世界一のダイヤモンド産出国へ

彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと伝えら
れる"招き猫"と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え。（戦国時代の軍団編成
の一種で、あらゆる武具を朱塗りにした部隊編のこと）の兜（かぶと）を合体さ
せたせて生まれたキャラクタ。



　

Anytime Anywhere ￥１/kWh era

【再エネ革命渦論 195 アフターコロナ時代 186】
 技術的特異点でエンドレス・サーフィング 
● エアロゾル支援溶媒処理: 
ペロブスカイト太陽電池の性能と安定性向上させる普遍的な方法
前回のつづき
【結果及び考察】
２． 結果と考察
2.5 エアロゾル処理効果の実証
これまでのところ、エアロゾル支援溶媒処理が単一の p-i-n 構造を備えた
MAPbI3 PSC の効率と再現性を向上させる効果的な技術であることを実証し
てきたが、高効率な電荷抽出層と代替構造が実証が報告されてきた。エア
ロゾル処理の普遍性の強調に、特に以下のような幅広いデバイス構成への
応用を調査し、１）最大 1300nm の活性層厚さで調製された MAPbI3デバイ
ス。２) 代替HTL を使用して準備されたデバイスおよび HTL フリー デバ
イス。３) メチルアンモニウムを含まない (ホルムアミジニウム-セシウム
) ダブルカチオン ペロブスカイト。４) n-i-p アーキテクチャでデバイス
を準備。

2.5.1 活性層の厚さの増加
高性能 PSC の一般的な活性層の厚さは 300 ～ 500 nm の範囲にある。ペ
ロブスカイト単結晶はこの長さをはるかに超える拡散長を示すが、GBとそ
の結果として生じるトラップ状態により、デバイスで使用される最適な厚
さが制限される。これにより、活性層が吸収できる光の最大量が制限され、
厚さの許容差が制限され、大規模な蒸着がより困難になるが、GB の減少と
膜特性の改善を考慮し、900および 1300 nmのより厚いペロブスカイト膜
に対するエアロゾル処理の効果を調査した。図 5aは、公称厚さ 500、900、
および 1300 nm の未処理およびエアロゾル処理された MAPbI3 フィルムの
断面 SEM 画像を示しています。未処理のフィルムでは、顕微鏡写真により、
粒子サイズがフィルムの厚さの影響をほとんど受けずに垂直に積み重なっ
た粒子が明らかになった。エアロゾル暴露後、MAPbI3 の粒子サイズと形状
に大きな変化があり、未処理膜の小さな粒子が膜厚全体に広がるモノリシ
ック粒子に置き換えられる。膜厚がかなり増加しているにもかかわらず、
エアロゾル処理後の水平粒界の証拠は見られない。 エアロゾル処理された
フィルムの粒子サイズはフィルムの厚さに依存し、より大きな粒子はより
厚いフィルムで形成されるが、図２に見られる重要な構造再構成と再結晶
化を反映し、厚さ 1300nm までの膜でも膜厚全体にわたってそれが発生す
ることを示す。

図５．厚さに依存する微細構造と光起電力特性 a) 異なる厚さの未処理ペロブス
カイト膜（左列）およびエアロゾル処理済みペロブスカイト膜（右列）の断面走
査型電子顕微鏡（SEM）画像（スケールバー = 1 µm）。 b) 500、900、および
1300 nm の MAPbI3 膜から調製されたデバイスの PCE 値の測定。 各厚さのチャ
ンピオン セルの単一デバイス データも示される。c) チャンピオンデバイスの
J-V データ、フォワードスキャン (FS) およびリバーススキャン (RS)、すべて
のデバイスパラメーターが挿入表に示されている。

図5bは、3つの活性層厚さの未処理膜とエアロゾル処理膜のp-i-n構造デバイスの
PCEを示しています。 未処理のフィルムでは、厚さが増加すると PCE が減少。
これらの厚さに依存する損失は、電荷輸送を妨げる水平粒界による短絡電流密度
(JSC) と曲線因子 (FF) (図 S11、サポート情報) の減少に起因。ただし、エアロ
ゾル処理されたデバイスではこれらの損失は最小限に抑えられる。エアロゾル処
理によりすべてのデバイス特性が大幅に改善され、現在最高のパフォーマンスを
発揮するデバイスは活性層の厚さが 900 nm のデバイスは、1300 nm のデバイス
は 500 nm のデバイスよりわずかに低い性能メトリクスしか示さず、図 5c のチ
ャンピオン 900 nm デバイスは、JSC = 22.8 mA cm−2、VOC = 1.11 V、FF = 0.81、
PCE = 20.77% で、ヒステリシスは最小限で、統合外部量子効率 (EQE) は 22.4
mA cm−2 です。 2 (測定された JSC と相関)、図 S12、サポート情報。イオン欠
陥および/または電子欠陥を媒介することにより、エアロゾル処理により厚い吸
収体層の使用が可能になり、集光性が向上する。これは、チャンピオンデバイス
のより高い PCEをもたらすだけでなく、ピンホールなどの関連欠陥を克服するた
めに通常より厚い吸収層が使用される印刷などの PSC の大規模製造にも有利。
X 線回折を使用した厚い MAPbI3 膜の構造特性評価では、エアロゾル処理による
予想される変化、つまり結晶化度の増加、粒子サイズの増加、および優先 (110)
配向の発達が示されています。図 S13、 サポート情報。 (110) 回折ピークを詳
しく分析すると、エアロゾル処理後にピークがより高い 2θ 値にシフトしている
ことが明らかになり、その大きさは膜厚とともに増加します。 同様のシフトが
他の回折ピークにも見られ、格子サイズの減少を示す。
全体として、これらの結果は、膜厚のばらつきが大きいペロブスカイト膜にエア
ロゾル処理を容易に適用でき、その結果、膜品質が一貫して向上し、デバイスの
高性能化につながることを示す。

2.5.2 ホールトランスポート層 (HTL) のバリエーションと HTL フリーのデバイス
これまでのところ、製造された高性能デバイスにより、HTL として PolyTPD を使
用したエアロゾル処理の有効性を実証してきました。 ただし、PolyTPD は疎水性
であるため、加工に課題が生じます。[57] 代替 HTL として、親水性ポリ (3,4-
エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホネート) (PEDOT:PSS) を備
えた p-i-n デバイス、および HTL フリーのデバイスを検討します。 どちらの
アーキテクチャも、準備の容易さと材料コストの削減により魅力的であり、特に
大量生産に有利ですが、通常はデバイスの性能が低くなります 。 図6aは、異な
るHTLを備えたp-i-n PSCの概略的なエネルギー図を示し、図6bは、HTLが変化した
ときにPCEがどのように変化するかを示しています。 PolyTPD デバイスは、PEDOT

:PSS を使用して作成したデバイスよりも優れた性能を発揮するが、これは予想
通りです。 ただし、エアロゾル処理ＰＣPCEの向上は PEDOT:PSS デバイスでは
はるかに大きく、平均 PCE は 13.5 ± 0.4%から 17.6 ± 0.4% に増加しました。
これに対し、PolyTPD デバイスでは 18.7 ± 0.4% から 19.7 ± 0.3% に増加し
ました。 HTL フリーのデバイスの PCE は、エアロゾル処理後に  さらに大きな
係数で増加し、9.6 ± 0.5% から 15.4± 0.4%に増加し、以前に報告された最高
のパフォーマンスを誇るドーパントフリー、HTLフリーのデバイスに 匹敵する。
J-V 曲線（図 6c）、および太陽光発電パラメータ（図 S14、サポート情報）は
、PCE の改善は、HTL フリー デバイスの場合は VOC と FF の大幅な改善によっ
て促進され、HTL フリー デバイスの場合は主に VOC の改善によって促進される
ことを示しています。 PEDOT:PSS デバイス。 ここで、膜の結晶化度の増加、イ
オン欠陥の減少、ペロブスカイトの p ドーピングの減少の組み合わせにより、
HTL/ペロブスカイトまたは ITO/ペロブスカイトの界面でより好ましいバンド曲
がりが形成され、正孔の抽出が促進され、表面再結合が減少する。


図６　代替のデバイス構成とアーキテクチャ。 パネルは左から右に示す。フラ
ットバンドエネルギー準位図、統計デバイス PCE データ、および a ～ c) 異な
る HTL を使用した p-i-n PSC、d ～ f) Cs0.1FA0.9Pb を使用した p-i-n PSC
の典型的な J-V 曲線の概略図。 (I0.95Br0.05)3 (CsFA) を活性層として、g–i)
n-i-p PSC (図 (i) の挿入図は定常状態の電力出力を示す)。 (c) では、J-V 曲
線の逆スキャンのみが示されています。 (f) と (i) では、J-V 曲線の順方向ス
キャン (FS) と逆方向スキャン (RS) の両方が示されている。 スキャン速度は
すべての場合で 50 mV s-1 。

2.5.3 メチルアンモニウムを含まないダブルカチオンペロブスカイト
エアロゾル処理の真の普遍性を実証するために、ホルムアミジニウム (FA) ベー
スのペロブスカイトの調査に移ります。これらのペロブスカイトは、その優れた
熱安定性により魅力的ですが、それらの PCE は通常、MA または A-FA ベースの
ペロブスカイトよりも低い。標準的な p-i-n アーキテクチャを使用して、公称
組成 Cs0.1FA0.9Pb(I0.95Br0.05) の FA ペロブスカイト膜を作製した (図 6d)。
FA と一緒にセシウム (Cs) を導入すると、ペロブスカイト構造が安定化するこ
とが報告されている。PCE の統計 (図 6e) は、エアロゾル処理後の平均 PCE が
18.6± 0.3% から 19.7± 0.3% に改善したことを示す。 図 S15a ～図 S15c の
サポート情報に示されている測定された太陽光発電パラメータは、そのような改
善が主に VOC と FF の増加によりって促進を示す。チャンピオンデバイスのJ-V
曲線（図6f）は、未処理デバイスのPCEが19.0％、エアロゾル処理デバイスのPCE
が20.1％を示し、両方のデバイスで最小限のJ-Vヒステリシスが見られる。 アロ
ゾル処理されたデバイスの統合外部量子効率 (EQE) は 23.0 mA cm-2 であり、測
定された JSC (図 S16、サポート情報) とよく相関。 Cs0.1FA0.9Pb(I0.95Br0.05)
膜の特性評価 (図 S17、裏付け情報) は、エアロゾル処理の実行後の結晶化度の
改善と組み合わせて、粒子サイズの増加とモノリシック粒子の形成を示す。これ
らの膜のトラップ状態の減少。これらはすべて、MAPbI3 フィルムで観察された
修飾と一致している。

2.5.4 n-i-p アーキテクチャ
結論として、ほとんどの最先端の PSC が採用している n-i-p 構成で準備された
デバイスを検討。図 6g は、デバイスのエネルギー レベル図の概略図を示す。
ナノ粒子 SnO2/PCBM 二重層が ETL として使用され、ポリ[ビス(4-フェニル)(2,
4,6-トリメチルフェニル)アミン (PTAA)] が HTL として使用される。 PCE デー
タの分析 (図 6h)、およびその他のデバイス特性 (図 S15d ～ f、サポート情報
) は、エアロゾル処理によってデバイスが大幅に改善されることを示す。エアロ
ゾル処理後の平均 PCE 値が 18.2 ± 0.9% (チャンピオン 19.2%) から 20.2 ±
0.3% (チャンピオン 21.0%) に増加することに加えて、すべての特性の広がりも
減少。つまり、エアロゾル処理により、より優れた性能のデバイスが作製される。
統計的にパフォーマンスのばらつきが少なくなる。 n-i-p 構造の欠点の 1 つは、
一般に p-i-n 類似体よりもヒステリシスがより問題となることである。 図6iは
チャンピオン未処理デバイスとエアロゾル処理デバイスのJ-V曲線を示す。ここ
で、エアロゾル処理デバイスではヒステリシスが減少していることが明らかであ
り、イオン欠陥の減少を示す。エアロゾル処理後でも適度な J-V ヒステリシスが
あるにもかかわらず、デバイスが MPP (0.952 V) の近くに保持されている場合、
定常状態の電力出力測定 (図 6i の挿入図) は 20.5% の安定した PCE を示す。 
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　この項了
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【掲載論文】
原題：Aerosol Assisted Solvent Treatment: A Universal Method for Performance and
　       Stability Enhancements in Perovskite Solar Cells
         11 July 2021　https://doi.org/10.1002/aenm.202101420　　　

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 黒の革命

●　世界初のn型導電性チャネルダイヤモンド電界効果トランジスタを開発
　　　ダイヤモンドCMOS 集積回路への
1月25日、NIMS は、世界で初めてダイヤモンドのｎ型チャネル動作による金属酸化膜
半導体電界効果トランジスタ（MOSFET ）を開発。本成果は一般電子機器用IC に代表
されるモノリシック集積化（1つの半導体基板内に複数のデバイスを集積）に向けて耐環
境型の相補型金属酸化膜半導体（CMOS ）集積回路の実現、および将来的に強く期待
されるダイヤモンドのパワーエレクトロニクス応用に対して重要な一歩となる。
【概要】
1.NIMS は、世界で初めてダイヤモンドのｎ型チャネル動作による金属酸化膜半導体電
界効果トランジスタ（MOSFET ）を開発しました。本成果は一般電子機器用IC に代表さ
れるモノリシック集積化（1つの半導体基板内に複数のデバイスを集積）に向けて耐環境
型の相補型金属酸化膜半導体（CMOS ）集積回路の実現、および将来的に強く期待さ
れるダイヤモンドのパワーエレクトロニクス応用に対して重要な一歩となる。
2.ダイヤモンド半導体では、高い絶縁耐圧や高速スイッチングなどの優れた特性を、高
温、高放射線被曝環境（原子力発電の炉心近傍等）などの極限環境で実現することが
原理的に可能です。その利点を生かして環境安定性に優れた制御系の集積回路に利
用するために、高機能化CMOS の実現が期待されています。CMOS 構造にはp型とｎ
型の双方の導電性チャネル形成が必須ですが、ダイヤモンドではn型チャネルを持つ
MOSFET が実現できていなかった。
3.今回、NIMS の研究チームは世界に先駆けて開発した高品質単結晶ｎ型ダイヤモン
ド半導体成長技術をベースに、n型チャネルダイヤモンドMOSFET を開発しました。低
濃度のリンをドープした原子的に平坦なテラスを有する高品質n型ダイヤモンドの結晶
成長に成功しました（左図）。これをチャネル層に用いたMOSFET 構造（中図）において
、高濃度でリンをドープしたダイヤモンドをソースおよびドレインのコンタクト層として使
用することで接触抵抗を大幅に低減し、ｎ型チャネルのトランジスタ特性を確認した。
トランジスタ性能の重要な指標である電界効果移動度は、300 ℃において約150 cm 2/
V･sec の高い値を示し、優れた高温動作特性（右図）が確認できた。


4.本成果は、省エネパワーエレクトロニクス、スピントロニクス、耐環境型の微小電気機械シ
ステム（MEMS ）センサーの実現に向けたCMOS 集積回路に応用されることが期待で
きるす。
5.本研究は、NIMS 電子・光学材料研究センターの廖 梅勇、Huanying Sun 、小泉 聡に
よって行われた。
6.本研究成果は、Advanced Science 誌に202 4年1月20 日オンラインにて掲載された
（doi.org/10.1002/advs.202306013 202306013）。
【結果/成果】
n 型ダイヤモンドMOSFET の形成には、高結晶品質ダイヤモンドn―型チャネルエピタ
キシャル（以下エピと省略：用語解説4）層と高導電性n+コンタクトエピ層の成長が不可
欠。本研究チームは、高温高圧合成（HPHT）単結晶ダイヤモンド基板｛111｝結晶面に、
NIMS 独自開発のマイクロ波プラズマ化学気相成長（MPCVD：用語解説5）によって精
密にドーピング濃度を制御した高品質n 型ダイヤモンドエピ層を形成しました。デバイス
チャネル用に低濃度のリンをドープしたn-ダイヤモンドエピ層は、HPHT ダイヤモンド基
板表面に直接成長しました。その後、オーミックコンタクトの形成用に高濃度でリンをド
ープしたn+層をn－層表面に堆積しました。n－型ダイヤモンドのホモエピタキシャル成
長は、ステップフロー成長モードに従い原子的に平坦（平均粗さ約0.1 nm）なテラスを形
成することが原子間力顕微鏡（AFM）観察で確認されました（図1）。成長面内でのリン
濃度の均一な分布、またドナーを不活性化する水素含有量が測定限界以下に低いこと
も二次イオン質量分析（SIMS）で確認されている。ダイヤモンドエピ層の電子移動度（用
語解説6）はホール効果（用語解説7）によって測定され、300 ℃の高温において212 cm
2/V・sec の高い値が得られている。

図1 高品質の低リンドープn―型ダイヤモンドエピ層。（A）成長に用いた微傾斜ダイヤモ
ンド｛111｝基板表面の原子ステップ（上）とリンをドープしたエピ層（下）の概略図。（B）ダイ
ヤモンドエピ層の表面形態原子間力顕微鏡（AFM）像。
作製した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの動作を調べると、ソースとドレイン（n
+層）のコンタクト間のチャネルに流れる電流（ドレイン電流）をゲート電極にかける電圧
で制御でき、その極性から電子（n 型）伝導性を世界で初めて確認しました（図２）。ドレ
イン電流は、室温から300 ℃までほぼ4 桁増加し、300 ℃における電界効果電子移動度
は約150 cm2/V・sec の高い値を示しました。これは他のワイドギャップ半導体n チャネ
ルMOSFET の同一温度域での移動度と比較して十分に高い値です。また、高周波動
作に関しては、300 ℃の高温でマイクロ秒レベルのスイッチング速度が得られました。
ゲート振幅を広げればチャネルの導電率が増加するため、さらに高速のスイッチングが
期待できます。マイクロ秒レベルの速度、すなわちMHz レベルの素子動作は、過酷環
境下でのセンサー信号処理回路等への利用に十分な特性であり、高温、放射線環境等
で用いる各種センサーのプリアンプ等への応用が期待できる。

図２ n 型ダイヤモンドMOSFET 構造図とその電気特性および温度依存性。（A）MOSF
ET の概略図、（B）ダイヤモンドMOSFET の光学顕微像、（C）室温、150 ℃、および300
℃でのトランジスタ特性（黒線から黄線（(i)では紫と重なっている）に向かってゲート電圧
（Vg）増大）
【展望】
本研究成果は省エネパワーエレクトロニクス、スピントロニクス、モノリシック（用語解説8
）集積した微小電気機械システム（MEMS）センサー等への応用に向け、低損失、軽量
な耐環境CMOS 集積回路の実現に繋がると期待されます。ダイヤモンドの究極性能を
最大限に活用するため、特に過酷な環境（高温および高い放射線暴露状態など）で動
作できるエレクトロニクスとしてCMOS の開発が必要です。将来、放射線検出器やMEM
S センサ用の混合信号集積回路の要件を満たすように、n 型MOSFET デバイス形状の
最適化を行い、現状のメガヘルツ（MHz）動作からより高周波のギガヘルツ（GHz）動作
に向けて高周波特性の向上を試みます。さらに、p 型、n 型ドーピング制御、薄膜形成技
術を高度化してダイヤモンドCMOS 回路実現に向けた研究を開始する。
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掲載論文
題目：High-temperature and high-electron mobility metal-oxide-semiconductor field-effect
transistors based on n-type diamond
著者：Meiyong Liao, Huangying Sun, Satoshi Koizumi
雑誌：Advanced Science （Wiley; doi.org/10.1002/advs.202306013）
掲載日時： 2024 年1 月20 日（オンライン掲載）
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【関係技術情報】
１．ノーマリ・オフ ダイヤモンドMOSFET開発 2024.01.19
２．超短パルスレーザーでNV中心を直接書込み 　2023.12.26
３．ダイヤモンド触媒でCO2を可視光で還元 2023.12.12
４．高放熱性窒化ガリウムトランジスタを実現 2023.12.04
５．EDP，半導体用人工ダイヤモンド大型基板を発 2023.08.24

※日本でダイヤモンドをはじめとした人工合成時代のアップバージョンのトップランナと
　 して世界貢献立国を目指そう。

● 銀ナノ粒子がペロブスカイト太陽電池の効率を向上
1月23日。シェフィールド大学の研究者らは、電子輸送層に銀ナノ粒子を添加す
ることでペロブスカイト太陽電池の効率を高め、記録破りの14.3％の電力変換効
率を達成。
【要約】
全固体環境では、リチウム (Li) とアノードの材料との間の界面反応はよく理解されてい
ない。 この論文では、そのような界面における材料の収縮感受性という新しい現象を明
らかにする。この現象を利用すると、大量の厚いリチウム金属層の迅速なめっきと剥離
をホストするアクティブな三次元足場の設計が容易になる。 ここでは、よく知られたアノ
ード材料であるシリコン (Si) に焦点を当て、従来の固液界面での強力な Li-Si 合金化で
はなく、マイクロメートルサイズの Si のリチウム化反応が固相界面で大幅に抑制される
可能性があることを実証する。 界面は、反応誘起の拡散制限プロセスにより、Si 粒子の
薄い表面部位でのみ発生。 制約付きアンサンブル計算アプローチによって予測され、
Si、銀 (Ag)、およびマグネシウム (Mg) の合金で表される、一連のアノード材料の表面

リチウム化と Li めっきの間の動的相互作用は、したがって、アノード材料の電流密度を
より均一に分布させることができる。 高面積容量でのリチウム金属の急速サイクル。こ
れは固体電池の用途に関して重要である。
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Fast cycling of lithium metal in solid-state batteries by constriction-susceptible anode materials. Nat Mater.
2024 Jan 8. doi: 10.1038/s41563-023-01722-x. Epub ahead of print. PMID: 38191629.
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　マルクス解体　プロメテウスの夢とその先
　斎藤幸平/ 竹田真登
　講談社（2023/10発売）
　資本主義をこえていく、新時代のグランドセオリー！　
　人新世から希望の未来へ向かうための理論。 英国で出版された話題書
　Marx in the Anthropocene（ケンブリッジ大学出版、2023年）、待望の日本語
　版！ いまや多くの問題を引き起こしている資本主義への処方箋として、斎
　藤幸平はマルクスという古典からこれからの社会に必要な理論を提示してき
　た。本書は、マルクスの物質代謝論、エコロジー論から、プロメテウス主義
　の批判、未来の希望を託す脱成長コミュニズム論までを精緻に語るこれまで
　の研究の集大成であり、「自由」や「豊かさ」をめぐり21世紀の基盤となる
　新たな議論を提起する書。

　目次
　第一部 マルクスの環境思想とその忘却
　　第一章 マルクスの物質代謝論
　　第二章 マルクスとエンゲルスと環境思想
　　第三章 ルカーチの物質代謝論と人新世の一元論批判
　第二部 人新世の生産力批判
　　第四章 一元論と自然の非同一性
　　第五章 ユートピア社会主義の再来と資本の生産力
　第三部 脱成長コミュニズムへ
　　第六章 マルクスと脱成長コミュニズム　MEGAと1868年以降の大転換
　　第七章 脱成長コミュニズムと富の潤沢さ

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　　　第一章　物質代謝論と環境危機　
      第二節　「マルクスのエコロジー」の再発見
　　人間の生産活動も「自然の普遍的な物質代謝」（『資本論草稿集』
　④、98頁）の一部である。このことはまた、人間は無から生産するこ
　とはできず、常になんらかの素材から生産しなければならないことを
　意味する。労働は人間の介入なしに存在する「物質的な土台」のうえ
　で機能するものであり、人間の労働は「ただ素材の形態を変えること
　ができるだけである」（『資本論』第一巻、58頁）［09】。食料、衣
　服、住宅、そして経済を「脱物質化」するハイテクな財でさえ、例外
　なく千早ルギーーと自然資源を使用する。この意味で、人間と自然の
　物質代謝は、けっして中断することのできない「自然条件」なのであ
　る。
　　さらに言えば、人間は自然に依存しているのだ。マルクスは、労働
　過程においては労働と自然の両方が本質的な役割を担っていることを
　強調している。「だから、労働は、それによって生産される使用価値
　の、素材的富の、ただ一つの源泉なのではない。ウィリアム・ペティ
　の言うように、労働は素材的富の父であり、土地はその母である」（
　『資本論』第一巻、同上）。だからこそ、人間が自然に働きかける際、
　労働は自然法則と自然の普遍的な物質代謝におけるさまざまな生物物
　理的過程によって制約される。メサーロシュによれば、このような視
　点から見た労働という行為は人間と自然の物質代謝という「第一階層
　First order」 における「一次的媒介　Primary mediation」を構成して
　いる。「第一階層」とは、要するに、「それなしには人類はもっとも
　理想的な社会形態においてもおそらく生存しえない」根源的な次元を
　指す（Meszaruse 1995:138)。
　　より具体的に言えば、人間が外部環境に対して行う物質代謝の方法
　は、気候、場所、資源や千早ルギーの入手しやすさ、アクセスしやす
  さなど与えられた客観的な自然条件によって大きく異なるが、自然と
  の関わり自体はどこにも共通している。物質代謝の第一階層は、人類
　の生存における根源的な自然制約を構成しており、それは強制力をも
　って「歴史的絶対 historical absolute」として残りつづける。

　　この自然的な土台は、歴史が「新しい欲求」を創造し、それに対応
　　してその欲求を満たす条件を拡大していくなかで、人間の生産的発
　　展の進行によってどれほど変容されようとも（実際のところ変容さ
　　れなければならなぃのだが）、究極的にはいつも自然そのものによ
　　ってしっかりと制限されているのだ。（Meszaros 2012:246）

　　同様のことを、イギリスの哲学者ケイト・ソーパーも次のように述
　べている。「物質的な構造や過程は人間の活動から独立しており（人
　間にょって作り出された生産物ではなぃとぃう意味言、その力と因果
　力はあらゆる人間の実践の必要条件であり、またその実践が取り得る
　形態を規定する」（Soper 1995:132）と。非人間的自然が人間から独
　立して客観的に存在するという前提は、唯物論の根本洞察なのである。
　もちろん、人間は与えられた環境に受動的に制約されるだけではない。
　なぜなら、他の動物と比較して、人間は環境との相互作用をより自由
　に反省することができるからだ。例えば、人間は、より効率的に生産
　するための道具を設計し、生産物の質を改善し、新しい原材料を発見
　し、さらには自分の欲求に応じてまったく新しい対象を発明すること
　ができる。この自由度の大きさこそが、他の動物にはない人間の労働
　の独特な特徴だと、マルクスは考える。人間が自然に意識的に働きか
　ける結果として、生産力は歴史的に発展していき、生産の客体的条件
　も大きく変容していく。だがここで重要なのは、それにもかかわらず、
　第一階層の物質的制限は残りつづけ、決して廃棄されることはないと
　いう事実だ。自然の可塑性は、労働の自然的な土台としての本源性を
　否定するものではない。もし人間がこの自然的な土台を無視するなら、
　自然法則の侵害は汚染、資源枯渇といった矛盾を必ずや引き起こす。
　一方で、マルクスは、このような労働過程の一般的な叙述が、人間は
　自然の一部であり、自然とともに生きる必要があるという凡庸な指摘
　になりかねないリスクにも注意を促している。絶え間ない人間と自然
　の物質代謝は、人間が生存するための歴史貫通的条件だが、このよう
　に「すべての生産の一般的諸条件が取り扱われる」にすぎないなら、
　「すべての生産の本質的諸契機をあげるだけ」の「平板な同義反復」
　（『資本論草稿集』①、29‐30頁）になってしまうというのである。
　実際、マルクスの独自性はむしろ、労働が常に一定の社会関係のもと
　で行われることを認識している点にこそあるのだ。
　　メサーロシュはこの点を、人間と自然の物質代謝における社会的構
　造化の必然性という形でまとめている。「人類が生存しようとする限
　り、一次的媒介の決定的な機能が継続可能になるような根源的な構造
　的関係性を確立するという要請から逃れることはできない」（Meszaros
 　1995: 1399)　。この要請から、コミュニケーション、協業、規範、制度、
　法律を媒介とする社会的構造が歴史的に形成さ　れるようになる。人
　間と自然の物質代謝の編成はこの観点からすれば、「第一階層」の自
　然的・生態学的過程と並んで、同時に社会的・歴史的過程でもある。
　後者の具体的な形態はそれぞれの時代や場所における社会関係によっ
　て大きく変化する。それらは、メサーロシュの表現を使えば、「歴史
　的に特殊な社会的再生産システムの第二階層の媒介（second order  me-
    diations」(Meszaros 1995: 139‐40)を構成するのだ。
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　この項つづく



　
ビリー・バンバン　また君に恋してる
作詞：松井五郎、作曲・編曲：森正明
2007.11.07

● 今夜の寸評 ：夢をあきらめない