エネルギーと環境 77

彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の井伊
軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと）と兜（かぶ
と）を合体させて生まれたキャラクタ－

【季語と短歌：12月14日】

　　　　　　　　凍れてはマフラー巻てタイピング　　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　高山　宇　（赤鬼）

✳️　生成AIの省エネを実現する光電融合技術開発　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　12月11日、米IBMは，生成AIモデルの学習・推論の効率を向上する可能性
がある光電融合技術の一つである光パッケージング技術，Co-Packaged
Optics（CPO）の新しいプロセスを開発し，データセンター内の電気配線
を補完する光技術の導入を可能にした。現在，データセンターのラック間
の通信は依然として電気配線で行なわれている。電気配線はGPUアクセラ
レーターに接続されるが，GPUアクセラレーターは半分以上の時間はアイ
ドル状態であり，大規模な分散学習プロセス時には他のデバイスからの信
号を待つため，膨大な費用とエネルギーを消費する。

今回同社は，新しいCPOプロトタイプ・モジュールを開発した。この技術
は，データセンター内の通信の帯域幅を大幅に拡大し，GPUのアイドリン
グ・タイムを最小化しながら，AIの処理能力を大幅に向上させる可能性が
ある。これにより，ミッドレンジの電気配線と比較して消費電力は1/5以
下になり，従来の電気配線と比較して最大5倍高速に大規模言語モデル（L
LM）を学習でき，より大規模なモデルとより多くのGPUを使用してパフォ
ーマンスの向上を図れるとする。さらに，1つのAIモデルの学習ごとに，
米国の5,000世帯の年間消費電力に相当する電力を節電できるだけでなく
今後はチップ間でも光通信が可能になる。

🪄CPO（Co-Packged-Optics）とは：

✳️　JDI，台湾Innoluxとコントラスト690倍のOLEDで提携
ジャパンディスプレイ（JDI）は，ディスプレーメーカー台湾Innolux Corporation
と，同社の子会社で，車載ディスプレーソリューションのTier1 サプライヤーで
あるシンガポールCarUX Technology Pte. Ltd.との間で，eLEAP戦略提携の契
約を2024年12月3日付で締結した。

【関連特許最新技術】
5.　特開2022-158973　表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示
装置の作製方法　株式会社半導体エネルギー研究所

【詳細説明】
【０１６4】  本実施の形態の表示装置は、発光デバイス間の距離を狭くす
ることができる。具体的には、発光デバイス間の距離、ＥＬ層間の距離、
または画素電極間の距離を、１０μｍ未満、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ
以下、１μｍ以下、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、
９０ｎｍ以下、７０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下
、１５ｎｍ以下、または１０ｎｍ以下とすることができる。別言すると、
第１の層１１３ａの側面と第２の層１１３ｂの側面との間隔、または第２
の層１１３ｂの側面と第３の層１１３ｃの側面との間隔が１μｍ以下の領域
を有し、好ましくは０．５μｍ（５００ｎｍ）以下の領域を有し、さらに好
ましくは１００ｎｍ以下の領域を有する。
【０１６５】基板１２０の樹脂層１２２側の面には、遮光層を設けてもよ
い。また、基板１２０の外側（樹脂層１２２と反対側の面）には各種光学
部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光
拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げら
れる。また、基板１２０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、
汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハー
ドコート膜、衝撃吸収層等を配置してもよい。
【０１６６】基板１２０には、ガラス、石英、セラミック、サファイア、
樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスから
の光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１２０
に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができ
る。また、基板１２０として偏光板を用いてもよい。
【０１６７】基板１２０としては、それぞれ、ポリエチレンテレフタレー
ト（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹
脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメ
チルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテル
スルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポ
リシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミ
ドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリ
デン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ
）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる
。基板１２０に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。
【０１６８】なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する
基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が
高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。
【０１６９】光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対
値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ
以下がさらに好ましい。
【０１７０】光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロー
ス（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレ
フィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯ
Ｃ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。
【０１７１】また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水す
ることで、表示パネルにしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがあ
る。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。
例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％
以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルム
を用いることがさらに好ましい。
【０１７２】樹脂層１２２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、
反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着
剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル
樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、
ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹
脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エ
ポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を
用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
【０１７３】ﾄランジスタのゲート電極、ソース電極及びドレイン電極のほ
か、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることので
きる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イッ
トリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステン
などの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金などが挙げられる。こ
れらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。
【０１７４】また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、
インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む
酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。ま
たは、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、
モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料
または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金
属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属
材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透
光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を
導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とイ
ンジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができ
るため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの
導電層、及び、発光デバイスが有する導電層（画素電極または共通電極と
して機能する導電層）にも用いることができる。
【０１７５】各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、
アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料
が挙げられる。


図2　図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、表示装置の一例を示す断面図

【符号の説明】【０６４２】
ＡＬ    配線　ＣＬ    配線　ＧＬ    配線　ＲＬ    配線　ＳＬ    配線　ＳＬＢ 
   配線　ＳＬＧ    配線　ＳＬＲ    配線　１０    表示装置　１１    表示部
１２    駆動回路部　１３    駆動回路部　２１    画素　２１Ｒ    副画素
２１Ｇ    副画素　２１Ｂ    副画素　３０    画素　７０    電子機器　７２    
支持体　７４    机　１００    表示装置　１００Ａ    表示装置　１００Ｂ   
表示装置　１００Ｃ    表示装置　１００Ｄ    表示装置　１００Ｅ    表示装
置　１００Ｆ    表示装置　１００Ｇ    表示装置　１０１    層　１１０    画
素　１１０ａ    副画素　１１０ｂ    副画素　１１０ｃ    副画素　１１０ｄ   
 副画素　１１１ａ    画素電極　１１１ｂ    画素電極　１１１ｃ    画素電極
１１１ｄ    画素電極　１１３ａ    第１の層　１１３Ａ    第１の層　１１３ｂ   
 第２の層　１１３ｃ    第３の層　１１３ｄ    第４の層　１１４    第５の層
１１５    共通電極　１１７    遮光層　１１８    第１の犠牲層　１１８ａ   
 第１の犠牲層　１１８Ａ    第１の犠牲層　１１９    第２の犠牲層　１１９ａ 
   第２の犠牲層　１１９Ａ    第２の犠牲層　１２０    基板　１２１    絶縁層
１２１ａ    絶縁層　１２１ｂ    絶縁層　１２２    樹脂層　１２３    導電層
１２４ａ    画素　１２４ｂ    画素　１２５    絶縁層　１２５Ａ    絶縁膜
１２６    光学調整層　１２６ａ    光学調整層　１２６ｂ    光学調整層
１２６ｃ    光学調整層　１２７    絶縁層　１２７Ａ    絶縁膜　１２９    色
変換層　１２９ａ    色変換層　１２９ｂ    色変換層　１２９ｃ    色変換層
１３０    発光デバイス　１３０ａ    発光デバイス　１３０ｂ    発光デバイス
１３０ｃ    発光デバイス　１３０ｄ    発光デバイス　１３１    保護層　
１３２    保護層　１３３    絶縁層　１３４    マイクロレンズ　１３５    第
１の基板　１３６    第２の基板　１３９    領域　１４０    接続部　１４２   
 接着層　１５１    基板　１５２    基板　１５３    絶縁層　１６２    表示
部　１６４    回路　１６５    配線　１６６    導電層　１７２    ＦＰＣ
１７３    ＩＣ　１９０ａ    レジストマスク　１９０ｂ    レジストマスク
２０１    トランジスタ　２０４    接続部　２０５    トランジスタ　２０９    
トランジスタ　２１０    トランジスタ　２１１    絶縁層　２１３    絶縁層
２１４    絶縁層　２１５    絶縁層　２１８    絶縁層　２２１    導電層　
２２２ａ    導電層　２２２ｂ    導電層　２２３    導電層　２２５    絶縁層
２３１    半導体層　２３１ｉ    チャネル形成領域　２３１ｎ    低抵抗領域
２４０    容量　２４１    導電層　２４２    接続層　２４３    絶縁層　２４５    
導電層　２５１    導電層　２５２    導電層　２５４    絶縁層　２５５ａ   
 絶縁層　２５５ｂ    絶縁層　２５６    プラグ　２６１    絶縁層　２６２   
 絶縁層　２６３    絶縁層　２６４    絶縁層　２６５    絶縁層　２７１    
プラグ　２７４    プラグ　２７４ａ    導電層　２７４ｂ    導電層　２８０    
表示モジュール　２８１    表示部　２８２    回路部　２８３    画素回路部
２８３ａ    画素回路　２８４    画素部　２８４ａ    画素　２８５    端子部
２８６    配線部　２９０    ＦＰＣ　２９１    基板　２９２    基板　３０１    
基板　３０１Ａ    基板　３０１Ｂ    基板　３１０    トランジスタ　３１０Ａ
   トランジスタ　３１０Ｂ    トランジスタ　３１１    導電層　３１２    低
抵抗領域　３１３    絶縁層　３１４    絶縁層　３１５    素子分離層　３２０  
  トランジスタ　３２１    半導体層　３２３    絶縁層　３２４    導電層　
３２５    導電層　３２６    絶縁層　３２７    導電層　３２８    絶縁層
３２９    絶縁層　３３１    基板　３３２    絶縁層　３３５    絶縁層　３３６
    絶縁層　３４１    導電層　３４２    導電層　３４３    プラグ　３４４   
 絶縁層　３４５    絶縁層　３４６    絶縁層　３４７    バンプ　３４８    
接着層　４０１    基板　４１０    トランジスタ　４１０ａ    トランジスタ
４１１    半導体層　４１１ｉ    チャネル形成領域　４１１ｎ    低抵抗領域
４１２    絶縁層　４１３    導電層　４１４ａ    導電層　４１４ｂ    導電層
４１５    導電層　４１６    絶縁層　４２１    絶縁層　４２２    絶縁層
４２３    絶縁層　４２６    絶縁層　４３１    導電層　４５０    トランジスタ
４５０ａ    トランジスタ　４５１    半導体層　４５２    絶縁層　４５３    
導電層　４５４ａ    導電層　４５４ｂ    導電層　４５５    導電層　５００    
表示装置　５０１    電極　５０２    電極　５１２Ｑ＿１    発光ユニット
５１２Ｑ＿２    発光ユニット　５１２Ｑ＿３    発光ユニット　５１２Ｂ    
発光ユニット　５２１    層　５２２    層　５２３Ｑ＿１    発光層　５２３
Ｑ＿２    発光層　５２３Ｑ＿３    発光層　５２４    層　５２５    層　５３１
 中間層　５４０    保護層　５４５Ｇ    色変換層　５４５Ｒ    色変換層　
５５０Ｂ    発光デバイス　７００Ａ    電子機器　７００Ｂ    電子機器
７２１    筐体　７２３    装着部　７２７    イヤフォン部　７５０    イヤ
フォン　７５１    表示パネル　７５３    光学部材　７５６    表示領域　
７５７    フレーム　７５８    鼻パッド　８００Ａ    電子機器　８００Ｂ    
電子機器　８２０    表示部　８２１    筐体　８２２    通信部　８２３   
 装着部　８２４    制御部　８２５    撮像部　８２７    イヤフォン部
８３２    レンズ　６５００    電子機器　６５０１    筐体　６５０２    表示
部　６５０３    電源ボタン　６５０４    ボタン　６５０５    スピーカ　
６５０６    マイク　６５０７    カメラ　６５０８    光源　６５１０    保
護部材　６５１１    表示パネル　６５１２    光学部材　６５１３    タッチ
センサパネル　６５１５    ＦＰＣ　６５１６    ＩＣ　６５１７    プリン
ト基板　６５１８    バッテリ　７０００    表示部　７１００    テレビジ
ョン装置　７１０１    筐体　７１０３    スタンド　７１１１    リモコン操
作機　７２００    ノート型パーソナルコンピュータ　７２１１    筐体　
７２１２    キーボード　７２１３    ポインティングデバイス　７２１４   
 外部接続ポート　７３００    デジタルサイネージ　７３０１    筐体　７
３０３    スピーカ　７３１１    情報端末機　７４００    デジタルサイネージ
７４０１    柱　７４１１    情報端末機　９０００    筐体　９００１    表示
部　９００２    カメラ　９００３    スピーカ　９００５    操作キー　９０
０６    接続端子　９００７    センサ　９００８    マイクロフォン　９０５０ 
   アイコン　９０５１    情報　９０５２    情報　９０５３    情報　９０５４    
情報　９０５５    ヒンジ　９１０１    携帯情報端末　９１０２    携帯情報
端末　９１０３    タブレット端末　９２００    携帯情報端末　９２０１    
携帯情報端末

図３（Ａ）乃至図３（Ｃ）は、表示装置の一例を示す断面図

【０１７６】次に、図２および図３を用いて、表示装置１００の断面形状
の変形例について説明する。
【０１７７】図２（Ａ）に示すように、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、
１３０ｃ上にそれぞれ異なる色の光に変換する機能を有する色変換層１２９ａ
、１２９ｂ、１２９ｃを設けて、それぞれ異なる色の光を発する副画素１
１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃを形成してもよい。
【０１７８】例えば、色変換層１２９ａは、発光デバイス１３０ａの呈す
る青色の光を黄色（Ｙ）の光に変換することができ、色変換層１２９ｂは、
発光デバイス１３０ｂの呈する青色の光をシアン（Ｃ）の光に変換すること
ができ、色変換層１２９ｃは、発光デバイス１３０ｃの呈する青色の光を
マゼンタ（Ｍ）の光に変換することができる構成とすることができる。な
お、これに限られず、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの構成は、そ
れぞれ、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の構成としてもよい。
副画素１１０ｃが青色の光を呈する場合、発光デバイス１３０ｃからの青色
発光を、色変換層１２９ｃを介して外部に取り出すことで、色変換層１２９ｃ
を有さない場合よりも、発光スペクトルの半値幅の狭い鮮やかな青色を呈す
る副画素とすることが可能となる。
【０１７９】図２（Ｂ）に示すように、表示装置１００にマイクロレンズ
１３４を設ける構成にしてもよい。ここで、図２（Ｂ）に示す表示装置
１００は、第１の基板１３５と、第２の基板１３６と、を有する。第１の
基板１３５は、層１０１と、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃと、
第１の層１１３ａと、第２の層１１３ｂと、第３の層１１３ｃと、第５の
層１１４と、共通電極１１５と、保護層１３１、１３２と、絶縁層１２１
、１２５、１２７と、を含む。第２の基板１３６は、基板１２０と、色変
換層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃと、絶縁層１３３と、マイクロレンズ１
３４と、を含む。

【０１８０】第２の基板１３６は、基板１２０を基準にすると、基板１２０
上に色変換層１２９が設けられ、色変換層１２９の上に絶縁層１３３が設け
られ、絶縁層１３３の上にマイクロレンズ１３４が設けられる。マイクロ
レンズ１３４および色変換層１２９は、対応するいずれかの発光デバイス１
３０と重畳するように配置される。
【０１８１】マイクロレンズ１３４は、可視光に対して透光性の高い樹脂
またはガラスなどを用いればよい。マイクロレンズ１３４は、副画素ごと
に別個に形成されていてもよいし、複数の副画素で一体化されていてもよ
い。マイクロレンズ１３４を設けることで、発光デバイス１３０が発する
光を集光し、表示装置１００からの光取り出し効率の向上を図ることがで
きる。
【０１８２】絶縁層１３３は、保護層１３１、１３２に用いることができ
る、無機絶縁膜または有機絶縁膜を用いればよい。また、絶縁層１３３は、
平坦化膜として機能することが好ましく、この場合、絶縁層１３３として
有機絶縁膜を用いることが好ましい。また、絶縁層１３３を設けない構成
にしてもよい。
【０１８３】図２（Ｂ）に示すように、表示装置１００は、第１の基板１３５
と、第２の基板１３６を、樹脂層１２２によって、貼り合わせることで、
形成することができる。
【０１８４】また、図１（Ｂ）においては、絶縁層１２５を設ける構成を
示したが、本発明はこれに限られるものではなく、図３（Ａ）に示すように、
絶縁層１２５を設けない構成にしてもよい。このとき、絶縁層１２７の下
面は、絶縁層１２１の上面に接する。また、絶縁層１２７には、第１の層１
１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃに与えるダメージの少
ない有機材料を用いることが好ましい。例えば、絶縁層１２７には、ポリ
ビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリド
ン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセル
ロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用い
ることが好ましい。
【０１８５】また、図１（Ｂ）においては、絶縁層１２５の上面及び絶縁
層１２７の上面の高さが、それぞれ、第１の層１１３ａ、第２の層１１３
ｂ、及び、第３の層１１３ｃの少なくとも一つの上面の高さと一致または
概略一致する構成を示したが、本発明はこれに限られるものではない。例
えば、図３（Ｂ）に示すように、絶縁層１２５の上面及び絶縁層１２７の
上面が、第１の層１１３ａの上面、第２の層１１３ｂの上面、及び、第３
の層１１３ｃの上面より高くなる構成にしてもよい。
【０１８６】図３（Ｂ）に示すように、第１の層１１３ａ、第２の層１１３
ｂ、または第３の層１１３ｃの上に、第１の犠牲層１１８、および第２の
犠牲層１１９の一方または両方が形成される場合がある。例えば、第１の
層１１３ａの上面、第２の層１１３ｂの上面、及び、第３の層１１３ｃの
上面に、第１の犠牲層１１８が形成され、第１の犠牲層１１８の上に第２
の犠牲層１１９が形成される。第１の犠牲層１１８の一方の側面、および
第２の犠牲層１１９の一方の側面は、絶縁層１２５に接する。また、第１
の犠牲層１１８の他方の側面、および第２の犠牲層１１９の他方の側面は、
第５の層１１４に接する。なお、第１の犠牲層１１８、および第２の犠
牲層１１９は、表示装置１００の作製工程において用いられる犠牲層であ
り、詳細は後述する。
【０１８７】ここで、第１の犠牲層１１８の側面、第２の犠牲層１１９の
側面、絶縁層１２５の側面の一部、及び絶縁層１２７の側面の一部によっ
て、形成される平面（第５の層１１４と接する側の面）は、断面視におい
て、テーパー形状を有することが好ましい。当該平面が断面視において、
テーパー形状を有することで、第１の犠牲層１１８、第２の犠牲層１１９、
絶縁層１２５、及び絶縁層１２７を覆って形成される第５の層１１４及び
共通電極１１５を被覆性良く形成し、第５の層１１４及び共通電極１１５
に段切れなどが発生するのを防ぐことができる。
【０１８８】また、図２（Ｂ）においては、マイクロレンズ１３４を基板
１２０側に設ける構成を示したが、本発明はこれに限られるものではない。
例えば、図３（Ｃ）に示すように、マイクロレンズ１３４を、層１０１側に
設ける構成にしてもよい。この場合、色変換層１２９の上に絶縁層１３３を
設け、絶縁層１３３上にマイクロレンズ１３４を設ければよい。マイクロレ
ンズ１３４上に設けられた樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わさ
れる。
【０１８９】なお、本発明の一態様の表示装置は、３色の副画素で１つの
色を表現する構成に限られない。例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、
Ｗ（白）の４色の副画素で１つの色を表現する構成を適用してもよい。図４
に４種類の副画素で画素を構成する例を示す。

図４（Ａ）は、表示装置の一例を示す上面図である。図４（Ｂ）は、表示
装置の一例を示す断面図

【０１９０】図４（Ａ）に示すように、画素は副画素を４種類有する構成
とすることができる。
【０１９１】図４（Ａ）に表示装置１００の上面図を示す。表示装置１００
は、複数の画素１１０がマトリクス状に配置された表示部と、表示部の外
側の接続部１４０と、を有する。
【０１９２】図４（Ａ）に示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、
１１０ｃ、１１０ｄの、４種類の副画素ら構成される。
【０１９３】例えば、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、
それぞれ異なる色の光を発する構成とすることができる。副画素１１０ｄも、
副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃと同様に、青色光を発する発光デバ
イス１３０ｄを有する。例えば、副画素１１０ａは、青色の光を赤色の光
に変換することができる色変換層１２９ａを有し、副画素１１０ｂは、青
色の光を緑色の光に変換することができる色変換層１２９ｂを有し、副画
素１１０ｃは、青色の光を白色の光に変換することができる色変換層１２
９ｃを有し、副画素１１０ｄは色変換層を有さない構成とする。このよう
な構成にすることで、例えば、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃは、
それぞれ、赤色、緑色、白色の副画素とすることができ、副画素１１０ｄ
は、青色の副画素とすることができる。
【０１９４】図４（Ａ）では、１つの画素１１０が２行３列で構成されて
いる例を示す。画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画
素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの
副画素１１０ｄを有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目
）に、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に
副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄを有し、右の列（３列目）に副画素
１１０ｃ及び副画素１１０ｄを有する。図４（Ａ）に示すように、上の行と
下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、製造プロセスで生じ
うるゴミなどを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品
位の高い表示装置を提供することができる。
【０１９５】図４（Ｂ）に、図４（Ａ）における一点鎖線Ｘ３－Ｘ４間の
断面図を示す。図４（Ｂ）に示す構成は、発光デバイス１３０ｄを有する
点以外は、図１（Ｂ）と同様の構成である。したがって、図１（Ｂ）と同
様の部分については説明を省略する。
【０１９６】図４（Ｂ）に示すように、表示装置１００は、層１０１上に、
発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ、１３０ｄが設けられ、これ
らの発光デバイスを覆うように保護層１３１、１３２が設けられている。
保護層１３２上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされて
いる。また、隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁層１２５及び絶
縁層１２７が設けられている。絶縁層１２５及び絶縁層１２７は絶縁層１
２１上に設けられる。
【０１９７】発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ、１３０ｄは、
青色の光を発する。発光デバイス１３０ａに重畳して色変換層１２９ａが
設けられ、発光デバイス１３０ｂに重畳して色変換層１２９ｂが設けられ、
発光デバイス１３０ｃに重畳して色変換層１２９ｃが設けられる。発光デ
バイス１３０ｄの上には色変換層が設けられない。例えば、色変換層１２９ａ
が青色の光を赤色（Ｒ）の光へ変換し、色変換層１２９ｂが青色の光を緑
色（Ｇ）の光へ変換し、色変換層１２９ｃが青色の光を白色（Ｗ）の光へ
変換する構成にすることで、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、白色（
Ｗ）の４色の光を発する組み合わせにすることができる。
【０１９８】発光デバイス１３０ｄは、層１０１上の画素電極１１１ｄと、
画素電極１１１ｄ上の島状の第４の層１１３ｄと、島状の第４の層１１３
ｄ上の第５の層１１４と、第５の層１１４上の共通電極１１５と、を有す
る。発光デバイス１３０ｄにおいて、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層
１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。なお、画素電極１１１ｄは、
画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃと同様の材料を用いればよい。ま
た、第４の層１１３ｄは、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第
３の層１１３ｃと同様の材料を用いればよい。
【０１９９】画素１１０が有する３つの副画素１１０ｄは、それぞれ独立
に発光デバイス１３０ｄを有していてもよく、１つの発光デバイス１３０ｄ
を共通して有していてもよい。つまり、画素１１０は、発光デバイス１３０ｄ
を１つ有していてもよく、３つ有していてもよい。

【０２００】【画素のレイアウト］
  次に、図１（Ａ）及び図４（Ａ）とは異なる画素レイアウトについて説明
する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができ
る。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、
マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げ
られる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　この項つづく