中央大、1000年先までデータ保存 半導体メモリー新方式

　中央大学の竹内健教授らは、1000年先までデジタルデータを保存する記録方式を開発した。パソコンやスマートフォン（スマホ）の記憶装置に使う大容量の半導体メモリーで、データが壊れる確率を0.1％未満に抑えた。メモリーの多くは保存期間が10年程度にとどまっていたという。資料映像の保管やデータセンターの運用などへの応用が期待できる。

　データの長期保存に使ってきた磁気テープやＤＶＤは、書き込みに時間がかかったり、レーザーなど専用の読み書き装置を利用したりした。半導体メモリーはデータの書き込みが高速で専用の装置が必要ないが、データが壊れやすい問題があった。

　半導体メモリーの代表であるフラッシュメモリーで、大容量を保ちながら寿命を延ばす方法を探った。３ビット記憶と呼ぶ方式は、８通りの状態のうちでいずれか１つを選んでデータを記録した。時間の経過とともに、量子力学の「トンネル効果」の作用で他の状態に変わってデータの劣化が起きる。

　新技術は７通りの状態のうちから１つを選ぶ方式に改めた。取りうる状態の数が減るので変化する確率も下がる。１年をかけた耐久実験の結果、データが劣化する確率は５分の１になった。さらに、実験からは、1000年後でもデータの破損確率は0.1％を下回るとの予測結果になった。0.1％を超えなければ既存の技術でデータを修復できるという。

　今後はフラッシュメモリーの劣化を100年単位で評価する手法を開発する。