環境エネルギー産業のデバイス業界の動きⅢ
パワー半導体が上昇急ピッチ
環境エネルギーの心臓デバイスと言われるパワー半導体。これはあまりなじみがないかも知れないですが、最近新聞記事にちょくちょく出てくる言葉で、電力の省エネだけを専門に担当するデバイスと言われる。
この最先端のデバイスのIGBTは急ピッチで需要を拡大しており、実際には、太陽電池のパワコン、ハイブリッド車や電気自動車の制御、ヒートポンプの基幹部品、風力発電の駆動部、高速鉄道の制御など、多彩な需要が見込まれている。
デザインルールは微細ではなく、製造するウエハーも５～６インチが主流で最近では８インチ移行がが進み始めているそうだ。このマーケットは、すでに１兆５０００億円の市場を築いており、これは現在のフラッシュメモリーとほぼ同じ規模で、パワー半導体を中心とする車載向け半導体はここ２年間で急成長し、２０１１年には２兆円を超えてくると、ある業界紙の編集長は予測している。
現在のパワー半導体はピュアシリコンで構成されるが次世代はシリコンカーバイトまたはガリウムナイトライドの新素材採用の方向で研究開発や設備投資が急速に膨らみ、ここ５～１０年の間にDRAMやフラッシュなどのメモリーを凌ぐ存在として一気に注目を集めると言われている。
参入企業としては、国内ではローム、三菱がSiCダイオードの量産を開始しており、今後、富士電機や新日本無線、ルネッサンスエレクトロニクスなどが量産予定と言われる。
かごしま企業家交流協会
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