思想は客のように迎えられるべきである。――親しげに、
とはいえ主人に暴威をふるわないように制限つきで。
アルペルト・モラヴィア
Alberto Moravia
28 novembre 1907 – 26 settembre 1990
Ideas should be received like guests in a friendly way,
but with the reservation that they are nost.
※ 新しい思想への接し方。拒まないか、暴君になられないように――そこかむずかしいところ。
with the reservation that...「・・・という制限むもって」
they もちろん ideas のこと。複数だから、いろいろな思想があとからあとがら起こってくる
ことを示す。tyrannize(←tyrantr「暴君」)「暴威をふるう」
【中国の思想: 墨子Ⅴ】
公輸――墨子と戦争技術者※
尚賢――人の能力を正当に評価せよ
兼愛――ひとを差別するな※
非攻――非戦論※
節葬――葬儀を簡略にせよ
非楽――音楽の害悪
非命――宿命論に反対する
非儒――儒家批判
親士――人材尊重
所染――何に染まるか
七患――君子の誤り七つ
耕柱――弟子たちとの対話
貴義――義を貴しとなす
公孟――儒者との対話
魯問――迷妄を解く
※ シリーズとして掲載(途中も含め)した「編章節」はピンク色にしている。
尚、段行末尾の※は、以前取り上げたことがあるもので、改めて記載するもの。
● 待遇以上のもの
墨子は弟子の公尚過を越王のもとに派遣した。越王は公尚過の進言をきいて、すっかり感心した。
「ぜひ、あなたの先生に教えをこいたいものだ。ひとつ、先生をお迎えできるように骨折ってはくれ
まいか。先生がわが国まで来てもよいということであれば・ハから奪った領地五百里四方を与えよう」
「かしこまりました」
越王は、車五十乗を用意し、公尚過を使者として、魯国に墨子を迎えにやった。
「先生の道を説いたところ、越王はいたく感激して、ぜひ、先生をお迎えしたい、もし承知なら、呉
から奪った領地五百里四方を与える、とのことです」
公尚遇の報告をきいて、墨子は、
「おまえは、越王がどういうつもりで、そんなことをいったと思うか。
もし越王に、わたしの意見をききいれ、わたしの説く道を実行する気があるなら、わたしは群臣の
ひとりとして、身分相応の待遇ででかけて行くだろう。待遇に釣られるようなわたしではない。
もし越王にそんな気がないのに、わたしがでかけて行ったとすれば、わたしは義をカネにかえたこ
とになる。どうせカネにかえるなら、わたしはこの中原の国でかえる。越まで行く必要はないのだ」
子墨子游公尚過於越。公尚過說越王,越王大說,謂公尚過曰、先生苟能使子墨子於越而教寡人,請裂
故吳之地,方五百里、以封子墨子。公尚過許諾。遂為公尚過束車五十乘、以迎子墨子於魯曰、吾以夫
子之道說越王、越王大說,謂過曰、苟能使子墨子至於越,而教寡人、請裂故吳之地。方五百里、以封
子。子墨子謂公尚過曰、子觀越王之志何若。意越王將聽吾言、用我道、則翟將往。量腹而食、度身而
衣、自比於群臣。奚能以封為哉。抑越不聽吾言、不用吾道、而吾往焉。則是我以義糶也。鈞之糶,亦
於中國耳、何必於越哉。
日本生まれの「ペロブスカイト太陽電池」が“次世代太陽電池”として話題となっている。「ペロブスカ
イト」は特殊な結晶構造。桐蔭横浜大学の宮坂力教授が太陽電池として作動することを09年に製作した
ペロブスカイト太陽電池の変換効率は3%台、14年には米カリフォルニア大学ロサンゼルス校のチーム
が19.3%を達成、15年、韓国化学研究所が20.1%に到達。15年11月にNEDO・ロームが共
同で室内光で変換効率の倍増に成功、同月に物質・材料研究機構が、千時間(日照時間3・5時間/日と
して、約285日に相当)の光連続照射テストもクリアしている。課題は耐久性と意匠性で色素増感型の
ようなカラフル化――光導波路設計などで、変換効率とトレードオフすれば可能だが――高効率は望めな
だろう。だが、宮坂教授は「劣化の原因はわかっている。”犯人“の物質を他の物質に置き換えればよい」
と話すように課題は明確なってきているとして、変換効率の目標を20%超におくようになってきている。
しかしながら、シリコン系、化合物半導体、量子ドットや多接合型の変換効率の向上も前実用化レベルで
続々と25%超の成果が報告されている。そこに、スタッグ型、タンデム型、あるいは波長シフト薄膜・
光導波路変更(入射光閉じこめ・散乱法吸収)薄膜の合わせ技でさらに、2~3%の変換効率や受光時間
の外延や電極-変換層の緻密設計で、ステブラー・ロンスキー効果(温度上昇)抑制・再結合やエネルギー
損失が改善れ30%超も間近に迫っている。因みに、現行のメガソーラーのパネル変換効率は10~15
%で、20年間の耐久性を保持できているは日本の京セラのみであり、10年後には既設ソーラーパネル
の変換効率は数%は劣化していると予測されれ、20年以降の買い換え需要や親切には改造には、30%
超のパネルが市場の基求事項になっているだろう。、その中核にニューカマーに量子ドット型ソーラーの
攻勢が始まっていると思われる。
さて、今年に入いり今日現在までにで量子ドット系太陽光発電(光電変換素子)に関する米国特許申請を下記のよ
うに調べてみたので、気を惹いた事案をピックアップ掲載する。まず、下図の連続均一塗布装置は、粉末粒子のサ
イズ・形状・比重に関わらず所定の割合で空気搬送しノズルから均一噴出塗布できる装置。産業用途は、以下のよ
うなものが挙がっている。これは実験してみるしかない。議論はそてからだ。
- カーボンナノチューブ、ITOなどの半透明・透明導電性電極
- カーボンナノチューブのFEDやバクライトユニット
- カーボンナノチューブ高効率照明機器
- III-V族化合物系・量子ドットなどの太陽電池
- 量子ドット半導体ダイオード
- カーボンナノチューブ、銅の半導体回路
- フレキシブル高効率発熱体高効率センサ
- 静電気分散粉末の被覆
- カーボンナノチューブの高分子複合材料と超軽量、高強度複合材料への被覆
- 誘電体の被覆
- 磁気粉末の導電性材料への被覆
- 減摩材粉末の被覆
- 表面硬化材料の被覆
- 二次電池原料粉末の被覆
- スーパーキャパシタ材料粉末の被覆
- 帯電防止材料の塗布
次の新規考案は、太陽電池の製造方法で、電子供与層と受電子層はリガンド(受容体)の第一量子ドット
で構成、遮光層も異なるリガンド(受容体)の第二量子ドットで構成。受光層は価電子帯と伝導体を、受
電子層は価電子帯をもつ。受電子層の伝導帯と価電子帯は、電子供与価電子帯より高く、受電子層の伝導
帯は、前者の伝導帯より高くなる。遮断層は価電子帯と伝導帯は、受電子層のそれぞれより高く下構成特
許であるが、要約すると、高性能な量子QD/ QDのバンドアライメントの操作により、太陽電池のドットと
QD/アノード界面が実証されたというもの。この事例では、(1)室温で処理でき(2)優れた空気貯蔵安
定性を示す。開示された結果では、2つの異なるリガンドとPBS処置層との間の相対的なバンドの整列を利
用して、デバイス性能を大幅に向上させることができ、()光吸収層などの無機リガンド不動態化量子
ドットを用いること、さらに、()空気安定性達成には、MoO 3を界面層の除去が不可欠であることが鍵
になる。硫化鉛を値\使用するため、環境リスク管理が重要となる。
次の事案は、励起発光装置。励起光源に対向し、第1低屈折率層と第1基板が蛍光体層の上に配置され、蛍光体層の側面を囲
むバリアは、励起光源と第1の基板の積層方向に延展。また、蛍光体層に対向する隔壁の一部は光散乱性をもつ。第1の基板
よりも屈折率が低い第1の低屈折率層が、蛍光体層と第1の基板との間に配置されるというもの。量子ドット技術新規性はマ
見当たらずここでは掲載せず。
次にデバイス(例えば、太陽電池、赤外線またはテラヘルツ光検出器などの光電子デバイス)ナノ材料と内蔵の充電(VC Q-
BIC)と垂直相関量子ドットを有し、そのようなデバイスを作製する方法で、VC Q-BIC材料は、層は、半導体材料中の量子ド
ット(個々の量子ドットまたは量子ドットのクラスタ)を有する複数の量子ドット層を有し、隣接する量子ドット層は、ド
ープされた半導体材料のスペーサ層によって分離。 VC-QBICナノ材料は、応答性が向上し、長い光キャリア寿命を提供し太
陽電池における検出器または変換効率の感度以前匹敵するデバイスと比較している。特許請求範囲には不記しないが、参
考になっる。、
、
さらに次の新機構案は、量子ドット増感インタフェースを有する光起電力(PV)デバイスが、第1の導体層と第2の導体層と
を含み、導体層の少なくとも一方は、太陽放射に対して透明で、光収穫インターフェース増感量子ドット(ナノ粒子)は、
二つの導体の間に配置された光吸収層、量子ドット層及び緩衝層を含む。吸収層は、p型材料であり、バッファ層はn型材料。
量子ドット層は、バンドギャップ波長可変赤外(IR)を覆うように、可視光と紫外(UV)太陽スペクトルの帯域を有す。以
下に請求範囲を記載しておくが、それ以外の事例は、紙面上の制約から解体するので、続きは「特許研究事例番号No.320」
山荘のこと。
1)太陽電池の第一の電極と電気的に連絡しているp型吸収体層、第1の材料から形成されたp型吸収体層と、量子ドットを
含みず、量子ドット(QD)は、p型吸収体層は、感光性ナノ粒子を含むQD層には異なると近接層とQD層と第二電極と接触し
ているn型バッファ層、第2の材料から形成されたn型バッファ層と、量子ドットを含まない、第2の材料は第一の材料と異な
る。量子ドット層は、吸収体層と第1電極と第2電極の少なくとも一方は、太陽放射に対して透明であることを特徴とし、
バッファ層との界面に配置され、第一の材料が、銅インジウムガリウムからなる群から選択されたセレン(CIGS)、二セレ
ン化銅インジウム(CIS)、銅ガリウムセレン(CGS)、銅ガリウムジテルリド(CGT)、銅インジウム・アルミニウム・セ
レン(CIAS)である。
2)QD層をPBS、のPbSe、のGaSb、InSbで、InAsの、CIS、のInP、CdSeの酸化チタン、酸化亜鉛と酸化スズのうちの少なく
とも1つを含む、請求項1に記載の光起電力装置。
3)第二の材料は、以下からなる群から選択される、請求項1に記載の光起電力装置:硫化カドミウム(CDS);硫化亜鉛(Z
nSの)。インジウム硫化物(In2S3)。
4)請求項1に記載の光起電力装置のQD層は、量子ドットの複数種類の赤外線(IR)でバンドギャップを有する量子ドット
の第一のタイプを含むことを特徴とする請求の範囲、可視でバンドギャップを有する量子ドットの第二のタイプ光レンジ、
電磁スペクトルの紫外線(UV)の範囲のバンドギャップを有する量子ドットの三種類。
※ 調査事例は以下のようになっている。
- ・9139,912 Apparatus and method for continuous powder coating
- ・9,099,663 Quantum dot solar cells with band alignment engineering
- ・9,091,415 Light-emitting device, and display apparatus, which can efficiently emit, to outside, fluorescence generated in fluorescent layer
and can realize high-luminance light emission and in which generation of blurriness and fuzziness of display is suppressed - ・8,994,005 Vertically correlated clusters of charged quantum dots for optoelectronic devices, and methods of making same
- ・8,981,207 High efficiency quantum dot sensitized thin film solar cell with absorber layer
- ・8,921,687 High efficiency quantum well waveguide solar cells and methods for constructing the same
- ・8,883,548 Development of an electronic device quality aluminum antimonide (AlSb) semiconductor for solar cell applications
- ・866,005 InGaP heterojunction barrier solar cells
- ・8,865,513 High-density P-doped quantum dot solar cell obtained by the active doping of InP and a production method therefor
以上、最低限度の(すこし十分な)予算と適正な人員が配置できれば、(1)変換効率30%超、(2)耐用年数20年、(3)パネルコストが
現状あるいは量産効果が効けばそれ以下にで提供できるだろう。もう石油・天然ガスの先物取引での価格は安値安定に入ることは間
違いないものと考える。「さぁ、テッペンを取りに行こう」、そして、世界一の都市鉱山資源立国に成り上がろう。志あるもの集まれ!
ファンケルが「えんきん」というルテイン・アスタキサンチン・シアニジン-3-グルコシド・DHAを廃校したサプリメント
を発売した。これは近日に服用してみよう。後日その結果を掲載する。
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