彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え(戦国時代の井伊
軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと)と兜(かぶ
と)を合体させて生まれたキャラクタ-
【季語と短歌:12月6日】
北風や西日籠れるタイプ音
高山 宇 (赤鬼)
【今日の短歌研究:異常気象】
四年経て奥入瀬川戻りくる九万匹が鮭一匹の日
✳️ ペロブスカイトPV庭園灯が東京都事業に採択
12月4日株式会社リコーは、ペロブスカイト太陽電池を搭載した庭園灯の
実証事業が、このたび東京都の「令和6年度 次世代型ソーラーセル社会実
装推進事業」に採択。都の事業は「薄く、軽く、曲がる」という特徴を持
った日本生まれの太陽電池である「次世代型ソーラーセル(ペロブスカイ
トと呼ばれる結晶構造を用いた太陽電池)」の実用化に向け、開発事業者
に対し実証費用の一部が補助されるもの。リコーは、複合機の開発で培っ
た有機感光体の技術を応用し、低照度の室内光でも発電する固体型色素増
感太陽電池「RICOH EH DSSCシリーズ」を2020年に世界で初めて販売し
た。また、この研究開発で培った技術を用いて、ペロブスカイト太陽電池
の開発を進めている。
今回採択された事業では、照度の低いエリアや垂直設置でも発電効率が高
いという特徴を持つペロブスカイト太陽電池を搭載した庭園灯を、都内に
30本程度設置する予定。カ屋外設置の庭園灯の電源としてペロブスカイト
太陽電池の発電量や耐久性を検証します。さらに、インクジェット技術で
作製したペロブスカイト太陽電池も本実証事業内で検証を予定。この技術
により高生産性・低コストの実現が可能になると考えている。今回の実証
事業を通じて、ペロブスイト太陽電池の早期事業化を目指す。
図2 光操作によって脳内のcGMPを増加させることに成功
✳️ 光で脳内cGMPシグナルを操作する新技術の開発
局所的なcGMP量操作で記憶力の増強を実現
12月4日 、富山大学学術研究部医学系の高雄啓三教授は、カナダ・トロ
ント大学医学部、マウントサイナイ病院(トロント)ルネンフェルド・タ
ネンバウム生物医学研究所、TANZ神経変性疾患研究センターとの共同研
究により、青色光を照射するとcGMPを生成する光感受性cGMP産生酵素
BlgC (Blue Light activation of BLUF(*5) coupled to Granule Cyclase) を
脳内でより効率的に働くようにした(図1)。この酵素の遺伝子配列をア
デノ随伴ウイルスベクターに組み込み、マウスの海馬歯状回という脳の領
域に感染させることで、その部位の神経細胞だけに BlgC を発現させ、さ
らにその部位に光ファイバーを通じて青色光を照射することで局所的に、
時間と空間を限定して cGMP を増やすことに成功した(図2)。
青色光を照射するとcGMP を産生するBlgC。微生物の光センサータンパク
質部位であるBLUF が酵素活性部位GCに結合することで、通常時は活性を
持たない構造となっていますが(図1左側)、青色光が照射されると構造
が変化して酵素活性が回復し、GTP からcGMPを生成することが可能とな
る(図1右側)。光照射をやめると活性が無くなり、光によって可逆的に
活性を調整することができる。この手法により、マウスの海馬歯状回で
cGMP を増やしたマウスの脳を解析したところ、神経伝達が促進され、ま
た長期増強 (LTP: Long-termpotentiation)という現象がより強く起こるよ
うになっており、記憶や学習の基盤となると考えられる神経可塑性も促進
されていることが分かった。(図3)。さらに個体レベルで行動を解析した
ところ、cGMP 増やしたマウスではコントロール群に比べて社会性行動が
増加しており、空間記憶学習の課題では成績が向上した(図4)。
図3 光操作による長期増強の促進
光操作により、海馬歯状回にcGMPを増加させると、長期増強とよばれる
現象がより強く起こるようになり、神経可塑性が促進された。
【展望】
統合失調症やアルツハイマー病のように認知機能障害を伴う病気、加齢に
よって cGMPが減少していることが知られており、様々な方法でcGMPを
増やす試みがなされている。
【論文詳細】
論文名: Optogenetic elevation of postsynaptic cGMP in the hippocampal
dentate gyrus enhances LTP and modifies mouse behaviors
掲載誌: Frontiers in Molecular Neuroscience
DOI:10.3389/fnmol.2024.1479360
TSV/RDLの受託開発、製造、実装サービスの概要。TSV/RDLを開発、
製造し、チップレットを実装するところまで一気通貫で提供
✳️TSV/RDL受託開発で「次のNVIDIA」登場を加速 コネクテックジャパン
量産なしでも受託可能
12月05日 、半導体やセンサー、MEMSなどの実装受託開発サービスを手掛
けるコネクテックジャパンは、TSV(貫通ビア)/RDL(再配線層)の受
託開発と製造、実装を一気通貫で行うサービスを2025年4月に開始する。
チップレット集積に欠かせないTSVとRDLの開発/製造サービスを提供す
ることで、AI(人工知能)用をはじめとする高性能半導体デバイスの開発
を加速することが狙い。
2.5D(次元)/3Dチップレットモジュールの受託開発例
⬛ チップレット集積の2つの課題
半導体の高性能化、高機能化の手段として注目されるチップレット集積だ
が、課題もある。一つは熱や応力に対する脆弱性だ。化合物半導体のチッ
プレットをシリコンインターポーザーに実装する際などに、硬度や熱膨張
係数のミスマッチを解消する必要がある。コネクテックジャパンは、半導
体を80℃の低温で実装する独自技術「MONSTER PAC」を用いて、この課
題を解決できる。
もう一つの課題がTSV/RDLの微細化だ。チップレットの実装には、チップ
レット間を接続するTSVとRDLが欠かせない。だが、「この分野では、ここ
十数年ほど技術進化がやや止まっている。微細化、薄膜化、多層化などに
おいて足踏み状態が続いている」と指摘する。
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【関連特許最新技術】
1.特開2024-165246 表示装置及び表示装置の製造方法 株式会社ジャパン
ディスプレイ⓶
【要約】
下図9のごとく、一実施形態によれば、表示装置は、基板と、前記基板の上
方において、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺
領域に亘って配置された有機絶縁層と、前記表示領域において、前記有機
絶縁層の上に配置された下電極と、前記下電極の上に配置され、発光層を
含む有機層と、前記有機層の上に配置された上電極と、前記周辺領域に配
置され、第1下部と、前記第1下部の上に配置され前記第1下部の側面か
ら突出した第1上部と、を有する第1隔壁と、前記周辺領域に配置され、
前記有機絶縁層の開口に重なる金属層と、を備え、前記第1隔壁は、前記
開口に配置されてことで、信頼性の低下を抑制する。
図9. 周辺領域SAまたは余白部MPにおけるパッド領域の他の構成例を
示す平面図
【符号の説明】
DSP…表示装置 10…基板 5…無機絶縁層 AP1、AP2、AP3…
開口 6…隔壁 61…下部 62…上部 7…隔壁 71…下部 72…上部
SP1、SP2、SP3…副画素 201、202、203…表示素子(有
機EL素子) LE1、LE2、LE3…下電極 UE1、UE2、UE3…
上電極 OR1、OR2、OR3…有機層 DA…表示領域 SA…周辺領域
100…表示装置用マザー基板 PP…パネル部 MP…余白部 PD…パッ
ド MT…金属層 IL…有機絶縁層 12…絶縁層 114…絶縁層
【発明を実施するための形態】
【0009】一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての
適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範
に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実
際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場
合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではな
い。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同
一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重
複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0010】なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互
いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を記載する。X軸に沿った方向を第1
方向Xと称し、Y軸に沿った方向を第2方向Yと称し、Z軸に沿った方向
を第3方向Zと称する。第3方向Zと平行に各種要素を見ることを平面視
という。
【0011】本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイ
オード(OLED)を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であ
り、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマ
ートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0012】図1は、表示装置DSPの構成例を示す図である。
【0013】表示装置DSPは、絶縁性の基板10の上に、画像を表示す
る表示領域DAと、表示領域DAよりも外側の周辺領域SAと、を有する
表示パネルPNLを備えている。基板10は、ガラスであってもよいし、
可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0014】本実施形態においては、平面視における基板10の形状が長
方形である。ただし、基板10の平面視における形状は長方形に限らず、
正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。【0015】
表示領域DAは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配列された
複数の画素PXを備えている。画素PXは、複数の副画素SPを含む。一
例では、画素PXは、第1色の副画素SP1、第2色の副画素SP2、及
び、第3色の副画素SP3を含む。第1色、第2色、及び、第3色は、互
いに異なる色である。なお、画素PXは、副画素SP1、SP2、SP3
とともに、あるいは副画素SP1、SP2、SP3のいずれかに代えて、
白色などの他の色の副画素SPを含んでもよい。
【0016】副画素SPは、画素回路1と、画素回路1によって駆動され
る表示素子20と、を備えている。画素回路1は、画素スイッチ2と、駆
動トランジスタ3と、キャパシタ4と、を備えている。画素スイッチ2及
び駆動トランジスタ3は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイ
ッチング素子である。
【0017】画素スイッチ2のゲート電極は、走査線GLに接続されてい
る。画素スイッチ2のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線SLに
接続され、他方は駆動トランジスタ3のゲート電極及びキャパシタ4に接
続されている。駆動トランジスタ3において、ソース電極及びドレイン電
極の一方は電源線PL及びキャパシタ4に接続され、他方は表示素子20
のアノードに接続されている。
【0018】なお、画素回路1の構成は図示した例に限らない。例えば、
画素回路1は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよ
い。
【0019】表示素子20は、発光素子としての有機発光ダイオード(O
LED)であり、有機EL素子と称する場合がある。【0020】
周辺領域SAは、ICチップやフレキシブルプリント回路基板を接続する
ための複数の端子TEを有している。複数の端子TEは、一方向に並んで
いる。図示した例では、複数の端子TEは、第1方向Xに沿って並んでい
る。また、図示した例では、周辺領域SAは、検査等に用いられるパッド
PDを有している。なお、表示パネルPNLにおいて、パッドPDは、省
略されてもよい。【0021】図2は、副画素SP1、SP2、SP3の
レイアウトの一例を示す図である。
【0022】図2の例においては、副画素SP2及び副画素SP3が第2
方向Yに並んでいる。副画素SP1及び副画素SP2が第1方向Xに並び、
副画素SP1及び副画素SP3が第1方向Xに並んでいる。
【0023】副画素SP1、SP2、SP3がこのようなレイアウトであ
る場合、表示領域DAには、副画素SP2及び副画素SP3が第2方向Yに
交互に配置された列と、複数の副画素SP1が第2方向Yに配置された列
とが形成される。これらの列は、第1方向Xに交互に並ぶ。
【0024】なお、副画素SP1、SP2、SP3のレイアウトは図2の
例に限られない。他の一例として、各画素PXにおける副画素SP1、S
P2、SP3が第1方向Xに順に並んでいてもよい。
【0025】表示領域DAには、無機絶縁層5及び隔壁6が配置されてい
る。無機絶縁層5は、副画素SP1、SP2、SP3においてそれぞれ開
口AP1、AP2、AP3を有している。これらの開口AP1、AP2、
AP3を有する無機絶縁層5は、リブと称する場合がある。 隔壁6は、平
面視において無機絶縁層5と重なっている。隔壁6は、開口AP1、AP
2、AP3を囲む格子状に形成されている。隔壁6は、無機絶縁層5と同
様に副画素SP1、SP2、SP3において開口を有するということもで
きる。
【0026】副画素SP1、SP2、SP3は、表示素子20として、そ
れぞれ表示素子201、202、203を備えている。【0027】
副画素SP1の表示素子201は、開口AP1とそれぞれ重なる下電極L
E1、上電極UE1、及び、有機層OR1を備えている。下電極LE1
の周縁部は、無機絶縁層5で覆われている。下電極LE1、有機層OR1、
及び、上電極UE1を備える表示素子201は、平面視において隔壁6で
囲まれている。有機層OR1及び上電極UE1のそれぞれの周縁部は、平
面視において無機絶縁層5に重なっている。有機層OR1は、例えば青波
長域の光を放つ発光層を含む。
【0028】副画素SP2の表示素子202は、開口AP2とそれぞれ重
なる下電極LE2、上電極UE2、及び、有機層OR2を備えている。下
電極LE2の周縁部は、無機絶縁層5で覆われている。下電極LE2、有
機層OR2、及び、上電極UE2を備える表示素子202は、平面視にお
いて隔壁6で囲まれている。有機層OR2及び上電極UE2のそれぞれの
周縁部は、平面視において無機絶縁層5に重なっている。有機層OR2は
、例えば緑波長域の光を放つ発光層を含む。
【0029】副画素SP3の表示素子203は、開口AP3とそれぞれ重
なる下電極LE3、上電極UE3、及び、有機層OR3を備えている。下
電極LE3の周縁部は、無機絶縁層5で覆われている。下電極LE3、有
機層OR3、及び、上電極UE3を備える表示素子203は、平面視にお
いて隔壁6で囲まれている。有機層OR3及び上電極UE3のそれぞれの
周縁部は、平面視において無機絶縁層5に重なっている。有機層OR3は、
例えば赤波長域の光を放つ発光層を含む。
【0030】図2の例においては、下電極LE1、LE2、LE3の外形
は点線で示し、有機層OR1、OR2、OR3、及び、上電極UE1、U
E2、UE3の外形は一点鎖線で示している。なお、図示した下電極、有
機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。
【0031】下電極LE1、LE2、LE3は、例えば、表示素子のアノ
ードに相当する。上電極UE1、UE2、UE3は、表示素子のカソード、
あるいは、共通電極に相当する。
【0032】下電極LE1は、コンタクトホールCH1を通じて副画素S
P1の画素回路1(図1参照)に接続されている。下電極LE2は、コン
タクトホールCH2を通じて副画素SP2の画素回路1に接続されている。
下電極LE3は、コンタクトホールCH3を通じて副画素SP3の画素回
路1に接続されている。
【0033】図2の例においては、開口AP1の面積、開口AP2の面積、
及び、開口AP3の面積は、互いに異なる。開口AP1の面積が開口AP
2の面積よりも大きく、開口AP2の面積が開口AP3の面積よりも大き
い。換言すると、開口AP1から露出した下電極LE1の面積は開口AP
2から露出した下電極LE2の面積よりも大きく、開口AP2から露出し
た下電極LE2の面積は開口AP3から露出した下電極LE3の面積より
も大きい。
【0034】図3は、図2中のA-B線に沿う表示装置DSPの概略的な
断面図である。
【0035】回路層11は、基板10の上に配置されている。回路層11
は、図1に示した画素回路1などの各種回路と、走査線GL、信号線SL
、電源線PLなどの各種配線と、を含む。回路層11は、絶縁層12に
より覆われている。絶縁層12は、回路層11により生じる凹凸を平坦化
する有機絶縁層である。
【0036】下電極LE1、LE2、LE3は、絶縁層12の上に配置され、
互いに離間している。無機絶縁層5は、絶縁層12及び下電極LE1、LE2、
LE3の上に配置されている。無機絶縁層5の開口AP1は下電極LE1に
重なり、開口AP2は下電極LE2に重なり、開口AP3は下電極LE3
に重なっている。下電極LE1、LE2、LE3の周縁部は、無機絶縁層
5で覆われている。下電極LE1、LE2、LE3のうち、互いに隣接す
る下電極の間では、絶縁層12が無機絶縁層5により覆われている。下電
極LE1、LE2、LE3は、絶縁層12に設けられたコンタクトホール
を通じて副画素SP1、SP2、SP3のそれぞれの画素回路1に接続さ
れている。なお、絶縁層12のコンタクトホールは、図3では省略するが、
図2のCH1、CH2、CH3に相当する。
【0037】隔壁6は、無機絶縁層5の上に配置された導電性を有する下
部(茎)61と、下部61の上に配置された上部(笠)62と、を含む。
図の右側に示した隔壁6の下部61は、開口AP1と開口AP2との間に
位置している。図の左側に示した隔壁6の下部61は、開口AP2と開口
AP3との間に位置している。上部62は、下部61よりも大きい幅を有
している。上部62の両端部は、下部61の側面よりも突出している。こ
のような隔壁6の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0038】有機層OR1は、開口AP1を通じて下電極LE1に接触し、
開口AP1から露出した下電極LE1を覆うとともに、その周縁部が無機
絶縁層5の上に位置している。上電極UE1は、有機層OR1を覆い、下
部61に接触している。
【0039】有機層OR2は、開口AP2を通じて下電極LE2に接触し、
開口AP2から露出した下電極LE2を覆うとともに、その周縁部が無機
絶縁層5の上に位置している。上電極UE2は、有機層OR2を覆い、下
部61に接触している。
【0040】有機層OR3は、開口AP3を通じて下電極LE3に接触し、
開口AP3から露出した下電極LE3を覆うとともに、その周縁部が無機
絶縁層5の上に位置している。上電極UE3は、有機層OR3を覆い、下
部61に接触している。
【0041】図3の例においては、副画素SP1はキャップ層CP1及び
封止層SE1を有し、副画素SP2はキャップ層CP2及び封止層SE2
を有し、副画素SP3はキャップ層CP3及び封止層SE3を有している。
キャップ層CP1、CP2、CP3は、それぞれ有機層OR1、OR2、
OR3から放たれた光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役
割を有している。
【0042】キャップ層CP1は、上電極UE1の上に配置されている。
キャップ層CP2は、上電極UE2の上に配置されている。 キャップ層
CP3は、上電極UE3の上に配置されている。
【0043】封止層SE1は、キャップ層CP1の上に配置され、隔壁6
に接触し、副画素SP1の各部材を連続的に覆っている。
封止層SE2は、キャップ層CP2の上に配置され、隔壁6に接触し、副
画素SP2の各部材を連続的に覆っている。
封止層SE3は、キャップ層CP3の上に配置され、隔壁6に接触し、副
画素SP3の各部材を連続的に覆っている。
【0044】図3の例においては、有機層OR1、上電極UE1、及び、
キャップ層CP1のそれぞれの一部は、副画素SP1の周囲の隔壁6の上
に位置している。これらの部分は、有機層OR1、上電極UE1、及び、
キャップ層CP1のうち開口AP1に位置する部分(表示素子201を構
成する部分)から離間している。
同様に、有機層OR2、上電極UE2、及び、キャップ層CP2のそれぞ
れの一部は、副画素SP2の周囲の隔壁6の上に位置し、これらの部分は、
有機層OR2、上電極UE2、及び、キャップ層CP2のうち開口AP2
に位置する部分(表示素子202を構成する部分)から離間している。
同様に、有機層OR3、上電極UE3、及び、キャップ層CP3のそれぞ
れの一部は、副画素SP3の周囲の隔壁6の上に位置し、これらの部分は、
有機層OR3、上電極UE3、及び、キャップ層CP3のうち開口AP3
に位置する部分(表示素子203を構成する部分)から離間している。
【0045】
封止層SE1、SE2、SE3の端部は、隔壁6の上に位置している。
図3の例においては、副画素SP1、SP2間の隔壁6の上に位置する封
止層SE1、SE2の端部同士が離間し、副画素SP2、SP3間の隔壁
6の上に位置する封止層SE2、SE3の端部同士が離間している。
【0046】
封止層SE1、SE2、SE3は、樹脂層13によって覆われている。樹
脂層13は、封止層14によって覆われている。封止層14は、樹脂層15
によって覆われている。
【0047】
無機絶縁層5、封止層SE1、SE2、SE3、及び、封止層14は、例
えば、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸化物(SiOx)、シリ
コン酸窒化物(SiON)、または、酸化アルミニウム(Al2O3)な
どの無機絶縁材料で形成されている。
【0048】
隔壁6の下部61は、導電材料で形成され、上電極UE1、UE2、U
E3と電気的に接続されている。隔壁6の上部62は、例えば導電材料に
よって形成されているが、絶縁材料で形成されもよい。下部61は、上部
62とは異なる材料で形成されている。
【0049】
下電極LE1、LE2、LE3は、例えば、インジウム錫酸化物(ITO)
などの酸化物導電材料で形成された透明電極と、銀などの金属材料で形成さ
れた金属電極とを含む多層体である。
【0050】
有機層OR1は、発光層EM1を含む。有機層OR2は、発光層EM2
を含む。有機層OR3は、発光層EM3を含む。発光層EM1、発光層E
M2、及び、発光層EM3は、互いに異なる材料で形成されている。一例
では、発光層EM1は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光
層EM2は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層EM3は、
赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
また、有機層OR1、OR2、OR3の各々は、正孔注入層、正孔輸送層
電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の
機能層を含む。【0051】
上電極UE1、UE2、UE3は、例えば、マグネシウム及び銀の合金(
MgAg)などの金属材料で形成されている。
【0052】キャップ層CP1、CP2、CP3は、複数の薄膜の多層体
である。複数の薄膜は、いずれも透明であり、しかも、互いに異なる屈折
率を有している。
【0053】
図3に示した回路層11、絶縁層12、及び、無機絶縁層5は、表示領域
DA及び周辺領域SAに亘って配置されている。
【0054】
次に、複数の表示装置DSPを一括して製造するための表示装置用マザー
基板100について説明する。
【0055】
図4は、表示装置用マザー基板100の一例を示す平面図である。
表示装置用マザー基板100は、大型の基板10の上に、複数のパネル
部PPと、これらのパネル部PPよりも外側の余白部MPと、を備えて
いる。大型の基板10は、例えば矩形状に形成されている。複数のパネル
部PPは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配列されている。
パネル部PPの各々は、表示装置用マザー基板100をカットラインに沿
って割断することで取り出される。取り出されたパネル部PPの各々は、
図1に示した表示パネルPNLに相当し、表示領域DAと、周辺領域SA
と、を備えている。
余白部MPは、例えば、テスト素子群(Test Element Gro
up)などと電気的に接続された複数のパッドPDを有している。
【0056】
図5は、パッドPDの一構成例を示す平面図である。 図示したパッドP
Dは、図1に示した周辺領域SAのパッドPD、あるいは、図4に示した
余白部MPのパッドPDに相当する。 一点鎖線で示す金属層MTは、パ
ッドPDの電極に相当する。金属層MTは、有機絶縁層ILの開口OP
1及び無機絶縁層5の開口OP2に重なっている。開口OP1は点線で示
し、開口OP2は実線で示している。金属層MTのうち、開口OP1及び
開口OP2から露出した部分は、斜線で示している。金属層MTの周縁部
は、有機絶縁層IL及び無機絶縁層5で覆われている。
有機絶縁層ILは、少なくとも、図3に示した絶縁層12を含んでいる。
有機絶縁層IL及び無機絶縁層5は、パネル部PPの各々に配置されると
ともに、余白部MPにも配置されている。
【0057】
図6は、周辺領域SAまたは余白部MPにおけるパッド領域の一構成例
を示す平面図である。図示した例では、パッド領域は、4つのパッドPD
を含む。各パッドP
Dの金属層MTは、開口OP1及び開口OP2から露出している。 隔壁7
は、4つのパッドPDの間の十字状の領域に配置されている。また、隔壁
7は、4つのパッドPDの周辺の領域にも配置されている。これらの隔壁
7は、開口OP1には重ならず、有機絶縁層ILの上方に配置されている。
また、図示した例では、隔壁7は、パッドPDには重なっていない。この
ような隔壁7は、格子状に形成されている。一例では、隔壁7は、図2に
示した格子状の隔壁6と同様のパターンで形成されている。
【0058】
図7は、図6のC-D線に沿った表示装置用マザー基板100の断面図
である。【0059】
絶縁層111は、無機絶縁層であり、基板10の上に配置されている。
配線層112は、絶縁層111の上に配置されている。絶縁層113は、
無機絶縁層であり、配線層112の上に配置されている。絶縁層113は、
パッドPDにおいて配線層112を露出している。絶縁層114は、有機
絶縁層であり、絶縁層113の上に配置されている。金属層MTは、絶縁
層113及び絶縁層114の上に配置され、パッドPDにおいて配線層112
に接している。これにより、金属層MTは、配線層112と電気的に接続さ
れている。これらの絶縁層111、配線層112、絶縁層113、絶縁層
114、及び、金属層MTは、図3に示した回路層11に含まれる。なお、
回路層11は、図示した層の他に、絶縁層及び導電層を含んでいてもよい。
【0060】
絶縁層12は、有機絶縁層であり、絶縁層114及び金属層MTの上に配
置されている。絶縁層12は、金属層MTを露出する開口OP1を有して
いる。上記の有機絶縁層ILは、絶縁層114及び絶縁層12を有してい
る。このような構成例においては、絶縁層114は第1層に相当し、絶縁
層12は第1層の上に位置する第2層に相当する。開口OP1は、有機絶
縁層ILの開口に相当する。【0061】無機絶縁層5は、絶縁層12を
覆い、金属層MTに接している。無機絶
縁層5は、開口OP1に重なる開口OP2を有している。無機絶縁層5は、
開口OP2において、金属層MTを露出している。開口OP2の面積は、
開口OP1の面積よりも小さい。
【0062】 隔壁7は、有機絶縁層ILの上方に配置されている。隔壁7
は、無機絶縁層5の上に配置された下部71と、下部71の上に配置され
た上部72とを有している。上部72は、下部71よりも大きい幅を有し
ている。上部72の両端部は、下部71の側面よりも突出している。この
ように、隔壁7は、図3に示した隔壁6と同様のオーバーハング状である。
隔壁7は、隔壁6と同一工程で形成することができる。この場合、下部71
は下部61と同一材料で形成され、上部72は上部62と同一材料で形成
される。【0063】
図8は、周辺領域SAまたは余白部MPにおけるパッド領域の他の構成例
を示す平面図である。 図8に示す構成例は、図6に示した構成例と比較し
て、隣接するパッドPDの間の比較的小さいスペースに直線状の隔壁7を
追加した点で相違している。図示した例では、第2方向Yに隣接するパッ
ドPDの間の小さいスペースにおいて、隔壁7は、第1方向Xに延出し
た直線状に形成されている。また、複数の直線状の隔壁7は、千鳥配列さ
れ、有機絶縁層ILの上方に配置されている。
【0064】
図9は、周辺領域SAまたは余白部MPにおけるパッド領域の他の構成
例を示す平面図である。 図9に示す構成例は、図8に示した構成例と比
較して、有機絶縁層ILの開口OP1に配置された隔壁7を追加した点で
相違している。 開口OP1に配置された隔壁7は、平面視において、パッ
ドPDの金属層MTに重なり、開口OP2よりも外側に位置し、開口OP
1の縁に沿ったループ状に形成されている。有機絶縁層ILの上方に配置
された隔壁7は、開口OP1に配置された隔壁7から離間している。
【0065】
図10は、図9のC-D線に沿った表示装置用マザー基板100の断
面図である。 有機絶縁層ILの上方及び開口OP1に配置された隔壁7
は、無機絶縁層5の上に配置された下部71と、下部71の上に配置され
下部71の側面から突出した上部72とを有し、オーバーハング状である。
隔壁7を形成する際のウエットエッチングにおいて、開口OP1に配置
される隔壁7が過度に除去されることに起因した隔壁7の消失を防止する
観点で、開口OP1に配置される隔壁7の幅W1は、有機絶縁層ILの上
方に配置される隔壁7の幅W2より大きいことが望ましい。
【0066】 図11は、周辺領域SAまたは余白部MPにおけるパッド領
域の他の構成例を示す平面図である。 図11に示す構成例は、図9に示
した構成例と比較して、有機絶縁層ILの開口OP1に配置された隔壁7
が開口OP1の縁に沿って形成された複数のセグメントを有している点で
相違している。 図示した例では、隔壁7は、互いに離間した4つのセグ
メント7A、7B、7C、7Dを有している。4つのセグメント7A、
7B、7C、7Dは、いずれもL字状に形成されているが、この形状に限
定されるものではない。
【0067】図12は、周辺領域SAまたは余白部MPにおけるパッド領
域の他の構成例を示す平面図である。 図12に示す構成例は、図9に示
した構成例と比較して、有機絶縁層ILの開口OP1に配置された隔壁7
が格子状に形成された点で相違している。なお、ここに示す構成例におい
ては、無機絶縁層5の開口OP2は存在しない。一例では、開口OP1に
配置された隔壁7は、有機絶縁層ILの上に配置された隔壁7と同様のパ
ターンで形成されている。
【0068】図13は、図12のC-D線に沿った表示装置用マザー基板
100の断面図である。 無機絶縁層5は、絶縁層12を覆うとともに、開
口OP1から露出した金属層MTを覆っている。つまり、無機絶縁層5は
開口を有していないため、金属層MTが露出することはない。 口OPに
配置された格子状の隔壁7は、無機絶縁層5の上に配置され、金属層MT
に接していない。
【0069】次に、パッドPDを含む表示装置用マザー基板100の断面
構造について、さらなる他の構成例について説明する。
【0070】
《第1グループ》
【0071】図14Aは、第1グループの一構成例を示す断面図である。
【0072】有機絶縁層ILは、絶縁層114及び絶縁層12を有してい
る。このような構成例においては、絶縁層114は第1層に相当し、絶縁
層12は第1層の上に位置する第2層に相当する。絶縁層12は、開口O
P1を有している。有機絶縁層ILの断面形状に着目すると、有機絶縁層
ILは、開口OP1に向かって厚さが低減する階段状の断面を有している。
【0073】有機絶縁層ILの厚さT1は、絶縁層114の厚さと絶縁層
12の厚さとの総和であり、絶縁層113の上面から絶縁層12のほぼ平
坦な上面121Aまでの第3方向Zに沿った長さに相当する。
【0074】有機絶縁層ILの厚さT2は、絶縁層114と開口OP1と
の間の絶縁層12の厚さであり、金属層MTの上面から絶縁層12のほぼ
平坦な上面122Aまでの第3方向Zに沿った長さに相当する。厚さT2
は、厚さT1より小さい。上面122Aは、上面121Aと開口OP1と
の間に位置し、また、上面121Aよりも下方に位置している。
【0075】無機絶縁層5は、絶縁層12を覆い、金属層MTを露出する
開口OP2を有している。隔壁7は、有機絶縁層ILの上方及び開口OP
1において、無機絶縁層5の上に配置されている。図示した例では、隔壁
7は、上面121Aの上方に配置される一方で、上面122Aの上方には
配置されていない。但し、隔壁7が上面122Aの上方に配置されてもよ
い。
【0076】階段状の断面を有する有機絶縁層ILは、例えば、以下のよ
うな手法で形成可能である。まず、絶縁層113の上に、絶縁層114を
形成する。その後、金属層MTを形成する。その後、開口OP1、上面1
21A及び上面122Aを有する絶縁層12を形成する。このような絶縁
層12は、例えば、以下のような手法で形成可能である。すなわち、金属
層MTが形成された表示装置用マザー基板100の全面に、例えばポジ型
の有機材料により絶縁層を形成する。その後、絶縁層を露光する。この露
光工程では、開口OP1の露光量は最大に設定され、開口OP1から外側
に向かうにしたがって露光量は段階的に減少するように設定されている。
その後、露光された絶縁層を現像する。その後、絶縁層を焼成する。
これにより、上記の断面形状を有する有機絶縁層ILが形成される。
【0077】図14Bは、他の構成例を示す断面図である。 図14Bに
示す構成例は、図14Aに示した構成例と比較して、有機絶縁層ILの上
方の隔壁7を省略した点で相違している。隔壁7は、開口OP1において
無機絶縁層5の上に配置されている。
【0078】図14A及び図14Bにおいて、開口OP1に配置される隔
壁7の形状は、図9及び図11に示したいずれの形状であってもよい。
【0079】図14Cは、他の構成例を示す断面図である。図14Cに示
す構成例は、図14Aに示した構成例と比較して、開口OP1における隔
壁7を省略した点で相違している。隔壁7は、有機絶縁層ILの上方にお
いて無機絶縁層5の上に配置されている。
【0080】 図15Aは、他の構成例を示す断面図である。 図15Aに
示す構成例は、図14Aに示した構成例と比較して、無機絶縁層5に開口
が存在しない点で相違している。隔壁7は、有機絶縁層ILの上方及び開
口OP1において、無機絶縁層5の上に配置されている。
【0081】図15Bは、他の構成例を示す断面図である。図15Bに示
す構成例は、図15Aに示した構成例と比較して、有機絶縁層ILの上方
の隔壁7を省略した点で相違している。隔壁7は、開口OP1において無
機絶縁層5の上に配置されている。
【0082】図15A及び図15Bにおいて、開口OP1に配置される隔
壁7の形状は、図9、図11、図12に示したいずれの形状であってもよ
い。
【0083】図15Cは、他の構成例を示す断面図である。図15Cに示
す構成例は、図15Aに示した構成例と比較して、開口OP1における隔
壁7を省略した点で相違している。隔壁7は、有機絶縁層ILの上方にお
いて無機絶縁層5の上に配置されている。
【0084】 《第2グループ》
【0085】
図16Aは、第2グループの一構成例を示す断面図である。
【0086】
図16Aに示す構成例は、図14Aに示した構成例と比較して、絶縁層
114が絶縁層12よりもパッドPDに向かって延出している点で相違し
ている。絶縁層114は、開口OP1を有している。絶縁層12は、絶縁
層114の上に配置されている。絶縁層114及び絶縁層12を有する有
機絶縁層ILの断面形状に着目すると、有機絶縁層ILは、開口OP1に
向かって厚さが低減する階段状の断面を有している。
【0087】 有機絶縁層ILの厚さT1は、絶縁層114の厚さと絶縁層
12の厚さとの総和であり、絶縁層113の上面から絶縁層12のほぼ平
坦な上面12Aまでの第3方向Zに沿った長さに相当する。
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【図12】図12は、周辺領域SAまたは余白部MPにおけるパッド領域
の他の構成例を示す平面図である。
【図13】図13は、図12のC-D線に沿った表示装置用マザー基板
100の断面図である。
【図14A】図14Aは、第1グループの一構成例を示す断面図である。
【図14B】図14Bは、他の構成例を示す断面図である。
【図14C】図14Cは、他の構成例を示す断面図である。
【図15A】図15Aは、他の構成例を示す断面図である。
【図15B】図15Bは、他の構成例を示す断面図である。
【図15C】図15Cは、他の構成例を示す断面図である。
【図16A】図16Aは、第2グループの一構成例を示す断面図である。
【図16B】図16Bは、他の構成例を示す断面図である。
【図16C】図16Cは、他の構成例を示す断面図である。
【図17A】図17Aは、他の構成例を示す断面図である。
【図17B】図17Bは、他の構成例を示す断面図である。
【図17C】図17Cは、他の構成例を示す断面図である。
【図18A】図18Aは、第3グループの一構成例を示す断面図である。
【図18B】図18Bは、他の構成例を示す断面図である。
【図18C】図18Cは、他の構成例を示す断面図である。
【図19A】図19Aは、他の構成例を示す断面図である。
【図19B】図19Bは、他の構成例を示す断面図である。
【図19C】図19Cは、他の構成例を示す断面図である。
【図20】図20は、表示装置DSPの製造方法を説明するための図である。
【図21】図21は、表示装置DSPの製造方法を説明するための図である。
【図22】図22は、表示装置DSPの製造方法を説明するための図である。
【図23】図23は、表示装置DSPの製造方法を説明するための図である。
【図24】図24は、表示装置DSPの製造方法を説明するための図である。
【図25】図25は、表示装置DSPの製造方法を説明するための図である。
【図26】図26は、図7に示したパッドPDに多層膜115が形成された
様子を説明するための断面図である。
この項つづく
●今日の言葉:国会中継も悪くない。
参議院予算会議で令和新鮮組の山本党首に能登半島地震対応の遅れを叱責
に、丁寧に答弁する新石破総理が座りながら両手を小刻みに振りながらま
るで口から泡を吹くかのように反論の動作シーンを見て、討論の勝敗は決
しているが、国会中継を見ることが少ないが私でも愉快で印象的であった。