彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の井伊
軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと）と兜（かぶ
と）を合体させて生まれたキャラクタ－
【季語と短歌：12月18日】
蛋白や 九億種類 実南天 
高山 宇 （赤鬼）
【関連特許最新技術】
5. 特開2022-158973 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表
示装置の作製方法 株式会社半導体エネルギー研究所
【詳細説明】
【０５２４】また、絶縁層４２６が絶縁層４５２及び導電層４５３を覆っ
て設けられている。絶縁層４２６上には、導電層４５４ａ及び導電層４５
４ｂが設けられる。導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂは、絶縁層４２６
及び絶縁層４５２に設けられた開口部において、半導体層４５１と電気的
に接続されている。導電層４５４ａの一部は、ソース電極及びドレイン電
極の一方として機能し、導電層４５４ｂの一部は、ソース電極及びドレイ
ン電極の他方として機能する。また、導電層４５４ａ、導電層４５４ｂ、
及び絶縁層４２６を覆って、絶縁層４２３が設けられている。
図２６（Ａ）乃至図２６（Ｄ）は、トランジスタの一例を示す断面図
【０５２５】ここで、トランジスタ４１０ａと電気的に接続する導電層４
１４ａ及び導電層４１４ｂは、導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂと、同
一の導電膜を加工して形成することが好ましい。図２６（Ｃ）では、導電
層４１４ａ、導電層４１４ｂ、導電層４５４ａ、及び導電層４５４ｂが、
同一面上に（すなわち絶縁層４２６の上面に接して）形成され、且つ、同
一の金属元素を含む構成を示している。このとき、導電層４１４ａ及び導
電層４１４ｂは、絶縁層４２６、絶縁層４５２、絶縁層４２２、及び絶縁
層４１２に設けられた開口を介して、低抵抗領域４１１ｎと電気的に接続
する。これにより、作製工程を簡略化できるため好ましい。
【０５２６】 また、トランジスタ４１０ａの第１のゲート電極として機能
する導電層４１３と、トランジスタ４５０の第２のゲート電極として機能
する導電層４５５とは、同一の導電膜を加工して形成することが好ましい。
図２６（Ｃ）では、導電層４１３と導電層４５５とが、同一面上に（すな
わち絶縁層４１２の上面に接して）形成され、且つ、同一の金属元素を含
む構成を示している。これにより、作製工程を簡略化できるため好ましい。
【０５２７】図２６（Ｃ）では、トランジスタ４５０の第１のゲート絶縁
層として機能する絶縁層４５２が、半導体層４５１の端部を覆う構成とし
たが、図２６（Ｄ）に示すトランジスタ４５０ａのように、絶縁層４５２
が、導電層４５３と上面形状が一致または概略一致するように加工されて
いてもよい。
【０５２８】なお、本明細書等において「上面形状が概略一致」とは、積
層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なることをいう。例えば、
上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパタ
ーンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、
上層が下層の内側に位置すること、または、上層が下層の外側に位置する
こともあり、この場合も「上面形状が概略一致」という。
【０５２９】なお、ここではトランジスタ４１０ａが、図２５で示したト
ランジスタＭ２に対応し、画素電極と電気的に接続する例を示したが、こ
れに限られない。例えば、トランジスタ４５０またはトランジスタ４５０ａ
が、トランジスタＭ２に対応する構成としてもよい。このとき、トランジ
スタ４１０ａは、トランジスタＭ１、トランジスタＭ３、またはその他の
トランジスタに対応する。
【０５３０】本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが
できる。
【０５３１】（実施の形態６）
本実施の形態では、上記の実施の形態で説明したＯＳトランジスタに用い
ることができる金属酸化物（酸化物半導体ともいう）について説明する。
【０５３２】金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むこと
が好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それ
らに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズなどが含まれ
ていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、
ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジ
ム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、コバルトなど
から選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【０５３３】また、金属酸化物は、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法などの
ＣＶＤ法、または、ＡＬＤ法などにより形成することができる。
【０５３４】＜結晶構造の分類＞
酸化物半導体の結晶構造としては、アモルファス（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ
ａｍｏｒｐｈｏｕｓを含む）、ＣＡＡＣ（Ｃ－Ａｘｉｓ－Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、
ＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、単結晶（
ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ）、及び多結晶（ｐｏｌｙ ｃｒｙｓｔａｌ）
等が挙げられる。
【０５３５】なお、膜または基板の結晶構造は、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－
Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）スペクトルを用いて評価することがで
きる。例えば、ＧＩＸＤ（Ｇｒａｚｉｎｇ－Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ ＸＲＤ）
測定で得られるＸＲＤスペクトルを用いて評価することができる。なお、
ＧＩＸＤ法は、薄膜法またはＳｅｅｍａｎｎ－Ｂｏｈｌｉｎ法ともいう。
【０５３６】例えば、石英ガラス基板では、ＸＲＤスペクトルのピークの
状がほぼ左右対称である。一方で、結晶構造を有するＩＧＺＯ膜では、Ｘ
ＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称である。ＸＲＤスペクトルの
ピークの形状が左右非対称であることは、膜中または基板中の結晶の存在
を明示。別言すると、ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右対称でないと、
膜または基板は非晶質状態であるとは言えない。
【０５３７】 また、膜または基板の結晶構造は、極微電子線回折法（ＮＢ
ＥＤ：Ｎａｎｏ Ｂｅａｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）に
よって観察される回折パターン（極微電子線回折パターンともいう）にて
評価することができる。例えば、石英ガラス基板の回折パターンでは、ハ
ローが観察され、石英ガラスは、非晶質状態であることが確認できる。ま
た、室温成膜したＩＧＺＯ膜の回折パターンでは、ハローではなく、スポ
ット状のパターンが観察される。このため、室温成膜したＩＧＺＯ膜は、
結晶状態でもなく、非晶質状態でもない、中間状態であり、非晶質状態で
あると結論することはできないと推定される。
【０５３８】＜＜酸化物半導体の構造＞＞
なお、酸化物半導体は、構造に着目した場合、上記とは異なる分類となる
場合がある。例えば、酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外
の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体として
は、例えば、上述のＣＡＡＣ－ＯＳ、及びｎｃ－ＯＳがある。また、非単
結晶酸化物半導体には、多結晶酸化物半導体、擬似非晶質酸化物半導体（
ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ－ｌｉｋｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍ
ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、非晶質酸化物半導体、などが含まれる。
【０５３９】ここで、上述のＣＡＡＣ－ＯＳ、ｎｃ－ＯＳ、及びａ－ｌｉ
ｋｅ ＯＳの詳細について、説明を行う。
【０５４０】［ＣＡＡＣ－ＯＳ］
CＡＡＣ－ＯＳは、複数の結晶領域を有し、当該複数の結晶領域はｃ軸が
特定の方向に配向している酸化物半導体である。なお、特定の方向とは、
ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の厚さ方向、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の被形成面の法線方向、
またはＣＡＡＣ－ＯＳ膜の表面の法線方向である。また、結晶領域とは、
原子配列に周期性を有する領域である。なお、原子配列を格子配列とみな
すと、結晶領域とは、格子配列の揃った領域でもある。さらに、ＣＡＡＣ
－ＯＳは、ａ－ｂ面方向において複数の結晶領域が連結する領域を有し、
当該領域は歪みを有する場合がある。なお、歪みとは、複数の結晶領域が
連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った
領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。つまり、ＣＡ
ＡＣ－ＯＳは、ｃ軸配向し、ａ－ｂ面方向には明らかな配向をしていない
酸化物半導体である。
【０５４１】なお、上記複数の結晶領域のそれぞれは、１つまたは複数の
微小な結晶（最大径が１０ｎｍ未満である結晶）で構成される。結晶領域
が１つの微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の最大径は１０
ｎｍ未満となる。また、結晶領域が多数の微小な結晶で構成されている場
合、当該結晶領域の大きさは、数十ｎｍ程度となる場合がある。
【０５４２】 また、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガ
リウム、イットリウム、スズ、チタンなどから選ばれた一種、または複数
種）において、ＣＡＡＣ－ＯＳは、インジウム（Ｉｎ）、及び酸素を有す
る層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素を有する層（
以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともい
う）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能で
ある。よって、（Ｍ，Ｚｎ）層にはインジウムが含まれる場合がある。また、
Ｉｎ層には元素Ｍが含まれる場合がある。なお、Ｉｎ層にはＺｎが含まれ
る場合もある。当該層状構造は、例えば、高分解能ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉ
ｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像において、格子
像として観察される。
【０５４３】CＡＡＣ－ＯＳ膜に対し、例えば、ＸＲＤ装置を用いて構造解
析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ ＸＲＤ
測定では、ｃ軸配向を示すピークが２θ＝３１°またはその近傍に検出され
る。なお、ｃ軸配向を示すピークの位置（２θの値）は、ＣＡＡＣ－ＯＳ
を構成する金属元素の種類、組成などにより変動する場合がある。
【０５４４】また、例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の電子線回折パターンにお
いて、複数の輝点（スポット）が観測される。なお、あるスポットと別の
スポットとは、試料を透過した入射電子線のスポット（ダイレクトスポッ
トともいう）を対称中心として、点対称の位置に観測される。
【０５４５】上記特定の方向から結晶領域を観察した場合、当該結晶領域
内の格子配列は、六方格子を基本とするが、単位格子は正六角形とは限ら
ず、非正六角形である場合がある。また、上記歪みにおいて、五角形、七
角形などの格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ－ＯＳにおいて、
歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリー）を確認す
ることはできない。即ち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑
制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ－ＯＳが、ａ－ｂ面方向に
おいて酸素原子の配列が稠密でないこと、金属原子が置換することで原子
間の結合距離が変化することなどによって、歪みを許容することができる
ためと考えられる。
【０５４６】なお、明確な結晶粒界が確認される結晶構造は、いわゆる多
結晶（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌ）と呼ばれる。結晶粒界は、再結合中心と
なり、キャリアが捕獲されトランジスタのオン電流の低下、電界効果移動
度の低下などを引き起こす可能性が高い。よって、明確な結晶粒界が確認
されないＣＡＡＣ－ＯＳは、トランジスタの半導体層に好適な結晶構造を
有する結晶性の酸化物の一つである。なお、ＣＡＡＣ－ＯＳを構成するに
は、Ｚｎを有する構成が好ましい。例えば、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、及びＩｎ
－Ｇａ－Ｚｎ酸化物は、Ｉｎ酸化物よりも結晶粒界の発生を抑制できるた
め好適である。
【０５４７】ＣＡＡＣ－ＯＳは、結晶性が高く、明確な結晶粒界が確認さ
れない酸化物半導体である。よって、ＣＡＡＣ－ＯＳは、結晶粒界に起因
する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結
晶性は不純物の混入、欠陥の生成などによって低下する場合があるため、
ＣＡＡＣ－ＯＳは不純物及び欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体
ともいえる。従って、ＣＡＡＣ－ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性
質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ－ＯＳを有する酸化物半導体は熱に強
く、信頼性が高い。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、製造工程における高い温度
（所謂サーマルバジェット）に対しても安定である。従って、ＯＳトラン
ジスタにＣＡＡＣ－ＯＳを用いると、製造工程の自由度を広げることが可
能となる。
【０５４８】［ｎｃ－ＯＳ］
ｎｃ－ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特
に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。別
言すると、ｎｃ－ＯＳは、微小な結晶を有する。なお、当該微小な結晶の
大きさは、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下
であることから、当該微小な結晶をナノ結晶ともいう。また、ｎｃ－ＯＳ
は、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全
体で配向性が見られない。従って、ｎｃ－ＯＳは、分析方法によっては、
ａ－ｌｉｋｅ ＯＳまたは非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合があ
る。例えば、ｎｃ－ＯＳ膜に対し、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと
、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ ＸＲＤ測定では、
結晶性を示すピークが検出されない。また、ｎｃ－ＯＳ膜に対し、ナノ結
晶よりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子
線回折（制限視野電子線回折ともいう。）を行うと、ハローパターンのよ
うな回折パターンが観測される。一方、ｎｃ－ＯＳ膜に対し、ナノ結晶の
大きさと近いかナノ結晶より小さいプローブ径（例えば１ｎｍ以上３０ｎ
ｍ以下）の電子線を用いる電子線回折（ナノビーム電子線回折ともいう。
）を行うと、ダイレクトスポットを中心とするリング状の領域内に複数の
スポットが観測される電子線回折パターンが取得される場合がある。
【０５４９】［ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ］
ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を
有する酸化物半導体である。ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、鬆または低密度領域を
有する。即ち、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳ及びＣＡＡＣ－ＯＳと比
べて、結晶性が低い。また、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳ及びＣＡＡ
Ｃ－ＯＳと比べて、膜中の水素濃度が高い。
【０５５０】＜＜酸化物半導体の構成＞＞
次に、上述のＣＡＣ－ＯＳの詳細について、説明を行う。なお、ＣＡＣ－
ＯＳは材料構成に関する。
【０５５１】［ＣＡＣ－ＯＳ］
ＣＡＣ－ＯＳとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ
以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍
のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物に
おいて、一つまたは複数の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、
０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、また
はその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。
【０５５２】 さらに、ＣＡＣ－ＯＳとは、第１の領域と、第２の領域と、
に材料が分離することでモザイク状となり、当該第１の領域が、膜中に分
布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。つまり、ＣＡＣ－Ｏ
Ｓは、当該第１の領域と、当該第２の領域とが、混合している構成を有す
る複合金属酸化物である。
【０５５３】ここで、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳを構
成する金属元素に対するＩｎ、Ｇａ、及びＺｎの原子数比のそれぞれを、
［Ｉｎ］、［Ｇａ］、及び［Ｚｎ］と表記する。例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ
酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳにおいて、第１の領域は、［Ｉｎ］が、ＣＡ
Ｃ－ＯＳ膜の組成における［Ｉｎ］よりも大きい領域である。また、第２
の領域は、［Ｇａ］が、ＣＡＣ－ＯＳ膜の組成における［Ｇａ］よりも大
きい領域である。または、例えば、第１の領域は、［Ｉｎ］が、第２の領
域における［Ｉｎ］よりも大きく、且つ、［Ｇａ］が、第２の領域におけ
る［Ｇａ］よりも小さい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、
第１の領域における［Ｇａ］よりも大きく、且つ、［Ｉｎ］が、第１の領
域における［Ｉｎ］よりも小さい領域である。
【０５５４】具体的には、上記第１の領域は、インジウム酸化物、インジ
ウム亜鉛酸化物などが主成分である領域である。また、上記第２の領域は、
ガリウム酸化物、ガリウム亜鉛酸化物などが主成分である領域である。つま
り、上記第１の領域を、Ｉｎを主成分とする領域と言い換えることができ
る。また、上記第２の領域を、Ｇａを主成分とする領域と言い換えること
ができる。
【０５５５】なお、上記第１の領域と、上記第２の領域とは、明確な境界
が観察できない場合がある。
【０５５６】また、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳとは、
Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分
とする領域と、一部にＩｎを主成分とする領域とが、それぞれモザイク状
であり、これらの領域がランダムに存在している構成をいう。よって、Ｃ
ＡＣ－ＯＳは、金属元素が不均一に分布した構造を有していると推測される。
【０５５７】ＣＡＣ－ＯＳは、例えば基板を加熱しない条件で、スパッタ
リング法により形成することができる。また、ＣＡＣ－ＯＳをスパッタリ
ング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴ
ン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数
を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流
量比は低いほど好ましく、例えば、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸
素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下と
することが好ましい。
【０５５８】また、例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－Ｏ
Ｓでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅ
ｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥ
ＤＸマッピングにより、Ｉｎを主成分とする領域（第１の領域）と、Ｇａ
を主成分とする領域（第２の領域）とが、偏在し、混合している構造を有
することが確認できる。【０５５９】
ここで、第１の領域は、第２の領域と比較して、導電性が高い領域である。
つまり、第１の領域を、キャリアが流れることにより、金属酸化物としての
導電性が発現する。従って、第１の領域が、金属酸化物中にクラウド状に
分布することで、高い電界効果移動度（μ）を実現できる。
【０５６０】一方、第２の領域は、第１の領域と比較して、絶縁性が高い
領域である。つまり、第２の領域が、金属酸化物中に分布することで、リ
ーク電流を抑制することができる。
【０５６１】従って、ＣＡＣ－ＯＳをトランジスタに用いる場合、第１の
領域に起因する導電性と、第２の領域に起因する絶縁性とが、相補的に作
用することにより、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）
をＣＡＣ－ＯＳに付与することができる。つまり、ＣＡＣ－ＯＳとは、材
料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材
料の全体では半導体としての機能を有する。導電性の機能と絶縁性の機能
とを分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。よっ
て、ＣＡＣ－ＯＳをトランジスタに用いることで、高いオン電流（Ｉｏｎ）
、高い電界効果移動度（μ）、低いリーク電流、及び良好なスイッチング
動作を実現することができる。
【０５６２】また、ＣＡＣ－ＯＳを用いたトランジスタは、信頼性が高い。
従って、ＣＡＣ－ＯＳは、表示装置をはじめとするさまざまな半導体装置
に最適である。
【０５６３】酸化物半導体は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性
を有する。本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結
晶酸化物半導体、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ、ＣＡＣ－ＯＳ、ｎｃ－ＯＳ、ＣＡＡ
Ｃ－ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。
【０５６４】＜酸化物半導体を有するトランジスタ＞
続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。
【０５６５】上記酸化物半導体をトランジスタに用いることで、高い電界
効果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高い
トランジスタを実現することができる。
【０５６６】トランジスタには、キャリア濃度の低い酸化物半導体を用い
ることが好ましい。例えば、酸化物半導体のキャリア濃度は１×１０１７ｃ
ｍ－３以下、好ましくは１×１０１５ｃｍ－３以下、さらに好ましくは１×１０１３
ｃｍ－３以下、より好ましくは１×１０１１ｃｍ－３以下、さらに好ましく
は１×１０１０ｃｍ－３未満であり、１×１０－９ｃｍ－３以上である。なお、
酸化物半導体膜のキャリア濃度を低くする場合においては、酸化物半導体
膜中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等
において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性また
は実質的に高純度真性と言う。なお、キャリア濃度の低い酸化物半導体を、
高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ場合がある。
【０５６７】また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半
導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合が
ある。
【０５６８】また、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消
失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うこと
がある。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体にチャネル形成
領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。
【０５６９】従って、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸
化物半導体中の不純物濃度を低減することが有効である。また、酸化物半
導体中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃度も低
減することが好ましい。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、ア
ルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。
【０５７０】＜不純物＞
ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。
【０５７１】酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコン
または炭素が含まれると、酸化物半導体において欠陥準位が形成される。
このため、酸化物半導体におけるシリコンまたは炭素の濃度と、酸化物半
導体との界面近傍のシリコンまたは炭素の濃度（二次イオン質量分析法（
ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔ
ｒｙ）により得られる濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好
ましくは２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
【０５７２】 また、酸化物半導体にアルカリ金属またはアルカリ土類金
属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。従
って、アルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれている酸化物半導体
を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、Ｓ
ＩＭＳにより得られる酸化物半導体中のアルカリ金属またはアルカリ土類
金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。
【０５７３】また、酸化物半導体において、窒素が含まれると、キャリア
である電子が生じ、キャリア濃度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、
窒素が含まれている酸化物半導体を半導体に用いたトランジスタはノーマ
リーオン特性となりやすい。または、酸化物半導体において、窒素が含ま
れると、トラップ準位が形成される場合がある。この結果、トランジスタ
の電気特性が不安定となる場合がある。このため、ＳＩＭＳにより得られ
る酸化物半導体中の窒素濃度を、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好
ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３
以下にする。
【０５７４】また、酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する
酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠
損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。ま
た、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電
子を生成することがある。従って、水素が含まれている酸化物半導体を用
いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物
半導体中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、
酸化物半導体において、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度を、１×１０２０
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、
より好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×
１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満にする。
【０５７５】 不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチ
ャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。
【０５７６】本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることがで
きる。
【０５７７】（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図２７乃至図
３１を用いて説明する。
【０５７８】本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示
装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化及び高解像度化が
容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。
【０５７９】電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトッ
プ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などの
モニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較
的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカ
メラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報
端末、音響再生装置、などが挙げられる。
【０５８０】特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが
可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることが
できる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレッ
ト型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディス
プレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ（Ｍｉ
ｘｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機
器等が挙げられる。
【０５８１】本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）
、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４
４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×
２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度
を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、またはそれ以上の解像度
とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密
度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ま
しく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ま
しく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好
ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさら
に好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方または双方を有
する表示装置を用いることで、臨場感及び奥行き感などをより高めること
が可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト
比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形
）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することが
できる。
【０５８２】本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、
加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、
時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、
においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。
【０５８３】本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができ
る。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に
表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表
示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通
信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機
能等を有することができる。
【０５８４】図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）及び図２８（Ａ）、図２８（Ｂ）
を用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これら
ウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、及びＶＲのコン
テンツを表示する機能の一方または双方を有する。なお、これらウェアラ
ブル機器は、ＡＲ、ＶＲの他に、ＳＲ（Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ
Ｒｅａｌｉｔｙ）またはＭＲのコンテンツを表示する機能を有していても
よい。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、ＭＲなどのコンテンツを表示する
機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。
【０５８５】図２７（Ａ）に示す電子機器７００Ａ、及び、図２７（Ｂ）
に示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一
対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制
御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３
と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。
【０５８６】表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用す
ることができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器と
することができる。
【０５８７】電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光
学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投
影することができる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光
学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域７５６に表示
された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、
電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。
【０５８８】電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部
として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。ま
た、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロ
センサなどの加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知し
て、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。
【０５８９】通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により映像信号
等を供給することができる。なお、無線通信機に代えて、または無線通信
機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコ
ネクタを備えていてもよい。
【０５９０】また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バ
ッテリが設けられており、無線及び有線の一方または双方によって充電す
ることができる。
【０５９１】筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていて
もよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされ
ることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者
のタップ操作またはスライド操作などを検出し、様々な処理を実行するこ
とができる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止または再開など
の処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送りまたは
早戻しの処理を実行することなどが可能となる。また、２つの筐体７２１
のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げる
ことができる。
【０５９２】タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適
用することができる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、
電磁誘導方式、表面弾性波方式、光学方式等、種々の方式を採用すること
ができる。特に、静電容量方式または光学方式のセンサを、タッチセンサ
モジュールに適用することが好ましい。
【０５９３】光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光デバイスと
して、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）を用いることができる。
光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方または
双方を用いることができる。
【０５９４】図２８（Ａ）に示す電子機器８００Ａ、及び、図２８（Ｂ
）に示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体
８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一
対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。
【０５９５】表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用するこ
とができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とする
ことができる。これにより、使用者に高い没入感を感じさせることができる。
【０５９６】表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通て
視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を
表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。
【０５９７】電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、
ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａまたは電子機
器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に
表示される画像を視認することができる。
【０５９８】電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、
レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置
となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが
好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、
ピントを調整する機構を有していることが好ましい。
【０５９９】装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａまたは電子
機器８００Ｂを頭部に装着することができる。なお、図２８（Ａ）などに
おいては、メガネのつる（ジョイント、テンプルなどともいう）のような
形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者
が装着できればよく、例えば、ヘルメット型またはバンド型の形状として
もよい。
【０６００】撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像
部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力することができる。撮
像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、広
角などの複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。
【０６０１】なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物
の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設
ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部
としては、例えばイメージセンサ、または、ライダー（ＬＩＤＡＲ
：Ｌｉｇｈｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ Ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ）などの距離
画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離
画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報
を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。
【０６０２】電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動
機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着
部８２３のいずれか一または複数に、当該振動機構を有する構成を適用す
ることができる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、または
スピーカなどの音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけ
で映像と音声を楽しむことができる。
【０６０３】電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、
入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信
号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供
給するケーブルを接続することができる。
【０６０４】本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信
を行う機能を有していてもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しな
い）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能
により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信することができる。
例えば、図２７（Ａ）に示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、
イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図２８
（Ａ）に示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５
０に情報を送信する機能を有する。
【０６０５】また、電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図２７（
Ｂ）に示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、
イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とする
ことができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐
体７２１または装着部７２３の内部に配置されていてもよい。
【０６０６】同様に、図２８（Ｂ）に示す電子機器８００Ｂは、イヤフォ
ン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、
互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部８２７
と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１または装着部８２３
の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３
とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤフォン部８２７を
装着部８２３に磁力によって固定することができ、収納が容易となり好ましい。
【０６０７】なお、電子機器は、イヤフォンまたはヘッドフォンなどを接
続することができる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、
音声入力端子及び音声入力機構の一方または双方を有していてもよい。音
声入力機構としては、例えば、マイクなどの集音装置を用いることができ
る。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッ
ドセットとしての機能を付与してもよい。
【０６０８】このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型
（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂなど）と、ゴーグル型（電
子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂなど）と、のどちらも好適である。
【０６０９】また、本発明の一態様の電子機器は、有線または無線によっ
て、イヤフォンに情報を送信することができる。
【０６１０】 図２９（Ａ）に示す電子機器６５００は、スマートフォンと
して用いることのできる携情報端末機である。
【０６１１】電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源
ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、
カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチ
パネル機能を備える。
【０６１２】表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用するこ
とができる。
【０６１３】図２９（Ｂ）は、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を
含む断面概略図である。
【０６１４】筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０
が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示
パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリ
ント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。
【０６１５】保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１
２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定
されている。
【０６１６】表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５
１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５
が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。
ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されて
いる。
【０６１７】表示パネル６５１１には本発明の一態様の表示装置を適用す
ることができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、
表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容
量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１
１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置
することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。
【０６１８】図３０（Ａ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョ
ン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。
ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示して
いる。
【０６１９】 表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用する
ことができる。０６２０】図３０（Ａ）に示すテレビジョン装置７１００
の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操
作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチ
センサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビ
ジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該
リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していて
もよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルに
より、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表
示される映像を操作することができる。
【０６２２】図３０（Ｂ）に、ノート型パーソナルコンピュータの一例を
示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キー
ボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２
１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。
【０６２３】表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用するこ
とができる。
【０６２５】図３０（Ｃ）に示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７
３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、Ｌ
ＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接
続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
【０６２６】図３０（Ｄ）は円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタ
ルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０
１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。
【０６２７】図３０（Ｃ）、図３０（Ｄ）において、表示部７０００に、
本発明の一態様の表示装置を適用することができる。０６２８】表示部７
０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、
表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効
果を高めることができる。
【０６２９】表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７
０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作す
ることができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を
提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリテ
ィを高めることができる。
【０６３０】また、図３０（Ｃ）、図３０（Ｄ）に示すように、デジタル
サイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持
するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と
無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００
に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１
１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情
報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替える
ことができる。
【０６３１】また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネー
ジ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操
作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これに
より、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。
【０６３２】図３１（Ａ）乃至図３１（Ｇ）に示す電子機器は、筐体９０
００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッ
チ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７
（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気
、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、
流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、
マイクロフォン９００８、等を有する。
【０６３６】図３１（Ａ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。
携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができ
る。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００
６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、
文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図３１（Ａ）
では３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩
形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。
情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通
知、電子メールまたはＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテ
リの残量、電波強度などがある。または、情報９０５１が表示されている
位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。
【０６３７】図３１（Ｂ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。
携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機
能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそ
れぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポ
ケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２
の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもで
きる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく
表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。
【０６３８】図３１（Ｃ）は、タブレット端末９１０３を示す斜視図であ
る。タブレット端末９１０３は、一例として、移動電話、電子メール、文
章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等
の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１０３
は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフ
ォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作
用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。
【０６３９】図３１（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜
視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商
標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾
曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、
携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信
することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情
報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデー
タ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無
線給電により行ってもよい。
【０６４０】 図３１（Ｅ）乃至図３１（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報
端末９２０１を示す斜視図である。また、図３１（Ｅ）は携帯情報端末９
２０１を展開した状態、図３１（Ｇ）は折り畳んだ状態、図３１（Ｆ）は
図３１（Ｅ）と図３１（Ｇ）の一方から他方に変化する途中の状態の斜視
図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、
展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。
携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって
連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１
は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
了
🪄光電融合時期あっての、光・音融合の双方向ワイヤレス情端末機器の必
需品である。
●今日の言葉：年末殺人事件も新時代 ？
『back number ：クリスマスソング』2015年11月
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