場合は、トランジスタの片側にヒートシンクを取り付けた状態で、トランジスタを回路基板上に縦向きに取り付けることにより、ヒートシンクを空気流中に置くことができる。

In another arrangement, the field effect transistor is mounted horizontally on the circuit board or mounting surface and a heat sink is mounted on the opposite surface of the field effect transistor to position the heat sink in the air flow or the heat sink is mounted on an opposite surface of the circuit board from the field effect transistor.
別の構成では、電界効果トランジスタが回路基板または搭載面上に水平に取り付け、ヒートシンクは、電界効果トランジスタの反対側表面に取り付けられて空気流中に置かれるか、あるいは電界効果トランジスタの裏側にあたる回路基板の裏面に取り付けられる。

[0004] Viewed from a first aspect, the present invention provides a heat sink for a surface mountable heat producing component which affixes the surface mountable component to the circuit board and the heat sink to the surface mountable component in a single step. In another aspect, it provides a low profile heat sink.
本発明の目的は回路基板への表面実装部品の取り付けと、表面実装部品へのヒートシンクの取り付けを単一ステップで行うことができる表面実装発熱部品用ヒートシンクを提供することである。別の目的は低形状のヒートシンクを提供することである。

A further aspect provides a heat sink having a small footprint occupying a minimum area on a mounting surface.
もう一つの目的は実装面におけるフットプリントの占有面積を最小にするヒートシンクを提供することである。

 

区別するなら実装面はimplementation surface、搭載面はmounting surfaceか？