エネルギーと環境 79

彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の井伊
軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと）と兜（かぶ
と）を合体させて生まれたキャラクタ－

【季語と短歌：12月15日】

　　　　　　　　マフラーや年賀準備部屋で巻き　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　高山　宇　（赤鬼）

✳️　月面への大型貨物の配備

人類の歴史的な月への帰還、月ゲートウェイの組み立て、拡大された表面
探査など、以前のアルテミスミッションの成功に続いて、NASAのアルテ
ミスVIIとVIIIは、月の開発における新しい段階を表す。有人着陸システム
の実証後、同機関は現在、より恒久的なプレゼンスを確立するために、重
量貨物の展開に注力している。
2032年、スペースXの巨大なスターシップロケットは、「ルナクルーザー」
で知られるを月面に送り込みます。トヨタと宇宙航空研究開発機構(JAXA
が共同開発したこの機体は、宇宙服を必要とせずに2人の乗組員を収容で
る。最大30日間分の酸素と供給が十分にあるため、探査活動の範囲と期
間が大幅に拡大し、拡張ミッションのための移動可能な居住地と実験室
を提供。

✳️ 洋上風力発電所の自動海水中保守点検
Beam社が開発したロボットは、自律検査を行い、これまでにない解像度で
リアルタイムに立体映像情報の提供能力により、洋上風力発電所の保全に
革命を実現。2016年に設立されたBeam社は、洋上風力発電事業の課題解
決する英国企業（ロボット船や水中ロボットのAIと自律性が含まれ、風力
発電所のすべての保全維持管理の「時間とコスト課題」を即時解決する。
この自律型無人潜水機(AUV)は、海中検査に革命を起すだろう。2025年に
市場リリース予定。
🪄2024年9月、スコットランド最大の洋上風力発電所の「SSEのSeagreen
Wind Farm」で世界初の導入実証を実現する。

✳️ スパコンの10の25乗年かかる計算を5分で実行「Willow」
12月10日、Googleの量子コンピューティング研究部門であるGoogle
Quantum AI Labが、105個の量子ビットを搭載し、量子エラー訂正の指
数関数的な改善と超高速計算を実現、新量子チップ「Willow」を公表。従
来の量子システムでは、量子ビット数を増やすほどエラーが増加し、シス
テムが古典的な振る舞いに近づく。これが1995年にベル研究所のピーター・
ショア氏が提唱した「量子エラーのしきい値理論」。しかし、単にエラー
率を低減しただけでなく、距離を2増やすごとにエラー率が2.14倍減少す
るという指数関数的な改善を示した。これは、より多くの量子ビットを追
加することで、さらに高精度な量子計算が可能になることを意味する。つ
まり、WillowはGoogle初の「しきい値以下」を示した量子チップになる。
Google Quantum AI Labは「高度なAIは量子コンピューティングを利用
することで大きな恩恵を受けるだろう。量子コンピューティングは、従来
のマシンではアクセスできないトレーニング データの収集、特定の学習
アーキテクチャのトレーニングと最適化、量子効果が重要なシステムのモ
デリングに不可欠と話す。



【関連特許最新技術】
5.　特開2022-158973　表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表
示装置の作製方法　株式会社半導体エネルギー研究所
【詳細説明】
【０３０１】さらに、樹脂層１２２を用いて、色変換層１２９ａ、１２９
ｂ上に、基板１２０を貼り合わせることで、図１（Ｂ）に示す表示装置１
００を作製することができる。なお、図２等のように、色変換層１２９ｃ
を、画素電極１１１ｃと重なる領域を有するように形成しても良い。
【０３０２】保護層１３１、１３２に用いることができる材料及び成膜方
法は上述の通りである。保護層１３１、１３２の成膜方法としては、真空
蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、及び、ＡＬＤ法などが挙げられる。
保護層１３１と保護層１３２は、互いに異なる成膜方法を用いて形成され
た膜であってもよい。また、保護層１３１、１３２は、それぞれ、単層構
造であってもよく、積層構造であってもよい。　　　　　　
【０３０３】なお、共通電極１１５の成膜の際には、成膜エリアを規定す
るためのマスク（エリアマスク、ラフメタルマスクなどともいう）を用い
てもよい。または、共通電極１１５の成膜に当該マスクを使用せず、図１１
（Ａ）に示す工程の後に、図１１（Ｂ）及び図１１（Ｃ）に示す共通電極
１１５及び第５の層１１４の加工工程を行い、その後、保護層１３１の
形成工程に進んでもよい。

図11　図１１（Ａ）乃至図１１（Ｃ）は、表示装置の作製方法の一例を示す
断面図
【０３０４】  図１１（Ｂ）及び図７（Ｂ）に示すように、共通電極１１５上
にレジストマスク１９０ｂを形成する。図１１（Ｂ）のＹ２側の端部に、レ
ジストマスク１９０ｂが設けられていない部分が存在する。図７（Ｂ）に示
すように、レジストマスク１９０ｂは、各副画素及び接続部１４０と重なる
領域に設けられる。つまり、レジストマスク１９０ｂが設けられていない領
域は、接続部１４０よりも外側に位置する。

図１２（Ａ）乃至図１２（Ｄ）は、表示装置の作製方法の一例を示す断面図

【０３０５】次に、図１１（Ｃ）に示すように、レジストマスク１９０ｂを
用いて、共通電極１１５の一部、及び第５の層１１４の一部を除去する。以
上により、共通電極１１５及び第５の層１１４を加工することができる。
【０３０６】なお、上記のプロセスにおいては、絶縁層１２７の一部をアッ
シングなどで消失させて、第２の犠牲層１１９ａなどを露出させる構成（図
１０（Ｂ）参照。）について示したが、本発明はこれに限られるものではな
い。例えば、図１２（Ａ）に示すように、絶縁膜１２７Ａの、画素電極１１１ａ、
１１１ｂ、１１１ｃ、及び導電層１２３と重なる位置に開口を設けて絶縁層
１２７を形成する構成にしてもよい。例えば、絶縁膜１２７Ａとして、感光
性の樹脂を塗布し、露光及び現像を行うことで、画素電極１１１ａ、１１１ｂ
、１１１ｃ、及び導電層１２３と重なる位置に開口が設けられたパターンを
形成することができる。
【０３０７】図１２（Ａ）に示すように、絶縁層１２７をパターン形成した
後は、上述の図１１（Ａ）乃至図１１（Ｃ）に係る工程と同様の方法で表示
装置１００を形成することができる。
【０３０８】  ただし、この場合、図１２（Ａ）に示すように、絶縁層１２７
の上面が、第２の犠牲層１１９ａの上面より高くなる場合がある。これによ
り、第１の犠牲層１１８ａ、及び第２の犠牲層１１９ａを除去する際に、こ
れらの一部が残存する場合がある。よって、図１２（Ｂ）に示すように、
共通電極１１５の形成後にも、エッチングで除去できなかった、第１の犠
牲層１１８、及び第２の犠牲層１１９の一方または両方が、第１の層１１３ａ
、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、または導電層１２３の上に、形
成される場合がある。
【０３０９】ここで、第１の犠牲層１１８の側面、第２の犠牲層１１９の
側面、絶縁層１２５の側面の一部、及び絶縁層１２７の側面の一部によっ
て、形成される平面（第５の層１１４と接する側の面）は、断面視におい
て、テーパー形状を有することが好ましい。当該平面が断面視において、
テーパー形状を有することで、第１の犠牲層１１８、第２の犠牲層１１９
、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７を覆って形成される第５の層１１４及
び共通電極１１５を被覆性良く形成し、第５の層１１４及び共通電極１１５
に段切れなどが発生するのを防ぐことができる。
【０３１０】このような方法で表示装置１００を形成することで、図３（Ｂ）
に示す表示装置１００を形成することができる。
【０３１１】また、図１２（Ｃ）に示すように、第５の層１１４を設けず、
絶縁層１２５、１２７、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第
３の層１１３ｃを覆うように、共通電極１１５を形成してもよい。つまり、
それぞれの副画素の発光デバイスにおいて、ＥＬ層を構成するすべての層
が作り分けられていてもよい。このとき、各発光デバイスのＥＬ層は、全
て島状に形成される。
【０３１２】ここで、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃのいずれか
と、共通電極１１５とが接することで、発光デバイスがショートする恐れ
がある。しかし、本発明の一態様の表示装置では、絶縁層１２１、１２５、
１２７が、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、及
び、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの側面を覆っているため、共
通電極１１５がこれらの層と接することを抑制し、発光デバイスがショー
トすることを抑制することができる。これにより、発光デバイスの信頼性
を高めることができる。
【０３１３】また、図１１（Ａ）に示す工程で、Ｙ１－Ｙ２間の断面図に
おいて、第５の層１１４の接続部１４０側の端部が、接続部１４０よりも
内側（表示部側）に位置し、導電層１２３上に第５の層１１４を設けない
構成にしてもよい（図１２（Ｄ）参照）。例えば、第５の層１１４の成膜
の際に、成膜エリアを規定するためのマスク（エリアマスク、ラフメタル
マスクなどともいう）を用いればよい。この場合、導電層１２３上に第５
の層１１４が設けられないので、第５の層１１４を介さずに、導電層１２３
と共通電極１１５とが電気的に接続される。

図13.　図１３（Ａ）乃至図１３（Ｆ）は、表示装置の作製方法の一例を
示す断面図

【０３１４】  図１３（Ａ）乃至図１３（Ｆ）に、絶縁層１２７とその周
辺を含む領域１３９の断面構造を示す。
【０３１５】図１３（Ａ）では、第１の層１１３ａと第２の層１１３ｂの
厚さが互いに異なる例を示す。絶縁層１２５の上面の高さは、第１の層
１１３ａ側では第１の層１１３ａの上面の高さと一致または概略一致して
おり、第２の層１１３ｂ側では第２の層１１３ｂの上面の高さと一致また
は概略一致している。そして、絶縁層１２７の上面は、第１の層１１３ａ
側が高く、第２の層１１３ｂ側が低い、なだらかな傾斜を有している。こ
のように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の高さは、隣接するＥＬ層の上
面の高さと揃っていることが好ましい。または、隣接するＥＬ層のいずれ
かの上面の高さと揃って、上面が平坦部を有していてもよい。
【０３１６】図１３（Ｂ）において、絶縁層１２７の上面は、第１の層
１１３ａの上面及び第２の層１１３ｂの上面よりも高い領域を有する。ま
た、絶縁層１２７の上面は、中心に向かって凸状に、なだらかに膨らんだ
形状を有する。
【０３１７】図１３（Ｃ）において、絶縁層１２７の上面が第１の層１１３ａ
の上面及び第２の層１１３ｂの上面より高い領域を有する。また、領域
１３９において、表示装置１００は、第１の犠牲層１１８及び第２の犠牲
層１１９の少なくとも一方を有し、絶縁層１２７の上面が第１の層１１３ａ
の上面及び第２の層１１３ｂの上面より高く、且つ絶縁層１２５よりも外
側に位置する領域を有し、当該領域は第１の犠牲層１１８及び第２の犠牲
層１１９の少なくとも一方の上に位置する。また、図１３（Ｃ）では、絶
縁層１２７の上面は、中心に向かって凸状に、なだらかに膨らんだ形状を
有し、且つ絶縁層１２７の上面の中央部には、凹部が形成されている。当
該凹部は、中心に向かってなだらかに窪んだ形状を有する。
【０３１８】  図１３（Ｄ）において、絶縁層１２７の上面は、第１の層
１１３ａの上面及び第２の層１１３ｂの上面よりも低い領域を有する。ま
た、絶縁層１２７の上面は、中心に向かって凹状に、なだらかに窪んだ形
状を有する。
【０３１９】図１３（Ｅ）において、絶縁層１２５の上面は、第１の層
１１３ａの上面及び第２の層１１３ｂの上面よりも高い領域を有する。す
なわち、第５の層１１４の被形成面において、絶縁層１２５が突出し、凸
部を形成している。
【０３２０】絶縁層１２５の形成において、例えば、犠牲層の高さと揃う
または概略揃うように絶縁層１２５を形成する場合には、図１３（Ｅ）に
示すように、絶縁層１２５が突出する形状が形成される場合がある。
【０３２１】図１３（Ｆ）において、絶縁層１２５の上面は、第１の層
１１３ａの上面及び第２の層１１３ｂの上面よりも低い領域を有する。
すなわち、第５の層１１４の被形成面において、絶縁層１２５が凹部を形
成している。
【０３２２】このように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は様々な形状を
適用することができる。
【０３２３】以上のように、本実施の形態の表示装置の作製方法では、島
状のＥＬ層は、メタルマスクのパターンによって形成されるのではなく、
ＥＬ層を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状のＥＬ
層を均一の厚さで形成することができる。そのため、高精細な表示装置ま
たは高開口率の表示装置を実現することができる。
【０３２４】青色の発光デバイスを構成する第１の層１１３ａ、第２の層
１１３ｂ、第３の層１１３ｃは、それぞれ同一の工程で形成することがで
きる。したがって、表示装置の作製工程を簡略化し、製造コストの低減を
図ることができる。
【０３２５】本発明の一態様の表示装置は、画素電極の端部を覆う絶縁層
と、発光層、及びキャリア輸送層のそれぞれの側面を覆う絶縁層と、を有
する。当該表示装置の作製工程においては、発光層とキャリア輸送層とが
積層された状態でＥＬ層が加工されるため、当該表示装置は、発光層への
ダメージが低減された構成である。また、上述の２種類の絶縁層により、
画素電極または発光層と、キャリア注入層または共通電極と、が接するこ
とが抑制され、発光デバイスがショートすることが抑制された構成である。
【０３２６】本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが
できる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成
例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
【０３２７】（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に適用することができる発
光デバイスの構成例について図１４及び図１５を用いて説明する。

図14.　図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）は、表示装置の一例を示す断面図

【０３２８】  図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）に示す表示装置５００は、
青色の光を発する発光デバイス５５０Ｂを複数有する。図１４では、発光
デバイス５５０Ｂの上に青色の光を赤色の光に変換する色変換層５４５Ｒ、
青色の光を緑色の光に変換する色変換層５４５Ｇが設けられる。ここで、
色変換層５４５Ｒ、色変換層５４５Ｇは、保護層５４０を介して、発光デ
バイス５５０Ｂ上に設けられることが好ましい。なお、図１４において、
色変換層５４５Ｇが設けられた発光デバイス５５０Ｂに隣接する発光デバ
イス５５０Ｂは色変換層を有さない構成を示したが、本実施の形態はこれ
に限られず、色変換層５４５Ｇに隣接して、青色の光をより半値幅が狭い、
鮮やかな青色に変換する色変換層を設けてもよい。

【０３２９】図１４（Ａ）に示す発光デバイス５５０Ｂは、一対の電極
（電極５０１、電極５０２）の間に、発光ユニット５１２Ｂを有する。電
極５０１は、画素電極として機能し、発光デバイス毎に設けられる。電極
５０２は、共通電極として機能し、複数の発光デバイスに共通に設けられ
る。
【０３３０】つまり、図１４（Ａ）に示す３つの発光デバイス５５０Ｂは、
それぞれ、１つの発光ユニット（発光ユニット５１２Ｂ）を有する。なお、
図１４（Ａ）に示す発光デバイス５５０Ｂのように、一対の電極間に一つ
の発光ユニットを有する構成を、本明細書ではシングル構造と呼ぶ。
【０３３１】図１４（Ａ）に示す、発光ユニット５１２Ｂは、それぞれ島
状の層として形成することができる。つまり、図１４（Ａ）に示す発光ユ
ニット５１２Ｂは、図１（Ｂ）等に示す第１の層１１３ａ、第２の層１１
３ｂ、または第３の層１１３ｃに相当する。なお、発光デバイス５５０Ｂ
は、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、または発光デバイス
１３０ｃに相当する。また、電極５０１は画素電極１１１ａ、画素電極
１１１ｂ、または画素電極１１１ｃに相当する。また、電極５０２は共通
電極１１５に相当する。
【０３３２】発光ユニット５１２Ｂは、層５２１、層５２２、発光層５２
３Ｑ＿１、発光層５２３Ｑ＿２、発光層５２３Ｑ＿３、層５２４等を有す
る。また、発光デバイス５５０Ｂは、発光ユニット５１２Ｂと、電極５０
２との間に層５２５などを有する。
【０３３３】図１４（Ａ）は、発光ユニット５１２Ｂが層５２５を有さず、
層５２５が、各発光デバイス間で共通に設けられている例である。このと
き、層５２５を共通層と呼ぶことができる。このように、複数の発光デバ
イスに１以上の共通層を設けることで、作製工程を簡略化できるため、製
造コストを低減することができる。なお、発光デバイスごとに層５２５を
設けてもよい。つまり、層５２５が発光ユニット５１２Ｂに含まれていて
もよい。
【０３３４】層５２１は、例えば正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注
入層）などを有する。層５２２は、例えば正孔輸送性の高い物質を含む層
（正孔輸送層）などを有する。層５２４は、例えば電子輸送性の高い物質
を含む層（電子輸送層）などを有する。層５２５は、例えば電子注入性の
高い物質を含む層（電子注入層）などを有する。
【０３３５】または、層５２１が電子注入層を有し、層５２２が電子輸送
層を有し、層５２４が正孔輸送層を有し、層５２５が正孔注入層を有する
構成としてもよい。
【０３３６】図１４（Ａ）においては、層５２１と、層５２２と、を分け
て明示したがこれに限定されない。例えば、層５２１が正孔注入層と、正
孔輸送層との双方の機能を有する構成とする場合、あるいは層５２１が電
子注入層と、電子輸送層との双方の機能を有する構成とする場合において
は、層５２２を省略してもよい。
【０３３７】図１４（Ａ）に示す発光デバイス５５０Ｂにおいて、発光層
５２３Ｑ＿１、発光層５２３Ｑ＿２、及び発光層５２３Ｑ＿３に青色の発
光を呈する発光層を選択することで、発光デバイス５５０Ｂから青色発光
を得ることができる。なお、ここでは発光ユニット５１２Ｂが３層の発光
層を有する例を示すが、発光層の数は問わず、例えば、１層、２層、また
は４層以上の構成であってもよい。
【０３３８】このような、青色発光が可能な発光デバイス５５０Ｂの上に、
色変換層５４５Ｒ、色変換層５４５Ｇを設けることで、画素ごとに赤色発
光、緑色発光、または青色発光を行い、フルカラー表示を行うことができ
る。なお、図１４（Ａ）等においては、青色の光を赤色の光へ変換する色
変換層５４５Ｒ、青色の光を緑色の光へ変換する色変換層５４５Ｇ、を設
け、青色発光を得る画素には色変換層を設けない例について示したが、本
発明はこれに限られるものではない。色変換層によって変換される色の可
視光は、少なくとも２色以上の互いに異なる色の可視光にすればよく、例
えば赤、緑、青、シアン、マゼンタ、または黄などから適宜選択すればよ
い。
【０３３９】よって、層５２１、層５２２、層５２４、層５２５、発光層
５２３Ｑ＿１、発光層５２３Ｑ＿２、および発光層５２３Ｑ＿３は、各色
の画素において、同一の構成（材料、膜厚など）にしても、色変換層を適
宜設けることで、フルカラー表示を行うことができる。ゆえに、本発明の一
態様に係る表示装置は、画素ごとに発光デバイスを作り分ける必要がない
ので、作製工程を簡略化でき、製造コストを低減することができる。ただし
、本発明はこれに限られるものではなく、層５２１、層５２２、層５２４、
層５２５、発光層５２３Ｑ＿１、発光層５２３Ｑ＿２、および発光層５２
３Ｑ＿３のいずれか一または複数を、画素によって異なる構成にすること
ができる。
【０３４０】  図１４（Ｂ）に示す発光デバイス５５０Ｂは、一対の電極
（電極５０１、電極５０２）の間に、中間層５３１を介して２つの発光ユ
ニット（発光ユニット５１２Ｑ＿１、発光ユニット５１２Ｑ＿２）が積層
された構成を有する。
【０３４１】また、中間層５３１は、電極５０１と電極５０２との間に電
圧を印加したときに、発光ユニット５１２Ｑ＿１及び発光ユニット５１２
Ｑ２のうち、一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。
中間層５３１は、電荷発生層と呼ぶこともできる。
【０３４２】中間層５３１としては、例えば、フッ化リチウムなどの電子
注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、中間層５３１
としては、例えば、正孔注入層に適用可能な材料を好適に用いることがで
きる。また、中間層５３１には、正孔輸送性の高い材料（正孔輸送性材料）
とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む層を用いることができ
る。また、中間層５３１には、電子輸送性の高い材料（電子輸送性材料）
とドナー性材料とを含む層を用いることができる。このような層を有する
中間層５３１を形成することにより、発光ユニットが積層された場合にお
ける駆動電圧の上昇を抑制することができる。



図1５（Ａ）及び図１５（Ｂ）は、表示装置の一例を示す断面図.

【０３４３】発光ユニット５１２Ｑ＿１は、層５２１、層５２２、発光層
５２３Ｑ＿１、層５２４等を有する。発光ユニット５１２Ｑ＿２は、層５２
２、発光層５２３Ｑ＿２、層５２４等を有する。また、発光デバイス５５０Ｂ
は、発光ユニット５１２Ｑ＿２と、電極５０２との間に層５２５などを有
する。なお、層５２５を発光ユニット５１２Ｑ＿２の一部とみなすことも
できる。
【０３４４】図１４（Ｂ）に示す発光デバイス５５０Ｂにおいて、各発光
ユニットが青色の光を呈することで発光デバイス５５０Ｂから青色発光を
得ることができる。なお、複数の発光ユニットは、同じ発光物質を有して
いてもよく、異なる発光物質を有していてもよい。
【０３４５】図１４（Ｂ）などに示す発光デバイス５５０Ｂのように、複
数の発光ユニットが中間層５３１を介して直列に接続された構成を本明細
書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、本明細書等においては、タンデム構造
として呼称するが、これに限定されず、例えば、タンデム構造をスタック
構造と呼んでもよい。なお、タンデム構造とすることで、高輝度発光が可
能な発光デバイスとすることができる。また、タンデム構造は、シングル
構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、表示
装置の消費電力を低減し、信頼性を高めることができる。
【０３４６】
  なお、ここでは発光ユニット５１２Ｑ＿１、５１２Ｑ＿２がそれぞれ１層
の発光層を有する例を示すが、各発光ユニットにおける発光層の数は問わ
ない。例えば、発光ユニット５１２Ｑ＿１、５１２Ｑ＿２は、互いに異な
る数の発光層を有していてもよい。例えば、一方の発光ユニットは２層の
発光層を有し、他方の発光ユニットは１層の発光層を有していてもよい。
または、一方の発光ユニットは２層の発光層を有し、他方の発光ユニット
は３層以上（具体的には、３層または４層）の発光層を有していてもよい。
なお、発光ユニットが２層の発光層を有する構成を２段タンデム構造と、
発光ユニットが３層の発光層を有する構成を３段タンデム構造と、発光ユ
ニットが４層の発光層を有する構成を４段タンデム構造と、それぞれ呼称
する場合がある。なお、シングル構造の発光ユニットと、タンデム構造
（２段タンデム構造、３段タンデム構造、または４段タンデム構造）の発
光ユニットと、を組み合わせた発光デバイスとしてもよい。
【０３４７】図１５（Ａ）に示す表示装置５００は、発光デバイス５５０Ｂ
が、３つの発光ユニットを積層した構成を有する場合の例である。図１５
（Ａ）において、発光デバイス５５０Ｂは、発光ユニット５１２Ｑ＿２上
にさらに中間層５３１を介して発光ユニット５１２Ｑ＿３が積層されてい
る。発光ユニット５１２Ｑ＿３は、層５２２、発光層５２３Ｑ＿３、層
５２４等を有する。発光ユニット５１２Ｑ＿３は、発光ユニット５１２Ｑ＿
２と同様の構成を適用することができる。
【０３４８】発光デバイスにタンデム構造を適用する場合、発光ユニット
の数は特に限定されず、２つ以上とすることができる。
【０３４９】図１５（Ｂ）では、ｎ個の発光ユニット５１２Ｑ＿１から
５１２Ｑ＿ｎ（ｎは２以上の整数）を積層した場合の例を示している。
【０３５０】このように、発光ユニットの積層数を増やすことにより、同
じ電流量で発光デバイスから得られる輝度を、積層数に応じて高めること
ができる。また、発光ユニットの積層数を増やすことにより、同じ輝度を
得るために必要な電流を低減できるため、発光デバイスの消費電力を、積
層数に応じて低減することができる。
【０３５１】なお、表示装置５００において、発光層の発光材料は特に限
定されない。例えば、図１５（Ｂ）に示す表示装置５００において、発光
ユニット５１２Ｑ＿１が有する発光層５２３Ｑ＿１は燐光材料を有し、発
光ユニット５１２Ｑ＿２が有する発光層５２３Ｑ＿２は蛍光材料を有する
構成とすることができる。または、発光ユニット５１２Ｑ＿１が有する発
光層５２３Ｑ＿１は蛍光材料を有し、発光ユニット５１２Ｑ＿２が有す
発光層５２３Ｑ＿２は燐光材料を有する構成とすることができる。又は、
蛍光発光の発光ユニットが複数積層された構成とすることで表示装置の信
頼性を高めることができる。
【０３５２】なお、発光ユニットの構成については、上記に限定されない。
例えば、図１５（Ｂ）に示す表示装置５００において、発光ユニット５１２Ｑ＿１
が有する発光層５２３Ｑ＿１はＴＡＤＦ材料を有し、発光ユニット５１２Ｑ＿２
が有する発光層５２３Ｑ＿２は蛍光材料、または燐光材料のいずれか一を
有する構成としてもよい。このように異なる発光材料を用いる、例えば
信頼性の高い発光材料と、発光効率の高い発光材料と、を組み合わせる
ことで、それぞれの欠点を補い、信頼性、及び発光効率の双方を高めた表
示装置とすることができる。
【０３５３】なお、本発明の一態様の表示装置は、全ての発光層を蛍光材
料とする構成としてもよいし、全ての発光層を燐光材料とする構成として
もよい。
【０３５４】本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが
できる。


図１６は、表示装置の一例を示す斜視図
【０３５５】（実施の形態３）
  本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１６乃至図１８
を用いて説明する。
【０３５６】  本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置または大
型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置
は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパー
ソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、
パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器
の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、
携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置の表示部に用
いることができる。

【０３５７】〔表示装置１００Ａ］図１６に、表示装置１００Ａの斜視図
を示し、図１７（Ａ）に、表示装置１００Ａの断面図を示す。
【０３５８】表示装置１００Ａは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わ
された構成を有する。図１６では、基板１５２を破線で明示している。
【０３５９】表示装置１００Ａは、表示部１６２、接続部１４０、回路
１６４、配線１６５等を有する。図１６では表示装置１００ＡにＩＣ１７
３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図１６
に示す構成は、表示装置１００Ａ、ＩＣ（集積回路）、及びＦＰＣを有
する表示モジュールということもできる。
【０３６０】
  接続部１４０は、表示部１６２の外側に設けられる。接続部１４０は、
表示部１６２の一辺または複数の辺に沿って設けることができる。接続部
１４０は、単数であっても複数であってもよい。図１６では、表示部の四
辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０で
は、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共
通電極に電位を供給することができる。
【０３６１】回路１６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることが
できる。
【０３６２】配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力
を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ１７２を介して外
部から、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。
【０３６３】図１６では、ＣＯＧ方式またはＣＯＦ方式等により、基板
１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば
走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。な
お、表示装置１００Ａ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成として
もよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。
【０３６４】図１７（Ａ）に、表示装置１００Ａの、ＦＰＣ１７２を含む
領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、接続部１４０の一
部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を
示す。

図17.　表示装置の一例を示す断面

【０３６５】図１７（Ａ）に示す表示装置１００Ａは、基板１５１と基板
１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、発光デバイス
１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ、及び色変換層１２９ａ、１２９ｂ等を有
する。発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃは、青色の光を発する。
色変換層１２９ａ、色変換層１２９ｂは、発光デバイス１３０からの青色
の光を互いに異なる波長の光へ変換する機能を有する。
【０３６６】ここで、表示装置の画素が、互いに異なる波長の光へ変換す
る色変換層１２９ａ、１２９ｂを有する副画素と、色変換層を有さない副
画素の３種類有する場合、当該３つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色
の副画素などがあげられる。または、上記と異なる色の光を呈する副画素
の組み合わせとして、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の
３色の副画素などとしてもよい。また、表示装置が副画素を４つ有する場
合、当該４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、
Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素などが挙げられる。
【０３６７】発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃは、画素電極と
ＥＬ層との間に光学調整層１２６（光学調整層１２６ａ、光学調整層１２６ｂ、
光学調整層１２６ｃ）を有する点以外は、それぞれ、図１（Ｂ）に示す積
層構造と同様の構造を有する。図１７（Ａ）に示す表示装置１００Ａは、
図１（Ｂ）に示す表示装置１００とは異なり、発光デバイス１３０ａが光
学調整層１２６ａを有し、発光デバイス１３０ｂが光学調整層１２６ｂを
有し、発光デバイス１３０ｃが光学調整層１２６ｃを有する。発光デバイ
スの詳細は実施の形態１を参照できる。
【０３６８】また図１７（Ａ）に示すように、各発光デバイス１３０に備
わる光学調整層１２６は、発光デバイスごとに異なる厚みを有することが
好ましい。例えば発光デバイス１３０ａからの青色光が赤色の光に変換さ
れ、発光デバイス１３０ｂからの青色光が緑色の光に変換され、発光デバ
イス１３０ｃからの青色光が他の色の光に変換されない場合、３つの光学
調整層１２６のうち、光学調整層１２６ａの厚さを最も厚くし、光学調整
層１２６ｂの厚さを光学調整層１２６ａの厚さよりも薄くし、光学調整層
１２６ｃの厚さを最も薄くすればよい。このようにして、それぞれの発光
デバイスにおける光学距離（光路長）を変化させることができる。
【０３６９】３つの発光デバイスのうち、色変換層１２９ａと重なる発光
デバイス１３０ａは最も光路長が長いため、最も長波長の光（例えば赤色
の光）が強められた光を射出する。一方、発光デバイス１３０ｃは、最も
光路長が短いため、最も短波長の光（例えば青色の光）が強められた光を
射出する。色変換層１２９ｂと重なる発光デバイス１３０ｂは、その中間
の波長の光（例えば緑色の光）が強められた光を射出する。
【０３７０】このような構成とすることで、異なる色の副画素毎に、発光
デバイス１３０が有する発光層を作り分ける必要がなく、同じ構成の発光
デバイスを用いて、色再現性の高いカラー表示を行うことができる。
【０３７１】また、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、
及び、絶縁層１２５、１２７上に、第５の層１１４が設けられ、第５の層
１１４上に共通電極１１５が設けられている。また、発光デバイス１３０ａ、
１３０ｂ、１３０ｃ上にはそれぞれ、保護層１３１が設けられている。保
護層１３１上には保護層１３２が設けられている。
【０３７２】保護層１３２と基板１５２は接着層１４２を介して接着され
ている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造など
が適用できる。図１７（Ａ）では、基板１５２と基板１５１との間の空
間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている
。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、
中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイ
スと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に
設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。
【０３７３】画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃは、それぞれ、絶縁
層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層
２２２ｂと接続されている。
【０３７４】画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ及び光学調整層１２６
ａ、１２６ｂ、１２６ｃの端部は、それぞれ、絶縁層１２１ａによって覆
われており、絶縁層１２１ａは絶縁層１２１ｂによって覆われている。画
素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃは可視光を反射する材料を含み、共
通電極１１５は可視光を透過する材料を含む。
【０３７５】画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの端部を覆う絶縁層
としては、無機絶縁膜及び有機絶縁膜の一方または双方を用いた、単層構
造または積層構造とすることができる。本実施の形態では、有機絶縁膜を
用いて絶縁層１２１ａを形成し、無機絶縁膜を用いて絶縁層１２１ｂを形
成する例を示す。
【０３７６】絶縁層１２１ａに用いることができる有機絶縁材料としては、
例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、
ポリイミドアミド樹脂、ポリシロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、
及びフェノール樹脂等が挙げられる。また、絶縁層１２１ｂに用いること
ができる無機絶縁膜としては、保護層１３１、１３２に用いることができ
る無機絶縁膜を用いることができる。
【０３７７】画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの端部を覆う絶縁層
として、無機絶縁膜を用いると、有機絶縁膜を用いる場合に比べて、外部
から発光デバイスに不純物が入りにくく、発光デバイスの信頼性を高めるこ
とができる。画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの端部を覆う絶縁層
として、有機絶縁膜を用いると、無機絶縁膜を用いる場合に比べて、段差
被覆性が高く、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの形状の影響を受
けにくい。そのため、発光デバイスのショートを防止できる。具体的には、
絶縁層１２１ａとして、有機絶縁膜を用いると、絶縁層１２１ａの形状を
テーパー形状などに加工することができる。
【０３７８】絶縁層１２１ａ、１２１ｂのように、画素電極１１１ａ、
１１１ｂ、１１１ｃの端部を覆う絶縁層を、有機絶縁膜と無機絶縁膜を用
いた２層構造とすることで、発光デバイスの信頼性をより高くすることが
でき好ましい。
【０３７９】接続部１４０においては、絶縁層２１４上に導電層１２３
が設けられている。導電層１２３は、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ
と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、光学調整層１２６ａ、１２６ｂ
１２６ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である
例を示す。導電層１２３の端部は、絶縁層１２１ａ、絶縁層１２１ｂ、絶
縁層１２５、及び、絶縁層１２７によって覆われている。また、導電層
１２３上には第５の層１１４が設けられ、第５の層１１４上には共通電極
１１５が設けられている。導電層１２３と共通電極１１５は第５の層１１４
を介して電気的に接続される。なお、接続部１４０には、第５の層１１４
が形成されていなくてもよい。この場合、導電層１２３と共通電極１１５
とが直接接して電気的に接続される。
【０３８０】表示装置１００Ａは、トップエミッション型である。発光デ
バイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視
光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。
【０３８１】基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が、実施の形態
１における層１０１に相当する。
【０３８２】トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基
板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び
同一の工程により作製することができる。
【０３８３】基板１５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層
２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は
、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層
２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶
縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トラ
ンジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲー
ト絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ
単層であっても２層以上であってもよい。
【０３８４】とﾄランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素
などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、
絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とする
ことで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制
でき、表示装置の信頼性を高めることができる。
【０３８５】絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、
それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例
えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化
シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いること
ができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニ
ウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ラ
ンタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、
上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。
【０３８６】ここで、有機絶縁膜は、無機絶縁膜に比べてバリア性が低い
ことが多い。そのため、有機絶縁膜は、表示装置１００Ａの端部近傍に開
口を有することが好ましい。これにより、表示装置１００Ａの端部から有
機絶縁膜を介して不純物が入り込むことを抑制することができる。または、
有機絶縁膜の端部が表示装置１００Ａの端部よりも内側にくるように有機
絶縁膜を形成し、表示装置１００Ａの端部に有機絶縁膜が露出しないよう
にしてもよい。
【０３８７】平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁膜が好
適である。有機絶縁膜に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、
ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、
シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれ
ら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁膜と、
無機絶縁膜との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチ
ング保護膜としての機能を有することが好ましい。これにより、画素電極
１１１ａまたは光学調整層１２６ａなどの加工時に、絶縁層２１４に凹部
が形成されることを抑制することができる。または、絶縁層２１４には、
画素電極１１１ａまたは光学調整層１２６ａなどの加工時に、凹部が設け
られてもよい。
【０３８８】トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲート電極
として機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１
、ソース電極及びドレイン電極として機能する導電層２２２ａ及び導電層
２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、
並びに、ゲート電極として機能する導電層２２３を有する。ここでは、同
一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付
している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置
する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。
【０３８９】本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に
限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトラン
ジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トッ
プゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよ
い。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲート電極が設けら
れていてもよい。
【０３９０】トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネル
が形成される半導体層を２つのゲート電極で挟持する構成が適用されてい
る。２つのゲート電極を接続し、これらに同一の信号を供給することによ
りトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲート電極のうち、一
方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与
えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。
【０３９１】トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限
定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶
半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれ
を用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性
の劣化を抑制できるため好ましい。
【０３９２】トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体とも
いう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金
属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジ
スタ）を用いることが好ましい。または、トランジスタの半導体層は、シ
リコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、
結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、単結晶シリコンなど）などが挙げ
られる。
【０３９３】半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、
アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、
ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリ
ブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タング
ステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、
を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イット
リウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。
【０３９４】特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、
及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ま
しい。
【０３９５】半導体層がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ
酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。
このようなＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：
Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２
またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組
成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝
４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１また
はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、
Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：
１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近
傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ
：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍
の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。
【０３９６】 例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはそ
の近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を４としたとき、Ｇａの原
子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２以上４以下である場合
を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍
の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数
比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下であ
る場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはそ
の近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を１としたときに、Ｇａの
原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が０．１より
大きく２以下である場合を含む。
【０３９７】回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有する
トランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。
回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよ
く、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトラ
ンジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。
【０３９８】図１７（Ｂ）及び図１７（Ｃ）に、トランジスタの他の構成
例を示す。
【０３９９】トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲート電極
として機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、
チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体
層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、
一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁
層として機能する絶縁層２２５、ゲート電極として機能する導電層２２３、
並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導
電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５
は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置す
る。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。
【０４００】図１７（Ｂ）に示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５
が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導
電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた
開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電
層２２２ｂのうち、一方はソース電極として機能し、他方はドレイン電極
として機能する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　この項つづく