エネルギーと環境 80

彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の井伊
軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと）と兜（かぶ
と）を合体させて生まれたキャラクタ－

【季語と短歌：12月17日】

　　　　　　　　　解明す　九億種類　実南天　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　高山　宇　（赤鬼）

【関連特許最新技術】
5.　特開2022-158973　表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、
表示装置の作製方法　株式会社半導体エネルギー研究所

【０４００】図１７（Ｂ）に示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５
が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導
電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた
開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電
層２２２ｂのうち、一方はソース電極として機能し、他方はドレイン電極
として機能する。

【０４０１】 一方、図１７（Ｃ）に示すトランジスタ２１０では、絶縁層
２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗
領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁
層２２５を加工することで、図１７（Ｃ）に示す構造を作製できる。図１７
（Ｃ）では、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設け
られ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ
がそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。
【０４０２】図１７（Ａ）において、基板１５１の、基板１５２が重なら
ない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線
１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に
接続されている。導電層１６６は、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ
と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、光学調整層１２６ａ、１２
６ｂ、１２６ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造
である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。
これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気
的に接続することができる。
【０４０３】基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設ける
ことが好ましい。遮光層１１７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１
４０、及び、回路１６４などに設けることができる。また、基板１５２の
基板１５１側の面に、色変換層１２９ａ、１２９ｂを設けてもよい。図
１７（Ａ）では、基板１５２を基準としてみたときに、色変換層１２９ａ、
１２９ｂが遮光層１１７の一部を覆うように設けられている。
【０４０４】また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することが
できる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルム
など）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１５
２の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくす
る撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収
層等を配置してもよい。
【０４０５】発光デバイスを覆う保護層１３１及び保護層１３２を設ける
ことで、発光デバイスに水などの不純物が入り込むことを抑制し、発光デ
バイスの信頼性を高めることができる。
【０４０６】基板１５１及び基板１５２には、それぞれ、ガラス、石英、
セラミック、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることが
できる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する
材料を用いる。基板１５１及び基板１５２に可撓性を有する材料を用いる
と、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板１５１または基
板１５２として偏光板を用いてもよい。
【０４０７】基板１５１及び基板１５２としては、それぞれ、ポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の
ポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミ
ド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂
、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、ア
ラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン
樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、
ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチ
レン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用い
ることができる。基板１５１及び基板１５２の一方または双方に、可撓性
を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。
【０４０８】なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する
基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が
高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。
【０４０９】光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対
値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ
以下がさらに好ましい。
【０４１０】光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロー
ス（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレ
フィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯ
Ｃ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。
【０４１１】また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水す
ることで、表示パネルにしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがあ
る。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。
例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％
以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルム
を用いることがさらに好ましい。
【０４１２】接着層１４２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、
反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着
剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル
樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、
ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹
脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。
特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型
の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
【０４１３】接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎ
ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペ
ースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓ
ｔｅ）などを用いることができる。
【０４１４】トランジスタのゲート電極、ソース電極及びドレイン電極
のほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いること
のできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、
イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングス
テンなどの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金などが挙げられる。
これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。
【０４１５】また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、
インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む
酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。ま
たは、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、
モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料、
または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金
属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属
材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透
光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を
導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金と
インジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることがで
きるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極など
の導電層、及び、発光デバイスが有する導電層（画素電極または共通電極
として機能する導電層）にも用いることができる。
【０４１６】各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、
アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリ
コン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機
絶縁材料が挙げられる。

図18
【０４１７】［表示装置１００Ｂ］
  図１８に示す表示装置１００Ｂは、ボトムエミッション型である点で、
表示装置１００Ａと主に相違する。なお、表示装置１００Ａと同様の部
分については説明を省略する。
【０４１８】 発光デバイスが発する光は、基板１５１側に射出される。
基板１５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好まし
い。一方、基板１５２に用いる材料の透光性は問わない。
【０４１９】また、表示装置１００Ｂは、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、
１１１ｃ及び光学調整層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃが可視光を透過す
る材料を含み、共通電極１１５が可視光を反射する材料を含む。ここで、
画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ及び光学調整層１２６ａ、１２６ｂ、
１２６ｃと同一の導電膜を加工して得られる、導電層１６６も可視光を透
過する材料を含む。
【０４２０】 基板１５１とトランジスタ２０１との間、基板１５１とト
ランジスタ２０５との間には、それぞれ、遮光層１１７を形成すること
が好ましい。図１８では、基板１５１上に遮光層１１７が設けられ、遮
光層１１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジス
タ２０１、２０５などが設けられている例を示す。
【０４２１】さらに、表示装置１００Ｂでは、色変換層１２９ａ、１２９
ｂが、絶縁層２１５と絶縁層２１４の間に設けられている。色変換層１２
９ａ、１２９ｂは、端部が遮光層１１７と重畳することが好ましい。
【０４２２】  本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせること
ができる。

【０４２３】（実施の形態４）
  本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１９乃至図２
４を用いて説明する。
【０４２４】  本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすること
ができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型
、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘ
ッドマウントディスプレイなどのＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ  Ｒｅａｌｉｔｙ）
向け機器、メガネ型のＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ  Ｒｅａｌｉｔｙ）向け
機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることがで
きる。【０４２５】

図19
［表示モジュール］
  図１９（Ａ）に、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュー
ル２８０は、表示装置１００Ｃと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表
示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ｃに限られず、後
述する表示装置１００Ｄ乃至表示装置１００Ｇのいずれかであってもよい。
【０４２６】表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有す
る。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、
表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画
素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。
【０４２７】  図１９（Ｂ）に、基板２９１側の構成を模式的に示した斜
視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上
の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層さ
れている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰ
Ｃ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５
と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電
気的に接続されている。
【０４２８】画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有
する。図１９（Ｂ）の右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。
画素２８４ａは、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃ
を有する。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃ並びに
その周囲の構成に関しては、先の実施の形態を参酌することができる。複
数の副画素は、図１９（Ｂ）に示すようにストライプ配列で配置すること
ができる。また、デルタ配列、または、ペンタイル配列など様々な発光デ
バイスの配列方法を適用することができる。
【０４２９】
  画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。
【０４３０】
  １つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する３つの発光デ
バイスの発光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの
発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。
例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択ト
ランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、
容量素子と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選
択トランジスタのゲート電極にはゲート信号が、ソース電極またはドレ
イン電極の一方にはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、ア
クティブマトリクス型の表示装置が実現されている。
【０４３１】回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａ
を駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線
駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、
メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。
【０４３２】ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号また
は電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０
上にＩＣが実装されていてもよい。
【０４３３】表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部
２８３及び回路部２８２の一方または双方が積層された構成とすることが
できるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くする
ことができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、
好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下
とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置すること
が可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、
表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、
より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以
上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細
度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。
【０４３４】このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であるこ
とから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、またはメガネ
型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して
表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モ
ジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで
表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことがで
きる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表
示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの
装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

図20.
【０４３５】［表示装置１００Ｃ］
  図２０に示す表示装置１００Ｃは、基板３０１、副画素１１０ａ、１１
０ｂ、１１０ｃ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。副
画素１１０ａは発光デバイス１３０ａおよび色変換層１２９ａを有し、副
画素１１０ｂは発光デバイス１３０ｂおよび色変換層１２９ｂを有し、副
画素１１０ｃは発光デバイス１３０ｃを有し、色変換層は設けない構成と
する。ただし、副画素１１０ｃにおいて発光デバイス１３０ｃと重なる色
換層を設けてもよい。
【０４３６】  基板３０１は、図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）における基
板２９１に相当する。基板３０１から絶縁層２５５ｂまでの積層構造が、
実施の形態１における層１1１に相当する。
【０４３７】  トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を
有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン
基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基
板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、
絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶
縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層
として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされ
た領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１
４は、導電層３１１の側面を覆って設けられ、絶縁層として機能する。
【０４３８】また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのト
ランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。
【０４３９】  また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けら
れ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。
【０４４０】  容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これら
の間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は容量２４０の一方
の電極として機能し、導電層２４５は容量２４０の他方の電極として機能
し、絶縁層２４３は容量２４０の誘電体として機能する。
【０４４１】  導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４
に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラ
グ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電
気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。
導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設け
られている。
【０４４２】 容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層
２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に発光デバ
イス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ等が設けられている。本実施の形態
では、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃが、図１（Ｂ）に示
す積層構造を有する例を示す。画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ
の側面は、それぞれ、絶縁層１２１によって覆われている。また、第１
の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃの側面は、
それぞれ、絶縁層１２５、１２７によって覆われている。第１の層１１３ａ、
第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、及び、絶縁層１２５、１２７上に、
第５の層１１４が設けられ、第５の層１１４上に共通電極１１５が設けら
れている。また、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ上には保護
層１３１が設けられている。保護層１３１上には保護層１３２が設けられ
ており、保護層１３２上には、色変換層１２９ａ、１２９ｂが設けられて
いる。色変換層１２９ａ、１２９ｂ上には、樹脂層１２２によって基板
１２０が貼り合わされている。発光デバイスから基板１２０までの構成要
素についての詳細は、実施の形態１を参照することができる。基板１２０
は、図１９（Ａ）における基板２９２に相当する。
【０４４３】絶縁層２５５ａ、２５５ｂとしては、それぞれ、酸化絶縁膜、
窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの各種無機絶縁膜
を好適に用いることができる。絶縁層２５５ａとしては、酸化シリコン膜、
酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜または酸化窒
化絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂとしては、窒化シリコ
ン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用い
ることが好ましい。より具体的には、絶縁層２５５ａとして酸化シリコン
膜を用い、絶縁層２５５ｂとして窒化シリコン膜を用いることが好ましい。
絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜としての機能を有することが好まし
い。
または、絶縁層２５５ａとして、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用い、
絶縁層２５５ｂとして、酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いてもよい。
本実施の形態では、絶縁層２５５ｂに凹部が設けられていない例を示すが、
絶縁層２５５ｂに凹部が設けられていてもよい。
【０４４４】
  発光デバイスの画素電極は、絶縁層２５５ａ、２５５ｂに埋め込まれた
プラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層
２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース
またはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｂの上面
の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。
プラグには各種導電材料を用いることができる。

図21.
【０４４５】  図２１に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が
異なる点で、表示装置１００Ｃと主に相違する。なお、表示装置１００Ｃ
と同様の部分については説明を省略することがある。
【０４４６】トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、
金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳト
ランジスタ）である。
【０４４７】トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導
電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を
有する。
【０４４８】  基板３３１は、図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）における基板
２９１に相当する。基板３３１から絶縁層２５５ｂまでの積層構造が、実
施の形態１における層１０１に相当する。基板３３１としては、絶縁性基
板または半導体基板を用いることができる。
【０４４９】 基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３
３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０
に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離す
ることを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸
化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリ
コン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることが好ましい。

【０４５０】  絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７
を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ
３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１の
ゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１
と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ま
しい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。
【０４５１】半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層
３２１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を
有することが好ましい。半導体層３２１に好適に用いることのできる材料
の詳細については後述する。
【０４５２】一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ
、ソース電極及びドレイン電極として機能する。
【０４５３】また、一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層
３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁
層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２
６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２
１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８
としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。
【０４５４】絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達す開
口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層
３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する
絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、
第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層とし
て機能する。
【０４５５】 導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６
４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理さ
れ、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。
【０４５６】 絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能す
る。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水
素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３
２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用い
ることができる。
【０４５７】一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４
は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるよう
に設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２
９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電
層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に
接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７
４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好まし
い。
【０４５８】  表示装置１００Ｄにおける、絶縁層２５４から基板１２０ま
での構成は、表示装置１００Ｃと同様である。

【０４５９】［表示装置１００Ｅ］
  図２２に示す表示装置１００Ｅは、基板３０１にチャネルが形成されるト
ランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含む
トランジスタ３２０とが積層された構成を有する。なお、表示装置１００
Ｃ、１００Ｄと同様の部分については説明を省略することがある。
【０４６０】  トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶
縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆っ
て絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられて
いる。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。
また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、
絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジ
スタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４
０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７
４により電気的に接続されている。
【０４６１】トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタと
して用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成
するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲー
ト線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いる
ことができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演
算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用い
ることができる。
【０４６２】このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回
路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に
駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。

【０４６３】［表示装置１００Ｆ］図２３に示す表示装置１００Ｆは、そ
れぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トラ
ンジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。
【０４６４】表示装置１００Ｆは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０お
よび各発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａ
が設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。
【０４６５】  ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５を設けることが
好ましい。また、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上に絶縁層
３４６を設けることが好ましい。絶縁層３４５、３４６は、保護層として
機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂおよび基板３０１Ａに不純物が拡散
するのを抑制することができる。絶縁層３４５、３４６としては、保護層
１３１、１３２、または図２２で示した絶縁層３３２に用いることができ
る無機絶縁膜を用いることができる。
【０４６６】  基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂおよび絶縁層３４５を貫通
するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って絶
縁層３４４を設けることが好ましい。絶縁層３４４は、保護層として機能
する絶縁層であり、基板３０１Ｂに不純物が拡散するのを抑制することが
できる。絶縁層３４４としては、保護層１３１、１３２、または図２２で
示した絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができ
る。
【０４６７】  また、基板３０１Ｂの裏面（基板１２０側とは反対側の
表面）側、絶縁層３４５の下に、導電層３４２が設けられる。導電層３４
２は、絶縁層３３５に埋め込まれるように設けられることが好ましい。ま
た、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されていることが好まし
い。ここで、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。
【０４６８】一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が
設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれるように設
けられることが好ましい。また、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平
坦化されていることが好ましい。
【０４６９】導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板
３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。ここで、導電層３４２
と絶縁層３３５で形成される面と、導電層３４１と絶縁層３３６で形成さ
れる面の平坦性を向上させておくことで、導電層３４１と導電層３４２の
貼り合わせを良好にすることができる。
【０４７０】 導電層３４１および導電層３４２としては、同じ導電材料を
用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、
Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒
化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用
いることができる。特に、導電層３４１および導電層３４２に、銅を用い
ることが好ましい。これにより、Ｃｕ－Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接
接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技
術）を適用することができる。

図23.
【０４７１】［表示装置１００Ｇ］
  図２３では、導電層３４１と導電層３４２の接合にＣｕ－Ｃｕ直接接合
技術を用いる例について示したが、本発明はこれに限られるものではない。
図２４に示すように、表示装置１００Ｇにおいて、導電層３４１と導電層
３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成にしてもよい。

図24.
【０４７２】  図２４に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間に
バンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接
続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（
Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形
成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場
がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設け
てもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、図２３で示した絶縁層３３
５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。
【０４７３】
  本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

【０４７４】（実施の形態５）  本実施の形態では、本発明の一態様の表
示装置に適用することのできるトランジスタの構成例について説明する。
特に、チャネルが形成される半導体にシリコンを含むトランジスタを用
いる場合について説明する。
【０４７５】  本発明の一態様は、発光デバイスと、画素回路と、を有す
る表示装置である。表示装置は、例えば、青色の光を呈する発光デバイ
スと、発光デバイスからの光の波長を変換する機能を有する色変換層と
を備え、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）の光を発す
る３種類の副画素を有することで、フルカラーの表示装置を実現できる。
【０４７６】発光デバイスを駆動する画素回路に含まれるトランジスタの
全てに、チャネルが形成される半導体層にシリコンを有するトランジスタ
を用いることが好ましい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シ
リコン、非晶質シリコンなどが挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシ
リコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉ
ｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう
）を用いることが好ましい。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が
高く、周波数特性が良好である。
【０４７７】ＬＴＰＳトランジスタなどのシリコンを用いたトランジスタ
を適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースド
ライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、
表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コスト
を削減することができる。
【０４７８】また、画素回路に含まれるトランジスタの少なくとも一に、
チャネルが形成される半導体に金属酸化物（以下、酸化物半導体ともいう
）を有するトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタともいう）を用いるこ
とが好ましい。ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンと比較して電界効果
移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソー
ス－ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく
、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘
って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用すること
で、表示装置の消費電力を低減することができる。
【０４７９】画素回路に含まれるトランジスタの一部に、ＬＴＰＳトラン
ジスタを用い、他の一部にＯＳトランジスタを用いることで、消費電力が
低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳ
トランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと
呼称する場合がある。なお、より好適な例としては、配線間の導通、非導
通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタなどにＯＳトラ
ンジスタを適用し、電流を制御するトランジスタなどにＬＴＰＳトランジ
スタを適用することが好ましい。
【０４８０】例えば、画素回路に設けられるトランジスタの一は、発光デ
バイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動ト
ランジスタとも呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレイ
ンの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動ト
ランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これに
より、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。
【０４８１】一方、画素回路に設けられるトランジスタの他の一は、画素
の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジス
タとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的
に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的
に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用すること
が好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐ
ｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示
する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。
【０４８２】  以下では、より具体的な構成例について、図面を参照して
説明する。


図25.
【０４８３】［表示装置の構成例２］
  図２５（Ａ）に、表示装置１０のブロック図を示す。表示装置１０は、
表示部１１、駆動回路部１２、駆動回路部１３などを有する。
【０４８４】表示部１１は、マトリクス状に配置された複数の画素３０を
有する。画素３０は、副画素２１Ｒ、副画素２１Ｇ、及び副画素２１Ｂを
有する。副画素２１Ｒ、副画素２１Ｇ、及び副画素２１Ｂは、それぞれ表
示デバイスとして機能する発光デバイスと、色変換層を有する。
【０４８５】画素３０は、配線ＧＬ、配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線
ＳＬＢと電気的に接続されている。配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線Ｓ
ＬＢは、それぞれ駆動回路部１２と電気的に接続されている。配線ＧＬは
、駆動回路部１３と電気的に接続されている。駆動回路部１２は、ソース
線駆動回路（ソースドライバともいう）として機能し、駆動回路部１３は
、ゲート線駆動回路（ゲートドライバともいう）として機能する。配線Ｇ
Ｌは、ゲート線として機能し、配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢ
は、それぞれソース線として機能する。
【０４８６】副画素２１Ｒは、青色の光を呈する発光デバイスと、青色の
光を赤色の波長の光へ変換させる色変換層を有する。副画素２１Ｇは、青
色の光を呈する発光デバイスと、青色の光を緑色の波長の光へ変換させる
色変換層を有する。副画素２１Ｂは、青色の光を呈する発光デバイスと青
色の光をより鮮やかな青色へと変換する色変換層とを有する。これにより、
表示装置１０はフルカラーの表示を行うことができる。なお、副画素２１
Ｂは色変換層を有さない構成としてもよい。または、画素３０は、他の色
の光を呈する副画素を有していてもよい。例えば画素３０は、上記３つの
副画素に加えて、白色の光を呈する副画素、または黄色の光を呈する副画
素などを有していてもよい。
【０４８７】配線ＧＬは、行方向（配線ＧＬの延伸方向）に配列する副画
素２１Ｒ、副画素２１Ｇ、及び副画素２１Ｂと電気的に接続されている。
配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢは、それぞれ、列方向（配線Ｓ
ＬＲ等の延伸方向）に配列する副画素２１Ｒ、副画素２１Ｇ、または副画
素２１Ｂ（いずれも図示しない）と電気的に接続されている。
【０４８８】〔画素回路の構成例〕
  図２５（Ｂ）に、上記副画素２１Ｒ、副画素２１Ｇ、及び副画素２１Ｂ
に適用することのできる画素２１の回路図の一例を示す。画素２１は、ト
ランジスタＭ１、トランジスタＭ２、トランジスタＭ３、容量Ｃ１、及び
発光デバイスＥＬを有する。また、画素２１には、配線ＧＬ及び配線ＳＬ
が電気的に接続される。配線ＳＬは、図２５（Ａ）で示した配線ＳＬＲ、
配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢのうちのいずれかに対応する。
【０４８９】  トランジスタＭ１は、ゲートが配線ＧＬと電気的に接続さ
れ、ソース及びドレインの一方が配線ＳＬと電気的に接続され、他方が容
量Ｃ１の一方の電極、及びトランジスタＭ２のゲートと電気的に接続され
る。トランジスタＭ２は、ソース及びドレインの一方が配線ＡＬと電気的
に接続され、ソース及びドレインの他方が発光デバイスＥＬの一方の電極、
容量Ｃ１の他方の電極、及びトランジスタＭ３のソース及びドレインの一
方と電気的に接続される。トランジスタＭ３は、ゲートが配線ＧＬと電気
的に接続され、ソース及びドレインの他方が配線ＲＬと電気的に接続され
る。発光デバイスＥＬは、他方の電極が配線ＣＬと電気的に接続される。
【０４９０】 配線ＳＬには、データ電位Ｄが与えられる。配線ＧＬには、
選択信号が与えられる。当該選択信号には、トランジスタＭ１及びトラン
ジスタＭ３を導通状態とする電位と、非導通状態とする電位が含まれる。
【０４９１】 配線ＲＬには、リセット電位が与えられる。配線ＡＬには、
アノード電位が与えられる。配線ＣＬには、カソード電位が与えられる。
画素２１において、アノード電位はカソード電位よりも高い電位とする。
また、配線ＲＬに与えられるリセット電位は、リセット電位とカソード電
位との電位差が、発光デバイスＥＬのしきい値電圧よりも小さくなるよう
な電位とすることができる。リセット電位は、カソード電位よりも高い電
位、カソード電位と同じ電位、または、カソード電位よりも低い電位とす
ることができる。
【０４９２】トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３は、スイッチとして
機能する。トランジスタＭ２は、発光デバイスＥＬに流れる電流を制御す
るためのトランジスタとして機能する。例えば、トランジスタＭ１は選択
トランジスタとして機能し、トランジスタＭ２は、駆動トランジスタとし
て機能するともいえる。
【０４９３】ここで、トランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３の全てに、
ＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。または、トランジスタ
Ｍ１及びトランジスタＭ３にＯＳトランジスタを適用し、トランジスタＭ
２にＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。
【０４９４】または、トランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３のすべてに、
ＯＳトランジスタを適用してもよい。このとき、図２５（Ａ）に示す表示
装置１０において、駆動回路部１２が有する複数のトランジスタ、及び駆
動回路部１３が有する複数のトランジスタのうち、一以上にＬＴＰＳトラ
ンジスタを適用し、他のトランジスタにＯＳトランジスタを適用する構成
とすることができる。例えば、表示部１１に設けられるトランジスタには
ＯＳトランジスタを適用し、駆動回路部１２及び駆動回路部１３に設けら
れるトランジスタにはＬＴＰＳトランジスタを適用することもできる。
【０４９５】ＯＳトランジスタとしては、チャネルが形成される半導体層
に酸化物半導体を用いたトランジスタを用いることができる。半導体層は、
例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、
ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄
、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリ
ウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウ
ムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。
特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ば
れた一種または複数種であることが好ましい。特に、ＯＳトランジスタの
半導体層として、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物（ＩＧＺ
Ｏとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び
亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウ
ム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。
【０４９６】
  シリコンよりもバンドギャップが広く、かつキャリア密度の小さい酸化
物半導体を用いたトランジスタは、極めて小さいオフ電流を実現すること
ができる。そのため、その小さいオフ電流により、トランジスタと直列に
接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能であ
る。そのため、特に容量Ｃ１に直列に接続されるトランジスタＭ１及びト
ランジスタＭ３には、それぞれ、酸化物半導体が適用されたトランジスタ
を用いることが好ましい。トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３として
酸化物半導体を有するトランジスタを適用することで、容量Ｃ１に保持さ
れる電荷が、トランジスタＭ１またはトランジスタＭ３を介してリークす
ることを防ぐことができる。また、容量Ｃ１に保持される電荷を長時間に
亘って保持できるため、画素２１のデータを書き換えることなく、静止画
を長期間に亘って表示することが可能となる。
【０４９７】なお、図２５（Ｂ）において、全てのトランジスタをｎチャ
ネル型のトランジスタとして表記しているが、ｐチャネル型のトランジス
タを用いることもできる。
【０４９８】また、画素２１が有する各トランジスタは、同一基板上に
並べて形成されることが好ましい。
【０４９９】  画素２１が有するトランジスタとして、半導体層を介して
重なる一対のゲートを有するトランジスタを適用することができる。
【０５００】  一対のゲートを有するトランジスタにおいて、一対のゲート
が互いに電気的に接続され、同じ電位が与えられる構成とすることで、ト
ランジスタのオン電流が高まること、及び飽和特性が向上するといった利
点がある。また、一対のゲートの一方に、トランジスタのしきい値電圧を
制御する電位を与えてもよい。また、一対のゲートの一方に、定電位を与え
ることで、トランジスタの電気特性の安定性を向上させることができる。
例えば、トランジスタの一方のゲートを、定電位が与えられる配線と電気
的に接続する構成としてもよいし、自身のソースまたはドレインと電気的
に接続する構成としてもよい。
【０５０１】
  図２５（Ｃ）に示す画素２１は、トランジスタＭ１及びトランジスタＭ
３に、一対のゲートを有するトランジスタを適用した場合の例である。ト
ランジスタＭ１及びトランジスタＭ３は、それぞれ一対のゲートが電気的
に接続されている。このような構成とすることで、画素２１へのデータの
書き込み期間を短縮することができる。
【０５０２】図２５（Ｄ）に示す画素２１は、トランジスタＭ１及びトラ
ンジスタＭ３に加えて、トランジスタＭ２にも、一対のゲートを有するト
ランジスタを適用した例である。トランジスタＭ２は、一対のゲートが電
気的に接続されている。トランジスタＭ２に、このようなトランジスタを
適用することで、飽和特性が向上するため、発光デバイスＥＬの発光輝度
の制御が容易となり、表示品位を高めることができる。

図26.
【０５０３】［トランジスタの構成例］
  以下では、上記表示装置に適用することのできるトランジスタの断面構
成例について説明する。
【０５０４】〔構成例１〕
  図２６（Ａ）は、トランジスタ４１０を含む断面図である。
【０５０５】トランジスタ４１０は、基板４０１上に設けられ、半導体層
に多結晶シリコンを適用したトランジスタである。例えばトランジスタ
４１０は、図２５で示した画素２１のトランジスタＭ２に対応する。すな
わち、図２６（Ａ）は、トランジスタ４１０のソース電極及びドレイン電
極の一方が、発光デバイスの導電層４３１と電気的に接続されている例で
ある。
【０５０６】トランジスタ４１０は、半導体層４１１、絶縁層４１２、導
電層４１３等を有する。半導体層４１１は、チャネル形成領域４１１ｉ及
び低抵抗領域４１１ｎを有する。半導体層４１１は、シリコンを有する。
半導体層４１１は、多結晶シリコンを有することが好ましい。絶縁層４１２
の一部は、ゲート絶縁層として機能する。導電層４１３は、ゲート電極と
して機能する。
【０５０７】なお、半導体層４１１は、半導体特性を示す金属酸化物（酸
化物半導体ともいう）を含む構成とすることもできる。このとき、トラン
ジスタ４１０は、ＯＳトランジスタと呼ぶことができる。
【０５０８】低抵抗領域４１１ｎは、不純物元素を含む領域である。例え
ばトランジスタ４１０をｎチャネル型のトランジスタとする場合には、低
抵抗領域４１１ｎにリン、ヒ素などを添加すればよい。一方、ｐチャネル
型のトランジスタとする場合には、低抵抗領域４１１ｎにホウ素、アルミ
ニウムなどを添加すればよい。また、トランジスタ４１０のしきい値電圧
を制御するため、チャネル形成領域４１１ｉに、上述した不純物が添加さ
れていてもよい。
【０５０９】基板４０１上に、絶縁層４２１が設けられている。半導体層
４１１は、絶縁層４２１上に設けられている。絶縁層４１２は、半導体層
４１１及び絶縁層４２１を覆って設けられている。導電層４１３は、絶縁
層４１２上の、半導体層４１１と重なる位置に設けられている。
【０５１０】  また、導電層４１３及び絶縁層４１２を覆って絶縁層４２２
が設けられる。絶縁層４２２上には、導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂ
が設けられる。導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、絶縁層４２２及び
絶縁層４１２に設けられた開口部において、低抵抗領域４１１ｎと電気的
に接続されている。導電層４１４ａの一部は、ソース電極及びドレイン電
極の一方として機能し、導電層４１４ｂの一部は、ソース電極及びドレイ
ン電極の他方として機能する。また、導電層４１４ａ、導電層４１４ｂ、
及び絶縁層４２２を覆って、絶縁層４２３が設けられている。
【０５１１】絶縁層４２３上には、画素電極として機能する導電層４３１
が設けられる。導電層４３１は、絶縁層４２３上に設けられ、絶縁層４２
３に設けられた開口において、導電層４１４ｂと電気的に接続されている。
ここでは省略するが、導電層４３１上には、ＥＬ層及び共通電極を積層す
ることができる。
【０５１２】〔構成例２〕図２６（Ｂ）には、一対のゲート電極を有す
トランジスタ４１０ａを示す。図２６（Ｂ）に示すトランジスタ４１０ａ
は、導電層４１５、及び絶縁層４１６を有する点で、図２６（Ａ）と主に
相違している。
【０５１３】  導電層４１５は、絶縁層４２１上に設けられている。また、
導電層４１５及び絶縁層４２１を覆って、絶縁層４１６が設けられている。
半導体層４１１は、少なくともチャネル形成領域４１１ｉが、絶縁層４１６
を介して導電層４１５と重なるように設けられている。
【０５１４】図２６（Ｂ）に示すトランジスタ４１０ａにおいて、導電層
４１３が第１のゲート電極として機能し、導電層４１５の一部が第２のゲ
ート電極として機能する。またこのとき、絶縁層４１２の一部が第１のゲ
ート絶縁層として機能し、絶縁層４１６の一部が第２のゲート絶縁層とし
て機能する。
【０５１５】ここで、第１のゲート電極と、第２のゲート電極とを電気的
に接続する場合、図示しない領域において、絶縁層４１２及び絶縁層４１
６に設けられた開口部を介して導電層４１３と導電層４１５とを電気的に
接続すればよい。また、第２のゲート電極と、ソース電極またはドレイン
電極とを電気的に接続する場合、図示しない領域において、絶縁層４２２、
絶縁層４１２、及び絶縁層４１６に設けられた開口部を介して、導電層
４１４ａまたは導電層４１４ｂと、導電層４１５とを電気的に接続すれば
よい。
【０５１６】画素２１を構成するトランジスタの全てに、ＬＴＰＳトラン
ジスタを適用する場合、図２６（Ａ）で例示したトランジスタ４１０、ま
たは図２６（Ｂ）で例示したトランジスタ４１０ａを適用することができ
る。このとき、画素２１を構成する全てのトランジスタに、トランジスタ
４１０ａを用いてもよいし、全てのトランジスタにトランジスタ４１０を
適用してもよいし、トランジスタ４１０ａと、トランジスタ４１０とを組
合わせて用いてもよい。
【０５１７】〔構成例３〕
  以下では、半導体層にシリコンが適用されたトランジスタと、半導体層
に金属酸化物が適用されたトランジスタの両方を有する構成の例について
説明する。
【０５１８】 図２６（Ｃ）に、トランジスタ４１０ａ及びトランジスタ
４５０を含む、断面概略図を示している。
【０５１９】トランジスタ４１０ａについては、上記構成例２を援用でき
る。なお、ここではトランジスタ４１０ａを用いる例を示したが、トラン
ジスタ４１０とトランジスタ４５０とを有する構成としてもよいし、トラ
ンジスタ４１０、トランジスタ４１０ａ、トランジスタ４５０の全てを有す
る構成としてもよい。
【０５２０】トランジスタ４５０は、半導体層に金属酸化物を適用したト
ランジスタである。図２６（Ｃ）に示す構成は、例えばトランジスタ４５
０が図２５で示した画素２１のトランジスタＭ１に対応し、トランジスタ
４１０ａがトランジスタＭ２に対応する例である。すなわち、図２６（Ｃ）
は、トランジスタ４１０ａのソース電極及びドレイン電極の一方が、導電
層４３１と電気的に接続されている例である。
【０５２１】  また、図２６（Ｃ）には、トランジスタ４５０が一対のゲー
ト電極を有する例を示している。
【０５２２】 トランジスタ４５０は、導電層４５５、絶縁層４２２、半
導体層４５１、絶縁層４５２、導電層４５３等を有する。導電層４５３
は、トランジスタ４５０の第１のゲート電極として機能し、導電層４５５
の一部は、トランジスタ４５０の第２のゲート電極として機能する。この
とき、絶縁層４５２の一部はトランジスタ４５０の第１のゲート絶縁層と
して機能し、絶縁層４２２の一部は、トランジスタ４５０の第２のゲート
絶縁層として機能する。
【０５２３】 導電層４５５は、絶縁層４１２上に設けられている。絶縁層
４２２は、導電層４５５を覆って設けられている。半導体層４５１は、絶
縁層４２２上に設けられている。絶縁層４５２は、半導体層４５１及び絶
縁層４２２を覆って設けられている。導電層４５３は、絶縁層４５２上に
設けられ、半導体層４５１及び導電層４５５と重なる領域を有する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　この項つづく
●今日の言葉：年末殺人も新時代