エネルギーと環境 90

彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の井伊
軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと）と兜（かぶ
と）を合体させて生まれたキャラクタ－。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

【季語と短歌：10月28日】

　　　　　　　　年移る覚悟忘れデスクワーク　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　高山　宇　（赤鬼）　　　


✳️ 5G／6G関連デバイス・材料世界市場
      2040年5G/6G関連市場，順調な普及で103.6兆円

12月27日、矢野経済研究所は，5G/6G関連デバイス・材料の世界市場を調
査し，主要デバイス別や材料別の動向，参入企業（メーカー，商社）や研
究機関の動向，将来展望などを明らかにした。

それによると，2024年の5G/6G関連デバイス・材料世界市場規模（8種計，
メーカー出荷金額ベース）は24兆838億円の見込み。デバイス・材料の内訳
をみると，トランジスタが1兆1,398億円，アンテナが2兆9,388億円，FPC
（Flexible Printed Circuits：フレキシブルプリント基板または配線板）は
1兆2,500億円，SoC（System on Chip）は18兆7,356億円，PI（ポリイミ
ド）は153億円，LCP（液晶ポリマー）は43億円の見込みだという。
なお，2024年時点ではメタサーフェス反射板とGaNウエハー（窒化ガリウ
ムウエハー​）については商用化における市場は立ち上がっていない。

​5G（第5世代移動通信システム）の普及については，5Gの商用サービス開
始時の想定と比較して，現在に至るまで非常に低調であったと言える。主
な要因としては，5Gでしか実現できない通信サービスを消費者はほとんど
必要としておらず，通信キャリア各社は通信エリア拡大やマネタイズに苦
戦し，それによりサービスの普及，多様化も進まなかったことが挙げられ
るという。2024年2月，AIと通信のシナジーによる可能性を模索するため
「AI-RANアライアンス」が設立された。参加企業および大学は，それぞれ
の技術力を活用し，下記の主要な3つのテーマに関する研究開発に取り組ん
でいる。

・AI for RAN：AIの活用により，既存のRAN（Radio Access Network：
無線アクセスネットワーク）の周波数利用効率および性能を向上させる。
・AI and RAN：AIとRANの処理を統合し，インフラの利用効率を上げる
ことで，AIを活用した新たな収益機会を創出
・AI on RAN：RANを通じて，ネットワークエッジ側にAIを展開。RAN
の運用効率を上げ，モバイルユーザー向けの新規サービスを展開​

AI-RANアライアンスにおける「AI and RAN」の取り組みの一環で，AIと
RANを同一プラットフォーム上で動作可能にする統合ソリューションが開
発されており，既に実証実験も行なわれた。​基地局に搭載される従来のR
AN専用ハードウェアは，1日の中でトラフィックが最も多いピーク時間に
合わせてコンピューティングリソースの容量を設計・構築されている。し
かし，1日の中でピーク時間は一瞬のみであり，ピークでない時間にはコン
ピューティングリソースが余る。そこで，AIとRANを同一プラットフォー
ム上で動作可能にする統合ソリューションでは，ピークでない時間に余る
コンピューティングリソースをAI向けワークロードとしてAIサービスの事
業者に譲渡することを可能とした。

コンピューティングリソースの譲渡を売却という形で行なえば，通信キャ
リア各社の収益になり，マネタイズ（収益計画）の改善につながる。そ
れにより，5G/6Gの通信インフラへの設備投資が加速することが期待され
るという。

5Gの普及については，現在に至るまで非常に低調であったと言える。しか
し，2024年11月時点で今後の5G/6Gの普及を後押しする可能性がある要素
も台頭している。例えば，TikTokをはじめとするショート動画市場の台頭
は，再生回数が増加するほどトラフィックが増加し，通信品質に悪影響を
及ぼす可能性がある。今後もショート動画市場の拡大が継続すれば，消費
者は5Gの特徴である大容量，同時多数接続などへの要求をより高まると考
えた。

また，生成AIも普及拡大し，現在AI処理性能が優れたスマートフォン向け
SoCの開発競争が激化しており，その需要はSoCの生産能力が不足するほ
どだという。AI処理性能に優れたノートPC向けSoCについても市場が立ち
上がりつつあり，これらのSoCは5Gにも対応している。現在は消費者の活
用が一部に留まる画像や動画の生成についても，活用が拡大する可能性が
ある。そうしたことが実現すれば，生成した画像や動画をダウンロードす
る，あるいはクラウドにアップロードするといった面で，消費者の通信品
質への要求も高まるとしている。

なお，6Gについては，ITU（国際電気通信連合）や3GPP（3rd Generation
Partnership Project：各国の標準化組織により構成されたプロジェクト）に
より，標準仕様や商用化のスケジュールが決まりつつある。生成AIや自動
運転といった5G/6Gのサービス拡大を後押しする可能性のある要素や，6G
の商用サービスが予定通りに開始され，その後順調に拡大するかなどの動
向次第で，将来は大きく変わる。今後，6Gの商用サービスが予定通りに開
始され，生成AIや自動運転などが順調に普及すると，5G/6Gの通信インフ
への設備投資も拡大する。そうした環境下において，2040年の5G/6G関連
デバイス・材料世界市場規模は103兆6,458億円まで拡大すると予測した。

✳️フィンランド  海底送電ケーブルの損傷  
                                                ロシアの「影の船団」の犯行?

疑い2024年12月25日、フィンランドとエストニアを結ぶ重要な海底送電ケーブ
ル「Estlink 2」で大規模な障害が発生し、送電能力が65％以上低下する事
態。これにより、設備の送電能力は1016メガワットから358メガワットま
で大幅に低下している。フィンランド当局によると、Estlink 2の破損を引
き起こしたのは、クック諸島の旗を掲げてバルト海を航行していた貨物船
「イーグルS」によって引き起こされた可能性があると。現地報道によれば、
Estlink 2が切断された時、イーグルSは影響のある海域を航行中で、しかも
切断されたタイミングで明らかに減速していたことが判明している。また、
イーグルSがEstlink 2の上を横切るほんの数分前に船の航行速度を4分の1に
減速したことがBluesky上で指摘されている。

✳️ 原発周辺に産業集積へ 40年の脱炭素国家戦略素案
26日、政府は、首相官邸でGX実行会議を開き、石破茂首相が出席。パブ
リックコメント（意見公募）を始め、24年度内の閣議決定を目指す。既存
戦略の「GX推進戦略」の改定版と位置付ける。2040年の脱炭素や産業政
策の方向性を示す国家戦略「GX（グリーントランスフォーメーション）
2040ビジョン」の素案を公表した。データセンターや半導体工場など大量
に電気を使う投資を念頭に、原発や再生可能エネルギーといった発電時に
二酸化炭素（CO2）を出さない脱炭素電源の豊富な地域へ産業の集積を推
進。税優遇や電気料金の軽減を含めて支援策を今後詰める。

✳️ スペイン発見の発見世界最古のワインと思われる液体に
　  予想外の成分が含まれていた
「古代ローマ世界におけるワインの宗教的意義を考えると、ワインは非常
に象徴的で、埋葬の儀式と密接な関係がありました。実際、ワインは通常、
水や蜂蜜のような食物とともに埋葬品の中に置かれ、死者がより良い世界
へ渡るという願いが込められた供物として使われていたと考えられていま
す。従って、今回骨壷の中で発見された赤っぽい液体は、間違いなくワイ
ンか、あるいは長い年月をかけて腐敗したワインの名残りかもしれません」
と指摘。これまでのところ、液体の状態で保存されている最古のワインと
推定されるのはドイツのシュパイヤーで発見された「シュパイヤーワイン
ボトル」で、約1700年前のものと考えられています。今回発見された液体
がワインであると認められると、世界最古のワインの記録が約300年分さ
かのぼると研究者は話す。


✳️ よくわかるわかる
     国立感染症研究所の「インフルエンザ流行レベルマップ」
2024年から2025年にかけた冬はインフルエンザが爆発的に流行しており、
12月16日～22日の週に東京都内のインフルエンザ患者数が5年ぶりに都の
警報基準を超えたことや、大阪府でも同週に警報基準に達したことなどが
報じられている。厚生労働省の国家機関である国立感染症研究所は全国約
5000の定点医療機関を受診したインフルエンザ患者数を元に、インフルエ
ンザの流行が注意報や警報レベルに達したかどうかが一目でわかる「イン
フルエンザ流行レベルマップ」を公開。

日本では2024年～25年シーズンにインフルエンザが大流行しており、各都
道府県はこまめな手洗いやマスクの着用、十分な休養などの感染予防対策
を呼びかけています。東京都では12月9日～15日の週と16日～22日の週、
2週続けて前週の2倍以上の患者数が報告されており、年末年始に人々が集
まる機会が増える中、さらなる感染拡大が懸念されている。
国立感染症研究所の感染症疫学センターでは、全国約5000の定点医療機関
を受診した患者数を元にしたインフルエンザの警報・注意報発生システム
を運用しています。警報・注意報は、定点医療機関から報告された患者数
を保健所単位で集計し、1週間あたりの患者数が一定のラインを超えたか
どうかで判断されます。記事作成時点での警報発令ラインは定点医療機関
あたり「30人」で、注意報発令ラインは「10人」となっています。また、
前の週に警報が発令されていた場合、警報の継続基準値である「10人」以
上の新規患者数が報告されると警報が継続する仕組み。

感染症疫学センターはインフルエンザの流行状況が一目でわかるように、
警報・注意報発生システムを元にした「インフルエンザ流行レベルマップ」
を毎週更新。このマップでは、各都道府県ごとに警報レベルを超えている
保健所がある場合は赤系統の3段階で、注意報レベルを超えている保健所が
あればオレンジ系統の3段階で表している。それぞれの色は、都道府県内
の保健所に占める警報・注意報を発令した保健所の割合を示している。警
報レベルを超えた保健所の割合は濃い赤色が「70～100％」、やや薄い赤
色が「30～70％」、薄い赤色が「0～30％」。注意報レベルを超えた保健
所の割合は濃いオレンジ色が「70～100％」、濃い黄色が「30～70％」、
薄い黄色が「0～30％」とのこと。

そして2024年12月27日(金)に更新された2024年第51週(12月16日～22日)
のインフルエンザ流行レベルマップが以下。全患者報告数は「21万1049」、
定点あたりの平均患者数は「42.66」となり、前週の定点あたり報告数であ
る「19.06」から2倍以上に激増した。ほぼすべての都道府県で警戒レベル
となっており、注意報レベルにとどまっているのは秋田県・山形県・富山
県のみ。
東京都で注意報あるいは警報が発令された保健所の推移を示したグラフが
これ。インフルエンザの患者数は第49週(12月2日～8日)から増え始め、第
51週で一気に過半数の保健所が警報レベルになったことがわかる。

年末年始は人の移動が増えるため、インフルエンザの感染がこれまで以上
に広がるおそれがあるほか、患者の急増に対応できるだけの薬が不足して
いることも報じられ、また、医療機関の一部は年末年始に休業するため、
休日診療所がいつも以上に混み合うことも想定される。
医師や自治体は、十分な栄養や休息を取って免疫力を高めると共に、こま
めな手洗いや手指の消毒、人の多い場所でのマスクの着用といった感染予
防対策を徹底するように呼びかけている。

✳️「OpenAIが15兆円の利益出すAIを開発したら汎用人工知
　　能(AGI)達成」でMicrosoftとOpenAIは合意している！？

人間ができるありとあらゆる知的タスクをこなせる「汎用人工知能(AGI)」
はAI開発の最終目標とされていて、OpenAIやGoogle、Metaなどが開発に
取り組んでいます。実際のところ、汎用人工知能の実現にどれぐらい近づ
いているのかは専門家によっても見解が分かれるが、MicrosoftとOpenAI
はAGIを性能ではなく財務的な指標で定義、「OpenAIが少なくとも1000億
ドル(約15兆円)の利益を出すAIを開発できたら汎用人工知能の開発を達成
したものとする」という内容で合意していることがわかった。



✳️　ふりかけをかけたら「豚骨系」から「魚介系」に味変
調理直後は豚骨強めの関西風、半分食べたらふりかけをかけて魚介強めの
関東風に味変するという一風変わったカップラーメン「超大盛りスーパー
カップ2.0倍 豚骨醤油ラーメン 関西風から関東風」が、2024年12月16日に
エースコックから登場。コンビニで見かけて気になったので実際に食べて
どのように味変するのか確かめてている。香りが一気に魚介風へとチェンジ
し、スープも「だし」の味がしっかり利いたシャキッとした味わいに変化。
かなり露骨に味が切り替わるので人によっては「前の方が良かった」とな
る。とはいえ関西風も関東風もどちらも甲乙つけがたく、1食で2種類の風
味を楽しめるのはお得感があります。麺の量も多くて満足度が高い品という。
🪄兎も角、実職してみるが、革命的なものではない？！」


Nematodes collected in the Chernobyl Exclusion Zone. (Sophia Tintori)

✳️ チェルノブイリの線虫は放射線の影響を受けず
DNAダメージに対する感受性が異なる線虫系統の存在は、がん研究にとっ
て重要意味を持つ可能性があります。なぜ特定の個体が他よりもDNAダメ
ージに耐性があるのか、あるいは感受性が高いのかを理解することで、人
間のがんへの感受性の違いを理解する手がかりになるかもしれない。研究
チームは、この研究が単なる生態学的な観察を超えて、医療応用の可能性
を持つことを強調。DNAの修復メカニズムの理解は、がん治療や放射線防
護など、様々な医療分野での応用が期待されている。
【掲載論文】
タイトル：Environmental radiation exposure at Chornobyl has not system－
atically affected the genomes or chemical mutagen tolerance phenotypes
of local worms

✳️　地中マントルで生成された「金」が地表に現れるプロセス

アクセサリーや電子部品としても用いられる金は、地球上ではマントルで
生成されると考えられている。地下深くで生成された金がどのようにして
地表に金鉱床として現れるのかについて、ミシガン大学の研究チームが調
査。基本的に金はマントル内で不活性で、そこにとどまる傾向があるもの
の、三硫黄イオンと結合して金-三硫黄錯体を形成すると移動性が高まるこ
とが判明。金-三硫黄錯体はマントルからマグマに移って地球の表面に運ば
れ、冷え固まって最終的に金鉱床になることがわかつた。


これは、ニュージーランドやインドネシア、フィリピン、日本、ロシア、
アラスカなど、太平洋を囲むこれらの国や地域には数多くの活火山が存在
している。これらの活火山はすべて、沈み込み帯の環境上で形成されてお
り、こうした活火山が噴火するプロセスと、金鉱床が形成されるプロセス
はほぼ同じ。
【掲載論文】
・Title:Mantle oxidation by sulfur drives the formation of giant gold
　deposits in subduction zones
・December 19, 2024121 (52) e2404731121
　https://doi.org/10.1073/pnas.2404731121

    今日の楽曲　　『Mrs. GREEN APPLE：ビターバカンス』

Mrs. GREEN APPLEの新曲「ビターバカンス」は、12月20日(金)に公開さ
れる映画『聖☆おにいさん THE MOVIE～ホーリーメンVS悪魔軍団～』の
主題歌として書き下ろされた楽曲。



　　　　　　　　　　　　　『"ダーリン" - Mrs. GREEN APPLE 【18祭】』

11月17日、特集番組Mrs. GREEN APPLE 18祭の収録があった。全国から集
まった1000人の18歳世代とMrs. GREEN APPLEの一度限りの夢のパフォー
マンス。18祭はこれまで様々なアーティストが参加し今回で8回目を迎える。

姪っ子（Niece）揃って家族写真　2024/12/26

突然が甥っ子から、月曜日に我が家を訪れるとＬＩＮＥが入る。生後八カ
月の姪っ子との初対面（こんにちわ）。「ラ・コリーナ」に立ち寄り帰宅。
元気を頂いた（有難う）。写真も即日に送られてきて、スマート・フォー
ンの普及力に感心する（流石）。

●　今日の言葉：信頼喪失⑦

　　　　　春が来ても、鳥たちは姿を消し、鳴き声も聞こえない。
　　　　　　      　　　　　　 春だというのに自然は沈黙している

エネルギーと環境 80

彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の井伊
軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと）と兜（かぶ
と）を合体させて生まれたキャラクタ－

【季語と短歌：12月17日】

　　　　　　　　　解明す　九億種類　実南天　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　高山　宇　（赤鬼）

【関連特許最新技術】
5.　特開2022-158973　表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、
表示装置の作製方法　株式会社半導体エネルギー研究所

【０４００】図１７（Ｂ）に示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５
が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導
電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた
開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電
層２２２ｂのうち、一方はソース電極として機能し、他方はドレイン電極
として機能する。

【０４０１】 一方、図１７（Ｃ）に示すトランジスタ２１０では、絶縁層
２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗
領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁
層２２５を加工することで、図１７（Ｃ）に示す構造を作製できる。図１７
（Ｃ）では、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設け
られ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ
がそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。
【０４０２】図１７（Ａ）において、基板１５１の、基板１５２が重なら
ない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線
１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に
接続されている。導電層１６６は、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ
と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、光学調整層１２６ａ、１２
６ｂ、１２６ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造
である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。
これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気
的に接続することができる。
【０４０３】基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設ける
ことが好ましい。遮光層１１７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１
４０、及び、回路１６４などに設けることができる。また、基板１５２の
基板１５１側の面に、色変換層１２９ａ、１２９ｂを設けてもよい。図
１７（Ａ）では、基板１５２を基準としてみたときに、色変換層１２９ａ、
１２９ｂが遮光層１１７の一部を覆うように設けられている。
【０４０４】また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することが
できる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルム
など）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１５
２の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくす
る撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収
層等を配置してもよい。
【０４０５】発光デバイスを覆う保護層１３１及び保護層１３２を設ける
ことで、発光デバイスに水などの不純物が入り込むことを抑制し、発光デ
バイスの信頼性を高めることができる。
【０４０６】基板１５１及び基板１５２には、それぞれ、ガラス、石英、
セラミック、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることが
できる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する
材料を用いる。基板１５１及び基板１５２に可撓性を有する材料を用いる
と、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板１５１または基
板１５２として偏光板を用いてもよい。
【０４０７】基板１５１及び基板１５２としては、それぞれ、ポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の
ポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミ
ド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂
、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、ア
ラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン
樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、
ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチ
レン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用い
ることができる。基板１５１及び基板１５２の一方または双方に、可撓性
を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。
【０４０８】なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する
基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が
高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。
【０４０９】光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対
値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ
以下がさらに好ましい。
【０４１０】光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロー
ス（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレ
フィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯ
Ｃ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。
【０４１１】また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水す
ることで、表示パネルにしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがあ
る。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。
例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％
以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルム
を用いることがさらに好ましい。
【０４１２】接着層１４２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、
反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着
剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル
樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、
ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹
脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。
特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型
の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
【０４１３】接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎ
ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペ
ースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓ
ｔｅ）などを用いることができる。
【０４１４】トランジスタのゲート電極、ソース電極及びドレイン電極
のほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いること
のできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、
イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングス
テンなどの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金などが挙げられる。
これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。
【０４１５】また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、
インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む
酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。ま
たは、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、
モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料、
または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金
属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属
材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透
光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を
導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金と
インジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることがで
きるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極など
の導電層、及び、発光デバイスが有する導電層（画素電極または共通電極
として機能する導電層）にも用いることができる。
【０４１６】各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、
アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリ
コン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機
絶縁材料が挙げられる。

図18
【０４１７】［表示装置１００Ｂ］
  図１８に示す表示装置１００Ｂは、ボトムエミッション型である点で、
表示装置１００Ａと主に相違する。なお、表示装置１００Ａと同様の部
分については説明を省略する。
【０４１８】 発光デバイスが発する光は、基板１５１側に射出される。
基板１５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好まし
い。一方、基板１５２に用いる材料の透光性は問わない。
【０４１９】また、表示装置１００Ｂは、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、
１１１ｃ及び光学調整層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃが可視光を透過す
る材料を含み、共通電極１１５が可視光を反射する材料を含む。ここで、
画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ及び光学調整層１２６ａ、１２６ｂ、
１２６ｃと同一の導電膜を加工して得られる、導電層１６６も可視光を透
過する材料を含む。
【０４２０】 基板１５１とトランジスタ２０１との間、基板１５１とト
ランジスタ２０５との間には、それぞれ、遮光層１１７を形成すること
が好ましい。図１８では、基板１５１上に遮光層１１７が設けられ、遮
光層１１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジス
タ２０１、２０５などが設けられている例を示す。
【０４２１】さらに、表示装置１００Ｂでは、色変換層１２９ａ、１２９
ｂが、絶縁層２１５と絶縁層２１４の間に設けられている。色変換層１２
９ａ、１２９ｂは、端部が遮光層１１７と重畳することが好ましい。
【０４２２】  本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせること
ができる。

【０４２３】（実施の形態４）
  本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１９乃至図２
４を用いて説明する。
【０４２４】  本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすること
ができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型
、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘ
ッドマウントディスプレイなどのＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ  Ｒｅａｌｉｔｙ）
向け機器、メガネ型のＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ  Ｒｅａｌｉｔｙ）向け
機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることがで
きる。【０４２５】

図19
［表示モジュール］
  図１９（Ａ）に、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュー
ル２８０は、表示装置１００Ｃと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表
示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ｃに限られず、後
述する表示装置１００Ｄ乃至表示装置１００Ｇのいずれかであってもよい。
【０４２６】表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有す
る。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、
表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画
素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。
【０４２７】  図１９（Ｂ）に、基板２９１側の構成を模式的に示した斜
視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上
の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層さ
れている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰ
Ｃ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５
と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電
気的に接続されている。
【０４２８】画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有
する。図１９（Ｂ）の右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。
画素２８４ａは、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃ
を有する。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃ並びに
その周囲の構成に関しては、先の実施の形態を参酌することができる。複
数の副画素は、図１９（Ｂ）に示すようにストライプ配列で配置すること
ができる。また、デルタ配列、または、ペンタイル配列など様々な発光デ
バイスの配列方法を適用することができる。
【０４２９】
  画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。
【０４３０】
  １つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する３つの発光デ
バイスの発光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの
発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。
例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択ト
ランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、
容量素子と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選
択トランジスタのゲート電極にはゲート信号が、ソース電極またはドレ
イン電極の一方にはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、ア
クティブマトリクス型の表示装置が実現されている。
【０４３１】回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａ
を駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線
駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、
メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。
【０４３２】ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号また
は電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０
上にＩＣが実装されていてもよい。
【０４３３】表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部
２８３及び回路部２８２の一方または双方が積層された構成とすることが
できるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くする
ことができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、
好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下
とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置すること
が可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、
表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、
より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以
上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細
度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。
【０４３４】このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であるこ
とから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、またはメガネ
型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して
表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モ
ジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで
表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことがで
きる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表
示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの
装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

図20.
【０４３５】［表示装置１００Ｃ］
  図２０に示す表示装置１００Ｃは、基板３０１、副画素１１０ａ、１１
０ｂ、１１０ｃ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。副
画素１１０ａは発光デバイス１３０ａおよび色変換層１２９ａを有し、副
画素１１０ｂは発光デバイス１３０ｂおよび色変換層１２９ｂを有し、副
画素１１０ｃは発光デバイス１３０ｃを有し、色変換層は設けない構成と
する。ただし、副画素１１０ｃにおいて発光デバイス１３０ｃと重なる色
換層を設けてもよい。
【０４３６】  基板３０１は、図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）における基
板２９１に相当する。基板３０１から絶縁層２５５ｂまでの積層構造が、
実施の形態１における層１1１に相当する。
【０４３７】  トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を
有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン
基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基
板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、
絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶
縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層
として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされ
た領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１
４は、導電層３１１の側面を覆って設けられ、絶縁層として機能する。
【０４３８】また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのト
ランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。
【０４３９】  また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けら
れ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。
【０４４０】  容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これら
の間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は容量２４０の一方
の電極として機能し、導電層２４５は容量２４０の他方の電極として機能
し、絶縁層２４３は容量２４０の誘電体として機能する。
【０４４１】  導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４
に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラ
グ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電
気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。
導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設け
られている。
【０４４２】 容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層
２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に発光デバ
イス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ等が設けられている。本実施の形態
では、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃが、図１（Ｂ）に示
す積層構造を有する例を示す。画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ
の側面は、それぞれ、絶縁層１２１によって覆われている。また、第１
の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃの側面は、
それぞれ、絶縁層１２５、１２７によって覆われている。第１の層１１３ａ、
第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、及び、絶縁層１２５、１２７上に、
第５の層１１４が設けられ、第５の層１１４上に共通電極１１５が設けら
れている。また、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ上には保護
層１３１が設けられている。保護層１３１上には保護層１３２が設けられ
ており、保護層１３２上には、色変換層１２９ａ、１２９ｂが設けられて
いる。色変換層１２９ａ、１２９ｂ上には、樹脂層１２２によって基板
１２０が貼り合わされている。発光デバイスから基板１２０までの構成要
素についての詳細は、実施の形態１を参照することができる。基板１２０
は、図１９（Ａ）における基板２９２に相当する。
【０４４３】絶縁層２５５ａ、２５５ｂとしては、それぞれ、酸化絶縁膜、
窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの各種無機絶縁膜
を好適に用いることができる。絶縁層２５５ａとしては、酸化シリコン膜、
酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜または酸化窒
化絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂとしては、窒化シリコ
ン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用い
ることが好ましい。より具体的には、絶縁層２５５ａとして酸化シリコン
膜を用い、絶縁層２５５ｂとして窒化シリコン膜を用いることが好ましい。
絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜としての機能を有することが好まし
い。
または、絶縁層２５５ａとして、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用い、
絶縁層２５５ｂとして、酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いてもよい。
本実施の形態では、絶縁層２５５ｂに凹部が設けられていない例を示すが、
絶縁層２５５ｂに凹部が設けられていてもよい。
【０４４４】
  発光デバイスの画素電極は、絶縁層２５５ａ、２５５ｂに埋め込まれた
プラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層
２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース
またはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｂの上面
の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。
プラグには各種導電材料を用いることができる。

図21.
【０４４５】  図２１に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が
異なる点で、表示装置１００Ｃと主に相違する。なお、表示装置１００Ｃ
と同様の部分については説明を省略することがある。
【０４４６】トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、
金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳト
ランジスタ）である。
【０４４７】トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導
電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を
有する。
【０４４８】  基板３３１は、図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）における基板
２９１に相当する。基板３３１から絶縁層２５５ｂまでの積層構造が、実
施の形態１における層１０１に相当する。基板３３１としては、絶縁性基
板または半導体基板を用いることができる。
【０４４９】 基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３
３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０
に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離す
ることを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸
化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリ
コン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることが好ましい。

【０４５０】  絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７
を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ
３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１の
ゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１
と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ま
しい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。
【０４５１】半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層
３２１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を
有することが好ましい。半導体層３２１に好適に用いることのできる材料
の詳細については後述する。
【０４５２】一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ
、ソース電極及びドレイン電極として機能する。
【０４５３】また、一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層
３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁
層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２
６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２
１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８
としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。
【０４５４】絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達す開
口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層
３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する
絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、
第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層とし
て機能する。
【０４５５】 導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６
４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理さ
れ、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。
【０４５６】 絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能す
る。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水
素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３
２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用い
ることができる。
【０４５７】一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４
は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるよう
に設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２
９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電
層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に
接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７
４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好まし
い。
【０４５８】  表示装置１００Ｄにおける、絶縁層２５４から基板１２０ま
での構成は、表示装置１００Ｃと同様である。

【０４５９】［表示装置１００Ｅ］
  図２２に示す表示装置１００Ｅは、基板３０１にチャネルが形成されるト
ランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含む
トランジスタ３２０とが積層された構成を有する。なお、表示装置１００
Ｃ、１００Ｄと同様の部分については説明を省略することがある。
【０４６０】  トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶
縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆っ
て絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられて
いる。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。
また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、
絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジ
スタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４
０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７
４により電気的に接続されている。
【０４６１】トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタと
して用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成
するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲー
ト線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いる
ことができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演
算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用い
ることができる。
【０４６２】このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回
路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に
駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。

【０４６３】［表示装置１００Ｆ］図２３に示す表示装置１００Ｆは、そ
れぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トラ
ンジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。
【０４６４】表示装置１００Ｆは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０お
よび各発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａ
が設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。
【０４６５】  ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５を設けることが
好ましい。また、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上に絶縁層
３４６を設けることが好ましい。絶縁層３４５、３４６は、保護層として
機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂおよび基板３０１Ａに不純物が拡散
するのを抑制することができる。絶縁層３４５、３４６としては、保護層
１３１、１３２、または図２２で示した絶縁層３３２に用いることができ
る無機絶縁膜を用いることができる。
【０４６６】  基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂおよび絶縁層３４５を貫通
するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って絶
縁層３４４を設けることが好ましい。絶縁層３４４は、保護層として機能
する絶縁層であり、基板３０１Ｂに不純物が拡散するのを抑制することが
できる。絶縁層３４４としては、保護層１３１、１３２、または図２２で
示した絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができ
る。
【０４６７】  また、基板３０１Ｂの裏面（基板１２０側とは反対側の
表面）側、絶縁層３４５の下に、導電層３４２が設けられる。導電層３４
２は、絶縁層３３５に埋め込まれるように設けられることが好ましい。ま
た、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されていることが好まし
い。ここで、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。
【０４６８】一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が
設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれるように設
けられることが好ましい。また、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平
坦化されていることが好ましい。
【０４６９】導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板
３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。ここで、導電層３４２
と絶縁層３３５で形成される面と、導電層３４１と絶縁層３３６で形成さ
れる面の平坦性を向上させておくことで、導電層３４１と導電層３４２の
貼り合わせを良好にすることができる。
【０４７０】 導電層３４１および導電層３４２としては、同じ導電材料を
用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、
Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒
化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用
いることができる。特に、導電層３４１および導電層３４２に、銅を用い
ることが好ましい。これにより、Ｃｕ－Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接
接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技
術）を適用することができる。

図23.
【０４７１】［表示装置１００Ｇ］
  図２３では、導電層３４１と導電層３４２の接合にＣｕ－Ｃｕ直接接合
技術を用いる例について示したが、本発明はこれに限られるものではない。
図２４に示すように、表示装置１００Ｇにおいて、導電層３４１と導電層
３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成にしてもよい。

図24.
【０４７２】  図２４に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間に
バンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接
続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（
Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形
成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場
がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設け
てもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、図２３で示した絶縁層３３
５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。
【０４７３】
  本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

【０４７４】（実施の形態５）  本実施の形態では、本発明の一態様の表
示装置に適用することのできるトランジスタの構成例について説明する。
特に、チャネルが形成される半導体にシリコンを含むトランジスタを用
いる場合について説明する。
【０４７５】  本発明の一態様は、発光デバイスと、画素回路と、を有す
る表示装置である。表示装置は、例えば、青色の光を呈する発光デバイ
スと、発光デバイスからの光の波長を変換する機能を有する色変換層と
を備え、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）の光を発す
る３種類の副画素を有することで、フルカラーの表示装置を実現できる。
【０４７６】発光デバイスを駆動する画素回路に含まれるトランジスタの
全てに、チャネルが形成される半導体層にシリコンを有するトランジスタ
を用いることが好ましい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シ
リコン、非晶質シリコンなどが挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシ
リコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉ
ｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう
）を用いることが好ましい。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が
高く、周波数特性が良好である。
【０４７７】ＬＴＰＳトランジスタなどのシリコンを用いたトランジスタ
を適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースド
ライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、
表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コスト
を削減することができる。
【０４７８】また、画素回路に含まれるトランジスタの少なくとも一に、
チャネルが形成される半導体に金属酸化物（以下、酸化物半導体ともいう
）を有するトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタともいう）を用いるこ
とが好ましい。ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンと比較して電界効果
移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソー
ス－ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく
、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘
って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用すること
で、表示装置の消費電力を低減することができる。
【０４７９】画素回路に含まれるトランジスタの一部に、ＬＴＰＳトラン
ジスタを用い、他の一部にＯＳトランジスタを用いることで、消費電力が
低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳ
トランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと
呼称する場合がある。なお、より好適な例としては、配線間の導通、非導
通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタなどにＯＳトラ
ンジスタを適用し、電流を制御するトランジスタなどにＬＴＰＳトランジ
スタを適用することが好ましい。
【０４８０】例えば、画素回路に設けられるトランジスタの一は、発光デ
バイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動ト
ランジスタとも呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレイ
ンの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動ト
ランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これに
より、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。
【０４８１】一方、画素回路に設けられるトランジスタの他の一は、画素
の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジス
タとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的
に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的
に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用すること
が好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐ
ｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示
する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。
【０４８２】  以下では、より具体的な構成例について、図面を参照して
説明する。


図25.
【０４８３】［表示装置の構成例２］
  図２５（Ａ）に、表示装置１０のブロック図を示す。表示装置１０は、
表示部１１、駆動回路部１２、駆動回路部１３などを有する。
【０４８４】表示部１１は、マトリクス状に配置された複数の画素３０を
有する。画素３０は、副画素２１Ｒ、副画素２１Ｇ、及び副画素２１Ｂを
有する。副画素２１Ｒ、副画素２１Ｇ、及び副画素２１Ｂは、それぞれ表
示デバイスとして機能する発光デバイスと、色変換層を有する。
【０４８５】画素３０は、配線ＧＬ、配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線
ＳＬＢと電気的に接続されている。配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線Ｓ
ＬＢは、それぞれ駆動回路部１２と電気的に接続されている。配線ＧＬは
、駆動回路部１３と電気的に接続されている。駆動回路部１２は、ソース
線駆動回路（ソースドライバともいう）として機能し、駆動回路部１３は
、ゲート線駆動回路（ゲートドライバともいう）として機能する。配線Ｇ
Ｌは、ゲート線として機能し、配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢ
は、それぞれソース線として機能する。
【０４８６】副画素２１Ｒは、青色の光を呈する発光デバイスと、青色の
光を赤色の波長の光へ変換させる色変換層を有する。副画素２１Ｇは、青
色の光を呈する発光デバイスと、青色の光を緑色の波長の光へ変換させる
色変換層を有する。副画素２１Ｂは、青色の光を呈する発光デバイスと青
色の光をより鮮やかな青色へと変換する色変換層とを有する。これにより、
表示装置１０はフルカラーの表示を行うことができる。なお、副画素２１
Ｂは色変換層を有さない構成としてもよい。または、画素３０は、他の色
の光を呈する副画素を有していてもよい。例えば画素３０は、上記３つの
副画素に加えて、白色の光を呈する副画素、または黄色の光を呈する副画
素などを有していてもよい。
【０４８７】配線ＧＬは、行方向（配線ＧＬの延伸方向）に配列する副画
素２１Ｒ、副画素２１Ｇ、及び副画素２１Ｂと電気的に接続されている。
配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢは、それぞれ、列方向（配線Ｓ
ＬＲ等の延伸方向）に配列する副画素２１Ｒ、副画素２１Ｇ、または副画
素２１Ｂ（いずれも図示しない）と電気的に接続されている。
【０４８８】〔画素回路の構成例〕
  図２５（Ｂ）に、上記副画素２１Ｒ、副画素２１Ｇ、及び副画素２１Ｂ
に適用することのできる画素２１の回路図の一例を示す。画素２１は、ト
ランジスタＭ１、トランジスタＭ２、トランジスタＭ３、容量Ｃ１、及び
発光デバイスＥＬを有する。また、画素２１には、配線ＧＬ及び配線ＳＬ
が電気的に接続される。配線ＳＬは、図２５（Ａ）で示した配線ＳＬＲ、
配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢのうちのいずれかに対応する。
【０４８９】  トランジスタＭ１は、ゲートが配線ＧＬと電気的に接続さ
れ、ソース及びドレインの一方が配線ＳＬと電気的に接続され、他方が容
量Ｃ１の一方の電極、及びトランジスタＭ２のゲートと電気的に接続され
る。トランジスタＭ２は、ソース及びドレインの一方が配線ＡＬと電気的
に接続され、ソース及びドレインの他方が発光デバイスＥＬの一方の電極、
容量Ｃ１の他方の電極、及びトランジスタＭ３のソース及びドレインの一
方と電気的に接続される。トランジスタＭ３は、ゲートが配線ＧＬと電気
的に接続され、ソース及びドレインの他方が配線ＲＬと電気的に接続され
る。発光デバイスＥＬは、他方の電極が配線ＣＬと電気的に接続される。
【０４９０】 配線ＳＬには、データ電位Ｄが与えられる。配線ＧＬには、
選択信号が与えられる。当該選択信号には、トランジスタＭ１及びトラン
ジスタＭ３を導通状態とする電位と、非導通状態とする電位が含まれる。
【０４９１】 配線ＲＬには、リセット電位が与えられる。配線ＡＬには、
アノード電位が与えられる。配線ＣＬには、カソード電位が与えられる。
画素２１において、アノード電位はカソード電位よりも高い電位とする。
また、配線ＲＬに与えられるリセット電位は、リセット電位とカソード電
位との電位差が、発光デバイスＥＬのしきい値電圧よりも小さくなるよう
な電位とすることができる。リセット電位は、カソード電位よりも高い電
位、カソード電位と同じ電位、または、カソード電位よりも低い電位とす
ることができる。
【０４９２】トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３は、スイッチとして
機能する。トランジスタＭ２は、発光デバイスＥＬに流れる電流を制御す
るためのトランジスタとして機能する。例えば、トランジスタＭ１は選択
トランジスタとして機能し、トランジスタＭ２は、駆動トランジスタとし
て機能するともいえる。
【０４９３】ここで、トランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３の全てに、
ＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。または、トランジスタ
Ｍ１及びトランジスタＭ３にＯＳトランジスタを適用し、トランジスタＭ
２にＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。
【０４９４】または、トランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３のすべてに、
ＯＳトランジスタを適用してもよい。このとき、図２５（Ａ）に示す表示
装置１０において、駆動回路部１２が有する複数のトランジスタ、及び駆
動回路部１３が有する複数のトランジスタのうち、一以上にＬＴＰＳトラ
ンジスタを適用し、他のトランジスタにＯＳトランジスタを適用する構成
とすることができる。例えば、表示部１１に設けられるトランジスタには
ＯＳトランジスタを適用し、駆動回路部１２及び駆動回路部１３に設けら
れるトランジスタにはＬＴＰＳトランジスタを適用することもできる。
【０４９５】ＯＳトランジスタとしては、チャネルが形成される半導体層
に酸化物半導体を用いたトランジスタを用いることができる。半導体層は、
例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、
ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄
、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリ
ウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウ
ムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。
特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ば
れた一種または複数種であることが好ましい。特に、ＯＳトランジスタの
半導体層として、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物（ＩＧＺ
Ｏとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び
亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウ
ム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。
【０４９６】
  シリコンよりもバンドギャップが広く、かつキャリア密度の小さい酸化
物半導体を用いたトランジスタは、極めて小さいオフ電流を実現すること
ができる。そのため、その小さいオフ電流により、トランジスタと直列に
接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能であ
る。そのため、特に容量Ｃ１に直列に接続されるトランジスタＭ１及びト
ランジスタＭ３には、それぞれ、酸化物半導体が適用されたトランジスタ
を用いることが好ましい。トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３として
酸化物半導体を有するトランジスタを適用することで、容量Ｃ１に保持さ
れる電荷が、トランジスタＭ１またはトランジスタＭ３を介してリークす
ることを防ぐことができる。また、容量Ｃ１に保持される電荷を長時間に
亘って保持できるため、画素２１のデータを書き換えることなく、静止画
を長期間に亘って表示することが可能となる。
【０４９７】なお、図２５（Ｂ）において、全てのトランジスタをｎチャ
ネル型のトランジスタとして表記しているが、ｐチャネル型のトランジス
タを用いることもできる。
【０４９８】また、画素２１が有する各トランジスタは、同一基板上に
並べて形成されることが好ましい。
【０４９９】  画素２１が有するトランジスタとして、半導体層を介して
重なる一対のゲートを有するトランジスタを適用することができる。
【０５００】  一対のゲートを有するトランジスタにおいて、一対のゲート
が互いに電気的に接続され、同じ電位が与えられる構成とすることで、ト
ランジスタのオン電流が高まること、及び飽和特性が向上するといった利
点がある。また、一対のゲートの一方に、トランジスタのしきい値電圧を
制御する電位を与えてもよい。また、一対のゲートの一方に、定電位を与え
ることで、トランジスタの電気特性の安定性を向上させることができる。
例えば、トランジスタの一方のゲートを、定電位が与えられる配線と電気
的に接続する構成としてもよいし、自身のソースまたはドレインと電気的
に接続する構成としてもよい。
【０５０１】
  図２５（Ｃ）に示す画素２１は、トランジスタＭ１及びトランジスタＭ
３に、一対のゲートを有するトランジスタを適用した場合の例である。ト
ランジスタＭ１及びトランジスタＭ３は、それぞれ一対のゲートが電気的
に接続されている。このような構成とすることで、画素２１へのデータの
書き込み期間を短縮することができる。
【０５０２】図２５（Ｄ）に示す画素２１は、トランジスタＭ１及びトラ
ンジスタＭ３に加えて、トランジスタＭ２にも、一対のゲートを有するト
ランジスタを適用した例である。トランジスタＭ２は、一対のゲートが電
気的に接続されている。トランジスタＭ２に、このようなトランジスタを
適用することで、飽和特性が向上するため、発光デバイスＥＬの発光輝度
の制御が容易となり、表示品位を高めることができる。

図26.
【０５０３】［トランジスタの構成例］
  以下では、上記表示装置に適用することのできるトランジスタの断面構
成例について説明する。
【０５０４】〔構成例１〕
  図２６（Ａ）は、トランジスタ４１０を含む断面図である。
【０５０５】トランジスタ４１０は、基板４０１上に設けられ、半導体層
に多結晶シリコンを適用したトランジスタである。例えばトランジスタ
４１０は、図２５で示した画素２１のトランジスタＭ２に対応する。すな
わち、図２６（Ａ）は、トランジスタ４１０のソース電極及びドレイン電
極の一方が、発光デバイスの導電層４３１と電気的に接続されている例で
ある。
【０５０６】トランジスタ４１０は、半導体層４１１、絶縁層４１２、導
電層４１３等を有する。半導体層４１１は、チャネル形成領域４１１ｉ及
び低抵抗領域４１１ｎを有する。半導体層４１１は、シリコンを有する。
半導体層４１１は、多結晶シリコンを有することが好ましい。絶縁層４１２
の一部は、ゲート絶縁層として機能する。導電層４１３は、ゲート電極と
して機能する。
【０５０７】なお、半導体層４１１は、半導体特性を示す金属酸化物（酸
化物半導体ともいう）を含む構成とすることもできる。このとき、トラン
ジスタ４１０は、ＯＳトランジスタと呼ぶことができる。
【０５０８】低抵抗領域４１１ｎは、不純物元素を含む領域である。例え
ばトランジスタ４１０をｎチャネル型のトランジスタとする場合には、低
抵抗領域４１１ｎにリン、ヒ素などを添加すればよい。一方、ｐチャネル
型のトランジスタとする場合には、低抵抗領域４１１ｎにホウ素、アルミ
ニウムなどを添加すればよい。また、トランジスタ４１０のしきい値電圧
を制御するため、チャネル形成領域４１１ｉに、上述した不純物が添加さ
れていてもよい。
【０５０９】基板４０１上に、絶縁層４２１が設けられている。半導体層
４１１は、絶縁層４２１上に設けられている。絶縁層４１２は、半導体層
４１１及び絶縁層４２１を覆って設けられている。導電層４１３は、絶縁
層４１２上の、半導体層４１１と重なる位置に設けられている。
【０５１０】  また、導電層４１３及び絶縁層４１２を覆って絶縁層４２２
が設けられる。絶縁層４２２上には、導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂ
が設けられる。導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、絶縁層４２２及び
絶縁層４１２に設けられた開口部において、低抵抗領域４１１ｎと電気的
に接続されている。導電層４１４ａの一部は、ソース電極及びドレイン電
極の一方として機能し、導電層４１４ｂの一部は、ソース電極及びドレイ
ン電極の他方として機能する。また、導電層４１４ａ、導電層４１４ｂ、
及び絶縁層４２２を覆って、絶縁層４２３が設けられている。
【０５１１】絶縁層４２３上には、画素電極として機能する導電層４３１
が設けられる。導電層４３１は、絶縁層４２３上に設けられ、絶縁層４２
３に設けられた開口において、導電層４１４ｂと電気的に接続されている。
ここでは省略するが、導電層４３１上には、ＥＬ層及び共通電極を積層す
ることができる。
【０５１２】〔構成例２〕図２６（Ｂ）には、一対のゲート電極を有す
トランジスタ４１０ａを示す。図２６（Ｂ）に示すトランジスタ４１０ａ
は、導電層４１５、及び絶縁層４１６を有する点で、図２６（Ａ）と主に
相違している。
【０５１３】  導電層４１５は、絶縁層４２１上に設けられている。また、
導電層４１５及び絶縁層４２１を覆って、絶縁層４１６が設けられている。
半導体層４１１は、少なくともチャネル形成領域４１１ｉが、絶縁層４１６
を介して導電層４１５と重なるように設けられている。
【０５１４】図２６（Ｂ）に示すトランジスタ４１０ａにおいて、導電層
４１３が第１のゲート電極として機能し、導電層４１５の一部が第２のゲ
ート電極として機能する。またこのとき、絶縁層４１２の一部が第１のゲ
ート絶縁層として機能し、絶縁層４１６の一部が第２のゲート絶縁層とし
て機能する。
【０５１５】ここで、第１のゲート電極と、第２のゲート電極とを電気的
に接続する場合、図示しない領域において、絶縁層４１２及び絶縁層４１
６に設けられた開口部を介して導電層４１３と導電層４１５とを電気的に
接続すればよい。また、第２のゲート電極と、ソース電極またはドレイン
電極とを電気的に接続する場合、図示しない領域において、絶縁層４２２、
絶縁層４１２、及び絶縁層４１６に設けられた開口部を介して、導電層
４１４ａまたは導電層４１４ｂと、導電層４１５とを電気的に接続すれば
よい。
【０５１６】画素２１を構成するトランジスタの全てに、ＬＴＰＳトラン
ジスタを適用する場合、図２６（Ａ）で例示したトランジスタ４１０、ま
たは図２６（Ｂ）で例示したトランジスタ４１０ａを適用することができ
る。このとき、画素２１を構成する全てのトランジスタに、トランジスタ
４１０ａを用いてもよいし、全てのトランジスタにトランジスタ４１０を
適用してもよいし、トランジスタ４１０ａと、トランジスタ４１０とを組
合わせて用いてもよい。
【０５１７】〔構成例３〕
  以下では、半導体層にシリコンが適用されたトランジスタと、半導体層
に金属酸化物が適用されたトランジスタの両方を有する構成の例について
説明する。
【０５１８】 図２６（Ｃ）に、トランジスタ４１０ａ及びトランジスタ
４５０を含む、断面概略図を示している。
【０５１９】トランジスタ４１０ａについては、上記構成例２を援用でき
る。なお、ここではトランジスタ４１０ａを用いる例を示したが、トラン
ジスタ４１０とトランジスタ４５０とを有する構成としてもよいし、トラ
ンジスタ４１０、トランジスタ４１０ａ、トランジスタ４５０の全てを有す
る構成としてもよい。
【０５２０】トランジスタ４５０は、半導体層に金属酸化物を適用したト
ランジスタである。図２６（Ｃ）に示す構成は、例えばトランジスタ４５
０が図２５で示した画素２１のトランジスタＭ１に対応し、トランジスタ
４１０ａがトランジスタＭ２に対応する例である。すなわち、図２６（Ｃ）
は、トランジスタ４１０ａのソース電極及びドレイン電極の一方が、導電
層４３１と電気的に接続されている例である。
【０５２１】  また、図２６（Ｃ）には、トランジスタ４５０が一対のゲー
ト電極を有する例を示している。
【０５２２】 トランジスタ４５０は、導電層４５５、絶縁層４２２、半
導体層４５１、絶縁層４５２、導電層４５３等を有する。導電層４５３
は、トランジスタ４５０の第１のゲート電極として機能し、導電層４５５
の一部は、トランジスタ４５０の第２のゲート電極として機能する。この
とき、絶縁層４５２の一部はトランジスタ４５０の第１のゲート絶縁層と
して機能し、絶縁層４２２の一部は、トランジスタ４５０の第２のゲート
絶縁層として機能する。
【０５２３】 導電層４５５は、絶縁層４１２上に設けられている。絶縁層
４２２は、導電層４５５を覆って設けられている。半導体層４５１は、絶
縁層４２２上に設けられている。絶縁層４５２は、半導体層４５１及び絶
縁層４２２を覆って設けられている。導電層４５３は、絶縁層４５２上に
設けられ、半導体層４５１及び導電層４５５と重なる領域を有する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　この項つづく
●今日の言葉：年末殺人も新時代

エネルギーと環境 79

彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の井伊
軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと）と兜（かぶ
と）を合体させて生まれたキャラクタ－

【季語と短歌：12月15日】

　　　　　　　　マフラーや年賀準備部屋で巻き　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　高山　宇　（赤鬼）

✳️　月面への大型貨物の配備

人類の歴史的な月への帰還、月ゲートウェイの組み立て、拡大された表面
探査など、以前のアルテミスミッションの成功に続いて、NASAのアルテ
ミスVIIとVIIIは、月の開発における新しい段階を表す。有人着陸システム
の実証後、同機関は現在、より恒久的なプレゼンスを確立するために、重
量貨物の展開に注力している。
2032年、スペースXの巨大なスターシップロケットは、「ルナクルーザー」
で知られるを月面に送り込みます。トヨタと宇宙航空研究開発機構(JAXA
が共同開発したこの機体は、宇宙服を必要とせずに2人の乗組員を収容で
る。最大30日間分の酸素と供給が十分にあるため、探査活動の範囲と期
間が大幅に拡大し、拡張ミッションのための移動可能な居住地と実験室
を提供。

✳️ 洋上風力発電所の自動海水中保守点検
Beam社が開発したロボットは、自律検査を行い、これまでにない解像度で
リアルタイムに立体映像情報の提供能力により、洋上風力発電所の保全に
革命を実現。2016年に設立されたBeam社は、洋上風力発電事業の課題解
決する英国企業（ロボット船や水中ロボットのAIと自律性が含まれ、風力
発電所のすべての保全維持管理の「時間とコスト課題」を即時解決する。
この自律型無人潜水機(AUV)は、海中検査に革命を起すだろう。2025年に
市場リリース予定。
🪄2024年9月、スコットランド最大の洋上風力発電所の「SSEのSeagreen
Wind Farm」で世界初の導入実証を実現する。

✳️ スパコンの10の25乗年かかる計算を5分で実行「Willow」
12月10日、Googleの量子コンピューティング研究部門であるGoogle
Quantum AI Labが、105個の量子ビットを搭載し、量子エラー訂正の指
数関数的な改善と超高速計算を実現、新量子チップ「Willow」を公表。従
来の量子システムでは、量子ビット数を増やすほどエラーが増加し、シス
テムが古典的な振る舞いに近づく。これが1995年にベル研究所のピーター・
ショア氏が提唱した「量子エラーのしきい値理論」。しかし、単にエラー
率を低減しただけでなく、距離を2増やすごとにエラー率が2.14倍減少す
るという指数関数的な改善を示した。これは、より多くの量子ビットを追
加することで、さらに高精度な量子計算が可能になることを意味する。つ
まり、WillowはGoogle初の「しきい値以下」を示した量子チップになる。
Google Quantum AI Labは「高度なAIは量子コンピューティングを利用
することで大きな恩恵を受けるだろう。量子コンピューティングは、従来
のマシンではアクセスできないトレーニング データの収集、特定の学習
アーキテクチャのトレーニングと最適化、量子効果が重要なシステムのモ
デリングに不可欠と話す。



【関連特許最新技術】
5.　特開2022-158973　表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表
示装置の作製方法　株式会社半導体エネルギー研究所
【詳細説明】
【０３０１】さらに、樹脂層１２２を用いて、色変換層１２９ａ、１２９
ｂ上に、基板１２０を貼り合わせることで、図１（Ｂ）に示す表示装置１
００を作製することができる。なお、図２等のように、色変換層１２９ｃ
を、画素電極１１１ｃと重なる領域を有するように形成しても良い。
【０３０２】保護層１３１、１３２に用いることができる材料及び成膜方
法は上述の通りである。保護層１３１、１３２の成膜方法としては、真空
蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、及び、ＡＬＤ法などが挙げられる。
保護層１３１と保護層１３２は、互いに異なる成膜方法を用いて形成され
た膜であってもよい。また、保護層１３１、１３２は、それぞれ、単層構
造であってもよく、積層構造であってもよい。　　　　　　
【０３０３】なお、共通電極１１５の成膜の際には、成膜エリアを規定す
るためのマスク（エリアマスク、ラフメタルマスクなどともいう）を用い
てもよい。または、共通電極１１５の成膜に当該マスクを使用せず、図１１
（Ａ）に示す工程の後に、図１１（Ｂ）及び図１１（Ｃ）に示す共通電極
１１５及び第５の層１１４の加工工程を行い、その後、保護層１３１の
形成工程に進んでもよい。

図11　図１１（Ａ）乃至図１１（Ｃ）は、表示装置の作製方法の一例を示す
断面図
【０３０４】  図１１（Ｂ）及び図７（Ｂ）に示すように、共通電極１１５上
にレジストマスク１９０ｂを形成する。図１１（Ｂ）のＹ２側の端部に、レ
ジストマスク１９０ｂが設けられていない部分が存在する。図７（Ｂ）に示
すように、レジストマスク１９０ｂは、各副画素及び接続部１４０と重なる
領域に設けられる。つまり、レジストマスク１９０ｂが設けられていない領
域は、接続部１４０よりも外側に位置する。

図１２（Ａ）乃至図１２（Ｄ）は、表示装置の作製方法の一例を示す断面図

【０３０５】次に、図１１（Ｃ）に示すように、レジストマスク１９０ｂを
用いて、共通電極１１５の一部、及び第５の層１１４の一部を除去する。以
上により、共通電極１１５及び第５の層１１４を加工することができる。
【０３０６】なお、上記のプロセスにおいては、絶縁層１２７の一部をアッ
シングなどで消失させて、第２の犠牲層１１９ａなどを露出させる構成（図
１０（Ｂ）参照。）について示したが、本発明はこれに限られるものではな
い。例えば、図１２（Ａ）に示すように、絶縁膜１２７Ａの、画素電極１１１ａ、
１１１ｂ、１１１ｃ、及び導電層１２３と重なる位置に開口を設けて絶縁層
１２７を形成する構成にしてもよい。例えば、絶縁膜１２７Ａとして、感光
性の樹脂を塗布し、露光及び現像を行うことで、画素電極１１１ａ、１１１ｂ
、１１１ｃ、及び導電層１２３と重なる位置に開口が設けられたパターンを
形成することができる。
【０３０７】図１２（Ａ）に示すように、絶縁層１２７をパターン形成した
後は、上述の図１１（Ａ）乃至図１１（Ｃ）に係る工程と同様の方法で表示
装置１００を形成することができる。
【０３０８】  ただし、この場合、図１２（Ａ）に示すように、絶縁層１２７
の上面が、第２の犠牲層１１９ａの上面より高くなる場合がある。これによ
り、第１の犠牲層１１８ａ、及び第２の犠牲層１１９ａを除去する際に、こ
れらの一部が残存する場合がある。よって、図１２（Ｂ）に示すように、
共通電極１１５の形成後にも、エッチングで除去できなかった、第１の犠
牲層１１８、及び第２の犠牲層１１９の一方または両方が、第１の層１１３ａ
、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、または導電層１２３の上に、形
成される場合がある。
【０３０９】ここで、第１の犠牲層１１８の側面、第２の犠牲層１１９の
側面、絶縁層１２５の側面の一部、及び絶縁層１２７の側面の一部によっ
て、形成される平面（第５の層１１４と接する側の面）は、断面視におい
て、テーパー形状を有することが好ましい。当該平面が断面視において、
テーパー形状を有することで、第１の犠牲層１１８、第２の犠牲層１１９
、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７を覆って形成される第５の層１１４及
び共通電極１１５を被覆性良く形成し、第５の層１１４及び共通電極１１５
に段切れなどが発生するのを防ぐことができる。
【０３１０】このような方法で表示装置１００を形成することで、図３（Ｂ）
に示す表示装置１００を形成することができる。
【０３１１】また、図１２（Ｃ）に示すように、第５の層１１４を設けず、
絶縁層１２５、１２７、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第
３の層１１３ｃを覆うように、共通電極１１５を形成してもよい。つまり、
それぞれの副画素の発光デバイスにおいて、ＥＬ層を構成するすべての層
が作り分けられていてもよい。このとき、各発光デバイスのＥＬ層は、全
て島状に形成される。
【０３１２】ここで、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃのいずれか
と、共通電極１１５とが接することで、発光デバイスがショートする恐れ
がある。しかし、本発明の一態様の表示装置では、絶縁層１２１、１２５、
１２７が、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、及
び、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの側面を覆っているため、共
通電極１１５がこれらの層と接することを抑制し、発光デバイスがショー
トすることを抑制することができる。これにより、発光デバイスの信頼性
を高めることができる。
【０３１３】また、図１１（Ａ）に示す工程で、Ｙ１－Ｙ２間の断面図に
おいて、第５の層１１４の接続部１４０側の端部が、接続部１４０よりも
内側（表示部側）に位置し、導電層１２３上に第５の層１１４を設けない
構成にしてもよい（図１２（Ｄ）参照）。例えば、第５の層１１４の成膜
の際に、成膜エリアを規定するためのマスク（エリアマスク、ラフメタル
マスクなどともいう）を用いればよい。この場合、導電層１２３上に第５
の層１１４が設けられないので、第５の層１１４を介さずに、導電層１２３
と共通電極１１５とが電気的に接続される。

図13.　図１３（Ａ）乃至図１３（Ｆ）は、表示装置の作製方法の一例を
示す断面図

【０３１４】  図１３（Ａ）乃至図１３（Ｆ）に、絶縁層１２７とその周
辺を含む領域１３９の断面構造を示す。
【０３１５】図１３（Ａ）では、第１の層１１３ａと第２の層１１３ｂの
厚さが互いに異なる例を示す。絶縁層１２５の上面の高さは、第１の層
１１３ａ側では第１の層１１３ａの上面の高さと一致または概略一致して
おり、第２の層１１３ｂ側では第２の層１１３ｂの上面の高さと一致また
は概略一致している。そして、絶縁層１２７の上面は、第１の層１１３ａ
側が高く、第２の層１１３ｂ側が低い、なだらかな傾斜を有している。こ
のように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の高さは、隣接するＥＬ層の上
面の高さと揃っていることが好ましい。または、隣接するＥＬ層のいずれ
かの上面の高さと揃って、上面が平坦部を有していてもよい。
【０３１６】図１３（Ｂ）において、絶縁層１２７の上面は、第１の層
１１３ａの上面及び第２の層１１３ｂの上面よりも高い領域を有する。ま
た、絶縁層１２７の上面は、中心に向かって凸状に、なだらかに膨らんだ
形状を有する。
【０３１７】図１３（Ｃ）において、絶縁層１２７の上面が第１の層１１３ａ
の上面及び第２の層１１３ｂの上面より高い領域を有する。また、領域
１３９において、表示装置１００は、第１の犠牲層１１８及び第２の犠牲
層１１９の少なくとも一方を有し、絶縁層１２７の上面が第１の層１１３ａ
の上面及び第２の層１１３ｂの上面より高く、且つ絶縁層１２５よりも外
側に位置する領域を有し、当該領域は第１の犠牲層１１８及び第２の犠牲
層１１９の少なくとも一方の上に位置する。また、図１３（Ｃ）では、絶
縁層１２７の上面は、中心に向かって凸状に、なだらかに膨らんだ形状を
有し、且つ絶縁層１２７の上面の中央部には、凹部が形成されている。当
該凹部は、中心に向かってなだらかに窪んだ形状を有する。
【０３１８】  図１３（Ｄ）において、絶縁層１２７の上面は、第１の層
１１３ａの上面及び第２の層１１３ｂの上面よりも低い領域を有する。ま
た、絶縁層１２７の上面は、中心に向かって凹状に、なだらかに窪んだ形
状を有する。
【０３１９】図１３（Ｅ）において、絶縁層１２５の上面は、第１の層
１１３ａの上面及び第２の層１１３ｂの上面よりも高い領域を有する。す
なわち、第５の層１１４の被形成面において、絶縁層１２５が突出し、凸
部を形成している。
【０３２０】絶縁層１２５の形成において、例えば、犠牲層の高さと揃う
または概略揃うように絶縁層１２５を形成する場合には、図１３（Ｅ）に
示すように、絶縁層１２５が突出する形状が形成される場合がある。
【０３２１】図１３（Ｆ）において、絶縁層１２５の上面は、第１の層
１１３ａの上面及び第２の層１１３ｂの上面よりも低い領域を有する。
すなわち、第５の層１１４の被形成面において、絶縁層１２５が凹部を形
成している。
【０３２２】このように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は様々な形状を
適用することができる。
【０３２３】以上のように、本実施の形態の表示装置の作製方法では、島
状のＥＬ層は、メタルマスクのパターンによって形成されるのではなく、
ＥＬ層を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状のＥＬ
層を均一の厚さで形成することができる。そのため、高精細な表示装置ま
たは高開口率の表示装置を実現することができる。
【０３２４】青色の発光デバイスを構成する第１の層１１３ａ、第２の層
１１３ｂ、第３の層１１３ｃは、それぞれ同一の工程で形成することがで
きる。したがって、表示装置の作製工程を簡略化し、製造コストの低減を
図ることができる。
【０３２５】本発明の一態様の表示装置は、画素電極の端部を覆う絶縁層
と、発光層、及びキャリア輸送層のそれぞれの側面を覆う絶縁層と、を有
する。当該表示装置の作製工程においては、発光層とキャリア輸送層とが
積層された状態でＥＬ層が加工されるため、当該表示装置は、発光層への
ダメージが低減された構成である。また、上述の２種類の絶縁層により、
画素電極または発光層と、キャリア注入層または共通電極と、が接するこ
とが抑制され、発光デバイスがショートすることが抑制された構成である。
【０３２６】本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが
できる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成
例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
【０３２７】（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に適用することができる発
光デバイスの構成例について図１４及び図１５を用いて説明する。

図14.　図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）は、表示装置の一例を示す断面図

【０３２８】  図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）に示す表示装置５００は、
青色の光を発する発光デバイス５５０Ｂを複数有する。図１４では、発光
デバイス５５０Ｂの上に青色の光を赤色の光に変換する色変換層５４５Ｒ、
青色の光を緑色の光に変換する色変換層５４５Ｇが設けられる。ここで、
色変換層５４５Ｒ、色変換層５４５Ｇは、保護層５４０を介して、発光デ
バイス５５０Ｂ上に設けられることが好ましい。なお、図１４において、
色変換層５４５Ｇが設けられた発光デバイス５５０Ｂに隣接する発光デバ
イス５５０Ｂは色変換層を有さない構成を示したが、本実施の形態はこれ
に限られず、色変換層５４５Ｇに隣接して、青色の光をより半値幅が狭い、
鮮やかな青色に変換する色変換層を設けてもよい。

【０３２９】図１４（Ａ）に示す発光デバイス５５０Ｂは、一対の電極
（電極５０１、電極５０２）の間に、発光ユニット５１２Ｂを有する。電
極５０１は、画素電極として機能し、発光デバイス毎に設けられる。電極
５０２は、共通電極として機能し、複数の発光デバイスに共通に設けられ
る。
【０３３０】つまり、図１４（Ａ）に示す３つの発光デバイス５５０Ｂは、
それぞれ、１つの発光ユニット（発光ユニット５１２Ｂ）を有する。なお、
図１４（Ａ）に示す発光デバイス５５０Ｂのように、一対の電極間に一つ
の発光ユニットを有する構成を、本明細書ではシングル構造と呼ぶ。
【０３３１】図１４（Ａ）に示す、発光ユニット５１２Ｂは、それぞれ島
状の層として形成することができる。つまり、図１４（Ａ）に示す発光ユ
ニット５１２Ｂは、図１（Ｂ）等に示す第１の層１１３ａ、第２の層１１
３ｂ、または第３の層１１３ｃに相当する。なお、発光デバイス５５０Ｂ
は、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、または発光デバイス
１３０ｃに相当する。また、電極５０１は画素電極１１１ａ、画素電極
１１１ｂ、または画素電極１１１ｃに相当する。また、電極５０２は共通
電極１１５に相当する。
【０３３２】発光ユニット５１２Ｂは、層５２１、層５２２、発光層５２
３Ｑ＿１、発光層５２３Ｑ＿２、発光層５２３Ｑ＿３、層５２４等を有す
る。また、発光デバイス５５０Ｂは、発光ユニット５１２Ｂと、電極５０
２との間に層５２５などを有する。
【０３３３】図１４（Ａ）は、発光ユニット５１２Ｂが層５２５を有さず、
層５２５が、各発光デバイス間で共通に設けられている例である。このと
き、層５２５を共通層と呼ぶことができる。このように、複数の発光デバ
イスに１以上の共通層を設けることで、作製工程を簡略化できるため、製
造コストを低減することができる。なお、発光デバイスごとに層５２５を
設けてもよい。つまり、層５２５が発光ユニット５１２Ｂに含まれていて
もよい。
【０３３４】層５２１は、例えば正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注
入層）などを有する。層５２２は、例えば正孔輸送性の高い物質を含む層
（正孔輸送層）などを有する。層５２４は、例えば電子輸送性の高い物質
を含む層（電子輸送層）などを有する。層５２５は、例えば電子注入性の
高い物質を含む層（電子注入層）などを有する。
【０３３５】または、層５２１が電子注入層を有し、層５２２が電子輸送
層を有し、層５２４が正孔輸送層を有し、層５２５が正孔注入層を有する
構成としてもよい。
【０３３６】図１４（Ａ）においては、層５２１と、層５２２と、を分け
て明示したがこれに限定されない。例えば、層５２１が正孔注入層と、正
孔輸送層との双方の機能を有する構成とする場合、あるいは層５２１が電
子注入層と、電子輸送層との双方の機能を有する構成とする場合において
は、層５２２を省略してもよい。
【０３３７】図１４（Ａ）に示す発光デバイス５５０Ｂにおいて、発光層
５２３Ｑ＿１、発光層５２３Ｑ＿２、及び発光層５２３Ｑ＿３に青色の発
光を呈する発光層を選択することで、発光デバイス５５０Ｂから青色発光
を得ることができる。なお、ここでは発光ユニット５１２Ｂが３層の発光
層を有する例を示すが、発光層の数は問わず、例えば、１層、２層、また
は４層以上の構成であってもよい。
【０３３８】このような、青色発光が可能な発光デバイス５５０Ｂの上に、
色変換層５４５Ｒ、色変換層５４５Ｇを設けることで、画素ごとに赤色発
光、緑色発光、または青色発光を行い、フルカラー表示を行うことができ
る。なお、図１４（Ａ）等においては、青色の光を赤色の光へ変換する色
変換層５４５Ｒ、青色の光を緑色の光へ変換する色変換層５４５Ｇ、を設
け、青色発光を得る画素には色変換層を設けない例について示したが、本
発明はこれに限られるものではない。色変換層によって変換される色の可
視光は、少なくとも２色以上の互いに異なる色の可視光にすればよく、例
えば赤、緑、青、シアン、マゼンタ、または黄などから適宜選択すればよ
い。
【０３３９】よって、層５２１、層５２２、層５２４、層５２５、発光層
５２３Ｑ＿１、発光層５２３Ｑ＿２、および発光層５２３Ｑ＿３は、各色
の画素において、同一の構成（材料、膜厚など）にしても、色変換層を適
宜設けることで、フルカラー表示を行うことができる。ゆえに、本発明の一
態様に係る表示装置は、画素ごとに発光デバイスを作り分ける必要がない
ので、作製工程を簡略化でき、製造コストを低減することができる。ただし
、本発明はこれに限られるものではなく、層５２１、層５２２、層５２４、
層５２５、発光層５２３Ｑ＿１、発光層５２３Ｑ＿２、および発光層５２
３Ｑ＿３のいずれか一または複数を、画素によって異なる構成にすること
ができる。
【０３４０】  図１４（Ｂ）に示す発光デバイス５５０Ｂは、一対の電極
（電極５０１、電極５０２）の間に、中間層５３１を介して２つの発光ユ
ニット（発光ユニット５１２Ｑ＿１、発光ユニット５１２Ｑ＿２）が積層
された構成を有する。
【０３４１】また、中間層５３１は、電極５０１と電極５０２との間に電
圧を印加したときに、発光ユニット５１２Ｑ＿１及び発光ユニット５１２
Ｑ２のうち、一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。
中間層５３１は、電荷発生層と呼ぶこともできる。
【０３４２】中間層５３１としては、例えば、フッ化リチウムなどの電子
注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、中間層５３１
としては、例えば、正孔注入層に適用可能な材料を好適に用いることがで
きる。また、中間層５３１には、正孔輸送性の高い材料（正孔輸送性材料）
とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む層を用いることができ
る。また、中間層５３１には、電子輸送性の高い材料（電子輸送性材料）
とドナー性材料とを含む層を用いることができる。このような層を有する
中間層５３１を形成することにより、発光ユニットが積層された場合にお
ける駆動電圧の上昇を抑制することができる。



図1５（Ａ）及び図１５（Ｂ）は、表示装置の一例を示す断面図.

【０３４３】発光ユニット５１２Ｑ＿１は、層５２１、層５２２、発光層
５２３Ｑ＿１、層５２４等を有する。発光ユニット５１２Ｑ＿２は、層５２
２、発光層５２３Ｑ＿２、層５２４等を有する。また、発光デバイス５５０Ｂ
は、発光ユニット５１２Ｑ＿２と、電極５０２との間に層５２５などを有
する。なお、層５２５を発光ユニット５１２Ｑ＿２の一部とみなすことも
できる。
【０３４４】図１４（Ｂ）に示す発光デバイス５５０Ｂにおいて、各発光
ユニットが青色の光を呈することで発光デバイス５５０Ｂから青色発光を
得ることができる。なお、複数の発光ユニットは、同じ発光物質を有して
いてもよく、異なる発光物質を有していてもよい。
【０３４５】図１４（Ｂ）などに示す発光デバイス５５０Ｂのように、複
数の発光ユニットが中間層５３１を介して直列に接続された構成を本明細
書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、本明細書等においては、タンデム構造
として呼称するが、これに限定されず、例えば、タンデム構造をスタック
構造と呼んでもよい。なお、タンデム構造とすることで、高輝度発光が可
能な発光デバイスとすることができる。また、タンデム構造は、シングル
構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、表示
装置の消費電力を低減し、信頼性を高めることができる。
【０３４６】
  なお、ここでは発光ユニット５１２Ｑ＿１、５１２Ｑ＿２がそれぞれ１層
の発光層を有する例を示すが、各発光ユニットにおける発光層の数は問わ
ない。例えば、発光ユニット５１２Ｑ＿１、５１２Ｑ＿２は、互いに異な
る数の発光層を有していてもよい。例えば、一方の発光ユニットは２層の
発光層を有し、他方の発光ユニットは１層の発光層を有していてもよい。
または、一方の発光ユニットは２層の発光層を有し、他方の発光ユニット
は３層以上（具体的には、３層または４層）の発光層を有していてもよい。
なお、発光ユニットが２層の発光層を有する構成を２段タンデム構造と、
発光ユニットが３層の発光層を有する構成を３段タンデム構造と、発光ユ
ニットが４層の発光層を有する構成を４段タンデム構造と、それぞれ呼称
する場合がある。なお、シングル構造の発光ユニットと、タンデム構造
（２段タンデム構造、３段タンデム構造、または４段タンデム構造）の発
光ユニットと、を組み合わせた発光デバイスとしてもよい。
【０３４７】図１５（Ａ）に示す表示装置５００は、発光デバイス５５０Ｂ
が、３つの発光ユニットを積層した構成を有する場合の例である。図１５
（Ａ）において、発光デバイス５５０Ｂは、発光ユニット５１２Ｑ＿２上
にさらに中間層５３１を介して発光ユニット５１２Ｑ＿３が積層されてい
る。発光ユニット５１２Ｑ＿３は、層５２２、発光層５２３Ｑ＿３、層
５２４等を有する。発光ユニット５１２Ｑ＿３は、発光ユニット５１２Ｑ＿
２と同様の構成を適用することができる。
【０３４８】発光デバイスにタンデム構造を適用する場合、発光ユニット
の数は特に限定されず、２つ以上とすることができる。
【０３４９】図１５（Ｂ）では、ｎ個の発光ユニット５１２Ｑ＿１から
５１２Ｑ＿ｎ（ｎは２以上の整数）を積層した場合の例を示している。
【０３５０】このように、発光ユニットの積層数を増やすことにより、同
じ電流量で発光デバイスから得られる輝度を、積層数に応じて高めること
ができる。また、発光ユニットの積層数を増やすことにより、同じ輝度を
得るために必要な電流を低減できるため、発光デバイスの消費電力を、積
層数に応じて低減することができる。
【０３５１】なお、表示装置５００において、発光層の発光材料は特に限
定されない。例えば、図１５（Ｂ）に示す表示装置５００において、発光
ユニット５１２Ｑ＿１が有する発光層５２３Ｑ＿１は燐光材料を有し、発
光ユニット５１２Ｑ＿２が有する発光層５２３Ｑ＿２は蛍光材料を有する
構成とすることができる。または、発光ユニット５１２Ｑ＿１が有する発
光層５２３Ｑ＿１は蛍光材料を有し、発光ユニット５１２Ｑ＿２が有す
発光層５２３Ｑ＿２は燐光材料を有する構成とすることができる。又は、
蛍光発光の発光ユニットが複数積層された構成とすることで表示装置の信
頼性を高めることができる。
【０３５２】なお、発光ユニットの構成については、上記に限定されない。
例えば、図１５（Ｂ）に示す表示装置５００において、発光ユニット５１２Ｑ＿１
が有する発光層５２３Ｑ＿１はＴＡＤＦ材料を有し、発光ユニット５１２Ｑ＿２
が有する発光層５２３Ｑ＿２は蛍光材料、または燐光材料のいずれか一を
有する構成としてもよい。このように異なる発光材料を用いる、例えば
信頼性の高い発光材料と、発光効率の高い発光材料と、を組み合わせる
ことで、それぞれの欠点を補い、信頼性、及び発光効率の双方を高めた表
示装置とすることができる。
【０３５３】なお、本発明の一態様の表示装置は、全ての発光層を蛍光材
料とする構成としてもよいし、全ての発光層を燐光材料とする構成として
もよい。
【０３５４】本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが
できる。


図１６は、表示装置の一例を示す斜視図
【０３５５】（実施の形態３）
  本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１６乃至図１８
を用いて説明する。
【０３５６】  本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置または大
型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置
は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパー
ソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、
パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器
の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、
携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置の表示部に用
いることができる。

【０３５７】〔表示装置１００Ａ］図１６に、表示装置１００Ａの斜視図
を示し、図１７（Ａ）に、表示装置１００Ａの断面図を示す。
【０３５８】表示装置１００Ａは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わ
された構成を有する。図１６では、基板１５２を破線で明示している。
【０３５９】表示装置１００Ａは、表示部１６２、接続部１４０、回路
１６４、配線１６５等を有する。図１６では表示装置１００ＡにＩＣ１７
３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図１６
に示す構成は、表示装置１００Ａ、ＩＣ（集積回路）、及びＦＰＣを有
する表示モジュールということもできる。
【０３６０】
  接続部１４０は、表示部１６２の外側に設けられる。接続部１４０は、
表示部１６２の一辺または複数の辺に沿って設けることができる。接続部
１４０は、単数であっても複数であってもよい。図１６では、表示部の四
辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０で
は、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共
通電極に電位を供給することができる。
【０３６１】回路１６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることが
できる。
【０３６２】配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力
を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ１７２を介して外
部から、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。
【０３６３】図１６では、ＣＯＧ方式またはＣＯＦ方式等により、基板
１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば
走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。な
お、表示装置１００Ａ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成として
もよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。
【０３６４】図１７（Ａ）に、表示装置１００Ａの、ＦＰＣ１７２を含む
領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、接続部１４０の一
部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を
示す。

図17.　表示装置の一例を示す断面

【０３６５】図１７（Ａ）に示す表示装置１００Ａは、基板１５１と基板
１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、発光デバイス
１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ、及び色変換層１２９ａ、１２９ｂ等を有
する。発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃは、青色の光を発する。
色変換層１２９ａ、色変換層１２９ｂは、発光デバイス１３０からの青色
の光を互いに異なる波長の光へ変換する機能を有する。
【０３６６】ここで、表示装置の画素が、互いに異なる波長の光へ変換す
る色変換層１２９ａ、１２９ｂを有する副画素と、色変換層を有さない副
画素の３種類有する場合、当該３つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色
の副画素などがあげられる。または、上記と異なる色の光を呈する副画素
の組み合わせとして、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の
３色の副画素などとしてもよい。また、表示装置が副画素を４つ有する場
合、当該４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、
Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素などが挙げられる。
【０３６７】発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃは、画素電極と
ＥＬ層との間に光学調整層１２６（光学調整層１２６ａ、光学調整層１２６ｂ、
光学調整層１２６ｃ）を有する点以外は、それぞれ、図１（Ｂ）に示す積
層構造と同様の構造を有する。図１７（Ａ）に示す表示装置１００Ａは、
図１（Ｂ）に示す表示装置１００とは異なり、発光デバイス１３０ａが光
学調整層１２６ａを有し、発光デバイス１３０ｂが光学調整層１２６ｂを
有し、発光デバイス１３０ｃが光学調整層１２６ｃを有する。発光デバイ
スの詳細は実施の形態１を参照できる。
【０３６８】また図１７（Ａ）に示すように、各発光デバイス１３０に備
わる光学調整層１２６は、発光デバイスごとに異なる厚みを有することが
好ましい。例えば発光デバイス１３０ａからの青色光が赤色の光に変換さ
れ、発光デバイス１３０ｂからの青色光が緑色の光に変換され、発光デバ
イス１３０ｃからの青色光が他の色の光に変換されない場合、３つの光学
調整層１２６のうち、光学調整層１２６ａの厚さを最も厚くし、光学調整
層１２６ｂの厚さを光学調整層１２６ａの厚さよりも薄くし、光学調整層
１２６ｃの厚さを最も薄くすればよい。このようにして、それぞれの発光
デバイスにおける光学距離（光路長）を変化させることができる。
【０３６９】３つの発光デバイスのうち、色変換層１２９ａと重なる発光
デバイス１３０ａは最も光路長が長いため、最も長波長の光（例えば赤色
の光）が強められた光を射出する。一方、発光デバイス１３０ｃは、最も
光路長が短いため、最も短波長の光（例えば青色の光）が強められた光を
射出する。色変換層１２９ｂと重なる発光デバイス１３０ｂは、その中間
の波長の光（例えば緑色の光）が強められた光を射出する。
【０３７０】このような構成とすることで、異なる色の副画素毎に、発光
デバイス１３０が有する発光層を作り分ける必要がなく、同じ構成の発光
デバイスを用いて、色再現性の高いカラー表示を行うことができる。
【０３７１】また、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、
及び、絶縁層１２５、１２７上に、第５の層１１４が設けられ、第５の層
１１４上に共通電極１１５が設けられている。また、発光デバイス１３０ａ、
１３０ｂ、１３０ｃ上にはそれぞれ、保護層１３１が設けられている。保
護層１３１上には保護層１３２が設けられている。
【０３７２】保護層１３２と基板１５２は接着層１４２を介して接着され
ている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造など
が適用できる。図１７（Ａ）では、基板１５２と基板１５１との間の空
間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている
。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、
中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイ
スと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に
設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。
【０３７３】画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃは、それぞれ、絶縁
層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層
２２２ｂと接続されている。
【０３７４】画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ及び光学調整層１２６
ａ、１２６ｂ、１２６ｃの端部は、それぞれ、絶縁層１２１ａによって覆
われており、絶縁層１２１ａは絶縁層１２１ｂによって覆われている。画
素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃは可視光を反射する材料を含み、共
通電極１１５は可視光を透過する材料を含む。
【０３７５】画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの端部を覆う絶縁層
としては、無機絶縁膜及び有機絶縁膜の一方または双方を用いた、単層構
造または積層構造とすることができる。本実施の形態では、有機絶縁膜を
用いて絶縁層１２１ａを形成し、無機絶縁膜を用いて絶縁層１２１ｂを形
成する例を示す。
【０３７６】絶縁層１２１ａに用いることができる有機絶縁材料としては、
例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、
ポリイミドアミド樹脂、ポリシロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、
及びフェノール樹脂等が挙げられる。また、絶縁層１２１ｂに用いること
ができる無機絶縁膜としては、保護層１３１、１３２に用いることができ
る無機絶縁膜を用いることができる。
【０３７７】画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの端部を覆う絶縁層
として、無機絶縁膜を用いると、有機絶縁膜を用いる場合に比べて、外部
から発光デバイスに不純物が入りにくく、発光デバイスの信頼性を高めるこ
とができる。画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの端部を覆う絶縁層
として、有機絶縁膜を用いると、無機絶縁膜を用いる場合に比べて、段差
被覆性が高く、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの形状の影響を受
けにくい。そのため、発光デバイスのショートを防止できる。具体的には、
絶縁層１２１ａとして、有機絶縁膜を用いると、絶縁層１２１ａの形状を
テーパー形状などに加工することができる。
【０３７８】絶縁層１２１ａ、１２１ｂのように、画素電極１１１ａ、
１１１ｂ、１１１ｃの端部を覆う絶縁層を、有機絶縁膜と無機絶縁膜を用
いた２層構造とすることで、発光デバイスの信頼性をより高くすることが
でき好ましい。
【０３７９】接続部１４０においては、絶縁層２１４上に導電層１２３
が設けられている。導電層１２３は、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ
と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、光学調整層１２６ａ、１２６ｂ
１２６ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である
例を示す。導電層１２３の端部は、絶縁層１２１ａ、絶縁層１２１ｂ、絶
縁層１２５、及び、絶縁層１２７によって覆われている。また、導電層
１２３上には第５の層１１４が設けられ、第５の層１１４上には共通電極
１１５が設けられている。導電層１２３と共通電極１１５は第５の層１１４
を介して電気的に接続される。なお、接続部１４０には、第５の層１１４
が形成されていなくてもよい。この場合、導電層１２３と共通電極１１５
とが直接接して電気的に接続される。
【０３８０】表示装置１００Ａは、トップエミッション型である。発光デ
バイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視
光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。
【０３８１】基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が、実施の形態
１における層１０１に相当する。
【０３８２】トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基
板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び
同一の工程により作製することができる。
【０３８３】基板１５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層
２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は
、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層
２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶
縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トラ
ンジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲー
ト絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ
単層であっても２層以上であってもよい。
【０３８４】とﾄランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素
などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、
絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とする
ことで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制
でき、表示装置の信頼性を高めることができる。
【０３８５】絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、
それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例
えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化
シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いること
ができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニ
ウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ラ
ンタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、
上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。
【０３８６】ここで、有機絶縁膜は、無機絶縁膜に比べてバリア性が低い
ことが多い。そのため、有機絶縁膜は、表示装置１００Ａの端部近傍に開
口を有することが好ましい。これにより、表示装置１００Ａの端部から有
機絶縁膜を介して不純物が入り込むことを抑制することができる。または、
有機絶縁膜の端部が表示装置１００Ａの端部よりも内側にくるように有機
絶縁膜を形成し、表示装置１００Ａの端部に有機絶縁膜が露出しないよう
にしてもよい。
【０３８７】平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁膜が好
適である。有機絶縁膜に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、
ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、
シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれ
ら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁膜と、
無機絶縁膜との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチ
ング保護膜としての機能を有することが好ましい。これにより、画素電極
１１１ａまたは光学調整層１２６ａなどの加工時に、絶縁層２１４に凹部
が形成されることを抑制することができる。または、絶縁層２１４には、
画素電極１１１ａまたは光学調整層１２６ａなどの加工時に、凹部が設け
られてもよい。
【０３８８】トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲート電極
として機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１
、ソース電極及びドレイン電極として機能する導電層２２２ａ及び導電層
２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、
並びに、ゲート電極として機能する導電層２２３を有する。ここでは、同
一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付
している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置
する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。
【０３８９】本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に
限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトラン
ジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トッ
プゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよ
い。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲート電極が設けら
れていてもよい。
【０３９０】トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネル
が形成される半導体層を２つのゲート電極で挟持する構成が適用されてい
る。２つのゲート電極を接続し、これらに同一の信号を供給することによ
りトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲート電極のうち、一
方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与
えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。
【０３９１】トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限
定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶
半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれ
を用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性
の劣化を抑制できるため好ましい。
【０３９２】トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体とも
いう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金
属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジ
スタ）を用いることが好ましい。または、トランジスタの半導体層は、シ
リコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、
結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、単結晶シリコンなど）などが挙げ
られる。
【０３９３】半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、
アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、
ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリ
ブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タング
ステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、
を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イット
リウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。
【０３９４】特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、
及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ま
しい。
【０３９５】半導体層がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ
酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。
このようなＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：
Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２
またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組
成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝
４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１また
はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、
Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：
１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近
傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ
：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍
の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。
【０３９６】 例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはそ
の近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を４としたとき、Ｇａの原
子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２以上４以下である場合
を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍
の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数
比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下であ
る場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはそ
の近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を１としたときに、Ｇａの
原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が０．１より
大きく２以下である場合を含む。
【０３９７】回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有する
トランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。
回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよ
く、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトラ
ンジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。
【０３９８】図１７（Ｂ）及び図１７（Ｃ）に、トランジスタの他の構成
例を示す。
【０３９９】トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲート電極
として機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、
チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体
層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、
一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁
層として機能する絶縁層２２５、ゲート電極として機能する導電層２２３、
並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導
電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５
は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置す
る。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。
【０４００】図１７（Ｂ）に示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５
が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導
電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた
開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電
層２２２ｂのうち、一方はソース電極として機能し、他方はドレイン電極
として機能する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　この項つづく

 

エネルギーと環境 77

彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の井伊
軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと）と兜（かぶ
と）を合体させて生まれたキャラクタ－

【季語と短歌：12月14日】

　　　　　　　　凍れてはマフラー巻てタイピング　　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　高山　宇　（赤鬼）

✳️　生成AIの省エネを実現する光電融合技術開発　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　12月11日、米IBMは，生成AIモデルの学習・推論の効率を向上する可能性
がある光電融合技術の一つである光パッケージング技術，Co-Packaged
Optics（CPO）の新しいプロセスを開発し，データセンター内の電気配線
を補完する光技術の導入を可能にした。現在，データセンターのラック間
の通信は依然として電気配線で行なわれている。電気配線はGPUアクセラ
レーターに接続されるが，GPUアクセラレーターは半分以上の時間はアイ
ドル状態であり，大規模な分散学習プロセス時には他のデバイスからの信
号を待つため，膨大な費用とエネルギーを消費する。

今回同社は，新しいCPOプロトタイプ・モジュールを開発した。この技術
は，データセンター内の通信の帯域幅を大幅に拡大し，GPUのアイドリン
グ・タイムを最小化しながら，AIの処理能力を大幅に向上させる可能性が
ある。これにより，ミッドレンジの電気配線と比較して消費電力は1/5以
下になり，従来の電気配線と比較して最大5倍高速に大規模言語モデル（L
LM）を学習でき，より大規模なモデルとより多くのGPUを使用してパフォ
ーマンスの向上を図れるとする。さらに，1つのAIモデルの学習ごとに，
米国の5,000世帯の年間消費電力に相当する電力を節電できるだけでなく
今後はチップ間でも光通信が可能になる。

🪄CPO（Co-Packged-Optics）とは：

✳️　JDI，台湾Innoluxとコントラスト690倍のOLEDで提携
ジャパンディスプレイ（JDI）は，ディスプレーメーカー台湾Innolux Corporation
と，同社の子会社で，車載ディスプレーソリューションのTier1 サプライヤーで
あるシンガポールCarUX Technology Pte. Ltd.との間で，eLEAP戦略提携の契
約を2024年12月3日付で締結した。

【関連特許最新技術】
5.　特開2022-158973　表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示
装置の作製方法　株式会社半導体エネルギー研究所

【詳細説明】
【０１６4】  本実施の形態の表示装置は、発光デバイス間の距離を狭くす
ることができる。具体的には、発光デバイス間の距離、ＥＬ層間の距離、
または画素電極間の距離を、１０μｍ未満、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ
以下、１μｍ以下、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、
９０ｎｍ以下、７０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下
、１５ｎｍ以下、または１０ｎｍ以下とすることができる。別言すると、
第１の層１１３ａの側面と第２の層１１３ｂの側面との間隔、または第２
の層１１３ｂの側面と第３の層１１３ｃの側面との間隔が１μｍ以下の領域
を有し、好ましくは０．５μｍ（５００ｎｍ）以下の領域を有し、さらに好
ましくは１００ｎｍ以下の領域を有する。
【０１６５】基板１２０の樹脂層１２２側の面には、遮光層を設けてもよ
い。また、基板１２０の外側（樹脂層１２２と反対側の面）には各種光学
部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光
拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げら
れる。また、基板１２０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、
汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハー
ドコート膜、衝撃吸収層等を配置してもよい。
【０１６６】基板１２０には、ガラス、石英、セラミック、サファイア、
樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスから
の光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１２０
に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができ
る。また、基板１２０として偏光板を用いてもよい。
【０１６７】基板１２０としては、それぞれ、ポリエチレンテレフタレー
ト（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹
脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメ
チルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテル
スルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポ
リシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミ
ドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリ
デン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ
）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる
。基板１２０に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。
【０１６８】なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する
基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が
高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。
【０１６９】光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対
値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ
以下がさらに好ましい。
【０１７０】光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロー
ス（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレ
フィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯ
Ｃ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。
【０１７１】また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水す
ることで、表示パネルにしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがあ
る。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。
例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％
以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルム
を用いることがさらに好ましい。
【０１７２】樹脂層１２２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、
反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着
剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル
樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、
ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹
脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エ
ポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を
用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
【０１７３】ﾄランジスタのゲート電極、ソース電極及びドレイン電極のほ
か、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることので
きる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イッ
トリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステン
などの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金などが挙げられる。こ
れらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。
【０１７４】また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、
インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む
酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。ま
たは、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、
モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料
または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金
属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属
材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透
光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を
導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とイ
ンジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができ
るため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの
導電層、及び、発光デバイスが有する導電層（画素電極または共通電極と
して機能する導電層）にも用いることができる。
【０１７５】各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、
アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料
が挙げられる。


図2　図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、表示装置の一例を示す断面図

【符号の説明】【０６４２】
ＡＬ    配線　ＣＬ    配線　ＧＬ    配線　ＲＬ    配線　ＳＬ    配線　ＳＬＢ 
   配線　ＳＬＧ    配線　ＳＬＲ    配線　１０    表示装置　１１    表示部
１２    駆動回路部　１３    駆動回路部　２１    画素　２１Ｒ    副画素
２１Ｇ    副画素　２１Ｂ    副画素　３０    画素　７０    電子機器　７２    
支持体　７４    机　１００    表示装置　１００Ａ    表示装置　１００Ｂ   
表示装置　１００Ｃ    表示装置　１００Ｄ    表示装置　１００Ｅ    表示装
置　１００Ｆ    表示装置　１００Ｇ    表示装置　１０１    層　１１０    画
素　１１０ａ    副画素　１１０ｂ    副画素　１１０ｃ    副画素　１１０ｄ   
 副画素　１１１ａ    画素電極　１１１ｂ    画素電極　１１１ｃ    画素電極
１１１ｄ    画素電極　１１３ａ    第１の層　１１３Ａ    第１の層　１１３ｂ   
 第２の層　１１３ｃ    第３の層　１１３ｄ    第４の層　１１４    第５の層
１１５    共通電極　１１７    遮光層　１１８    第１の犠牲層　１１８ａ   
 第１の犠牲層　１１８Ａ    第１の犠牲層　１１９    第２の犠牲層　１１９ａ 
   第２の犠牲層　１１９Ａ    第２の犠牲層　１２０    基板　１２１    絶縁層
１２１ａ    絶縁層　１２１ｂ    絶縁層　１２２    樹脂層　１２３    導電層
１２４ａ    画素　１２４ｂ    画素　１２５    絶縁層　１２５Ａ    絶縁膜
１２６    光学調整層　１２６ａ    光学調整層　１２６ｂ    光学調整層
１２６ｃ    光学調整層　１２７    絶縁層　１２７Ａ    絶縁膜　１２９    色
変換層　１２９ａ    色変換層　１２９ｂ    色変換層　１２９ｃ    色変換層
１３０    発光デバイス　１３０ａ    発光デバイス　１３０ｂ    発光デバイス
１３０ｃ    発光デバイス　１３０ｄ    発光デバイス　１３１    保護層　
１３２    保護層　１３３    絶縁層　１３４    マイクロレンズ　１３５    第
１の基板　１３６    第２の基板　１３９    領域　１４０    接続部　１４２   
 接着層　１５１    基板　１５２    基板　１５３    絶縁層　１６２    表示
部　１６４    回路　１６５    配線　１６６    導電層　１７２    ＦＰＣ
１７３    ＩＣ　１９０ａ    レジストマスク　１９０ｂ    レジストマスク
２０１    トランジスタ　２０４    接続部　２０５    トランジスタ　２０９    
トランジスタ　２１０    トランジスタ　２１１    絶縁層　２１３    絶縁層
２１４    絶縁層　２１５    絶縁層　２１８    絶縁層　２２１    導電層　
２２２ａ    導電層　２２２ｂ    導電層　２２３    導電層　２２５    絶縁層
２３１    半導体層　２３１ｉ    チャネル形成領域　２３１ｎ    低抵抗領域
２４０    容量　２４１    導電層　２４２    接続層　２４３    絶縁層　２４５    
導電層　２５１    導電層　２５２    導電層　２５４    絶縁層　２５５ａ   
 絶縁層　２５５ｂ    絶縁層　２５６    プラグ　２６１    絶縁層　２６２   
 絶縁層　２６３    絶縁層　２６４    絶縁層　２６５    絶縁層　２７１    
プラグ　２７４    プラグ　２７４ａ    導電層　２７４ｂ    導電層　２８０    
表示モジュール　２８１    表示部　２８２    回路部　２８３    画素回路部
２８３ａ    画素回路　２８４    画素部　２８４ａ    画素　２８５    端子部
２８６    配線部　２９０    ＦＰＣ　２９１    基板　２９２    基板　３０１    
基板　３０１Ａ    基板　３０１Ｂ    基板　３１０    トランジスタ　３１０Ａ
   トランジスタ　３１０Ｂ    トランジスタ　３１１    導電層　３１２    低
抵抗領域　３１３    絶縁層　３１４    絶縁層　３１５    素子分離層　３２０  
  トランジスタ　３２１    半導体層　３２３    絶縁層　３２４    導電層　
３２５    導電層　３２６    絶縁層　３２７    導電層　３２８    絶縁層
３２９    絶縁層　３３１    基板　３３２    絶縁層　３３５    絶縁層　３３６
    絶縁層　３４１    導電層　３４２    導電層　３４３    プラグ　３４４   
 絶縁層　３４５    絶縁層　３４６    絶縁層　３４７    バンプ　３４８    
接着層　４０１    基板　４１０    トランジスタ　４１０ａ    トランジスタ
４１１    半導体層　４１１ｉ    チャネル形成領域　４１１ｎ    低抵抗領域
４１２    絶縁層　４１３    導電層　４１４ａ    導電層　４１４ｂ    導電層
４１５    導電層　４１６    絶縁層　４２１    絶縁層　４２２    絶縁層
４２３    絶縁層　４２６    絶縁層　４３１    導電層　４５０    トランジスタ
４５０ａ    トランジスタ　４５１    半導体層　４５２    絶縁層　４５３    
導電層　４５４ａ    導電層　４５４ｂ    導電層　４５５    導電層　５００    
表示装置　５０１    電極　５０２    電極　５１２Ｑ＿１    発光ユニット
５１２Ｑ＿２    発光ユニット　５１２Ｑ＿３    発光ユニット　５１２Ｂ    
発光ユニット　５２１    層　５２２    層　５２３Ｑ＿１    発光層　５２３
Ｑ＿２    発光層　５２３Ｑ＿３    発光層　５２４    層　５２５    層　５３１
 中間層　５４０    保護層　５４５Ｇ    色変換層　５４５Ｒ    色変換層　
５５０Ｂ    発光デバイス　７００Ａ    電子機器　７００Ｂ    電子機器
７２１    筐体　７２３    装着部　７２７    イヤフォン部　７５０    イヤ
フォン　７５１    表示パネル　７５３    光学部材　７５６    表示領域　
７５７    フレーム　７５８    鼻パッド　８００Ａ    電子機器　８００Ｂ    
電子機器　８２０    表示部　８２１    筐体　８２２    通信部　８２３   
 装着部　８２４    制御部　８２５    撮像部　８２７    イヤフォン部
８３２    レンズ　６５００    電子機器　６５０１    筐体　６５０２    表示
部　６５０３    電源ボタン　６５０４    ボタン　６５０５    スピーカ　
６５０６    マイク　６５０７    カメラ　６５０８    光源　６５１０    保
護部材　６５１１    表示パネル　６５１２    光学部材　６５１３    タッチ
センサパネル　６５１５    ＦＰＣ　６５１６    ＩＣ　６５１７    プリン
ト基板　６５１８    バッテリ　７０００    表示部　７１００    テレビジ
ョン装置　７１０１    筐体　７１０３    スタンド　７１１１    リモコン操
作機　７２００    ノート型パーソナルコンピュータ　７２１１    筐体　
７２１２    キーボード　７２１３    ポインティングデバイス　７２１４   
 外部接続ポート　７３００    デジタルサイネージ　７３０１    筐体　７
３０３    スピーカ　７３１１    情報端末機　７４００    デジタルサイネージ
７４０１    柱　７４１１    情報端末機　９０００    筐体　９００１    表示
部　９００２    カメラ　９００３    スピーカ　９００５    操作キー　９０
０６    接続端子　９００７    センサ　９００８    マイクロフォン　９０５０ 
   アイコン　９０５１    情報　９０５２    情報　９０５３    情報　９０５４    
情報　９０５５    ヒンジ　９１０１    携帯情報端末　９１０２    携帯情報
端末　９１０３    タブレット端末　９２００    携帯情報端末　９２０１    
携帯情報端末

図３（Ａ）乃至図３（Ｃ）は、表示装置の一例を示す断面図

【０１７６】次に、図２および図３を用いて、表示装置１００の断面形状
の変形例について説明する。
【０１７７】図２（Ａ）に示すように、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、
１３０ｃ上にそれぞれ異なる色の光に変換する機能を有する色変換層１２９ａ
、１２９ｂ、１２９ｃを設けて、それぞれ異なる色の光を発する副画素１
１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃを形成してもよい。
【０１７８】例えば、色変換層１２９ａは、発光デバイス１３０ａの呈す
る青色の光を黄色（Ｙ）の光に変換することができ、色変換層１２９ｂは、
発光デバイス１３０ｂの呈する青色の光をシアン（Ｃ）の光に変換すること
ができ、色変換層１２９ｃは、発光デバイス１３０ｃの呈する青色の光を
マゼンタ（Ｍ）の光に変換することができる構成とすることができる。な
お、これに限られず、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの構成は、そ
れぞれ、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の構成としてもよい。
副画素１１０ｃが青色の光を呈する場合、発光デバイス１３０ｃからの青色
発光を、色変換層１２９ｃを介して外部に取り出すことで、色変換層１２９ｃ
を有さない場合よりも、発光スペクトルの半値幅の狭い鮮やかな青色を呈す
る副画素とすることが可能となる。
【０１７９】図２（Ｂ）に示すように、表示装置１００にマイクロレンズ
１３４を設ける構成にしてもよい。ここで、図２（Ｂ）に示す表示装置
１００は、第１の基板１３５と、第２の基板１３６と、を有する。第１の
基板１３５は、層１０１と、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃと、
第１の層１１３ａと、第２の層１１３ｂと、第３の層１１３ｃと、第５の
層１１４と、共通電極１１５と、保護層１３１、１３２と、絶縁層１２１
、１２５、１２７と、を含む。第２の基板１３６は、基板１２０と、色変
換層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃと、絶縁層１３３と、マイクロレンズ１
３４と、を含む。

【０１８０】第２の基板１３６は、基板１２０を基準にすると、基板１２０
上に色変換層１２９が設けられ、色変換層１２９の上に絶縁層１３３が設け
られ、絶縁層１３３の上にマイクロレンズ１３４が設けられる。マイクロ
レンズ１３４および色変換層１２９は、対応するいずれかの発光デバイス１
３０と重畳するように配置される。
【０１８１】マイクロレンズ１３４は、可視光に対して透光性の高い樹脂
またはガラスなどを用いればよい。マイクロレンズ１３４は、副画素ごと
に別個に形成されていてもよいし、複数の副画素で一体化されていてもよ
い。マイクロレンズ１３４を設けることで、発光デバイス１３０が発する
光を集光し、表示装置１００からの光取り出し効率の向上を図ることがで
きる。
【０１８２】絶縁層１３３は、保護層１３１、１３２に用いることができ
る、無機絶縁膜または有機絶縁膜を用いればよい。また、絶縁層１３３は、
平坦化膜として機能することが好ましく、この場合、絶縁層１３３として
有機絶縁膜を用いることが好ましい。また、絶縁層１３３を設けない構成
にしてもよい。
【０１８３】図２（Ｂ）に示すように、表示装置１００は、第１の基板１３５
と、第２の基板１３６を、樹脂層１２２によって、貼り合わせることで、
形成することができる。
【０１８４】また、図１（Ｂ）においては、絶縁層１２５を設ける構成を
示したが、本発明はこれに限られるものではなく、図３（Ａ）に示すように、
絶縁層１２５を設けない構成にしてもよい。このとき、絶縁層１２７の下
面は、絶縁層１２１の上面に接する。また、絶縁層１２７には、第１の層１
１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃに与えるダメージの少
ない有機材料を用いることが好ましい。例えば、絶縁層１２７には、ポリ
ビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリド
ン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセル
ロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用い
ることが好ましい。
【０１８５】また、図１（Ｂ）においては、絶縁層１２５の上面及び絶縁
層１２７の上面の高さが、それぞれ、第１の層１１３ａ、第２の層１１３
ｂ、及び、第３の層１１３ｃの少なくとも一つの上面の高さと一致または
概略一致する構成を示したが、本発明はこれに限られるものではない。例
えば、図３（Ｂ）に示すように、絶縁層１２５の上面及び絶縁層１２７の
上面が、第１の層１１３ａの上面、第２の層１１３ｂの上面、及び、第３
の層１１３ｃの上面より高くなる構成にしてもよい。
【０１８６】図３（Ｂ）に示すように、第１の層１１３ａ、第２の層１１３
ｂ、または第３の層１１３ｃの上に、第１の犠牲層１１８、および第２の
犠牲層１１９の一方または両方が形成される場合がある。例えば、第１の
層１１３ａの上面、第２の層１１３ｂの上面、及び、第３の層１１３ｃの
上面に、第１の犠牲層１１８が形成され、第１の犠牲層１１８の上に第２
の犠牲層１１９が形成される。第１の犠牲層１１８の一方の側面、および
第２の犠牲層１１９の一方の側面は、絶縁層１２５に接する。また、第１
の犠牲層１１８の他方の側面、および第２の犠牲層１１９の他方の側面は、
第５の層１１４に接する。なお、第１の犠牲層１１８、および第２の犠
牲層１１９は、表示装置１００の作製工程において用いられる犠牲層であ
り、詳細は後述する。
【０１８７】ここで、第１の犠牲層１１８の側面、第２の犠牲層１１９の
側面、絶縁層１２５の側面の一部、及び絶縁層１２７の側面の一部によっ
て、形成される平面（第５の層１１４と接する側の面）は、断面視におい
て、テーパー形状を有することが好ましい。当該平面が断面視において、
テーパー形状を有することで、第１の犠牲層１１８、第２の犠牲層１１９、
絶縁層１２５、及び絶縁層１２７を覆って形成される第５の層１１４及び
共通電極１１５を被覆性良く形成し、第５の層１１４及び共通電極１１５
に段切れなどが発生するのを防ぐことができる。
【０１８８】また、図２（Ｂ）においては、マイクロレンズ１３４を基板
１２０側に設ける構成を示したが、本発明はこれに限られるものではない。
例えば、図３（Ｃ）に示すように、マイクロレンズ１３４を、層１０１側に
設ける構成にしてもよい。この場合、色変換層１２９の上に絶縁層１３３を
設け、絶縁層１３３上にマイクロレンズ１３４を設ければよい。マイクロレ
ンズ１３４上に設けられた樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わさ
れる。
【０１８９】なお、本発明の一態様の表示装置は、３色の副画素で１つの
色を表現する構成に限られない。例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、
Ｗ（白）の４色の副画素で１つの色を表現する構成を適用してもよい。図４
に４種類の副画素で画素を構成する例を示す。

図４（Ａ）は、表示装置の一例を示す上面図である。図４（Ｂ）は、表示
装置の一例を示す断面図

【０１９０】図４（Ａ）に示すように、画素は副画素を４種類有する構成
とすることができる。
【０１９１】図４（Ａ）に表示装置１００の上面図を示す。表示装置１００
は、複数の画素１１０がマトリクス状に配置された表示部と、表示部の外
側の接続部１４０と、を有する。
【０１９２】図４（Ａ）に示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、
１１０ｃ、１１０ｄの、４種類の副画素ら構成される。
【０１９３】例えば、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、
それぞれ異なる色の光を発する構成とすることができる。副画素１１０ｄも、
副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃと同様に、青色光を発する発光デバ
イス１３０ｄを有する。例えば、副画素１１０ａは、青色の光を赤色の光
に変換することができる色変換層１２９ａを有し、副画素１１０ｂは、青
色の光を緑色の光に変換することができる色変換層１２９ｂを有し、副画
素１１０ｃは、青色の光を白色の光に変換することができる色変換層１２
９ｃを有し、副画素１１０ｄは色変換層を有さない構成とする。このよう
な構成にすることで、例えば、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃは、
それぞれ、赤色、緑色、白色の副画素とすることができ、副画素１１０ｄ
は、青色の副画素とすることができる。
【０１９４】図４（Ａ）では、１つの画素１１０が２行３列で構成されて
いる例を示す。画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画
素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの
副画素１１０ｄを有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目
）に、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に
副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄを有し、右の列（３列目）に副画素
１１０ｃ及び副画素１１０ｄを有する。図４（Ａ）に示すように、上の行と
下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、製造プロセスで生じ
うるゴミなどを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品
位の高い表示装置を提供することができる。
【０１９５】図４（Ｂ）に、図４（Ａ）における一点鎖線Ｘ３－Ｘ４間の
断面図を示す。図４（Ｂ）に示す構成は、発光デバイス１３０ｄを有する
点以外は、図１（Ｂ）と同様の構成である。したがって、図１（Ｂ）と同
様の部分については説明を省略する。
【０１９６】図４（Ｂ）に示すように、表示装置１００は、層１０１上に、
発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ、１３０ｄが設けられ、これ
らの発光デバイスを覆うように保護層１３１、１３２が設けられている。
保護層１３２上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされて
いる。また、隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁層１２５及び絶
縁層１２７が設けられている。絶縁層１２５及び絶縁層１２７は絶縁層１
２１上に設けられる。
【０１９７】発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ、１３０ｄは、
青色の光を発する。発光デバイス１３０ａに重畳して色変換層１２９ａが
設けられ、発光デバイス１３０ｂに重畳して色変換層１２９ｂが設けられ、
発光デバイス１３０ｃに重畳して色変換層１２９ｃが設けられる。発光デ
バイス１３０ｄの上には色変換層が設けられない。例えば、色変換層１２９ａ
が青色の光を赤色（Ｒ）の光へ変換し、色変換層１２９ｂが青色の光を緑
色（Ｇ）の光へ変換し、色変換層１２９ｃが青色の光を白色（Ｗ）の光へ
変換する構成にすることで、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、白色（
Ｗ）の４色の光を発する組み合わせにすることができる。
【０１９８】発光デバイス１３０ｄは、層１０１上の画素電極１１１ｄと、
画素電極１１１ｄ上の島状の第４の層１１３ｄと、島状の第４の層１１３
ｄ上の第５の層１１４と、第５の層１１４上の共通電極１１５と、を有す
る。発光デバイス１３０ｄにおいて、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層
１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。なお、画素電極１１１ｄは、
画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃと同様の材料を用いればよい。ま
た、第４の層１１３ｄは、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第
３の層１１３ｃと同様の材料を用いればよい。
【０１９９】画素１１０が有する３つの副画素１１０ｄは、それぞれ独立
に発光デバイス１３０ｄを有していてもよく、１つの発光デバイス１３０ｄ
を共通して有していてもよい。つまり、画素１１０は、発光デバイス１３０ｄ
を１つ有していてもよく、３つ有していてもよい。

【０２００】【画素のレイアウト］
  次に、図１（Ａ）及び図４（Ａ）とは異なる画素レイアウトについて説明
する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができ
る。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、
マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げ
られる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　この項つづく

 

エネルギーと環境75

彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の井伊
軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと）と兜（かぶ
と）を合体させて生まれたキャラクタ－

【季語と短歌：12月12日】

 

　　　　　　　　　浮寢鳥数だけ別れし雪伊吹　　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　高山　宇　（赤鬼）

 

【関連特許最新技術】
5.　特開2022-158973　表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表
示装置の作製方法　株式会社半導体エネルギー研究所

【発明を実施するための形態】
【００３６】（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置とその作製方法について図
１乃至図１３を用いて説明する。

図１３（Ａ）乃至図１３（Ｆ）は、表示装置の作製方法の一例を示す断面図

【００４０】各画素の発光デバイスを、青色発光の有機ＥＬデバイスで形
成する場合、各画素において、発光層の塗分けを行う必要がない。よって、
発光デバイスに含まれる画素電極以外の層（例えば発光層など）を、各画
素で共通にすることができる。しかしながら、発光デバイスに含まれる層
には、比較的導電性が高い層もあり、導電性が高い層が各画素で共通で設
けられることで、画素間にリーク電流が発生する場合がある。特に、表示
装置が高精細化または高開口率化され、画素間の距離が小さくなると、当
該リーク電流は無視できない大きさになり、表示装置の表示品位の低下な
どを引き起こす恐れがある。そこで、本発明の一態様に係る表示装置では、
各画素において、発光デバイスの少なくとも一部を島状に形成することで、
表示装置の高精細化と高信頼性化を図る。ここで、当該発光デバイスの島
状に形成する部分には、発光層を含むものとする。
【００４１】なお、本明細書等において、島状とは、同一工程で形成され
た同一材料を用いた２以上の層が、物理的に分離されている状態であるこ
とを示す。例えば、島状の発光層とは、当該発光層と、隣接する発光層と
が、物理的に分離されている状態であることを示す。
【００４２】例えば、メタルマスク（シャドーマスクともいう）を用いた
真空蒸着法により、島状の発光層を成膜することができる。しかし、この
方法では、メタルマスクの寸法精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、
メタルマスクのたわみ、及び蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の
広がりなど、様々な影響により、島状の発光層の形状及び位置に設計から
のずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。
また、蒸着の際に、層の輪郭がぼやけて、端部の厚さが薄くなることがあ
る。つまり、島状の発光層は場所によって厚さにばらつきが生じることが
ある。また、大型、高解像度、または高精細な表示装置を作製する場合、
メタルマスクの寸法精度の低さ、及び、熱等による変形により、製造歩留
まりが低くなる懸念がある。

【００４３】本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状の画素電極
（下部電極ともいえる）を形成し、画素電極の端部を覆う絶縁層を形成し
た後、発光層を含む層（ＥＬ層、またはＥＬ層の一部、ということができ
る）を一面に形成し、ＥＬ層上に犠牲層（マスク層ともいう）を形成する。
そして、犠牲層上にレジストマスクを形成し、レジストマスクを用いて、
ＥＬ層と犠牲層を加工することで、島状の画素電極上に島状のＥＬ層を形
成する。ここでＥＬ層とは少なくとも発光層を含み、発光ユニットという
こともできる。
【００４４】このように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島
状のＥＬ層は、メタルマスクのパターンによって形成されるのではなく、
ＥＬ層を一面に成膜した後に加工することで形成される。したがって、こ
れまで実現が困難であった高精細な表示装置または高開口率の表示装置を
実現することができる。また、ＥＬ層上に犠牲層を設けることで、表示装
置の作製工程中にＥＬ層が受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼
性を高めることができる。

【００４５】 隣り合う発光デバイスの間隔について、例えばメタルマスク
を用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、上記方法
であれば、８μｍ以下、６μｍ以下、４μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、
または、１μｍ以下にまで狭めることができる。さらに、例えばＬＳＩ向
けの露光装置を用いることで、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００
ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで間隔を狭めることもできる。これ
により、２つの発光デバイス間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮
小することができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例え
ば、開口率は、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さら
には９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。

【００４６】また、ＥＬ層自体のパターンについても、メタルマスクを用
いた場合に比べて極めて小さくすることができる。また、例えばＥＬ層の
作り分けにメタルマスクを用いた場合では、パターンの中央と端で厚さの
ばらつきが生じるため、パターン全体の面積に対して、発光領域として使
用できる有効な面積は小さくなる。一方、上記作製方法では、均一な厚さ
に成膜した膜を加工することでパターンを形成するため、パターン内で厚
さを均一にでき、微細なパターンであっても、そのほぼ全域を発光領域と
して用いることができる。そのため、高い精細度と高い開口率を兼ね備え
た表示装置を作製することができる。
【００４７】なお、青色光を発する発光デバイスにおいて、ＥＬ層を構成
する全ての層を島状に形成する必要はなく、一部の層は同一工程で成膜す
ることができる。本発明の一態様の表示装置の作製方法では、ＥＬ層を構
成する一部の層を画素ごとに島状に形成した後、犠牲層を除去し、ＥＬ層
を構成する残りの層（例えば、キャリア注入層など）と、共通電極（上部
電極ともいえる）と、を共通して形成することができる。
【００４８】一方で、キャリア注入層は、発光デバイスの中では、比較的
導電性が高い層であることが多い。そのため、キャリア注入層が、島状の
ＥＬ層の側面に接することで、発光デバイスがショートする恐れがある。
なお、キャリア注入層を島状に設け、共通電極のみを発光デバイス間で共
通して形成する場合についても、共通電極と、島状のＥＬ層の側面、また
は、画素電極の側面とが接することで、発光デバイスがショートする恐れ
がある。
【００４９】そこで、本発明の一態様の表示装置は、島状のＥＬ層（例え
ば発光層）の側面を覆う絶縁層と、画素電極の端部を覆う絶縁層と、を有
する。これにより、島状のＥＬ層の少なくとも一部の層、及び画素電極が、
キャリア注入層または共通電極と接することを抑制できる。したがって、
発光デバイスのショートを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることが
できる。
【００５０】本発明の一態様の表示装置は、陽極として機能する画素電極
と、画素電極上にこの順で設けられた、それぞれ島状の、正孔注入層、正
孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層と、画素電極の端部を覆う絶縁層と、
正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層のそれぞれの側面を
覆うように設けられた絶縁層と、電子輸送層上に設けられた電子注入層と、
電子注入層上に設けられ、陰極として機能する共通電極と、を有する。
【００５１】または、本発明の一態様の表示装置は、陰極として機能する
画素電極と、画素電極上にこの順で設けられた、それぞれ島状の、電子注
入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層と、画素電極の端部を覆う
絶縁層と、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層のそれぞ
れの側面を覆うように設けられた絶縁層と、正孔輸送層上に設けられた正
孔注入層と、正孔注入層上に設けられ、陽極として機能する共通電極と、
を有する。
【００５２】または、本発明の一態様の表示装置は、画素電極と、画素電
極上の第１の発光ユニットと、第１の発光ユニット上の中間層（電荷発生
層ともいう）と、中間層上の第２の発光ユニットと、画素電極の端部を覆
う絶縁層と、第１の発光ユニット、中間層、及び、第２の発光ユニットの
それぞれの側面を覆うように設けられた絶縁層と、第２の発光ユニット上
に設けられた共通電極と、を有する。なお、第２の発光ユニットと共通電
極との間に、各色の発光デバイスに共通の層が設けられていてもよい。
【００５３】正孔注入層、電子注入層、または電荷発生層などは、ＥＬ層
の中では、比較的導電性が高い層であることが多い。本発明の一態様の表
示装置では、これらの層の側面が絶縁層で覆われるため、共通電極などと
接することを抑制することができる。したがって、発光デバイスのショー
トを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
【００５４】また、本発明の一態様の表示装置は、各画素が有する発光デ
バイスがいずれも青色の光を呈し、色変換層によって異なる波長の光へと
変換することで、フルカラー化を達成している。従って、白色の光を呈す
る発光デバイスを作製する場合と比較して、成膜するＥＬ層の層数や材料
の種類を削減することができるため、製造装置及び工程を簡素化して歩留
まりを向上させることができる。

【００５５】このような構成とすることで、精細度または解像度が高く、
信頼性の高い、表示装置を作製することができる。例えばペンタイル方式
などの特殊な画素配列方式を適用し、疑似的に精細度を高める必要が無く、
１つの画素に３つ以上の副画素を用いた配列方法であっても、極めて高精
細な表示装置を実現できる。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂをそれぞれ一方向に配列
させた、いわゆるストライプ配置で、且つ、５００ｐｐｉ以上、１０００
ｐｐｉ以上、または２０００ｐｐｉ以上、さらには３０００ｐｐｉ以上、
さらには５０００ｐｐｉ以上の精細度の表示装置を実現することができる。
【００５６】色変換層としては、蛍光体、または量子ドット（ＱＤ：Ｑｕー
ａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）を用いることが好ましい。量子ドットは、発光スペク
トルのピーク幅が狭く、色純度のよい発光を得ることができる。これによ
り、表示装置の表示品位を高めることができる。
【００５７】ＥＬ層などの側面を覆う絶縁層は、単層構造であってもよく
積層構造であってもよい。特に、２層構造の絶縁層を適用することが好ま
しい。例えば、絶縁層の１層目は、ＥＬ層に接して形成されるため、無機
絶縁材料を用いて形成することが好ましい。特に、成膜ダメージが小さい
原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法を用いて形成することが好ましい。そのほか、ＡＬＤ法よりも成膜速度
が速い、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  
Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、または、プラズマ化学気相堆積
（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＣＶＤ）法を用いて無機
絶縁層を形成することが好ましい。これにより、信頼性の高い表示装置を
生産性高く作製することができる。また、絶縁層の２層目は、１層目の絶
縁層に形成された凹部を平坦化するように、有機材料を用いて形成するこ
とが好ましい。
【００５８】例えば、絶縁層の１層目に、ＡＬＤ法により形成した酸化ア
ルミニウム膜を用い、絶縁層の２層目に、感光性の有機樹脂膜を用いるこ
とができる。
【００５９】また、単層構造の絶縁層を形成してもよい。例えば、無機材
料を用いた単層構造の絶縁層を形成することで、当該絶縁層をＥＬ層の保
護絶縁層として用いることができる。これにより、表示装置の信頼性を高
めることができる。また、例えば、有機材料を用いた単層構造の絶縁層を
形成することで、隣り合うＥＬ層の間を当該絶縁層で充填し、平坦化する
ことができる。これにより、ＥＬ層及び絶縁層上に形成する共通電極（上
部電極 ）の被覆性を高めることができる。
【００６０】［表示装置の構成例１］ 図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に、本発
明の一態様の表示装置を示す。
【００６１】  図１（Ａ）に表示装置１００の上面図を示す。表示装置１００
は、複数の画素１１０がマトリクス状に配置された表示部と、表示部の外
側の接続部１４０と、を有する。
【００６２】図１では、副画素１１０ａと副画素１１０ｂは、それぞれ発
光デバイス１３０ａ、１３０ｂに重畳して色変換層１２９ａ、１２９ｂ（
以下、まとめて色変換層１２９と呼ぶ場合がある。）が設けられ、副画素
１１０ｃは色変換層を有さない構成を有している。例えば、色変換層１２
９ａは、青色の光を赤色の光に変換することができ、色変換層１２９ｂは
青色の光を緑色の光に変換することができる。これによって、副画素１１０ａ
では赤色の光が外部に取り出され、副画素１１０ｂでは緑色の光が外部に
取り出される。色変換層を有さない副画素１１０ｃでは、発光デバイス１
３０ｃが呈した青色の光が取り出される。なお、副画素１１０ａ、１１０ｂ、
１１０ｃの構成は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色に限られ
ず、例えば副画素１１０ｃに色変換層を設けて、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、
及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などとしてもよい。
【００６５】図１（Ｂ）に、図１（Ａ）における一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間
の断面図を示す。
【００６６】図１（Ｂ）に示すように、表示装置１００は、トランジスタ
（図示しない）を含む層１０１上に、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、
１３０ｃが設けられ、これらの発光デバイスを覆うように保護層１３１、
１３２が設けられている。保護層１３２上には、色変換層１２９ａ、１２９
ｂが設けられている。さらにその上に、樹脂層１２２によって基板１２０
が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶
縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。
【００６７】本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが形成されてい
る基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、
発光デバイスが形成されている基板側に光を射出する下面射出型（ボトム
エミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッショ
ン型）のいずれであってもよい。
【００６８】層１０１には、例えば、基板に複数のトランジスタ（図示し
ない）が設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられ
た積層構造を適用することができる。層１０１は、隣り合う発光デバイス
の間に凹部を有していてもよい。例えば、層１０１の最表面に位置する絶
縁層に凹部が設けられていてもよい。層１０１の構成例は、実施の形態３、
４で後述する。
【００６９】発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃは、それぞれ、
（Ｂ）の光を発することが好ましい。発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ上
にそれぞれ異なる色の光に変換する機能を有する色変換層１２９ａ、１２
９ｂを設け、発光デバイス１３０ｃ上には色変換層を設けない構成とする
ことで、それぞれ異なる色の光を発する副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１
０ｃを形成することができる。

【００７０】 なお、本発明の一態様の表示装置に用いることが可能な発光
デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃとしては青色の光を発する発光デ
バイスに限られず、例えば紫外光を発する発光デバイスを適用することも
できる。発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃとして紫外光を発す
る発光デバイスを適用した場合には、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、
１３０ｃに重畳して、それぞれ異なる色の光に変換する機能を有する色変
換層１２９を設けるとよい。例えば、色変換層１２９ａとして、紫外光を
赤色の波長の光に変換する色変換層を設け、色変換層１２９ｂとして、紫
外光を緑色の波長の光に変換する色変換層を設け、発光デバイス１３０ｃ
上に、紫外光を青色の波長の光に変換する色変換層を設けることができる。
これによって、副画素１１０ａでは赤色の光が外部に取り出され、副画素
１１０ｂでは緑色の光が外部に取り出され、副画素１１０ｃでは青色の光
が外部に取り出され、表示装置をフルカラー化することができる。

【００７１】発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃとしては、ＯＬ
ＥＤ、またはＱＬＥＤなどのＥＬデバイスを用いることが好ましい。ＥＬ
デバイスが有する発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐
光を発する物質（燐光材料）、無機化合物（量子ドット材料など）、熱活
性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料）などが挙
げられる。なお、ＴＡＤＦ材料としては、一重項励起状態と三重項励起状
態間が熱平衡状態にある材料を用いてもよい。このようなＴＡＤＦ材料は
発光寿命（励起寿命）が短くなるため、発光デバイスにおける高輝度領域
での効率低下を抑制することができる。
【００７２】発光デバイスは、一対の電極間にＥＬ層を有する。本明細書
等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すこと
がある。
【００７３】発光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極
として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が
陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明
する。
【００７４】発光デバイス１３０ａは、層１０１上の画素電極１１１ａと
画素電極１１１ａ上の島状の第１の層１１３ａと、島状の第１の層１１３ａ
上の第５の層１１４と、第５の層１１４上の共通電極１１５と、を有する。
発光デバイス１３０ａにおいて、第１の層１１３ａ、及び、第５の層１１４
をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。
【００７５】 本実施の形態の発光デバイスの構成に、特に限定はなく、シ
ングル構造であってもタンデム構造であってもよい。なお、発光デバイス
の構成例については、実施の形態２で後述する。
【００７６】発光デバイス１３０ｂは、層１０１上の画素電極１１１ｂと
画素電極１１１ｂ上の島状の第２の層１１３ｂと、島状の第２の層１１３
ｂ上の第５の層１１４と、第５の層１１４上の共通電極１１５と、を有す
る。発光デバイス１３０ｂにおいて、第２の層１１３ｂ、及び、第５の層
１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。
【００７７】発光デバイス１３０ｃは、層１０１上の画素電極１１１ｃと、
画素電極１１１ｃ上の島状の第３の層１１３ｃと、島状の第３の層１１３
ｃ上の第５の層１１４と、第５の層１１４上の共通電極１１５と、を有す
る。発光デバイス１３０ｃにおいて、第３の層１１３ｃ、及び、第５の層
１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。
【００７８】各色の発光デバイスにおいて、共通電極として、同一の膜を
共有している。各発光デバイスが共通して有する共通電極は、接続部１４０
に設けられた導電層と電気的に接続される。これにより、各発光デバイス
が有する共通電極には、同電位が供給される。
【００７９】画素電極と共通電極のうち、光を取り出す側の電極には、可
視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、
可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

【００８０】発光デバイスの一対の電極（画素電極と共通電極）を形成す
る材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物な
どを適宜用いることができる。具体的には、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ
－Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ－Ｓｉ－Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯと
もいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｚｎ酸化物）、Ｉｎ－Ｗ－Ｚｎ
酸化物、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ
）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、及び、銀とパラジ
ウムと銅の合金（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）が挙げられる。そ
の他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガ
ン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、
ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、
モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム
（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、
ネオジム（Ｎｄ）などの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を
用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または
第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カ
ルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、
イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて
含む合金、グラフェン等を用いることができる。

【００８１】発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構
造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する
一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半
透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反
射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光デバイスが
マイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電
極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。
【００８２】なお、半透過・半反射電極は、反射電極と可視光に対する透
過性を有する電極（透明電極ともいう）との積層構造とすることができる。
【００８３】透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光
デバイスには、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過
率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極
の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０
％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、
好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率
は、１×１０^－２Ωｃｍ以下が好ましい。
【００８４】第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃ
は、それぞれ、島状に設けられる。第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、
及び、第３の層１１３ｃは、それぞれ、発光層を有する。第１の層１１３ａ、
第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃは、青色の光を発する発光層を
有することが好ましい。ここで、島状の第１の層１１３ａと、島状の第２の
層１１３ｂと、島状の第３の層１１３ｃとは、それぞれ同一の材料を有す
ることが好ましい。つまり、島状の第１の層１１３ａ、島状の第２の層
１１３ｂ、及び島状の第３の層１１３ｃは、それぞれ同じ工程で成膜され
た膜をパターニングして形成されることが好ましい。

【００８５】発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、１種または
複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、
青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜
用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもで
きる。
【００８６】発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、量
子ドット材料などが挙げられる。
【００８７】蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘
導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、
ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリ
ン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フ
ェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。
【００８８】燐光材料としては、例えば、４Ｈ－トリアゾール骨格、１Ｈ
－トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、
またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子
吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特
にイリジウム錯体）、白金錯体、希土類金属錯体等が挙げられる。
【００８９】発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複
数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。
１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性材料及び電子輸送性
材料の一方または双方を用いることができる。また、１種または複数種の
有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。
【００９０】光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み
合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ま
しい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材
料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ－Ｔｒｉｐー
ｌｅｔ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得るこ
とができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるよう
な発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、
エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。こ
の構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現
できる。

【００９０】発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組
み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好
ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光
材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ－Ｔｒｉー
ｐｌｅｔ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得る
ことができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるよ
うな発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、
エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。
この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実
現できる。
【００９１】第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃ
は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、
正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、電子
ブロック材料、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が
高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
【００９２】発光デバイスには低分子系化合物及び高分子系化合物のいず
れを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを
構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、
インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【００９３】例えば、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３
の層１１３ｃは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、
電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上を有してい
てもよい。
【００９４】ＥＬ層のうち、各発光デバイスに共通して形成される層として
は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層（正孔抑止層と呼ぶ場合が
ある。）、電子ブロック層（電子抑止層と呼ぶ場合がある。）、電子輸送
層、及び電子注入層のうち一つ以上を適用することができる。例えば、第
５の層１１４として、キャリア注入層（正孔注入層または電子注入層）を
形成してもよい。なお、ＥＬ層の全ての層を色ごとに作り分けてもよい。
つまり、ＥＬ層は、各色に共通して形成される層を有していなくてもよい。
【００９５】第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１
３ｃは、それぞれ、発光層と、発光層上のキャリア輸送層を有することが
好ましい。これにより、表示装置１００の作製工程中に、発光層が最表面
に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができ
る。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
【００９６】正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であ
り、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料として
は、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（
電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。
【００９７】正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正
孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層
である。正孔輸送性材料としては、１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移
動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質
であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料とし
ては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオ
フェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を
有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。
【００９８】 電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電
子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層
である。電子輸送性材料としては、１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移
動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質
であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料として
は、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯
体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯
体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール
誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導
体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キ
ノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピ
リジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ
電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることがで
きる。
【００９９】また、電子輸送層は、積層構造を有していても良く、また、
陽極側から発光層を通過して陰極側に移動するホールをブロックするため
の正孔ブロック層を発光層に接して有していても良い。

【０１００】電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であ
り、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料として
は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いるこ
とができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性
材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。
【０１０１】電子注入層としては、例えば、リチウム、セシウム、イッテル
ビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化
カルシウム（ＣａＦ_ｘ、ｘは任意数）、８－（キノリノラト）リチウム（略
称：Ｌｉｑ）、２－（２－ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）
２－（２－ピリジル）－３－ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、
４－フェニル－２－（２－ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰ
ＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金
属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、
電子注入層としては、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造として
は、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設
ける構成とすることができる。
【０１０２】
  または、電子注入層としては、電子輸送性材料を用いてもよい。例えば、
非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性
材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリ
ミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも一つ
を有する化合物を用いることができる。
【０１０３】
  なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：
Ｌｏｗｅｓｔ  Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ
）が、－３．６ｅＶ以上－２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般
にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、
逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：
Ｈｉｇｈｅｓｔ  Ｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ）
準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。
【０１０４】
  例えば、４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＢＰ
ｈｅｎ）、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－
１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ
［２，３－ａ：２’，３’－ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４
，６－トリス［３’－（ピリジン－３－イル）ビフェニル－３－イル］－
１，３，５－トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対
を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈ
ｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。
【０１０５】また、タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの
発光ユニットの間に、中間層を設ける。中間層は、一対の電極間に電圧を
印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔
を注入する機能を有する。
【０１０６】中間層としては、例えば、リチウムなどの電子注入層に適用
可能な材料を好適に用いることができる。また、中間層としては、例えば、
正孔注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、中間層
には、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む
層を用いることができる。また、中間層には、電子輸送性材料とドナー性
材料とを含む層を用いることができる。このような層を有する中間層を形
成することにより、発光ユニットが積層された場合における駆動電圧の上
昇を抑制することができる。
【０１０７】画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃのそれぞれの端部は、
絶縁層１２１によって覆われている。
【０１０８】絶縁層１２１は、無機絶縁膜及び有機絶縁膜の一方または双
方を用いた、単層構造または積層構造とすることができる。
【０１０９】画素電極の端部を覆う絶縁層１２１として、無機絶縁膜を用
いると、有機絶縁膜を用いる場合よりも、発光デバイスに外部から不純物
が混入するのを防ぐ効果を高めることができる。そのため、発光デバイス
の信頼性を高めることができる。一方、画素電極の端部を覆う絶縁層１２１
として、有機絶縁膜を用いると、無機絶縁膜を用いる場合よりも、画素電
極の端部に対して被覆性良く形成することができる。そのため、発光デバ
イスのショートを防止できる。具体的には、絶縁層１２１として、有機絶
縁膜を用いると、絶縁層１２１の形状をテーパー形状などに加工すること
ができる。なお、本明細書等において、テーパー形状とは、構造の側面の
少なくとも一部が、基板面または被形成面に対して傾斜して設けられてい
る形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面または被形成面とが
なす角（テーパー角ともいう）が９０度未満である領域を有すると好ましい。

【０１１０】  第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３
ｃのそれぞれの側面は、絶縁層１２１上に設けられた絶縁層１２５及び絶縁
層１２７によって覆われている。これにより、第５の層１１４（または共通
電極１１５）が、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層
１１３ｃのいずれかの側面と接することを抑制し、発光デバイスのショー
トを抑制することができる。
【０１１１】  また、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の
層１１３ｃがタンデム構造を有する場合、これらの層に含まれる、複数の発
光ユニット、および中間層のそれぞれの側面も、絶縁層１２５及び絶縁層
１２７によって覆われる。これにより、第５の層１１４（または共通電極
１１５）が、複数の発光ユニット、および中間層のいずれかの側面と接す
ることを抑制し、発光デバイスのショートを抑制することができる。
【０１１２】絶縁層１２５は、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及
び、第３の層１１３ｃのそれぞれの側面を覆うことが好ましい。絶縁層１２５
は、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃのそ
れぞれの側面と接する構成とすることができる。また、絶縁層１２５の下
面が、絶縁層１２１の上面と接する構成とすることができる。絶縁層１２５
は、無機材料を有する絶縁層とすることが好ましい。
【０１１３】絶縁層１２７は、絶縁層１２５に形成された凹部を充填するよ
うに、絶縁層１２５上に設けられる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介し
て、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃのそれ
ぞれの側面と、絶縁層１２１の上面と、重なる構成とすることができる。
絶縁層１２７は、有機材料を有する絶縁層とすることが好ましい。
【０１１４】なお、絶縁層１２５及び絶縁層１２７のいずれか一方を設けな
くてもよい。例えば、絶縁層１２５を設けない場合、絶縁層１２７は、第１
の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃのそれぞれの側
面と接する構成とすることができる。絶縁層１２５又は絶縁層１２７を設け
ない構成とすることで、表示装置の作製工程数を削減することが可能となる。
一方、無機材料を有する絶縁層１２５を第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ
、第３の層１１３ｃのそれぞれの側面に接して設けることで、これらの層
への不純物混入の抑制効果を高めることができる。また、絶縁層１２７を設
けることで、第５の層１１４及び共通電極１１５の形成面の平坦性を向上さ
せることができる。なお、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を両方とも設けな
い構成とすることもできる。
【０１１５】第５の層１１４及び共通電極１１５は、第１の層１１３ａ、
第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上
に設けられる。絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設ける前の段階では、ＥＬ
層が設けられる領域と、ＥＬ層が設けられない領域（発光デバイス間の領
域）と、に起因する段差が生じている。本発明の一態様の表示装置は、絶
縁層１２５及び絶縁層１２７を有することで当該段差を平坦化させること
ができ、第５の層１１４及び共通電極１１５の被形成面に対する被覆性を
向上させることができる。したがって、第５の層１１４及び共通電極１１５
の段切れによる接続不良を抑制することができる。または、当該段差によ
って共通電極１１５が局所的に薄膜化して電気抵抗が上昇することを抑制
することができる。
【０１１６】なお、本明細書等において、段切れとは、層、膜、又は電極
が、被形成面の形状（例えば段差など）に起因して分断されてしまう現象を
示す。
【０１１７】第５の層１１４及び共通電極１１５の形成面の平坦性を向上
させるために、絶縁層１２５の上面及び絶縁層１２７の上面の高さは、それ
ぞれ、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃの
少なくとも一つの上面の高さと一致または概略一致することが好ましい。
また、絶縁層１２７の上面は平坦な形状を有することが好ましく、凸部、
凸曲面、凹曲面、または凹部を有していてもよい。
【０１１８】絶縁層１２５は、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及
び、第３の層１１３ｃのそれぞれの側面と接する領域を有し、第１の層１１３ａ
、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃの保護絶縁層として機能する。
絶縁層１２５を設けることで、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及
び、第３の層１１３ｃのそれぞれの側面から内部へ不純物（酸素、水分等）
が侵入することを抑制でき、信頼性の高い表示装置とすることができる。
【０１１９】断面視において第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、
第３の層１１３ｃのそれぞれの側面と接する領域における絶縁層１２５の
幅（厚さ）が大きいと、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第
３の層１１３ｃのそれぞれの隣り合う間隔が大きくなり、開口率が低くな
ってしまう場合がある。また、絶縁層１２５の幅（厚さ）が小さいと、第１
の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃのそれぞれの側
面から内部へ不純物が侵入することを抑制する効果が小さくなってしまう
場合がある。第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃ
のそれぞれの側面と接する領域における絶縁層１２５の幅（厚さ）は、３ｎｍ
以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらには３ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ま
しく、さらには５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上
１００ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好まし
く、さらには１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましい。絶縁層１２５の幅（厚
さ）を前述の範囲とすることで、高い開口率を有し、かつ信頼性の高い表
示装置とすることができる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　この項つづく

　　　　桑田佳祐 ：白い恋人達』2022年11月23日

❄️自身出演のコカ・コーラ CMソングとして起用された楽曲。歌詞に "クリ
スマス" というワードは登場しないにもかかわらず、クリスマスを感じさせ
る楽曲となっており、この時期の定番曲として親しまれている。

●今日の言葉：

エネルギーと環境 67

彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の井伊
軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと）と兜（かぶ
と）を合体させて生まれたキャラクタ－

【季語と短歌：12月2日】　

　　　　　　　　　　山茶花や華麗一輪世紀末　　　　
　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　高山　宇　（赤鬼）

【今日の短歌研究：能登半島地震⓶】

😊　ブロッコリ健康法：解体新書⓵

 

　
ブロッコリーとたらのアンチョビアヒージョ

【特許参考事例】
1.　特開2018-24737　自然免疫活性化作用を有する多糖類及び該多糖類を
含有する自然免疫活性化剤又は飲食品　株式会社ゲノム創薬研究所・イマ
ジン・グローバル・ケア株式会社
【要約】下図7のごとく、自然免疫活性化作用を有する多糖類であって、構
成糖として、２５～５０モル部のガラクツロン酸、１５～５０モル部のガ
ラクトース、０～７モル部のグルコース、０～３０モル部のアラビノース、
０～６モル部のキシロース、及び３～１５モル部のラムノースを含有し、
主鎖として、α－１，４結合のガラクツロン酸を有するポリガラクツロン酸
鎖を含有することを特徴とする多糖類、該多糖類を有効成分として含有する
自然免疫活性化剤、及び該多糖類を含有する飲食品で、自然免疫活性化作
用を有する新規物質の提供を課題とする。


【図７】本発明の多糖類及び該多糖類処理物の化学構造の一例を示す模式図

【発明の効果】  本発明によれば、新規の化学構造を有する、自然免疫活性
化作用を有する多糖類を提供することができる。また、該多糖類を有効成
分として含有する自然免疫活性化剤や、該多糖類を含有する自然免疫活性
化作用を有する飲食品を提供することができる。


【００５９】表１は、１７種の野菜の熱水抽出物について、カイコ筋収縮
活性測定法を用いて得られた比活性（Ｃ値）の結果である。比活性（Ｃ値）
が０．１５以上を示した場合に自然免疫活性化能があると判定される。表
１の結果より、ブロッコリーの熱水抽出物に強い自然免疫活性化能が認め
られた。

✳️　NITE、株式会社ゲノム創薬研究所、学校法人帝京大学の三者が有望菌
株の優先使用に関する契約を締結　2023年3月30日

✳️　イマジン・グローバル・ケア株式会社に対する景品表示法に基づく措
置命令について[PDF:383.8 KB]　2019年11月01日

2.　特開2019-182776　自然免疫活性化剤の製造方法　株式会社ゲノム創
薬研究所　フォーデイズ株式会社
【要約】本発明の自然免疫活性化剤は、ブロッコリーに含まれる中性多糖
類を有効成分として含有することを特徴とする。また、本発明の自然免疫
活性化剤の製造方法は、ブロッコリーに含まれる中性多糖類を有効成分と
して含有する自然免疫活性化剤の製造方法であって、ブロッコリーを熱水
抽出する工程、及び、中性多糖類を回収する工程を含むことを特徴とする。
該熱水抽出する前に、該ブロッコリーを粉砕、細断又はすりおろしする工
程を含むことが好ましい、高い自然免疫活性化作用を有する新規物質を提
供すること。
【発明の効果】本発明によれば、これまでに知られなかった高い比活性を
有する、すなわち極めて高い自然免疫活性化作用を有する自然免疫活性化
剤を提供することができる。また、極めて高い自然免疫活性化作用を有す
る飲食品を提供することができる。
【特許請求の範囲】ブロッコリーに含まれる中性多糖類を有効成分として
含有することを特徴とする自然免疫活性化剤。
【請求項１】ブロッコリーに含まれる中性多糖類を有効成分として含有す
ることを特徴とする自然免疫活性化剤。
【請求項２】ブロッコリーに含まれる中性多糖類を有効成分として含有す
る自然免疫活性化剤の製造方法であって、少なくとも、ブロッコリーを熱
水抽出する工程、及び、中性多糖類を回収する工程を含むことを特徴とす
る自然免疫活性化剤の製造方法。
【請求項３】前記熱水抽出した後に、エタノール沈殿をする工程を含む請
求項２に記載の自然免疫活性化剤の製造方法。
【請求項４】前記中性多糖類を回収する工程が、陰イオン交換体への未吸
着画分を回収する工程である請求項２又は請求項３に記載の自然免疫活性
化剤の製造方法。
【請求項５】 前記陰イオン交換体が、ＤＥＡＥセルロース担体である請求
項４に記載の自然免疫活性化剤の製造方法。
【請求項６】前記熱水抽出する前に、前記ブロッコリーを粉砕、細断又は
すりおろしする工程を含む請求項２ないし請求項５の何れかの請求項に記
載の自然免疫活性化剤の製造方法。
【請求項７】 前記粉砕、細断又はすりおろしする工程を１０℃以下で行う
請求項６に記載の自然免疫活性化剤の製造方法。
【請求項８】前記熱水抽出の温度が８０℃以上１６０℃以下であり、該熱
水抽出の時間が１分以上６０分以下である請求項２ないし請求項７の何れ
かの請求項に記載の自然免疫活性化剤の製造方法。
【請求項９】ブロッコリーに含まれる中性多糖類を有効成分として含有し、
請求項２ないし請求項８の何れかの請求項に記載の自然免疫活性化剤の製
造方法で得られるようなものであることを特徴とする自然免疫活性化剤。
【請求項１０】  請求項２ないし請求項８の何れかの請求項に記載の自然免
疫活性化剤の製造方法を用いることを特徴とする自然免疫活性化飲食品の
製造方法。


3.　WO2018/034203　新規乳酸菌、新規乳酸菌を有効成分として含有する
自然免疫活性化剤、及び新規乳酸菌を含有する飲食品　株式会社ゲノム創
薬研究所　国立大学法人  東京大学
【要約】本発明の乳酸菌は、独立行政法人製品評価技術基盤機構（ＮＩＴＥ）
の特許微生物寄託センター（ＮＰＭＤ）における受託番号がＮＩＴＥ  ＢＰ－
０２３０７であるロイコノストック（Leuconostoc）属に属する乳酸菌、
受託番号が、ＮＩＴＥ  ＢＰ－０２３０６であるロイコノストック（Leuco-
nostoc）属に属する乳酸菌、又は、受託番号がＮＩＴＥ  ＢＰ－０２３０８
であるローイコノストック（Leuconostoc）属に属する乳酸菌である。本発
明の乳酸菌は高い自然免疫活性化作用を有する。
【発明の効果】
本発明によれば、これまでに知られている乳酸菌よりも高い自然免疫活性
化能を有する新規の乳酸菌を提供することができる。
 更には、該乳酸菌を有効成分とする自然免疫活性化剤、及び、該乳酸菌又
は該自然免疫活性化剤を含有する飲食品、並びに、該乳酸菌を用いて醗酵
する工程を用いて製造された飲食品を提供することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】  独立行政法人製品評価技術基盤機構（ＮＩＴＥ）の特許微生
物寄託センター（ＮＰＭＤ）における受託番号がＮＩＴＥ  ＢＰ－０２３０
７であるロイコノストック（Leuconostoc）属に属する乳酸菌。
【請求項２】独立行政法人製品評価技術基盤機構（ＮＩＴＥ）の特許微生
物寄託センター（ＮＰＭＤ）における受託番号がＮＩＴＥ  ＢＰ－０２３０
６であるロイコノストック（Leuconostoc）属に属する乳酸菌。
【請求項３】独立行政法人製品評価技術基盤機構（ＮＩＴＥ）の特許微生
物寄託センター（ＮＰＭＤ）における受託番号がＮＩＴＥ  ＢＰ－０２３０
８であるロイコノストック（Leuconostoc）属に属する乳酸菌。
【請求項４】請求項１ないし請求項３の何れかの請求項に記載の乳酸菌、
該乳酸菌の死菌又は該乳酸菌の処理物を有効成分とする自然免疫活性化剤
であって、該乳酸菌の処理物は、乳酸菌の、培養物、濃縮物、ペースト化
物、乾燥物、液状化物、希釈物、破砕物、殺菌加工物、及び、培養物から
の抽出物よりなる群から選ばれる少なくとも１つの処理物であることを特
徴とする自然免疫活性化剤。
【請求項５】請求項１ないし請求項３の何れかの請求項に記載の乳酸菌を
含有する飲食品。
【請求項６】請求項４に記載の自然免疫活性化剤を含有する飲食品。
【請求項７】請求項１ないし請求項３の何れかの請求項に記載の乳酸菌を
用いて醗酵する工程を用いて製造された飲食品。

4.　特開2024-14443　熱安定性グルコセレブロシダーゼ　学校法人帝京大学
【要約】下図1のごとく、植物由来であり、グリコシドハイドロラーゼファ
ミリー１（ＧＨ１）に属し、且つグルコセレブロシダーゼ活性を有するタ
ンパク質により、前記課題を解決する、グルコセレブロシダーゼ活性を有
し、さらに熱安定性を有するタンパク質を提供する。

図1.　イネ由来グルコセレブロシダーゼ（ＲＧＣ１）、およびヒト由来グ
ルコセレブロシダーゼ（イミグルセラーゼ）の、３７℃（ｐＨ５）におけ
るインキュベーション時間と相対残存活性との関係を示すグラフ
🪄　配列表情報</

作家たちは、AIを使って来年8000冊の本を出版するというスタートアップ
の計画を非難。出版社のSpinesは、人工知能の助けを借りて本を校正、デ
ザイン、配布するために、著者に1,200ドルから5,000ドルを請求する。
SpinesはAIを利用して本の校正、翻訳、表紙デザイン、出版、流通を有料
で提供する新興テクノロジー企業。共同創設者兼CEOのYehuda Niv氏いわく
人の手であれば6カ月から18カ月かかる出版作業を2週間から3週間にまで
短縮できると豪語。著者は印税の100％を受け取り、著作権も完全に保持
できるとも。料金は1824ドル(約27万円)から5496ドル(約83万円)で、AI
ではなく人間に校正または表紙デザインを依頼するオプションも存在する。
他社の自費出版サービスには数万ドル(数百万円)がかかるものもあるそう
で、比べるとSpinesの価格は格安、また、テクノロジーを使用して出版プ
ロセスを合理化し、著者が最も得意なこと、つまり素晴らしい物語を書く
ことに集中できるように”リストラ”（体質改善）できると言う。
これに対し、作家、イラストレーター、翻訳者のための労働組合代表のア
ンナ・ガンリー氏は「著者が期待するものを実現できる可能性は非常に低
く、出版への最善の道だという保証もほとんどない。AIに依存するシステ
ムの場合は、サービスの独創性と品質の欠如が懸念される」と指摘し、
契約を締結する前に十分慎重に検討するよう警告している。「進歩か現状
維持か」、言うのは簡単だだが、わたし（たち）が主張する「非主体化」
「リスク・インパクト・マネージメント」に従って評価されていくことを
望むものである。


🪄AI Publishing Startup Plans To Release 8,000 Books Next Year - Slashdot
🪄Writers condemn startup’s plans to publish 8,000 books next year
using AI | Books | The Guardian

 

　　　　　スクールガールズエンド『山茶花』official music video

『スクールガールズ』（ Las niñas）は、2020年のスペインのドラマ映画。
脚本・監督はピラール・パロメロ。ナタリア・デ・モリーナなどが出演し
ている。修道院学校に通う少女たちの思春期を描いたドラマ作品。それか
ら引用しているのか？　偶然である。キーワードは、本日の俳句、季語で、
「山茶花」と「世紀末」（「この世の終わり」の陰喩）。こんなこともあ
るのかと、のめり込む。

人間の未来　ＡＩの未来　講談社（2018/02発売）

まえがきにかえて　羽生善治から山中伸弥さんへ
第1章　iPS細胞の最前線で何が起こっていますか？
第2章　なぜ棋士は人工知能に負けたのでしょうか？
第3章　人間は将来、AIに支配されるでしょうか？
第4章　先端医療がすべての病気に勝つ日は来ますか？
第5章　人間にできるけどAIにできないことは何ですか？
第6章　新しいアイデアはどこから生まれるのでしょうか？
第7章　どうすれば日本は人材大国になれるでしょうか？
第8章　十年後、百年後、この世界はどうなっていると思いますか？
あとがきにかえて　山中伸弥から羽生善治さんへ
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『人間の未来　AIの未来』連載第11回

◾日本の医学部は「人材の無駄遣い」
毎年、日本の小学生に「将来なりたい職業」を聞いていますけれど、結果
を見ると「学者」「科学者」はけっこう上の方にいて、医師とそんなに変
わりません。ところがフタを開けてみると、より多くの人が医学部に行く。
どうも偏りがあるなと感じます。ただ、数学や物理が得意な子は日本にも
たくさんいて、「数学オリンピック」や「物理オリンピック」といった国
際大会で金メダルを取っているが、数学とか物理にずば抜けた才能があっ
ても、その多くが医学部に行ってしまう。医学部に進むこと自体が悪いわ
けではないけれども、その後、医師という職業に就いても、特殊なケース
を除いて数学も物理もほとんど使わない。だから、ある意味もったいない。
今、こうして研究者という立場になると、もっとみんな研究者になって
ほしいなと山中氏いう。科学の博士課程に在籍する学生の多くは、大学や
大企業で研究を続けることを望みますが、科学の知識を生かしてプロにな
る選択肢は他にもある。生命科学もAIもそうで、科学がすごく高度化して
さまざまな社会問題を惹き起こしている今の社会では、先端科学の知識と
その問題点を分かりやすく人々に伝えて、いわば科学と世の中の対話を促
すような仕事がますます重要になっていると。
◾日本が抱えるヤバすぎる「弱点」
そして、僕たちの大学が研究した技術は、最終的には大手の製薬会社など
が本格的に開発してくれないと社会に還元することはできません。大学か
らいきなり社会に還元するのは難しい。日本では今まで大学発の優れた研
究が多かったのですが、その「死の谷」を乗り越えられず、実用化段階で
アメリカに先を越されてしまったケースが少なくない。ゲノム情報を読み
取るシークエンスの技術も、もともとは日本の会社が先陣を切っていた。
アメリカが急速に伸びたのは、ベンチャー企業のおかげです。アメリカだ
とベンチャーがすぐにできて優秀な人材が集まります。大学発の技術をベ
ンチャーで伸ばし、それを大企業が買収したりしてスムーズに行く。日本
のベンチャー企業も頑張ってはいるが、お金が集まりにくい。人材を集め
るのも苦労しているところが多いという。「寄らば大樹の陰」🏹「囲い込
み」🏹「お金が集まりにくい」（日本のビジネスの負の側面）。日本はベ
ンチャーに行きたがる学生は本当に少ない。多くは大学に残るか、一流企
業に就職しようとする。たとえ本人がベンチャーに興味があっても、親御
筋が反対する。　｢せっかく大学を出たのに、なぜわざわざリスクの高いベ
ンチャーに行くんだ」と。将棋でも、経験を積むに従って、若いころだと
無駄だと切り捨ててきたものが、実は重要なんじゃないかと見直すように
なった。意味がなさそうなことに実は意味があるはずだとか、すぐに結果
が出るわけではないけれども、小さな積み重ねを日々行うことで新しいア
イデアやひらめきが生まれてくるのではないかとかと羽生氏は語り、「プ
ロの棋士は何手も先を読んで、計算しながらやっているように見えるかも
しれませんが、実際は全然違うんです」「いい加減なとこはあったほうが
いい」
◾競争が激化するからこそ必要なこと
これまでは「才能はあるけれど、環境が悪くて伸びなかった」ケースはた
くさんあったと思います。でもこれから先は、インターネットの普及を背
景にして「環境が悪かったために才能が伸びなかった」というケースはど
んどん少なくなりますと羽生氏は回想し吐露する。　　　　　　　　了
●　今日の言葉：「これでおしまい」

1899（明治32）年、1月19日、勝は風呂上がりにブランデーを飲んでいる
時、突然倒れ、21日午後5時ごろに亡くなる。死因は脳溢血で、76歳でし
た。最後の言葉は「これでおしまい」だったといわれている。（堀江宏樹
歴史エッセイスト・作家（2018年10月20日掲載ブログより）

 

エネルギ－と環境 ㊱

彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の井伊
軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと）と兜（かぶ
と）を合体させて生まれたキャラクタ－。

【季語と短歌：10月17日】

　　　　　　　宵の秋決まらぬ職の諍いや　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　高山　宇　（赤鬼）　　　　　　　　　　　　　　　　　

 

⬛　最新ペロブスカイトペロブスカイト太陽電池製造方法

1.　特開2024-11974　ペロブスカイト太陽電池およびその製造方法　国立
　研究開発法人物質・材料研究機構　②
【詳細な説明】
【発明を実施するための形態】
（実施の形態１） 実施の形態１のペロブスカイト太陽電池１０１ａの構造
は、従来の４端子タンデムと同様に各セルの電流マッチングの制約が緩和
され材料の設計自由度が大幅に向上する利点を有する。 ペロブスカイト太
陽電池１０１ａは、各サブセルが電気的には結合していないため、各サブ
セルの電流マッチングが不要である。2端子タンデム構造のペロブスカイト
太陽電池では、太陽光入射とは反対側（ボトムセル側）のペロブスカイト
層のバンドギャップを１．３ｅＶと仮定した場合、効率よく高い出力を得
るためにはトップセル側のペロブスカイト層のバンドギャップを約１．８
ｅＶにする制約がある。一方、実施の形態１のペロブスカイト太陽電池
１０１ａでは、トップセル側のペロブスカイト層のバンドギャップを１．５
～３．０ｅＶという幅広い選択肢の材料にて高い効率が得られる。また、
透明基体（ガラス基板）はモノリシック２端子タンデムと同様に１枚であ
るため、従来の４端子タンデムの課題である基板が２枚という基板コスト
の問題を解決できる。
さらに、従来の４端子タンデムのもう一つの課題である２個の太陽電池の
機械的接合の難しさ（接合コストと光学的損失の増大）についても、１枚
のガラス基板の上下に成膜終了と同時に接合も完了するため、解決される。 
第１のペロブスカイト太陽電池セル３２および第２のペロブスカイト太陽
電池セル３３はともに、電子輸送層、ペロブスカイト層およびホール輸送
層を有し、ペロブスカイト層はその一方の主表面で前記電子輸送層に接し
、他方の主表面で前記ホール輸送層に接する構造を有する。すなわち、第
１のペロブスカイト太陽電池セル３２は、第１の電子輸送層、第１のペロ
ブスカイト層および第１のホール輸送層が順次積層配置された構造を有し
、第２のペロブスカイト太陽電池セル３３は、第２の電子輸送層、第２の
ペロブスカイト層および第２のホール輸送層が順次積層配置された構造を
有する。

図２.本発明の４端子タンデム型ペロブスカイト太陽電池１０１の構造を示
　す模式図

 ここで、第１のペロブスカイト太陽電池セル３２および第２のペロブスカ
イト太陽電池セル３３はともに、ホールブロッキング層を有することが好
ましい。すなわち、第１のペロブスカイト太陽電池セル３２は、第１の端
子電極に電気的に接続する第1の透明電極層１２ａ、第１のホール輸送層
１３、第１のペロブスカイト層１５、第１の電子輸送層１６、第１のホー
ルブロッキング層１７、前記第２の端子電極に電気的に接続する透明電極
１８および第１の電極１９を有し、第２のペロブスカイト太陽電池セル
３３は、第３の端子電極に電気的に接続する第２の透明電極層１２ｂ、第
２のホール輸送層２１、第２のペロブスカイト層２２、第２の電子輸送層
２３、第２のホールブロッキング層２４および前記第４の端子電極に電気
的に接続する第２の電極層２５を有することが好ましい（図２参照）。  
ホールブロッキング層を備えることにより、ホールの逆流がより一層抑制
されて光電変換効率が改善され、出力が高まり、経時安定性も向上する。
 さらに、図２に示すように、第１のホール輸送層１３と第１のペロブスカ
イト層１５の間に表面補償帯１４が形成されていることが好ましい。表面
補償帯１４は、第１のホール輸送層１３および第１のペロブスカイト層１５
の空乏（Ｖａｃａｎｃｙ）を抑えてペロブスカイト太陽電池１０１の光電
変換効率を向上させる層であり式（１）記載のＸ－ｎＰＡＣｚからなる。
ここで、式（１）中、ＸはＯＲまたはＲで、Ｏは酸素、Ｒは炭素数が１以
上１２個以下の直鎖の炭化水素基を表し、ｎは２以上１２以下の整数を表
す。【化１】
・・・（１）  
次に、本発明のペロブスカイト太陽電池を構成する各層について説明する。
【００２４】  透明基体１１は、太陽光を透過させ、所定値以上の剛性を
持つものであれば特に限定されない。石英ガラス、フリントガラスやソー
ダ石灰フロートガラスなどの各種のガラス（白板ガラス）を好んで用いる
ことができるが、アクリルやポリカーボネートなどの透明なプラスチック
なども用いることができる。ガラスは、太陽光に対して透明度が高く（透
過率が高く）、十分な剛性をもち、また耐光性、耐候性に優れるという特
徴をもつ。プラスチックは、容易に自在な形状に加工が可能であり、また
柔軟性を付与させることができるため、曲面状の太陽電池を作製したり、
太陽電池を柔軟に曲げて使用したりする上で好ましい。
第１の透明電極層１２ａおよび第２の透明電極層１２ｂの材料は、インジ
ウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。この膜は、耐光性を向上させる観
点からスパッタリング法で成膜することが好ましい。具体的には、ターゲ
ットをＩＴＯ、スパッタリングガスをアルゴン（Ａｒ）ガスやクリプトン
（Ｋｒ）ガスなどの貴ガスとしたＲＦスパッタリングが好ましい。基板温
度は室温でよいが、室温に限るものではない。また、ＩＴＯ成膜後１５０
℃以上の熱処理を加えると、太陽光透過率の向上と電気抵抗の低抵抗化が
図れるので好ましい。一方で、３００℃を超える熱処理は、逆に電気抵抗
が上がるため好ましくない。
  ＩＴＯは透明度が高く、透明性導電膜としては比較的電気抵抗率が低い
という特徴がある。さらに、インジウム（Ｉｎ）やスズ（Ｓｎ）が酸化さ
れて固定化されるため、これらの金属は拡散しにくく、耐光性向上に必要
な相互拡散防止機能を有する。
  第１の透明電極層１２ａおよび第２の透明電極層１２ｂのＩＴＯの膜厚
は、薄いほど高まって好ましい透過率と厚いほど下がって好ましい膜抵抗
のトレードオフ関係により、１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましい。
ＩＴＯの膜抵抗は低いほど良く、１５Ω／ｓｑ以下であることが好ましい。
第１の透明電極層１２ａおよび第２の透明電極層１２ｂの抵抗を下げるた
めに、ＩＴＯ膜と透明基体１１との間に金属リード線を加えてもよい。金
属リード線の材質としては、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅
（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）等
を挙げることができる。金属リード線は、透明基体１１上にスパッタ法ま
たは蒸着法等で形成し、その上にＩＴＯ膜を形成することが好ましい。た
だし、金属リード線を設けることにより、入射光量の低下を招くので、金
属リード線の太さは、０．０１ｍｍ以上３ｍｍ以下であることが好ましい。
 第１のホール輸送層１３は、スパッタリング法などのＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉ
ｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で形成された無機のＮｉＯ_ｘ
膜が好ましい。第１のホール輸送層１３を無機のＮｉＯ_ｘ膜（０＜ｘ≦４）
で構成することによって、ピンホールやクラックが少ない大きい面積の層
を形成することができ、また、光照射耐性が高くなる。
  第１のホール輸送層１３の厚さは、４ｎｍ以上５０ｎｍ以下であること
が好ましく、４ｎｍ以上１８ｎｍ以下がより好ましい。第１のホール輸送
層１３の厚さをこの範囲にすると高い光電変換効率を得ることが可能にな
る。さらに、第１のホール輸送層１３の厚さを１５ｎｍ以上１８ｎｍ以下
とすると、高い長期信頼性を兼ね備えることが可能になる。これは、Ｎｉ
Ｏ_ｘ薄膜のピンホールが抑制されることに起因する。  第１のホール輸送層
１３の導電性を向上させるため、ＮｉＯ_ｘ膜にＮｉ以外の金属イオンをド
ーピングすることも好ましい。金属イオンとしては、アルカリ金属、アル
カリ土類金属、遷移金属等のイオンが挙げられる。具体的な金属イオンは、
Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｍｇ^２＋、Ｃｕ^２＋、Ｆｅ^２＋、Ｍｎ^２＋、および
Ｚｎ^２＋から選ばれる少なくとも一種であり、さらにより好ましくはＬｉ
^＋およびＭｇ^２＋から選ばれる少なくとも一種である。Ｌｉ^＋とＭｇ^２＋
を同時に使用してもよい。ドーピング濃度は、０．５ｍｏｌ％以上５０ｍ
ｏｌ％以下が好ましく、２ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下がより好ましい。
これらの金属イオンは、例えばスパッタリングを行うときのターゲット材
料に含有させておくことにより、第１のホール輸送層１３に導入すること
が可能である。
 第２のホール輸送層２１としては、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ＮｉＯ_ｘ、Ｓｐ
ｉｒｏ-ＯＭｅＴＡＤおよびＰ３ＨＴを挙げることができる。この中で、
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは狭バンドギャップのペロブスカイト太陽電池と相性
がよく、狭バンドギャップのペロブスカイトから高い効率で安定的にホー
ルを輸送することを可能にする。
 表面補償帯１４は、前述のように、前記式（１）記載のＸ－ｎＰＡＣｚか
らなる層である。表面補償帯１４は、ＰＶＤ法によって形成されたＮｉＯ_ｘ
が第１のホール輸送層１３に用いられる場合に特に大きな効果が得られる。
 ここで、式（１）中のｎは２または４がより好ましく、式（１）中のＸが
ＯＣＨ_３で、ｎが２、すなわち式（２）に示されるＭｅＯ－２ＰＡＣｚ（
［２－（３，６－ジメトキシ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）エチル］
ホスホン酸）であることが、Ｖａｃａｎｃｙの形成がより抑制され、光電
変換効率がより高まるので、さらに一層好ましい
【化２】
・・・・・（２）
表面補償帯１４により、第１のホール輸送層１３との界面、特に第１のホ
ール輸送層１３として用いられたＮｉＯ_ｘ膜との界面、および第１のペロ
ブスカイト層１５の空乏（Ｖａｃａｎｃｙ）が抑えられて、ペロブスカイ
ト太陽電池１０１の光電変換効率が向上する。ここで、Ｖａｃａｎｃｙは
、沃素（Ｉ）、塩素（Ｃｌ）または臭素（Ｂｒ）などのハロゲン化物イオ
ンの空乏を指す。
この表面補償帯１４の効果は、単体のペロブスカイト太陽電池でも高い効
果を発揮するが、トップ側ファースト（太陽光入射側の太陽電池セルを最
初に作る方法）で作製されるタンデム型のペロブスカイト太陽電池の場合、
特に大きな効果を発揮する。この表面補償帯１４は、タンデム型のペロブ
スカイト太陽電池作製の熱処理による悪影響抑制から、ＰＶＤ法形成のＮ
ｉＯ_ｘによる第１のホール輸送層１３とともに、第１のペロブスカイト太
陽電池セル３２を作製する際に形成しておくのが好ましい。

図９　本発明の４端子タンデム型ペロブスカイト太陽電池の製造工程を示
したフローチャート図

　　Only Yesterday   1960’s　
　　　　　洋楽 60年代オールディーズ 名曲10選　

AI・戦争・災害・パンデミック――世界の知性が語る地球規模の未来予測

イアン・ブレマー 著 ／ フランシス・フクヤマ 著 ／ ニ―アル・ファーガ
ソン 著 ／ ジョセフ・ナイ 著 ／ ダロン・アセモグル 著 ／ シーナ・アイ
ンガ― 著 ／ ジェイソン・ブレナン 著 ／ 大野 和基 聞き手・訳
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ISBN：9784022952622　定価：957円（税込）　発売日：2024年3月13日
ウクライナ戦争や中東での衝突など世界は不透明度を増している。ポピュ
リズムのさらなる台頭、災害やパンデミックという不測の事態、AIの利用
などをめぐって世界はどう変わっていくのか。かつてない民主主義の危機
に今、世界で最も注目される知性の言葉からヒントを探る。聞き手・大野
和基氏。
●　今夜の寸評：憲法九条と民主主義
衆議院選挙がスタ－トした。今回は早い時期から現政権を見放し、政権交
代を望んでいた（少ないながらも「多面的な政策対応の悪さ」をコミット
しこのブログに折々掲載）。

■　民主主義の暗黒時代

ダロン・アセモグル氏ら3人の研究者が今年のノーベル経済学賞を受賞。
ポピュリズムのさらなる台頭、災害、AIの利用で世界はどう変わるのか。
アセモグル氏が民主主義と経済の関係について語っており、時宜を得てい
るのでその要旨を掲載する。
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※聞き手・ジャーナリスト　大野和基：朝日新書『民主主義の危機』から
抜粋。『民主主義の危機』では、ダロン・アセモグル氏インタビュー全文
のほか、世界の知性たちが語る未来予測を読める。 ダロン・アセモグル/
1967年、トルコ生まれ。経済学者、マサチューセッツ工科大学教授。専門
は政治経済学、経済発展、成長理論。ノーベル経済学賞にもっとも近いと
言われるジョン・ベイツ・クラーク賞を2005年に受賞。著書に『国家は
なぜ衰退するのか　上下』（ロビンソンとの共著、鬼澤忍訳）、『マクロ
経済学』（レイブソン、リストとの共著、岩本康志・岩本千晴訳）、『自
由の命運：国家、社会、そして狭い回廊　上下』（ロビンソンとの共著、
櫻井祐子訳）など。近著にサイモン・ジョンソンとの共著『技術革新と不
平等の1000年史　上下』（鬼澤忍・塩原通緒訳）。
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国家権力と社会の力の関係について見ていきましょう。歴史家のーアル・
ファーガソン氏は自著の中で、格差を生むのは帝国主義でも地理的要因で
も国民性でもなく、私とジェイムズ・A・ロビンソン氏が言及している「
制度と規範」にあると主張しています。そもそも「規範」とはどのように
人々をまとめ、「制度」を維持するのに役立つものなのか。制度と規範は
分離できないものです。ある意味で、我々が今、アメリカで目の当たりに
しているのは、民主主義の深刻な弱体化です。政治家が積極的に噓をつき、
自分たちにとって邪魔となるであろう制度を骨抜きにしようとする行動と
結びついています。実際に複数の制度が覆されています。ドナルド・トラ
ンプを例として挙げるのは簡単です。トランプこそ、制度転覆の真犯人で
す。しかし私は、共和党と民主党の双方がアメリカの民主主義システムの
制度上の健全さをむしばんでいると思います。 同じことは他の多くの国で
も見られます。ですから今は民主主義の暗黒時代といえます。民主主義は
いろいろなチャレンジに耐えて生き延びる強さを持っていると思いますが、
今は民主主義にとって危険な時期です。 厳密に言えば、民主主義という言
葉を簡単に使うべきではないのかもしれません。「すべての人が参加でき
る政治制度」（inclusive political institutions）という言葉のほうが、「民
主主義」という言葉よりも適切な言葉だと思います。民主主義は参加する
人の価値観を育てる政治システムにとって必要条件ですが、十分条件では
ありません。多くの国にとって、自国の体制は民主主義的だと言います。
選挙も実際に行われています。しかしそれだけでは十分ではありません。
競争のない状況で選挙が行われると、特定の有名人が政治を支配して、健
全な市民社会はできません。さきほど「今は民主主義が危険な時期である
」と言いましたが、人々は民主主義について懐疑的になっています。実際、
多くの批判的な声があります。

多くの民主主義国には欠点がたくさんありますが、それでも民主主義は経
済成長にとって望ましいのです。教育や子どもの健康にとっても望まし。
現代において成功した社会では、民主主義によってそれはもたらされてい
ます。そのほかの代替システムと比べると民主主義の方がはるかに優れて
います。しかし問題は、民主主義は世界中で後退している状態にあること
です。それは2000年代のはじめくらいから起きています。

■　軽罪経済成長できた中央ヨーロッパ 　
意外に聞こえるかもしれませんが、民主主義は貧困層にとって望ましいと
いう事実は、必ずしもすべての人が民主主義を追い求めることにはつなが
りません。民主主義が弱体化することから恩恵を受ける人がいますが、そ
れは皮肉にも独裁主義的傾向があるパワフルなリーダーです。しかも実際
にそれが中央ヨーロッパで起きました。ポーランド、チェコ共和国、スロ
バキア、ハンガリーを見ると、経済的には成功しています。多くの人が抱
いていた懸念に反して、これらの国々の経済は見事に回復しました。 　

しかし、そのことがむしろ多くの弱点を残し、そこに付け込むのは簡単な
ことでした。つまりこういうことです。 　西ヨーロッパにおいて政党やメ
ディアなど市民社会が参加する民主主義的な構造は、何世紀にもわたる長
い時間をかけて進化してきたものです。一方、中央ヨーロッパにおいて民
主主義という実験は、ごく最近なされたものです。ですから、多くの弱点
を残しています。それはさきほど言ったように独裁主義的傾向があるリー
ダーが、その弱点をさらに弱体化させました。それは世界中で見られる現
象です。 良い制度と経済成長の関係について説明しましょう。 重要な要
素は三つあります。 　

まず安定を作り出す制度は、個人が投資や契約など経済取引の行為などに
携わる権利を確保します。これは繁栄が共有されるようになるだけではな
く、テクノロジカルな変化や生産性にとって重要です。 　
これは私の著書『国家はなぜ衰退するのか』（原題“Why Nations Fail”）に
おいて、「あらゆる層に開かれた経済的制度」（inclusive economic instit
utions）と私が呼んでいるものです。安定した環境は、人が投資をしたり
自らを向上させたり、新しい問題や既存の問題にアプローチする新しい方
法を見つけ出すためのインセンティブになります。と同時に、社会の広範
囲における機会の平等も重要です。そうでなければ非常に不公平な設定に
なってしまいます。

■　政治権力が広く分散されなければならない
二つ目に重要なことは、そういう経済的要素は、政治的・社会的要素とは
切り離せないことです。権力が、一人やごく少数の人に集中する独裁主義
になれば、経済を良くするために正しいことをしてくれるだろうと考える
のは間違いです。それがうまくいくことはまずありません。 その理由は、
経済的制度は政治的制度と社会における政治権力の分散によって形作られ
るからです。実際のところ、この関係は有機的で相互関連性から切り離せ
ないので、政治制度や政治体制が排他的である場合、経済的な制度がイン
クルーシビティ（何者も排除しないこと）を維持するのはほとんど不可能
です。政治権力が広く分散されていなければ、より広い政治的機会、政治
参加、社会参加を作り出しません。 　

三つ目は最も難しいものですが、制度を設計するということです。これは
本当に難しい。制度について話すとき、一つの単純な解釈は「憲法のよう
なものである」というものです。これは優れた憲法を設計する賢人がいれ
ば、準備万端であるという考え方です。しかし、私の制度に対する見方は
違います。制度は進化するもので、歴史的なプロセスから生まれるもので
す。制度は政治と規範の双方向性から生まれるものです。制度は人々が政
治にいろいろな形で参加することから生まれるものです。だから、憲法の
条項を変えるだけでは制度を変えることはできません。制度の設計はそう
簡単にできるものではないからです。部分的にはボトムアップ・プロセス
でなければなりませんが、純粋な進化のプロセスというだけではありませ
ん。人々が異なるビジョンを持って政治に参加し、より成功したケースか
ら学び、異なる制度の選択がどういう結果をもたらすかを理解することは、
そのプロセスの重要な部分です。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　この項つづく

沸騰大変動時代（四十六）

彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救っ
たと伝えられる招き猫と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦
国時代の軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編のこと）
と兜（かぶと）を合体させて生まれたキラクタ「ひこにゃん」。 

【わたしの経済論⑥：為替と円安】

めずらしくあさイチのレシピがめにとまる。これには伏く潜があり、
ダルビッシュ投手のよく考えられた食事レシピに主食に蕎と鶏胸肉が
セットとしてあり、これに、トマト、小松菜などの野菜を加え、肉油
控えめで簡単・ＳＤＧSで志向レシピの「トマト水餃子」「トマトと
いかのセ－ト風」「丸ごとトマト素麺」の三品。尚、餃子の皮を蕎粉
で代替すれば申し分なしだ。

【季語と短歌：源氏物語から学ぶ①】

　　　かぎりとて別るる　道の悲しきに　いかまほしきは命　なりけり
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　桐壺更衣

　　桐壺帝の寵愛を一身に集め、弘徽殿の女御らの嫉妬を買って
　　しまう。死の直前、悲しみに取り乱す帝への返歌として詠め　
　　る歌、




※　源氏物語中で最初に出てくる和歌。病がいよいよ進んだ桐壺更
　衣が、帝の「限りあらむ道にも、後れ先だたじ」と、契らせ給ひ
　けるを、さりとも、うち捨ててはえ行きやらじ」（「決められて
　いる死出の道にさえわたしたちはいっしょにと」、お約束なされ
　たではないか。いくらなんでも、このわたしを残してはゆけます
　まいね）との問いに返した一首である。帝は病の重い更衣をなか
　なかその実家に帰すことをしなかった。当時は宮廷で人が死ぬこ
　とは、場を穢すことになりタブーとされていたようである。そん
　な中、自らタブーに肉薄するように、死の病にある更衣を手元か
　ら離すことができない帝の苦しみはふかい。思いが余っているの
　か、帝の問は散文の形でなされる。そんな帝に更衣は歌で答える。
　「いまは、それが定めとしてゆかなければならない死出の旅が悲
　しく思われるにつけて、私の行きたいのは生きる道の方でござい
　ます」。「いかまほしき」の「いく」は「行く」と「生く」の掛
　け言葉である。今、まさに自分は死出の道を「行こう」としてい
　るが、「生き」たいのは、つくづく自分の命であるよと、歌の形
　式を踏まえるという慎ましさのなかにも、しかし「生きたい」と
　いう更衣の心の叫びが詠まれているのだとも評されてもいる。