エネルギ－と環境 ㊲

彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の井伊
軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと）と兜（かぶ
と）を合体させて生まれたキャラクタ－。

【季語と短歌：10月18日】

　　　　　十三夜　平穏無事を　祈りみる　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　高山　宇　（赤鬼）

【今日の短歌研究】
　　　　　　　　　　　　　　　　　ルームツアー　本条　恵

　メジロ、蜘蛛、 蜂にカナヘビ ここに巣を欲しているのは我だけでなく

　　　　　　　千の扉の寺に今だけ繋がっているかもしれぬ納戸を開ける

　　「ここは使ってない部屋」いいえ、夜遅く何度か我が泣きに来た部屋

　　　　　　　　　子の友の忘れていった折り紙の猫が見守る足あげ腹筋

※ほんじようめぐみー1979年生まれ。「未来短歌会」笹公人選歌欄、「た
らちねmamこメン・ハー第回「全国短歌大会」大会賞、第9回「中城ふみ
子賞」次席。
※

 ⬛　最新ペロブスカイトペロブスカイト太陽電池製造方法

1.　特開2024-11974ペロブスカイト太陽電池およびその製造方法　国立
　研究開発法人物質・材料研究機構　⓷
【詳細な説明】
【発明を実施するための形態】
（実施の形態１）
 表面補償帯１４により、第１のホール輸送層１３との界面、特に第１のホ
ール輸送層１３として用いられたＮｉＯ_ｘ膜との界面、および第１のペロ
ブスカイト層１５の空乏（Ｖａｃａｎｃｙ）が抑えられて、ペロブスカイ
ト太陽電池１０１の光電変換効率が向上する。ここで、Ｖａｃａｎｃｙは
、沃素（Ｉ）、塩素（Ｃｌ）または臭素（Ｂｒ）などのハロゲン化物イオ
ンの空乏を指す。
この表面補償帯１４の効果は、単体のペロブスカイト太陽電池でも高い効
果を発揮するが、トップ側ファースト（太陽光入射側の太陽電池セルを最
初に作る方法）で作製されるタンデム型のペロブスカイト太陽電池の場合、
特に大きな効果を発揮する。この表面補償帯１４は、タンデム型のペロブ
スカイト太陽電池作製の熱処理による悪影響抑制から、ＰＶＤ法形成のＮ
ｉＯ_ｘによる第１のホール輸送層１３とともに、第１のペロブスカイト太
陽電池セル３２を作製する際に形成しておくのが好ましい。
　　　　　　　　　　　　　　　（中略）

【実施例】【００６４】
(実施例１)
  以下、本発明を断面構造図２、工程図３から７、フローチャート図９およ
びプロセスの詳細も示した工程図１０を参照しながら実施例により説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

【００６5】
１．太陽電池の作製
  １－１．透明電極層を備えた透明基板の準備
  太陽光を十分に透過する白板ガラスからなる透明基体１１の第１主表面に
ＩＴＯ膜１２ａ、第２主表面にもＩＴＯ膜１２ｂが形成された透明基板３１
を準備した（図３（ａ）、工程Ｓ１１ａ）。
  ここで、透明基体１１の大きさは、縦３７ｍｍ、横３５ｍｍそして厚さ０．７
ｍｍであり、ＩＴＯ膜１２ａ、１２ｂは透明電極状にパターン化されたも
のとした。ＩＴＯ膜１２ａ、１２ｂの膜厚は１５０ｎｍであり、その膜抵
抗は約１５Ω／ｓｑである。
  なお、透明基板３１の第２主表面に低粘着耐熱性カプトンテープ２０を貼
り付けてその表面を保護した（図３（ｂ）、図１０（ａ）、工程Ｓ１１ｂ）。

工程図3　本発明の４端子タンデム型ペロブスカイト太陽電池の製造工程を
断面図を用いて示した工程図である。

【図3】.本発明の４端子タンデム型ペロブスカイト太陽電池の製造工程を、
断面図を用いて示した工程図


  １－２．第１のホール輸送層の形成
 ＩＴＯ膜１２ａの上に第１のホール輸送層１３としてＮｉＯ_ｘ膜をスパッ
タリング法により２０ｎｍの膜厚で成膜した（工程Ｓ１２ａ）。この成膜
にはＲＦマグネトロンスパッタリング装置（ＳＶＣ－７００  ＲＦＩＮＡ、
サンユー電子（株）製）を用いた。ターゲットは９９．９％純度のＮｉＯ
（（株）高純度化学研究所製）である。スパッタリングガスをアルゴン（
Ａｒ）ガスとし、スパッタリングチャンバーの真空度を＜２×１０^－３Ｐａ
にした後、アルゴンガスを２０ｓｃｃｍの流量でチャンバー内に導入し、
室温下５０Ｗのパワーでスパッタリングを行った。このときのアルゴンの
ガス圧は３．５Ｐａである。

  １－３．表面補償帯の形成
  窒素で満たされたグローブボックス内で６ｍｇのＭｅＯ－２ＰＡＣｚ（
［２－（３，６－ジメトキシ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）エチル］
ホスホン酸）を１８ｍＬのエタノールに溶解させ、０．２２μｍシリンジ
フィルターでろ過してＭｅＯ－２ＰＡＣｚ溶液を得た。この溶液を第１の
ホール輸送層１３（ＮｉＯ_ｘ膜）上に滴下して３００ｒｐｍ３０秒のスピ
ンコーティングを行い、ホットプレート上で１００℃１０分の熱処理を行
って、ＭｅＯ－２ＰＡＣｚからなる表面補償帯（ＳＣＬ：Ｓｕｒｆａｃｅ 
 Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）１４を第１のホール輸送層１３
上に形成した（図１０（ｂ）、工程Ｓ１３ａ）。

図１０. 実施例１における４端子タンデム型ペロブスカイト太陽電池
                                 １０１の製造工程を断面構造図を用いて示した工程図
  １－３．表面補償帯の形成
  窒素で満たされたグローブボックス内で６ｍｇのＭｅＯ－２ＰＡＣｚ（
［２－（３，６－ジメトキシ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）エチル］
ホスホン酸）を１８ｍＬのエタノールに溶解させ、０．２２μｍシリンジ
フィルターでろ過してＭｅＯ－２ＰＡＣｚ溶液を得た。この溶液を第１の
ホール輸送層１３（ＮｉＯ_ｘ膜）上に滴下して３００ｒｐｍ３０秒のスピ
ンコーティングを行い、ホットプレート上で１００℃１０分の熱処理を行
って、ＭｅＯ－２ＰＡＣｚからなる表面補償帯（ＳＣＬ：Ｓｕｒｆａｃｅ
  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）１４を第１のホール輸送層１３
上に形成した（図１０（ｂ）、工程Ｓ１３ａ）。 

 １－４．第１のペロブスカイト層（広バンドギャップペロブスカイト層）
                                                                                                              の形成
 次に、ＭｅＯ－２ＰＡＣｚにより表面処理された第１のホール輸送層１３
の上、すなわち表面補償帯１４の上にハロゲン化鉛ペロブスカイト（ＦＡ_{０．
８４}Ｃｓ_０．１２Ｒｂ_０．０４ＰｂＩ_２．３２Ｂｒ_０．６８）からなる広バンド
ギャップペロブスカイト層１５を第１のペロブスカイト層として約３００
ｎｍの膜厚で塗布法により形成した（図３（ｃ）、図１０（ｃ）、工程Ｓ
１４ａ）。 具体的には、１．９５ｍＬのＤＭＦと０．６５ｍＬのＤＭＳＯ
からなるＤＭＦ－ＤＭＤＯ中の６ｍｇの５－ＡＶＡｌ、０．２ｇのＰｂＩ_２
（関東化学、純度９８％）、０．６３６ｇのＰｂＢｒ_２（ＴＣＩ、純度９８
％）、３１２．うｍｇのホルムアミジニウム（ＦＡ^＋）ヨウ化物塩（ＦＡ
Ｉ）、６７．４ｍｇのＣｓＩ、および１８．４ｍｇのＲｂＩを調製し、そ
れを表面補償帯が形成された第１のホール輸送層であるＮｉＯｘ膜１３の
上にスピンコートした。スピンコート開始から３４秒後に、クロロベンゼ
ン（ＣＢ）溶媒をスピンコート中の基板の中心付近に滴下し、ペロブスカ
イトトップ層を結晶化させた。上記工程を経て広バンドギャップペロブス
カイト層１５を形成した。なお、外部量子効率の長波長側立ち上がり特性
から広バンドギャップペロブスカイト層１５のバンドギャップを推定した
ところ、その値は約１．６８ｅＶであった。

  １－５．添加剤のペロブスカイト表面処理
 ピペラジン二ヨウ化水素酸塩（Ｐｉｐｅｒａｚｉｎｅ  Ｄｉｈｙｄｒｉｏ
ｄｉｄｅ，ＰＺＤＩ）を（ＰＺＤＩで１２ｍｇ、０．２重量％相当）６ｍ
ＬのＩＰＡ溶媒に溶かした溶液を第１のペロブスカイト層１５の上に滴下
し、５０００ｒｐｍで５０秒スピンコートし、最後に１００℃で５分アニ
ールを行った（工程Ｓ１５ａ）。

  １－６．第１の電子輸送層の形成
  以下の手順で、ＰＣＢＭ（［６，６］－Ｐｈｅｎｙｌ－Ｃ６１－Ｂｕｔｙ
ｒｉｃ  Ａｃｉｄ  Ｍｅｔｈｙｌ  Ｅｓｔｅｒ）からなる第１の電子輸送層
１６を作製した（工程Ｓ１６ａ）。電子輸送材料を９９％純度のＰＣＢＭ
（ＳＩＧＭＡ－ＡＬＤＲＩＣＨ社）で２重量％相当）１ｍＬの無水クロル
ベンゼンに溶かした溶液を第１のペロブスカイト層１５上に滴下後、先ず
１０００ｒｐｍ７秒、引き続いて４０００ｒｐｍ３０秒の条件でスピンコ
ートし、１００℃１０分の熱処理を加え、膜厚５０ｎｍの第１の電子輸送
層１６を形成した。

  １－７．第１のホールブロッキング層の形成
  ＡｖａｎｔａｍａＡＧを含む（アルミニウムがドープされた）酸化亜鉛
ナノ粒子（ＡＺＯナノ粒子）が懸濁されたインキであるＮａｎｏｇｒａｄｅ
  Ｎ－２１Ｘ（ナノグレード社）を滴下後、先ず１５００ｒｐｍ５．５秒、
引き続いて４０００ｒｐｍ２０秒の条件でスピンコートしてＰＣＢＭから
なる第１の電子輸送層１６の上に厚１００ｎｍのＡＺＯ膜からなるホール
ブロッキング層１７を１００℃１０分の熱処理により作製した（図１０（
ｄ）、工程Ｓ１７ａ）。

  １－８．導電性酸化膜（ＩＴＯ）の形成
 以下の手順で、約１００ｎｍの膜厚のＩＴＯからなる透明電極１８を作製
した（工程S１８ａ）。このＩＴＯ膜の成膜にはＤＣスパッタリング装置
ＳＨ－２５０、ＵＬＶＡＣ製）を用いた。ターゲットは９９．９％純度の
ＩＴＯ（高純度化学製）である。スパッタリングガスをアルゴンガスとし、
スパッタリングチャンバーの真空度を＜２．０×１０^－３Ｐａにした後、ア
ルゴンガスを１１～１２ｓｃｃｍの流量でチャンバー内に導入し、室温下
５０Ｗのパワーでスパッタリングを行った。このときのアルゴンのガス圧
は約０．１５Ｐａである。

  １－９．グリッド電極の形成
  熱蒸着法により厚さ約３０００～５０００ｎｍの銀（Ａｇ）を堆積させ
てグリッド電極１９を形成し、透明基板３１の第1主表面上に第1のペロブ
スカイト太陽電池セル３２を作製した（図４、１０（ｅ）、工程Ｓ１９ａ）。

  １－１０．封止
  得られたセルにカバーガラスを設置して紫外線硬化性のレジンであるＵＶ
ＲＥＳＩＮ  ＸＮＲ５５１６Ｚ（ＮａｇａｓｅＣｈｅｍｔｅＸ製）を用いて
封止し（図示なし）、カプセル化して第1のペロブスカイト太陽電池セル
３２の電気特性の評価を行った。

  １－１１．第２のペロブスカイト太陽電池セル作製の準備
 封止後、透明基板３１の第２の主表面を保護していたカプトンテープを
剥離し、さらに酸素プラズマにより剥離後のＩＴＯ面１２ｂを清掃した（
図５、１０（ｆ）、工程Ｓ１９ｂ）。

１－１２．第２のホール輸送層の形成
ＩＴＯ膜１２ｂの上に第２のホール輸送層２１としてＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ
（Ｃｌｅｖｉｏｓ  Ｐ  ＶＰ  ＡＩ４０８３）膜をスピンコート法により約
２０ｎｍの膜厚で成膜した（図１０（ｇ）、工程Ｓ２０ａ）。３０００ｒ
ｐｍで３０秒にてスピンコートし、１００℃で５分アニールをした。

  １－１３．第２のペロブスカイト層（狭バンドギャップ
                                                                             ペロブスカイト層）の形成
 次に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ上に第２のペロブスカイト層として、ハロゲン
化鉛ペロブスカイト（ＦＡ_０．６ＭＡ_０．２６Ｃｓ_０．１Ｐｂ_０．５Ｓｎ_０．
５Ｉ_３）からなる狭バンドギャップペロブスカイト層２２を約６００ｎｍ
の膜厚で塗布法により形成した（図６、１０（ｈ）、工程Ｓ２１ａ）。具
体的には、１．３７２ｍＬのＤＭＦと０．３４４ｍＬのＤＭＳＯからなる
ＤＭＦ－ＤＭＤＯ中の５５３．３ｍｇのＰｂＩ_２（関東化学、純度９８％）、
４４６．５ｍｇのＳｎＩ_２、１８．８ｍｇのＳｎＦ_２、３５０．９ｍｇのホ
ルムアミジニウム（ＦＡ^＋）ヨウ化物塩（ＦＡＩ）、３１．２ｍｇのＣｓＩ、
３８．２ｍｇのメチルアンモニウム（ＭＡ^＋）ヨウ化物塩（ＭＡＩ）および
１０．８ｍｇのＭＡのＳＣＮ塩（ＭＡＳＣＮ）を調製し、それを第２のホ
ール輸送層であるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ膜２１の上にスピンコートした。ス
ピンコート開始から４０秒後に、クロロベンゼン（ＣＢ）溶媒をスピンコ
ート中の基板の中心付近に滴下し、ペロブスカイト層を結晶化させた。上
記工程を経て狭バンドギャップペロブスカイト層２２を形成した。なお、
外部量子効率の長波長側立ち上がり特性から狭バンドギャップペロブスカ
イト層２２のバンドギャップを推定したところ、その値は約１．２４ｅＶ
であった。

  １－１４．添加剤によるペロブスカイト表面処理
  エチレンジアミン（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｄｉａｍｉｎｅ，ＥＤＡＩ２）を
（ＥＤＡＩ２で１２ｍｇ、０．２重量％相当）６ｍＬのＩＰＡ溶媒に溶か
した溶液を狭バンドギャップペロブスカイト層２２の上に滴下し、５０００
ｒｐｍで５０秒のスピンコートし、１００℃で5分アニールをした（工程Ｓ
２２ａ）。

  １－１５．第２の電子輸送層の形成
Ｃ６０を真空蒸着装置で狭バンドギャップペロブスカイト層２２上に約３０
ｎｍ蒸着し、第２の電子輸送層２３を形成した（工程Ｓ２３ａ）。

 １－１６．第２のホールブロッキング層の形成
ＢＣＰ（Ｂａｔｈｏｃｕｐｒｏｉｎｅ）を真空蒸着装置によりＣ６０から
なる第２の電子輸送層２３の上に約６ｎｍ、第２のホールブロッキング層
２４として積層した（工程Ｓ２４ａ）。

 １－１７．裏面電極の形成
 熱蒸着法により厚さ１５０ｎｍの銀（Ａｇ）を堆積させて裏面電極２５を
形成した（図７、１０（ｉ）、工程Ｓ２５ａ）。
  以上の工程により、狭バンドギャップペロブスカイト層２２を有する第２
のペロブスカイト太陽電池セル３３を、広バンドギャップペロブスカイト
層１５を有する第１のペロブスカイト太陽電池セル３２が形成されている
面とは反対面の透明基板３１上に形成した。

  １－１８．封止
  得られたセルにカバーガラスを設置して紫外線硬化性のレジンであるＵＶ
ＲＥＳＩＮ  ＸＮＲ５５１６Ｚ（ＮａｇａｓｅＣｈｅｍｔｅＸ製）を用いて
封止し（図示なし）、カプセル化して電気特性の評価を行った（図７）。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　この項つづく

13th October 202
4SpaceX achieves major milestone in spaceflight

　　Only Yesterday　『君の瞳は１万ボルト』
　　　　　　

昨年は猛暑と剪定の失敗もあり未然におわり、この異常気象で開花を危ぶ
まれたものの開花！資生堂の創立百五十年祝い、アリス・山口百恵をも参
加した、谷村新司の、中国プラント建設プロジェクトのメンバーの追悼し
て、これを選曲（1９７８年）。

●　今夜の寸評：憲法九条と民主主義　②
衆議院選挙がスタ－トした。今回は早い時期から現政権を見放し、政権交
代を望んでいた（少ないながらも「多面的な政策対応の悪さ」をコミット
しこのブログに折々掲載）。

■　日本の民主主義
日本は1990年代のバブル崩壊以後、長期停滞に入ったままと言われます。
国家は、少子高齢化による人口減・経済格差など多くの社会問題を解決で
きないにもかかわらず、政権転覆につながるような激しいデモや社会変動
は起きていません。つまり、国家を監視し、国家の「専横」を防ぐほどに
は社会は強くない。この日本の状況はとても興味深いと思います。私は日
本の専門家ではありませんが、なぜ日本の労働者が賃上げをもっと激しく
要求しないのかわかりません。日本は最近の例で、高齢化が最も早く進ん
でいる社会ですが、ロボットを多く使ったり、経済活動を立て直したり、
いくつかの点で日本はその傾向にうまく適応したと思います。 少子化対策
というのは非常に難しいチャレンジです。もっと子どもを作るように人に
命令することはできません。中国では人口減が問題視されているようです
が、他のヨーロッパなどの多くの国は日本と同じような人口統計学上の問
題に直面していません。なぜなら移民の受け入れに積極的だからです。 　
日本はそうした選択をしませんでした。難民認定がとても厳しいからだと
も言われますが、その理由はわかりません。とはいえ、いろいろ考慮して
みると、日本の民主主義は総合的にうまく機能しています。もちろん贈収
賄や談合も起こっていますが、それは民主主義のプロセスがそうした問題
を認識して立ち向かわなければなりません。私の祖国トルコにおける民主
主義はまったく異なります。トルコの民主主義はほとんど死んだも同然で
す。他方、経済は違います。地方から都会に移っています。一時、大規模
な建設ブームがありましたが、労働組合はトルコでは非常に弱く、大きな
ストライキは起こっていません。トルコの労働市場は規制されており、そ
れが多大な非効率性を生み出しています。トルコでは民主主義が〝逆戻り〞
したので、報道の自由はまったく残っていません。国に対して反体制的な
ものの見方を公表したことで刑務所に入れられている人がたくさんいます。
司法は完全に大統領のコントロール下にあります。

 

　
自由の命運 　国家、社会、そして狭い回廊
著者名：ダロンアセモグル　ジェイムズ・Ａ・ロビンソン

ポピュリズムの伸張や専制国家の台頭により、世界各地で脅かされている
「自由」。この権利を勝ち取り、経済的な繁栄を成し遂げた国々が、人類
史上まれなのはなぜか？　繁栄の前提条件となる個人の自由と安全は、強
力な国家＝「リヴァイアサン」なしにはあり得ない。しかし国家が強くな
りすぎれば「専横のリヴァイアサン」(独裁国家)が生まれ、逆に弱すぎれば
「不在のリヴァイアサン」(無政府状態)に堕してしまう。専横と不在のふた
つのリヴァイアサンに挟まれた「狭い回廊」に入り、国家と社会のせめぎ
合いをへて「足枷のリヴァイアサン」を生み出した国だけが、自由と繁栄
を維持できるのだ。では、その道筋とは？　内戦下のシリアから、古代ギ
リシア、建国期のアメリカ合衆国、現代中国まで、古今東西の豊富な歴史
研究をもとに、ますます貴重になりつつある自由を保ち、「狭い回廊」内
に留まる方策を論じる。世界的ベストセラーとなった前著『国家はなぜ衰
退するのか』をしのぐ傑作
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■　中国の新しいナショナリズム 　
中国は日本を抜き世界2位の経済大国となり、アフリカや中東への関与を
拡大させています。とはいえ、中国においても景気後退と人口減というリ
スクは指摘され、かつ、リーダー自ら憲法改正して任期制度を撤廃し、初
の3期目を務めるなど民主国家・自由主義とは異なる「専横」の道を突き進
んでいます。 習近平・国家主席がますます専横的になってきたことは間違
いありませんが、私は中国に対して、以前とはいささか異なる解釈をして
います。以前は、elite circulation（エリートの循環）という鄧小平のモデル
下で、エリート・コントロールをしていたから、中国はうまくやっていた
と考える人がいました。つまり一人のエリートが入ってきて、さらにもう
一人のエリートが入ってくると、彼らがお互いを抑制し合い、それでうま
くいっていたのです。けれども、そのモデルが安定したことは一度もない
と思います。これは私の著書『自由の命運』の主要テーマの一つです。ト
ップに君臨するエリートによって計画された経済的ダイナミズムと、自由
は両立しません。そこには社会の参画が必要です。中国がますます裕福に
なったことで中間層が出現してくると、自由に対する要求がより多く出さ
れるようになりました。ある意味、習近平自身が過去の均衡を維持して、
中間層を抑圧してきた共産党システムの結果です。それにはある程度経済
改革を必要としますが、政治的抑圧と情報コントロールが著しく引き締め
られます。 中国共産党にとって、それを実行する一つの方法は、ナショナ
リズムをあおることです。実際のところ、中国の新しいナショナリズムは
共産党のコントロール下にありません。それは自律した力になりました。
もちろん、より習近平らしい方法もあります。例えばゼロ・コロナ対策で
す。これはより特異な対策でしたが、私は習近平を中国の政治システムか
らの逸脱とは見ません。単に、以前からの継続であると見ます。

中国と政治的・経済的・軍事的に覇権を争うアメリカは、トランプ以後、
国内の分断と格差問題を抱えています。2023年3月に起きたシリコンバレー
バンク破綻をきっかけとした銀行不安に証券市場の動揺が重なれば、新た
な信用不安となりグローバルに波及していく可能性も指摘されています。
しかし、実際それがグローバルに広がるとは思いません。むしろ、アメリ
カが抱えている主要な問題はバンキング・セクターにあるのではなく、テ
クノロジー・セクターにあり、格差を生み、他のすべての会社を食い物に
する少数の企業が幅を利かせていることにあります。

国家の能力、経済発展、経済成長とは何か。それを一般の人に対してどの
ように説明したらよいか。そもそも「豊かさ」や「繁栄」の本質はどこに
あると考えたらよいのでしょうか。経済成長というのは、それをどう測定
するかで変わってきます。それについては新著“Power and Progress : Our　
Thousand-Year Struggle Over Technology andProsperity”（サイモン・ジョ
ンソンとの共著『技術革新と不平等の1000年史』）で強調した、もう一つ
のテーマです。
GDPだけで経済成長を測定することはできません。意義ある人生、良い仕
事、平等が必要です。これらはAI革命がさらに脅威にさらす問題です。恐
らくAIはデータや新しいプログラムなどの面で生産性を増すでしょう。でも、
もしそこから得られた利益を平等に分配することができなければ、より良
き市民、労働者になる気持ちをわかせることは難しいでしょう。そうなる
とそれは進歩とは言えません。新たな産業革命が起きたり、AI革命が起き
るとパワーバランスが変わったり、まったく異なる局面に入ることになり
ます。だから妄信的に楽観主義になるのは危険であると私は言いたいので
す。テクノロジーをコントロールする人が勝者になり、他の人は取り残さ
れます。AIについて最近よく考えます。 　AIには確かに明るい将来がある
でしょうけれども、私が今まで抱いていた懸念も象徴しています。テクノ
ロジーの変化の歴史について振り返れば、AIなどテクノロジーが発達する
と経営者や企業はますますパワフルになりますが、それは労働者や一般市
民を犠牲にしたうえでのことです。 「自由への回廊」はAIのせいでますま
す狭くなっている 。と思います。さきほど言ったように、AIは一般市民や
労働者を食い物にして、最大規模の企業と政府だけをますますパワフルに
させているだけです。（聞き手・ジャーナリスト　大野和基）
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※わたし（たち）は、1980年に世界的な政治経済の幻想基軸が「地下化石
燃料本位制」から「先端技術本位制」を経て「環境リスク本位制」に移行
すると考え、「日本的な土地本位制バブル」を批判しており、「デジタル
革命論」を引っ提げて近未来を見通し行動し、正鵠を射て（気候変動、天
安門事変、原発災害、バブル崩壊、デジタル革命など）今日まできたが、
「自由」「平等」「博愛」「非戦」「環境」「国連主義」を掲げ「ラスト
・ディケイド」を懸け抜けたい。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　この項つづく