９５年に初めてWindows９５が発売され、それから私の人生はガラッと変わってしまった。 あの時最世に買ったFMVは５０万円近くしたものでした。その価格の高さもあって自作に手を出すようになっ たものです。そしてお金が回らなくなったころ部品がどんどん値下がりするのを指をくわえて見ながら、何とも すさまじい時代になったものだと感心させられました。太陽電池もこうした流れと同じなのかもしれません。
その下落の中でも驚いたのがハードディスクでした。当時１万円を切れば購入を考えていたのですが、その 頃の容量はパソコンの部屋の値段の推移表を 見ると２０００年当時で３０ギガ程度です。９７年に初めて買ったものは２．５ＧＢで ３３，８８７円だったようです から今やテラバイトでも１万円を大幅に割っていることを考えると一時はHDD の製造で飛ぶ鳥を落とす勢いだった当時のナショナルの関連会社である香川県の寿電子が整理に追い込まれたこ とを思い出します。
そして今やHDDの時代もフラッシュメモリーのSSDの追い上げで風前のともしびと言えば業界の方に叱 られるかもしれませんね。だれがこんな時代が来ると予想できたでしょうか。これからもとんでもないものが開 発されるのかもしれないと思っていたら、どうやら現実のものになりそうな記事がありました。
SJNニュース 再生可能エネルギー最新情報より 2013年1月2日
UCLAら、STT-RAMを超える超低消費電力の磁性メモリ MeRAM を開発
カリフォルニア大学ロサンゼルス校（UCLA）を中心とする研究チームが、電圧印加によってデータ書き込みを行う新 型の磁性メモリ MeRAM（Magnetoelectric Random Access Memory）を開発した。スピン注入メモリ（STT-RAM）の1/10～1/1000の低消費電力、5倍超の記録密度を実現できるという。
STT- RAMでは、磁気トンネル接合に電流を注入することで電子のスピンを反転させてメモリセルの磁化方向を制御し、 データの書き込みを行う。消費電力を小さくでき、書き込み回数にも制限が無いことから、フラッシュメモリを代替 する次世代の不揮発性メモリとして有望視されており、一部で製品化も始まっている。今回UCLAが開発した MeRAMは、このSTT-RAMをさらに進化させたもの。電流書き込み型であるSTT-RAMでは不可避な ジュール熱による電力損失を回避するために、電圧印加によってスピンの反転ができるようにした。
IEDM2012 での論文発表によると、同デバイスでは10ナノ秒のパルス電圧印加によりナノスケールの高抵抗磁気トンネル接合 （HMTJ）のスイッチングを実証。スイッチングに必要なエネルギーはSTT-RAMの1/10程度に低減さ れ、リーク電流は105 A/cm2未満となっている。
MeRAM は、商用化が始まっているSTT-RAMと、材料および製造プロセスの共通点が多い。このため、STT-RAM における電力・記録密度の制約を緩和しつつ、実用化を進めることができると期待される。
なお、同研究は、米国防総省・国防高等 研究計画局（DARPA）の不揮発性ロジック開発事業による助成を受け ており、カリフォルニア大学アーバイン校、HGST（旧・日立グローバルテクノロジーズ）、独 Singulus Technologies なども参加している。
技術的なことは解りませんが、きっ とこんなのも知らぬ間に実用化されるのでしょうね。こうなるとパソコンもスマートフォンなどにとって代わられる のかもしれません。
それにしても未だにSSDさえ使ったことのない時代遅れの私としては本当に時代についていけなくなりそ うです。
しかし、このすさまじい進歩が太陽電池の世界に起きることを期待したいのですが、これほどのスピードが なさそうなのが悲しいところです。
それでも先は 分からない！