CHAPTER VI
DISPUTES
第六章
紛争
Article 59
Disputes
第五十九条
紛争
Subject to Article 64(5), any dispute between two or more Contracting States concerning the interpretation or application of this Treaty or the Regulations, not settled by negotiation, may, by any one of the States concerned, be brought before the International Court of Justice by application in conformity with the Statute of the Court, unless the States concerned agree on some other method of settlement. The Contracting State bringing the dispute before the Court shall inform the International Bureau; the International Bureau shall bring the matter to the attention of the other Contracting States.
第六十四条（５）の規定が適用される場合を除くほか、この条約又は規則の解釈又は適用に関する二以上の締約国の間の紛争で交渉によつて解決されないものは、紛争当事国が他の解決方法について合意しない限り、いずれかの紛争当事国が、国際司法裁判所規程に合致した請求を行うことにより、国際司法裁判所に付託することができる。紛争を国際司法裁判所に付託する締約国は、その旨を国際事務局に通報するものとし、国際事務局は、それを他の締約国に通報する。
US9477585
As noted above, a multiprocessor array (MPA) includes an array of processing elements (PEs), supporting memories (SMs), and a primary interconnection network (PIN or simply IN) that supports high bandwidth data communication among the PEs and/or memories.
上述のように、多重プロセッサアレイ（ＭＰＡ）は、処理要素（ＰＥ）、補助メモリ（ＳＭ）、並びにＰＥ及び／若しくはメモリ間の高帯域幅データ通信を支援するための一次相互接続ネットワーク（ｐｒｉｍａｒｙ ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ ｎｅｔｗｏｒｋ：ＰＩＮ、若しくは単にＩＮ）を含む。
Exemplary MPAs are illustrated in FIGS. 2 and 3, described below.
図２、３には例示的なＭＰＡが図示されており、これらについて以下に説明する。
Generally, a PE has registers to buffer input data and output data, an instruction processing unit (IPU), and means to perform arithmetic and logic functions on the data, plus a number of switches and ports to communicate with other parts of a system.
一般にＰＥは、入力データ及び出力データをバッファリングするためのレジスタ、命令処理ユニット（ｉｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ：ＩＰＵ）、データに対して演算及び論理関数を実行するための手段、並びにシステムのその他の部分との通信のための多数のスイッチ及びポートを備える。
The IPU fetches instructions from memory, decodes them, and sets appropriate control signals to move data in and out of the PE and to perform arithmetic and logic functions on the data.
ＩＰＵはメモリから命令をフェッチし、これら命令を復号化して、データをＰＥに及びＰＥから移動させるため並びにデータに対して演算及び論理関数を実行するために適切な制御信号を設定する。
PEs suitable for large MPAs must generally be more energy efficient than general purpose processors (GPP), simply because of the large number of PEs per IC chip that contains a large MPA.
大型ＭＰＡに適したＰＥは一般に、１つの大型ＭＰＡを含む１つのＩＣチップに対してＰＥの数が多いという単純な理由で、汎用プロセッサ（ｇｅｎｅｒａｌ ｐｕｒｐｏｓｅ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒｓ：ＧＰＰ）よりもエネルギ効率が一般に高いはずである。
EP3195088
[0355] However, in some cases a host may not allow one or more applications to directly control the haptic actuator in such a way.
しかしながら、一部のケースでは、ホストは、１つ以上のアプリケーションがそのような方法で触覚アクチュエータを直接制御することを許容しない。
In such cases, the host may retain all actual control over the haptic actuator but may provide one or more applications access to one or more APIs that enable the applications to request that the host perform one or more such operations.
そのようなケースでは、ホストは、触覚アクチュエータに対する全ての実際の制御を保持するが、アプリケーションがホストに対してそのような動作を実行するよう要求することができる１つ以上のＡＰＩを利用する１つ以上のアプリケーションを提供することができる。
In this way applications may still have access to one or more APIs for performing such functions, but the host may still retain control as to whether or not such operations are actually performed.
この方法において、アプリケーションは、そのような関数を実行するために１つ以上のＡＰＩにアクセスすることができるが、ホストはそのような動作が実際に実行されるか否かについて、なお制御を保持することができる。
US10101742
The flowcharts and block diagrams in the figures illustrate the architecture, functionality, and operation of possible implementations of systems, methods and computer program products according to various embodiments.
図中のフローチャート及びブロック図は、種々の実施形態に係るシステム、方法及びコンピュータプログラム製品の可能な実施形態のアーキテクチャ、機能性及び動作を示している。
In this regard, each block in the flowcharts or block diagrams may represent a module, segment, or portion of code, which comprises one or more executable instructions for implementing the specified logical function(s).
この点において、フローチャート又はブロック図におけるそれぞれのブロックは、特定の論理関数を実行する１つ以上の実行可能な命令を含む、モジュール、セグメント又はコードの一部を表し得る。
It should also be noted that, in some alternative implementations, the functions noted in the block may occur out of the order noted in the figures.
また、一部の別の実施形態において、ブロックに言及されている機能は、図に言及されている順序を外れて生じることがあることにも留意する必要がある。
For example, two blocks shown in succession may, in fact, be executed substantially concurrently, or the blocks may sometimes be executed in the reverse order, depending upon the functionality involved.
例えば、連続して示されている２つのブロックは、実際に、実質的に同時に実行されてもよいし、又は、関与する機能性に応じて、ブロックは、時に、逆の順により実行されてもよい。
US2020054807
[0125] A control system in the systems and methods can determine the optimal dialysis parameter sessions based on estimated patient pre-dialysis BUN level obtained from fluid characteristics in an ammonium removal solution effluent.
本システムおよび方法における制御システムは、アンモニウム除去溶液流出物中の流体特性から得られた推定される患者の透析前ＢＵＮレベルに基づいて、最適な透析パラメータセッションを判定することができる。
The obtained data can include pH for a patient based on the patient's pre-treatment urea level. Alternatively, a user interface can be provided, with the user directly inputting the desired optimal dialysis parameter sessions based on estimated patient pre-dialysis BUN level.
得られたデータは、患者の治療前の尿素レベルに基づく患者のｐＨを含み得る。代替的に、ユーザが、推定された患者の透析前ＢＵＮレベルに基づいて所望の最適な透析パラメータセッションを直接入力するユーザインターフェースを提供することができる。
The control system can be any component capable of monitoring and affecting the states of the dialysis machine. The control system can use processors, memory and computer components to carry out the functions described.
制御システムは、透析機械の状態を監視し影響を与えることができる任意の構成要素であり得る。制御システムは、プロセッサ、メモリ、およびコンピュータ構成要素を使用して、記載される関数を実行することができる。
The control system can be in communication with the pumps and valves of the dialysis machine flow paths and can control the pumps and valves in accordance with stored instructions.
制御システムは、透析機械流路のポンプおよびバルブと通信し得、記憶された命令に従ってポンプおよびバルブを制御することができる。
The control system can receive data from sensors on either the dialysis machine, recharger, or ammonium removal system, and control pumps and valves of either the dialysis machine, recharger, or ammonium removal system.
制御システムは、透析機械、再装填器、またはアンモニウム除去システムのいずれかのセンサからデータを受信し、透析機械、再装填器、またはアンモニウム除去システムのいずれかのポンプおよびバルブを制御することができる。
The control system can automatically determine the optimal dialysis parameter settings using mathematical algorithms or look-up tables and operate the pumps and valves of the recharging flow paths to control dialysis therapy based on the estimated ammonia.
制御システムは、推定されたアンモニアに基づいて、数学的アルゴリズムまたはルックアップテーブルを使用して最適な透析パラメータ設定を自動的に判定し、再装填流路のポンプおよびバルブを操作して、透析療法を制御することができる。
US2014088912
The use of the shared Iiveness information may be used in the derivation allowing for different security keys to be used every time the initiating device authenticates itself to the peer device.
共有活性情報を使用することにより、導出時に使用され、開始デバイスが自身をピアデバイスに認証する度に異なるセキュリティキーを使用することを可能にすることができる。
This hinders a potential rogue eavesdropper from initiating a statistical attack every time the initiating device is authenticated, adding newly intercepted messages to its analysis of messages intercepted during the initiating device's previous sessions.
これにより、開始デバイスが認証される毎に潜在的不正盗聴者が統計的攻撃を開始することを妨害し、新規の傍受メッセージを、開始デバイスの前のセッション中に傍受されたメッセージの分析に追加する。
The Iiveness information and the initial-security key may then be passed as inputs to a determinative function. As used herein the term "determinative" refers to a function for which the outputs of the function are completely determined by the inputs.
次いで、活性情報および初期セキュリティキーは、決定的関数への入力として通すことができる。本明細書で使用される場合、「決定的」という用語は、その機能の出力が、入力によって完全に決定される関数を意味する。
This determinative function may be run separately on the initiating device and on the peer device. If these two devices were to produce different outputs when they ran the determinative function, then the security keys derived from the function would not match, the device could not be authenticated, and thus could not be used for intercommunication.
この決定的関数は、開始デバイスおよびピアデバイスで別々に動作することができる。これら2つのデバイスが、決定的関数を実行した場合に異なる出力を生成した場合、関数から生じたセキュリティキーは一致せず、デバイスは認証されず、したがって、相互通信のために使用することができない。
EP2926494
[0097] FIG. 4 is a block diagram of an example RB-based MCM transmitter 400 arrangement in accordance with one embodiment.
[0051] 図４は、一実施形態による、例示的なＲＢに基づくＭＣＭ送信機４００の構成のブロック図である。
Referring to FIG. 4, input symbols 405 are partitioned at a serial-to-parallel (S/P) converter 410 into N resource blocks 415a, 415b, 415k. The input symbols 405 may be QAM modulated.
図４を参照すると、入力シンボル４０５は、シリアルツーパラレル（Ｓ／Ｐ）変換器４１０においてＮリソースブロック４１５ａ、４１５ｂ、・・・、４１５ｋへと分割される。入力シンボル４０５はＱＡＭ変調されてもよい。
WO2014014982
The DirecTV® COM 1000 includes a QAM modulator card or board which receives the demodulated MPEG-2 transport stream for further distribution.
このＤＩＲＥＣＴＶ（登録商標）ＣＯＭ１０００には、復調されたＭＰＥＧ２トランスポート・ストリームを受信して更に配信するＱＡＭ変調器カード又はＱＡＭ変調器ボードが含まれている。
The card is denoted a QAM24 modulator and it receives MPEG-2 transport packets from an Ethernet port and then QAM modulates the MPEG2 transport packets on one of twelve carrier frequencies.
このカードは、ＱＡＭ２４変調器と呼ばれ、イーサネット・ポートからＭＰＥＧ２トランスポート・パケットを受信して、このＭＰＥＧ２トランスポート・パケットを１２の搬送周波数のうちの１つでＱＡＭ変調する。
Each input stream results in one output QAM modulated channel (such as cable channel 50-1).
各々の入力ストリームは、結果的に、１つの出力ＱＡＭ変調チャンネル（例えばケーブル・チャンネル５０—１）になる。
However, nothing in the current content distribution systems allows individual receivers to play separate content on each TV without controlling the content with a separate remote for each TV.
しかしながら、現在のコンテンツ配信システムにおいては、個々の受信機が、各々のＴＶについての個別のリモコンによるコンテンツの制御なしに、各々のＴＶ上で個別のコンテンツを再生できるようにするものがない。
WO2017044428
[0117] Embodiments described herein generally reference a stylus (e.g., a marking tool, smart pen, smart brush, wand, chisel, user-manipulated electronic input device, hand-held input device, and the like) that is configured to provide input to an electronic device (e.g., tablet computer, laptop computer, desktop computer, and the like).
本明細書に記載の実施形態は、概ね、電子デバイス（例えば、タブレットコンピュータ、ラップトップコンピュータ、デスクトップコンピュータなど）に入力を提供するように構成されたスタイラス（例えば、マーキングツール、スマートペン、スマートブラシ、ペン型スキャナ、チゼル（chisel）、ユーザ操作式電子入力デバイス、手持ち式入力デバイスなど）について言及する。
The user manipulates the orientation and position of the stylus relative to an input surface of the electronic device to convey information to the electronic device such as, but not limited to, writing, sketching, scrolling, gaming, selecting user interface elements, moving user interface elements, and so on.
ユーザは、ライティングすること、スケッチすること、スクロールすること、ゲームをすること、ユーザインタフェース要素を選択すること、ユーザインタフェース要素を移動させることなどであるが、これらに限定されない、電子デバイスの入力面に対するスタイラスの向き及び位置を操作して、情報を電子デバイスに伝達する。
In many embodiments, the input surface of the electronic device is a multi-touch display screen, but this is not required; in other embodiments, the input surface can be a non-display input surface such as a trackpad or drawing tablet.
多くの実施形態では、電子デバイスの入力面は、マルチタッチディスプレイスクリーンであるが、これは必須ではなく、他の実施形態では、入力面は、トラックパッド又は作画タブレット（drawing tablet）などのディスプレイのない入力面であってもよい。
Collectively, the stylus and the electronic device are referred to herein as a "user input system."
スタイラス及び電子デバイスは、本明細書では、まとめて「ユーザ入力システム」と称される
US2020067267(JP)
[0013] In order to effectively achieve a high-temperature high-power operation, a quantum-well active layer serving as a luminescent layer is mounted junction-down near a submount substrate where a semiconductor laser element is mounted.
高温高出力動作を実現するためには、発光層となる量子井戸活性層を、半導体レーザ素子が実装されるサブマウント基板に近い側に実装するジャンクションダウン実装を行うことにより、
This reduces a thermal resistance and suppresses a temperature increase of the semiconductor laser element.
熱抵抗を低減し、半導体レーザ素子の温度上昇を抑制することが効果的である。
In this case, a distance between the quantum-well active layer and the submount decreases so as to increase a stress applied to the quantum-well active layer due to a difference in thermal expansion coefficient between a submount material and the semiconductor laser element.
この場合、量子井戸活性層と、サブマウントとの間の距離が近づくために、サブマウント材料と半導体レーザ素子との熱膨張係数の差に起因する量子井戸活性層に生じる応力は大きくなる。
[0133] As illustrated in FIG. 54, semiconductor light emitter 400 disclosed according to Patent Literature 2 is configured such that light-emitting element 402 on GaN substrate 401 is mounted junction-down on convex submount substrate 410 so as to project to GaN substrate 401.
また、特許文献２に係る半導体発光装置４００では、図５４に示すように、ＧａＮ基板４０１上の発光素子４０２を、凸状の形状のサブマウント基板４１０上に、素子のＧａＮ基板４０１側が凸形状となるようにジャンクションダウンで実装する構成が開示されている。
This configuration is aimed at controlling a stress generated on an active layer and suppressing a deterioration of the active layer.
これにより、活性層に生じる応力を制御し、活性層の劣化を抑制しようとしている。
US2019171091(JP)
[0050] The red semiconductor laser 13R, the green semiconductor laser 13G, and the blue semiconductor laser 13B are each disposed on the heatsink 11, for example, along an X-axis direction, and output the laser beams Lr, Lg, and Lb in directions parallel with one another (e.g., a Z-axis direction).
赤色半導体レーザ１３Ｒ、緑色半導体レーザ１３Ｇおよび青色半導体レーザ１３Ｂは、それぞれ、ヒートシンク１１の上に、例えばＸ軸方向に沿って配置され、互いに平行方向（例えば、Ｚ軸方向）にレーザ光Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂを出射する。
It is to be noted that it is desirable to design the red semiconductor laser 13R, the green semiconductor laser 13G, and the blue semiconductor laser 13B to have a small loss of transmission/reflection in the dichroic prism 16.
なお、赤色半導体レーザ１３Ｒ、緑色半導体レーザ１３Ｇおよび青色半導体レーザ１３Ｂは、ダイクロイックプリズム１６での透過／反射損失の少ない設計とすることが望ましい。
Specifically, it is preferable to arrange the red semiconductor laser 13R, the green semiconductor laser 13G, and the blue semiconductor laser 13B in wavelength order, and as illustrated in FIG. 1, it is preferable to install the red semiconductor laser 13R, the blue semiconductor laser 13B, and the green semiconductor laser 13G in this order or in reverse order (in order of the green semiconductor laser 13G, the blue semiconductor laser 13B, and the red semiconductor laser 13R).
具体的には、赤色半導体レーザ１３Ｒ、緑色半導体レーザ１３Ｇおよび青色半導体レーザ１３Ｂは、波長順に並べることが好ましく、図１に示したように、赤色半導体レーザ１３Ｒ、青色半導体レーザ１３Ｂおよび緑色半導体レーザ１３Ｇの順、あるいはその逆（緑色半導体レーザ１３Ｇ、青色半導体レーザ１３Ｂおよび赤色半導体レーザ１３Ｒの順）に設置することが好ましい。
It is to be noted that an implementation form of the red semiconductor laser 13R, the green semiconductor laser 13G, and the blue semiconductor laser 13B may be junction-up implementation, or may be junction-down implementation.
なお、赤色半導体レーザ１３Ｒ、緑色半導体レーザ１３Ｇおよび青色半導体レーザ１３Ｂの実装形態は、ジャンクションアップ実装でもよいし、ジャンクションダウン実装でもよい。
US2019035700(JP)
[0092] It should be noted that the semiconductor laser 20 may be mounted on the base substrate 10′ without the sub mount 21.
なおサブマウント２１を介さず、半導体レーザ２０がベース基板１０'に実装されてもよい。
For example, in the case where the semiconductor laser 20 is mounted in a junction-down fashion, a light emitting point is on a lower portion of a chip, so the sub mount 21 is used.
例えば半導体レーザ２０がジャンクションダウンで実装される場合には、発光点がチップの下部となるので、サブマウント２１が用いられる。
On the other hand, in the case where the semiconductor laser 20 is mounted in a junction-up fashion, the semiconductor laser 20 is mounted on the base substrate 10′ without using the sub mount 21.
一方、半導体レーザ２０がジャンクションアップで実装される場合には、サブマウント２１を用いることなく、半導体レーザ２０がベース基板１０'に実装される。
Of course, the way of mounting not limited to those.
もちろんこれに限定される訳ではない。
US2019044303(JP)
[0047] In a case where the semiconductor laser array 1 is mounted with junction-down, electric current which is supplied from an electric power source (not shown in Figure) flows from an electric power source to the first electrode plate 4, the metallic wires 7a, the sub-mount substrate 2 (the electrode plate 21 which is layered on an upper surface), the semiconductor laser array 1, the metallic wires 7b, the second electrode plate 5 and the electric power source so as to oscillate the semiconductor laser array 1.
半導体レーザアレイ１がジャンクションダウンで実装されている場合、電源（図示せず）より供給された電流は、電源→第一電極板４→金属配線７ａ→サブマウント基板２（上面に積層された電極層２１）→半導体レーザアレイ１→金属配線７ｂ→第二電極板５→電源の順に流れ、半導体レーザアレイ１をレーザ発振させる。
US20070253458
7. The integrated laser light emission system of claim 1, wherein the semiconductor laser diode arrays are junction-down mounted to the laser gain medium via a conductive adhesive.
US5086431
In the prior art, as shown in FIG. 1, a semiconductor chip 10 having its lasing junction 12 on its emitting facet 14 is mounted directly on a heat sink 16 with the emitting junction down. The heat sink 16 holds the semiconductor chip 10 so that the lasing junction 12 is close to heat sink 16. The efficiency with which the lasing junction 12 operates is determined in large part by how effectively heat is removed therefrom, accounting for the mounting shown in FIG. 1.
US5837561
FIG. 2 is a graph showing the current/light output relationship for an AS or TS VCSEL mounted "junction up" and a TS VCSEL mounted "junction down";
US7642121
The present invention relates to semiconductor devices, and more particularly to light emitting diodes mounted to a submount in a junction-down configuration.
Junction-down (or “flip-chip”) mounting of LEDs involves mounting the LED onto the submount substrate side up. Light is then extracted and emitted through the transparent substrate. Junction-down mounting may be an especially desirable technique for mounting SiC-based LEDs. Since SiC has a higher index of refraction than GaN, light generated in the active region does not internally reflect (i.e. reflect back into the GaN-based layers) at the GaN/SiC interface. Junction-down mounting of SiC-based LEDs may improve the effect of certain chip-shaping techniques known in the art. Junction-down packaging of SiC LEDs may have other benefits as well, such as improved heat dissipation, which may be desirable depending on the particular application for the chip.
