彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の井伊
軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと）と兜（かぶ
と）を合体させて生まれたキャラクタ－
【季語と短歌：12月12日】
浮寢鳥数だけ別れし雪伊吹 
高山 宇 （赤鬼）
【関連特許最新技術】
5. 特開2022-158973 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表
示装置の作製方法 株式会社半導体エネルギー研究所
【発明を実施するための形態】
【００３６】（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置とその作製方法について図
１乃至図１３を用いて説明する。
図１３（Ａ）乃至図１３（Ｆ）は、表示装置の作製方法の一例を示す断面図
【００４０】各画素の発光デバイスを、青色発光の有機ＥＬデバイスで形
成する場合、各画素において、発光層の塗分けを行う必要がない。よって、
発光デバイスに含まれる画素電極以外の層（例えば発光層など）を、各画
素で共通にすることができる。しかしながら、発光デバイスに含まれる層
には、比較的導電性が高い層もあり、導電性が高い層が各画素で共通で設
けられることで、画素間にリーク電流が発生する場合がある。特に、表示
装置が高精細化または高開口率化され、画素間の距離が小さくなると、当
該リーク電流は無視できない大きさになり、表示装置の表示品位の低下な
どを引き起こす恐れがある。そこで、本発明の一態様に係る表示装置では、
各画素において、発光デバイスの少なくとも一部を島状に形成することで、
表示装置の高精細化と高信頼性化を図る。ここで、当該発光デバイスの島
状に形成する部分には、発光層を含むものとする。
【００４１】なお、本明細書等において、島状とは、同一工程で形成され
た同一材料を用いた２以上の層が、物理的に分離されている状態であるこ
とを示す。例えば、島状の発光層とは、当該発光層と、隣接する発光層と
が、物理的に分離されている状態であることを示す。
【００４２】例えば、メタルマスク（シャドーマスクともいう）を用いた
真空蒸着法により、島状の発光層を成膜することができる。しかし、この
方法では、メタルマスクの寸法精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、
メタルマスクのたわみ、及び蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の
広がりなど、様々な影響により、島状の発光層の形状及び位置に設計から
のずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。
また、蒸着の際に、層の輪郭がぼやけて、端部の厚さが薄くなることがあ
る。つまり、島状の発光層は場所によって厚さにばらつきが生じることが
ある。また、大型、高解像度、または高精細な表示装置を作製する場合、
メタルマスクの寸法精度の低さ、及び、熱等による変形により、製造歩留
まりが低くなる懸念がある。
【００４３】本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状の画素電極
（下部電極ともいえる）を形成し、画素電極の端部を覆う絶縁層を形成し
た後、発光層を含む層（ＥＬ層、またはＥＬ層の一部、ということができ
る）を一面に形成し、ＥＬ層上に犠牲層（マスク層ともいう）を形成する。
そして、犠牲層上にレジストマスクを形成し、レジストマスクを用いて、
ＥＬ層と犠牲層を加工することで、島状の画素電極上に島状のＥＬ層を形
成する。ここでＥＬ層とは少なくとも発光層を含み、発光ユニットという
こともできる。
【００４４】このように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島
状のＥＬ層は、メタルマスクのパターンによって形成されるのではなく、
ＥＬ層を一面に成膜した後に加工することで形成される。したがって、こ
れまで実現が困難であった高精細な表示装置または高開口率の表示装置を
実現することができる。また、ＥＬ層上に犠牲層を設けることで、表示装
置の作製工程中にＥＬ層が受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼
性を高めることができる。
【００４５】 隣り合う発光デバイスの間隔について、例えばメタルマスク
を用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、上記方法
であれば、８μｍ以下、６μｍ以下、４μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、
または、１μｍ以下にまで狭めることができる。さらに、例えばＬＳＩ向
けの露光装置を用いることで、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００
ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで間隔を狭めることもできる。これ
により、２つの発光デバイス間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮
小することができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例え
ば、開口率は、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さら
には９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。
【００４６】また、ＥＬ層自体のパターンについても、メタルマスクを用
いた場合に比べて極めて小さくすることができる。また、例えばＥＬ層の
作り分けにメタルマスクを用いた場合では、パターンの中央と端で厚さの
ばらつきが生じるため、パターン全体の面積に対して、発光領域として使
用できる有効な面積は小さくなる。一方、上記作製方法では、均一な厚さ
に成膜した膜を加工することでパターンを形成するため、パターン内で厚
さを均一にでき、微細なパターンであっても、そのほぼ全域を発光領域と
して用いることができる。そのため、高い精細度と高い開口率を兼ね備え
た表示装置を作製することができる。
【００４７】なお、青色光を発する発光デバイスにおいて、ＥＬ層を構成
する全ての層を島状に形成する必要はなく、一部の層は同一工程で成膜す
ることができる。本発明の一態様の表示装置の作製方法では、ＥＬ層を構
成する一部の層を画素ごとに島状に形成した後、犠牲層を除去し、ＥＬ層
を構成する残りの層（例えば、キャリア注入層など）と、共通電極（上部
電極ともいえる）と、を共通して形成することができる。
【００４８】一方で、キャリア注入層は、発光デバイスの中では、比較的
導電性が高い層であることが多い。そのため、キャリア注入層が、島状の
ＥＬ層の側面に接することで、発光デバイスがショートする恐れがある。
なお、キャリア注入層を島状に設け、共通電極のみを発光デバイス間で共
通して形成する場合についても、共通電極と、島状のＥＬ層の側面、また
は、画素電極の側面とが接することで、発光デバイスがショートする恐れ
がある。
【００４９】そこで、本発明の一態様の表示装置は、島状のＥＬ層（例え
ば発光層）の側面を覆う絶縁層と、画素電極の端部を覆う絶縁層と、を有
する。これにより、島状のＥＬ層の少なくとも一部の層、及び画素電極が、
キャリア注入層または共通電極と接することを抑制できる。したがって、
発光デバイスのショートを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることが
できる。
【００５０】本発明の一態様の表示装置は、陽極として機能する画素電極
と、画素電極上にこの順で設けられた、それぞれ島状の、正孔注入層、正
孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層と、画素電極の端部を覆う絶縁層と、
正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層のそれぞれの側面を
覆うように設けられた絶縁層と、電子輸送層上に設けられた電子注入層と、
電子注入層上に設けられ、陰極として機能する共通電極と、を有する。
【００５１】または、本発明の一態様の表示装置は、陰極として機能する
画素電極と、画素電極上にこの順で設けられた、それぞれ島状の、電子注
入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層と、画素電極の端部を覆う
絶縁層と、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層のそれぞ
れの側面を覆うように設けられた絶縁層と、正孔輸送層上に設けられた正
孔注入層と、正孔注入層上に設けられ、陽極として機能する共通電極と、
を有する。
【００５２】または、本発明の一態様の表示装置は、画素電極と、画素電
極上の第１の発光ユニットと、第１の発光ユニット上の中間層（電荷発生
層ともいう）と、中間層上の第２の発光ユニットと、画素電極の端部を覆
う絶縁層と、第１の発光ユニット、中間層、及び、第２の発光ユニットの
それぞれの側面を覆うように設けられた絶縁層と、第２の発光ユニット上
に設けられた共通電極と、を有する。なお、第２の発光ユニットと共通電
極との間に、各色の発光デバイスに共通の層が設けられていてもよい。
【００５３】正孔注入層、電子注入層、または電荷発生層などは、ＥＬ層
の中では、比較的導電性が高い層であることが多い。本発明の一態様の表
示装置では、これらの層の側面が絶縁層で覆われるため、共通電極などと
接することを抑制することができる。したがって、発光デバイスのショー
トを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
【００５４】また、本発明の一態様の表示装置は、各画素が有する発光デ
バイスがいずれも青色の光を呈し、色変換層によって異なる波長の光へと
変換することで、フルカラー化を達成している。従って、白色の光を呈す
る発光デバイスを作製する場合と比較して、成膜するＥＬ層の層数や材料
の種類を削減することができるため、製造装置及び工程を簡素化して歩留
まりを向上させることができる。
【００５５】このような構成とすることで、精細度または解像度が高く、
信頼性の高い、表示装置を作製することができる。例えばペンタイル方式
などの特殊な画素配列方式を適用し、疑似的に精細度を高める必要が無く、
１つの画素に３つ以上の副画素を用いた配列方法であっても、極めて高精
細な表示装置を実現できる。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂをそれぞれ一方向に配列
させた、いわゆるストライプ配置で、且つ、５００ｐｐｉ以上、１０００
ｐｐｉ以上、または２０００ｐｐｉ以上、さらには３０００ｐｐｉ以上、
さらには５０００ｐｐｉ以上の精細度の表示装置を実現することができる。
【００５６】色変換層としては、蛍光体、または量子ドット（ＱＤ：Ｑｕー
ａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）を用いることが好ましい。量子ドットは、発光スペク
トルのピーク幅が狭く、色純度のよい発光を得ることができる。これによ
り、表示装置の表示品位を高めることができる。
【００５７】ＥＬ層などの側面を覆う絶縁層は、単層構造であってもよく
積層構造であってもよい。特に、２層構造の絶縁層を適用することが好ま
しい。例えば、絶縁層の１層目は、ＥＬ層に接して形成されるため、無機
絶縁材料を用いて形成することが好ましい。特に、成膜ダメージが小さい
原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法を用いて形成することが好ましい。そのほか、ＡＬＤ法よりも成膜速度
が速い、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、または、プラズマ化学気相堆積
（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法を用いて無機
絶縁層を形成することが好ましい。これにより、信頼性の高い表示装置を
生産性高く作製することができる。また、絶縁層の２層目は、１層目の絶
縁層に形成された凹部を平坦化するように、有機材料を用いて形成するこ
とが好ましい。
【００５８】例えば、絶縁層の１層目に、ＡＬＤ法により形成した酸化ア
ルミニウム膜を用い、絶縁層の２層目に、感光性の有機樹脂膜を用いるこ
とができる。
【００５９】また、単層構造の絶縁層を形成してもよい。例えば、無機材
料を用いた単層構造の絶縁層を形成することで、当該絶縁層をＥＬ層の保
護絶縁層として用いることができる。これにより、表示装置の信頼性を高
めることができる。また、例えば、有機材料を用いた単層構造の絶縁層を
形成することで、隣り合うＥＬ層の間を当該絶縁層で充填し、平坦化する
ことができる。これにより、ＥＬ層及び絶縁層上に形成する共通電極（上
部電極 ）の被覆性を高めることができる。
【００６０】［表示装置の構成例１］ 図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に、本発
明の一態様の表示装置を示す。
【００６１】 図１（Ａ）に表示装置１００の上面図を示す。表示装置１００
は、複数の画素１１０がマトリクス状に配置された表示部と、表示部の外
側の接続部１４０と、を有する。
【００６２】図１では、副画素１１０ａと副画素１１０ｂは、それぞれ発
光デバイス１３０ａ、１３０ｂに重畳して色変換層１２９ａ、１２９ｂ（
以下、まとめて色変換層１２９と呼ぶ場合がある。）が設けられ、副画素
１１０ｃは色変換層を有さない構成を有している。例えば、色変換層１２
９ａは、青色の光を赤色の光に変換することができ、色変換層１２９ｂは
青色の光を緑色の光に変換することができる。これによって、副画素１１０ａ
では赤色の光が外部に取り出され、副画素１１０ｂでは緑色の光が外部に
取り出される。色変換層を有さない副画素１１０ｃでは、発光デバイス１
３０ｃが呈した青色の光が取り出される。なお、副画素１１０ａ、１１０ｂ、
１１０ｃの構成は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色に限られ
ず、例えば副画素１１０ｃに色変換層を設けて、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、
及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などとしてもよい。
【００６５】図１（Ｂ）に、図１（Ａ）における一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間
の断面図を示す。
【００６６】図１（Ｂ）に示すように、表示装置１００は、トランジスタ
（図示しない）を含む層１０１上に、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、
１３０ｃが設けられ、これらの発光デバイスを覆うように保護層１３１、
１３２が設けられている。保護層１３２上には、色変換層１２９ａ、１２９
ｂが設けられている。さらにその上に、樹脂層１２２によって基板１２０
が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶
縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。
【００６７】本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが形成されてい
る基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、
発光デバイスが形成されている基板側に光を射出する下面射出型（ボトム
エミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッショ
ン型）のいずれであってもよい。
【００６８】層１０１には、例えば、基板に複数のトランジスタ（図示し
ない）が設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられ
た積層構造を適用することができる。層１０１は、隣り合う発光デバイス
の間に凹部を有していてもよい。例えば、層１０１の最表面に位置する絶
縁層に凹部が設けられていてもよい。層１０１の構成例は、実施の形態３、
４で後述する。
【００６９】発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃは、それぞれ、
（Ｂ）の光を発することが好ましい。発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ上
にそれぞれ異なる色の光に変換する機能を有する色変換層１２９ａ、１２
９ｂを設け、発光デバイス１３０ｃ上には色変換層を設けない構成とする
ことで、それぞれ異なる色の光を発する副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１
０ｃを形成することができる。
【００７０】 なお、本発明の一態様の表示装置に用いることが可能な発光
デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃとしては青色の光を発する発光デ
バイスに限られず、例えば紫外光を発する発光デバイスを適用することも
できる。発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃとして紫外光を発す
る発光デバイスを適用した場合には、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、
１３０ｃに重畳して、それぞれ異なる色の光に変換する機能を有する色変
換層１２９を設けるとよい。例えば、色変換層１２９ａとして、紫外光を
赤色の波長の光に変換する色変換層を設け、色変換層１２９ｂとして、紫
外光を緑色の波長の光に変換する色変換層を設け、発光デバイス１３０ｃ
上に、紫外光を青色の波長の光に変換する色変換層を設けることができる。
これによって、副画素１１０ａでは赤色の光が外部に取り出され、副画素
１１０ｂでは緑色の光が外部に取り出され、副画素１１０ｃでは青色の光
が外部に取り出され、表示装置をフルカラー化することができる。
【００７１】発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃとしては、ＯＬ
ＥＤ、またはＱＬＥＤなどのＥＬデバイスを用いることが好ましい。ＥＬ
デバイスが有する発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐
光を発する物質（燐光材料）、無機化合物（量子ドット材料など）、熱活
性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料）などが挙
げられる。なお、ＴＡＤＦ材料としては、一重項励起状態と三重項励起状
態間が熱平衡状態にある材料を用いてもよい。このようなＴＡＤＦ材料は
発光寿命（励起寿命）が短くなるため、発光デバイスにおける高輝度領域
での効率低下を抑制することができる。
【００７２】発光デバイスは、一対の電極間にＥＬ層を有する。本明細書
等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すこと
がある。
【００７３】発光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極
として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が
陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明
する。
【００７４】発光デバイス１３０ａは、層１０１上の画素電極１１１ａと
画素電極１１１ａ上の島状の第１の層１１３ａと、島状の第１の層１１３ａ
上の第５の層１１４と、第５の層１１４上の共通電極１１５と、を有する。
発光デバイス１３０ａにおいて、第１の層１１３ａ、及び、第５の層１１４
をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。
【００７５】 本実施の形態の発光デバイスの構成に、特に限定はなく、シ
ングル構造であってもタンデム構造であってもよい。なお、発光デバイス
の構成例については、実施の形態２で後述する。
【００７６】発光デバイス１３０ｂは、層１０１上の画素電極１１１ｂと
画素電極１１１ｂ上の島状の第２の層１１３ｂと、島状の第２の層１１３
ｂ上の第５の層１１４と、第５の層１１４上の共通電極１１５と、を有す
る。発光デバイス１３０ｂにおいて、第２の層１１３ｂ、及び、第５の層
１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。
【００７７】発光デバイス１３０ｃは、層１０１上の画素電極１１１ｃと、
画素電極１１１ｃ上の島状の第３の層１１３ｃと、島状の第３の層１１３
ｃ上の第５の層１１４と、第５の層１１４上の共通電極１１５と、を有す
る。発光デバイス１３０ｃにおいて、第３の層１１３ｃ、及び、第５の層
１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。
【００７８】各色の発光デバイスにおいて、共通電極として、同一の膜を
共有している。各発光デバイスが共通して有する共通電極は、接続部１４０
に設けられた導電層と電気的に接続される。これにより、各発光デバイス
が有する共通電極には、同電位が供給される。
【００７９】画素電極と共通電極のうち、光を取り出す側の電極には、可
視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、
可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
【００８０】発光デバイスの一対の電極（画素電極と共通電極）を形成す
る材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物な
どを適宜用いることができる。具体的には、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ
－Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ－Ｓｉ－Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯと
もいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｚｎ酸化物）、Ｉｎ－Ｗ－Ｚｎ
酸化物、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ
）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、及び、銀とパラジ
ウムと銅の合金（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）が挙げられる。そ
の他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガ
ン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、
ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、
モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム
（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、
ネオジム（Ｎｄ）などの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を
用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または
第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カ
ルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、
イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて
含む合金、グラフェン等を用いることができる。
【００８１】発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構
造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する
一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半
透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反
射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光デバイスが
マイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電
極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。
【００８２】なお、半透過・半反射電極は、反射電極と可視光に対する透
過性を有する電極（透明電極ともいう）との積層構造とすることができる。
【００８３】透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光
デバイスには、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過
率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極
の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０
％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、
好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率
は、１×１０－２Ωｃｍ以下が好ましい。
【００８４】第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃ
は、それぞれ、島状に設けられる。第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、
及び、第３の層１１３ｃは、それぞれ、発光層を有する。第１の層１１３ａ、
第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃは、青色の光を発する発光層を
有することが好ましい。ここで、島状の第１の層１１３ａと、島状の第２の
層１１３ｂと、島状の第３の層１１３ｃとは、それぞれ同一の材料を有す
ることが好ましい。つまり、島状の第１の層１１３ａ、島状の第２の層
１１３ｂ、及び島状の第３の層１１３ｃは、それぞれ同じ工程で成膜され
た膜をパターニングして形成されることが好ましい。
【００８５】発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、１種または
複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、
青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜
用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもで
きる。
【００８６】発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、量
子ドット材料などが挙げられる。
【００８７】蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘
導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、
ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリ
ン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フ
ェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。
【００８８】燐光材料としては、例えば、４Ｈ－トリアゾール骨格、１Ｈ
－トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、
またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子
吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特
にイリジウム錯体）、白金錯体、希土類金属錯体等が挙げられる。
【００８９】発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複
数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。
１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性材料及び電子輸送性
材料の一方または双方を用いることができる。また、１種または複数種の
有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。
【００９０】光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み
合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ま
しい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材
料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ－Ｔｒｉｐー
ｌｅｔ Ｅｎｅｒｇｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得るこ
とができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるよう
な発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、
エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。こ
の構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現
できる。
【００９０】発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組
み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好
ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光
材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ－Ｔｒｉー
ｐｌｅｔ Ｅｎｅｒｇｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得る
ことができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるよ
うな発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、
エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。
この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実
現できる。
【００９１】第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃ
は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、
正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、電子
ブロック材料、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が
高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
【００９２】発光デバイスには低分子系化合物及び高分子系化合物のいず
れを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを
構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、
インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【００９３】例えば、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３
の層１１３ｃは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、
電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上を有してい
てもよい。
【００９４】ＥＬ層のうち、各発光デバイスに共通して形成される層として
は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層（正孔抑止層と呼ぶ場合が
ある。）、電子ブロック層（電子抑止層と呼ぶ場合がある。）、電子輸送
層、及び電子注入層のうち一つ以上を適用することができる。例えば、第
５の層１１４として、キャリア注入層（正孔注入層または電子注入層）を
形成してもよい。なお、ＥＬ層の全ての層を色ごとに作り分けてもよい。
つまり、ＥＬ層は、各色に共通して形成される層を有していなくてもよい。
【００９５】第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１
３ｃは、それぞれ、発光層と、発光層上のキャリア輸送層を有することが
好ましい。これにより、表示装置１００の作製工程中に、発光層が最表面
に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができ
る。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
【００９６】正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であ
り、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料として
は、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（
電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。
【００９７】正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正
孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層
である。正孔輸送性材料としては、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移
動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質
であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料とし
ては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオ
フェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を
有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。
【００９８】 電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電
子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層
である。電子輸送性材料としては、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移
動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質
であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料として
は、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯
体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯
体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール
誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導
体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キ
ノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピ
リジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ
電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることがで
きる。
【００９９】また、電子輸送層は、積層構造を有していても良く、また、
陽極側から発光層を通過して陰極側に移動するホールをブロックするため
の正孔ブロック層を発光層に接して有していても良い。
【０１００】電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であ
り、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料として
は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いるこ
とができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性
材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。
【０１０１】電子注入層としては、例えば、リチウム、セシウム、イッテル
ビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化
カルシウム（ＣａＦｘ、ｘは任意数）、８－（キノリノラト）リチウム（略
称：Ｌｉｑ）、２－（２－ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）
２－（２－ピリジル）－３－ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、
４－フェニル－２－（２－ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰ
ＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金
属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、
電子注入層としては、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造として
は、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設
ける構成とすることができる。
【０１０２】
または、電子注入層としては、電子輸送性材料を用いてもよい。例えば、
非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性
材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリ
ミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも一つ
を有する化合物を用いることができる。
【０１０３】
なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：
Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ
）が、－３．６ｅＶ以上－２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般
にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、
逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：
Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）
準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。
【０１０４】
例えば、４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＢＰ
ｈｅｎ）、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－
１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ
［２，３－ａ：２’，３’－ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４
，６－トリス［３’－（ピリジン－３－イル）ビフェニル－３－イル］－
１，３，５－トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対
を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈ
ｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。
【０１０５】また、タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの
発光ユニットの間に、中間層を設ける。中間層は、一対の電極間に電圧を
印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔
を注入する機能を有する。
【０１０６】中間層としては、例えば、リチウムなどの電子注入層に適用
可能な材料を好適に用いることができる。また、中間層としては、例えば、
正孔注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、中間層
には、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む
層を用いることができる。また、中間層には、電子輸送性材料とドナー性
材料とを含む層を用いることができる。このような層を有する中間層を形
成することにより、発光ユニットが積層された場合における駆動電圧の上
昇を抑制することができる。
【０１０７】画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃのそれぞれの端部は、
絶縁層１２１によって覆われている。
【０１０８】絶縁層１２１は、無機絶縁膜及び有機絶縁膜の一方または双
方を用いた、単層構造または積層構造とすることができる。
【０１０９】画素電極の端部を覆う絶縁層１２１として、無機絶縁膜を用
いると、有機絶縁膜を用いる場合よりも、発光デバイスに外部から不純物
が混入するのを防ぐ効果を高めることができる。そのため、発光デバイス
の信頼性を高めることができる。一方、画素電極の端部を覆う絶縁層１２１
として、有機絶縁膜を用いると、無機絶縁膜を用いる場合よりも、画素電
極の端部に対して被覆性良く形成することができる。そのため、発光デバ
イスのショートを防止できる。具体的には、絶縁層１２１として、有機絶
縁膜を用いると、絶縁層１２１の形状をテーパー形状などに加工すること
ができる。なお、本明細書等において、テーパー形状とは、構造の側面の
少なくとも一部が、基板面または被形成面に対して傾斜して設けられてい
る形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面または被形成面とが
なす角（テーパー角ともいう）が９０度未満である領域を有すると好ましい。
【０１１０】 第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３
ｃのそれぞれの側面は、絶縁層１２１上に設けられた絶縁層１２５及び絶縁
層１２７によって覆われている。これにより、第５の層１１４（または共通
電極１１５）が、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層
１１３ｃのいずれかの側面と接することを抑制し、発光デバイスのショー
トを抑制することができる。
【０１１１】 また、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の
層１１３ｃがタンデム構造を有する場合、これらの層に含まれる、複数の発
光ユニット、および中間層のそれぞれの側面も、絶縁層１２５及び絶縁層
１２７によって覆われる。これにより、第５の層１１４（または共通電極
１１５）が、複数の発光ユニット、および中間層のいずれかの側面と接す
ることを抑制し、発光デバイスのショートを抑制することができる。
【０１１２】絶縁層１２５は、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及
び、第３の層１１３ｃのそれぞれの側面を覆うことが好ましい。絶縁層１２５
は、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃのそ
れぞれの側面と接する構成とすることができる。また、絶縁層１２５の下
面が、絶縁層１２１の上面と接する構成とすることができる。絶縁層１２５
は、無機材料を有する絶縁層とすることが好ましい。
【０１１３】絶縁層１２７は、絶縁層１２５に形成された凹部を充填するよ
うに、絶縁層１２５上に設けられる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介し
て、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃのそれ
ぞれの側面と、絶縁層１２１の上面と、重なる構成とすることができる。
絶縁層１２７は、有機材料を有する絶縁層とすることが好ましい。
【０１１４】なお、絶縁層１２５及び絶縁層１２７のいずれか一方を設けな
くてもよい。例えば、絶縁層１２５を設けない場合、絶縁層１２７は、第１
の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃのそれぞれの側
面と接する構成とすることができる。絶縁層１２５又は絶縁層１２７を設け
ない構成とすることで、表示装置の作製工程数を削減することが可能となる。
一方、無機材料を有する絶縁層１２５を第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ
、第３の層１１３ｃのそれぞれの側面に接して設けることで、これらの層
への不純物混入の抑制効果を高めることができる。また、絶縁層１２７を設
けることで、第５の層１１４及び共通電極１１５の形成面の平坦性を向上さ
せることができる。なお、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を両方とも設けな
い構成とすることもできる。
【０１１５】第５の層１１４及び共通電極１１５は、第１の層１１３ａ、
第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上
に設けられる。絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設ける前の段階では、ＥＬ
層が設けられる領域と、ＥＬ層が設けられない領域（発光デバイス間の領
域）と、に起因する段差が生じている。本発明の一態様の表示装置は、絶
縁層１２５及び絶縁層１２７を有することで当該段差を平坦化させること
ができ、第５の層１１４及び共通電極１１５の被形成面に対する被覆性を
向上させることができる。したがって、第５の層１１４及び共通電極１１５
の段切れによる接続不良を抑制することができる。または、当該段差によ
って共通電極１１５が局所的に薄膜化して電気抵抗が上昇することを抑制
することができる。
【０１１６】なお、本明細書等において、段切れとは、層、膜、又は電極
が、被形成面の形状（例えば段差など）に起因して分断されてしまう現象を
示す。
【０１１７】第５の層１１４及び共通電極１１５の形成面の平坦性を向上
させるために、絶縁層１２５の上面及び絶縁層１２７の上面の高さは、それ
ぞれ、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃの
少なくとも一つの上面の高さと一致または概略一致することが好ましい。
また、絶縁層１２７の上面は平坦な形状を有することが好ましく、凸部、
凸曲面、凹曲面、または凹部を有していてもよい。
【０１１８】絶縁層１２５は、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及
び、第３の層１１３ｃのそれぞれの側面と接する領域を有し、第１の層１１３ａ
、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃの保護絶縁層として機能する。
絶縁層１２５を設けることで、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及
び、第３の層１１３ｃのそれぞれの側面から内部へ不純物（酸素、水分等）
が侵入することを抑制でき、信頼性の高い表示装置とすることができる。
【０１１９】断面視において第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、
第３の層１１３ｃのそれぞれの側面と接する領域における絶縁層１２５の
幅（厚さ）が大きいと、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第
３の層１１３ｃのそれぞれの隣り合う間隔が大きくなり、開口率が低くな
ってしまう場合がある。また、絶縁層１２５の幅（厚さ）が小さいと、第１
の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃのそれぞれの側
面から内部へ不純物が侵入することを抑制する効果が小さくなってしまう
場合がある。第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃ
のそれぞれの側面と接する領域における絶縁層１２５の幅（厚さ）は、３ｎｍ
以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらには３ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ま
しく、さらには５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上
１００ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好まし
く、さらには１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましい。絶縁層１２５の幅（厚
さ）を前述の範囲とすることで、高い開口率を有し、かつ信頼性の高い表
示装置とすることができる。
この項つづく
桑田佳祐 ：白い恋人達』2022年11月23日
❄️自身出演のコカ・コーラ CMソングとして起用された楽曲。歌詞に "クリ
スマス" というワードは登場しないにもかかわらず、クリスマスを感じさせ
る楽曲となっており、この時期の定番曲として親しまれている。
●今日の言葉：
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